JP5232969B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
外部量子効率は、内部量子効率と光取り出し効率を掛け合わせたものとして表される。内部量子効率とは、素子に注入した電流のエネルギーのうち、光に変換される割合である。一方。光取り出し効率とは、半導体結晶内部で発生した光のうち、外部に取り出すことができる割合である。
しかしながら、GaN系化合物半導体のみならず、発光ダイオード(LED)においては、一般的に注入電流に対する光取出し効率が押並べて低く、注入電流に対しての内部発光を十分に外部に取り出しているとは言い難い。
即ち、本発明は以下に関する。
[2] 前記熱処理工程を酸素雰囲気下で行うことを特徴とする[1]に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
[3] 前記熱処理工程における熱処理温度が250℃以上であることを特徴とする[1]または[2]に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
[4] 前記熱処理工程における熱処理温度が500℃以上であることを特徴とする[1]または[2]に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
(a)第1のp型半導体層上にマスクを形成する工程。
(b)第1のp型半導体層表面をドライエッチングする工程。
[6] 前記工程(a)が、前記第1のp型半導体層上にレジスト材を用いてパターニングを行い、マスクを形成することを特徴とする[5]に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
[7] 前記工程(a)は、前記第1のp型半導体層上に金属薄膜を形成する小工程と、金属薄膜形成後に熱処理を行なう小工程とを備えていることを特徴とする[5]または[6]に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
[8] 前記工程(b)におけるドライエッチング後、前記工程(a)で形成した前記金属薄膜が、前記第1のp型半導体層中もしくは表面に残存していることを特徴とする[7]に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
[9] 前記金属薄膜が、融点が100℃〜450℃の温度の低融点金属、もしくは低融点合金であることを特徴とする[7]または[8]に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
[10] 前記金属薄膜がNiまたはNi合金であることを特徴とする[7]または[8]に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
[11] 前記金属薄膜が、Ni、Au、Sn、Ge、Pb、Sb、Bi、Cd、Inの群から選ばれる低融点金属、または少なくともこれらの金属の内の1種を含んだ低融点合金であることを特徴とする[7]〜[10]の何れかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
また、本発明の製造方法では、特に、以下(1)及び(2)に示すような効果がある。
(1)第1のp型半導体層表面に、ドライエッチングダメージの無い凹凸を形成させることが出来る。
(2)第2のp型半導体層を積層して再成長させるため、基板法線方向に対して傾いた結晶面が表面に露出する。これにより、透光性正極のステップカバレッジ性が向上する。
これらの効果により、光取り出し効率にすぐれ、低い駆動電圧で動作可能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が得られる。
但し、本発明は以下の実施形態の各々に限定されるものではなく、例えば、これら実施形態の構成要素同士を適宜組み合わせても良い。
しかしながら、特開2000−196152号で提案された方法では、完全にダメージを回復するまでには至らず、駆動電圧が上昇してしまう。本願発明者らは、以下に説明する方法により、エッチングダメージを十分に回復させ、駆動電圧が下がることを発見した。
図1は本発明で得られる発光素子の断面を模式的に示した図である。
図1において、符号11は基板、12はバッファ層、13はn型半導体層、14は発光層、15は第1のp型半導体層、16はpコンタクト層(第2のp型半導体層)、17は透光性正極、18は正極ボンディングパッド、19は負極ボンディングパッドである。
本発明の発光素子は、図1に示す例のように、第1のp型半導体層15表面に凹凸が形成されており、さらにpコンタクト層16が積層されている。また、図示例では、第1のp型半導体層15表面に形成された凹凸に沿うようにして、第2のp型半導体層16及び透光性正極17が凹凸に形成されている。
以下、本発明の発光素子について詳述する。
基板11としては、サファイア単結晶(Al2O3;A面、C面、M面、R面)、スピネル単結晶(MgAl2O4)、ZnO単結晶、LiAlO2単結晶、LiGaO2単結晶、MgO単結晶等の酸化物単結晶、Si単結晶、SiC単結晶、GaAs単結晶、AlN単結晶、GaN単結晶及びZrB2等のホウ化物単結晶、等の基板材料が周知である。本発明においても、これら周知の基板材料を含めて、如何なる基板材料を何ら制限なく用いることができる。これらの中でも、サファイア単結晶及びSiC単結晶が特に好ましい。
なお、基板の面方位は特に限定されない。また、ジャスト基板でも良いしオフ角を付与した基板であっても良い。
上述の基板11上には、通常、バッファ層12を介して、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型半導体層13、発光層14および第1のp型半導体層15が積層される。なお、使用する基板やエピタキシャル層の成長条件によっては、バッファ層12が不要である場合がある。
また、本発明の発光素子は、図1に示す例のように、第1のp型半導体層15表面に凹凸が形成されており、該第1のp型半導体層15上に、さらにpコンタクト層(第2のp型半導体層)16が積層されている。
MOCVD法では、キャリアガスとして水素(H2)または窒素(N2)、III族原料であるGa源としてトリメチルガリウム(TMG)またはトリエチルガリウム(TEG)、Al源としてトリメチルアルミニウム(TMA)またはトリエチルアルミニウム(TEA)、In源としてトリメチルインジウム(TMI)またはトリエチルインジウム(TEI)、V族原料であるN源としてアンモニア(NH3)、ヒドラジン(N2H4)などが用いられる。また、ドーパントとしては、n型にはSi原料としてモノシラン(SiH4)またはジシラン(Si2H6)を、Ge原料としてゲルマンガス(GeH4)や、テトラメチルゲルマニウム((CH3)4Ge)やテトラエチルゲルマニウム((C2H5)4Ge)等の有機ゲルマニウム化合物を利用できる。
MBE法では、元素状のゲルマニウムもドーピング源として利用できる。p型にはMg原料としては例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム(EtCp2Mg)を用いる。
n型半導体層13は、通常、下地層、nコンタクト層およびnクラッド層から構成される。nコンタクト層は下地層および/またはnクラッド層を兼ねることができる。
下地層はAlXGa1―XN層(0≦x≦1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好ましくは0≦x≦0.1)から構成されることが好ましい。下地層の膜厚は0.1μm以上が好ましく、より好ましくは0.5μm以上であり、1μm以上が最も好ましい。膜厚を1μm以上とすることにより、結晶性の良好なAlXGa1―XN層が得られやすくなる。
また、nクラッド層のn型ドープ濃度は1×1017〜1×1020/cm3の範囲が好ましく、より好ましくは1×1018〜1×1019/cm3の範囲である。ドープ濃度がこの範囲であると、良好な結晶性の維持および発光素子の動作電圧低減の点で好ましい。
n型半導体層13上に積層される発光層14としては、窒化ガリウム系化合物半導体、好ましくはGa1−sInsN(0<s<0.4)の窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層が通常用いられる。
発光層14の膜厚としては、特に限定されないが、量子効果の得られる程度の膜厚、即ち臨界膜厚が好ましく、例えば1〜10nmの範囲であり、より好ましくは2〜6nmの範囲である。膜厚が上記範囲であると、発光出力の点で好ましい。
また、発光層は、上記のような単一量子井戸(SQW)構造の他、上記Ga1−sInsNを井戸層として、この井戸層よりバンドギャップエネルギーが大きいAlcGa1−cN(0≦c<0.3かつb>c)障壁層とからなる多重量子井戸(MQW)構造としてもよい。また、井戸層および障壁層には、不純物をドープしてもよい。
第1のp型半導体層15は、通常、pクラッド層およびpコンタクト層から構成される。しかし、pコンタクト層がpクラッド層を兼ねてもよい。
pクラッド層としては、発光層のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、発光層14へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、好ましくは、AldGa1−dN(0<d≦0.4、好ましくは0.1≦d≦0.3)のものが挙げられる。pクラッド層が、このようなAlGaNからなると、発光層14へのキャリアの閉じ込めの点で好ましい。
pクラッド層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは1〜400nmであり、より好ましくは5〜100nmである。
pクラッド層のp型ドープ濃度は、1×1018〜1×1021/cm3が好ましく、より好ましくは1×1019〜1×1020/cm3である。p型ドープ濃度が上記範囲であると、結晶性を低下させることなく良好なp型結晶が得られる。
また、p型ドーパントを1×1018〜1×1021/cm3の範囲の濃度で含有していると、良好なオーミック接触の維持、クラック発生の防止、良好な結晶性の維持の点で好ましく、より好ましくは5×1019〜5×1020/cm3の範囲である。
p型不純物としては、特に限定されないが、例えば、好ましくはMgが挙げられる。
pコンタクト層の膜厚は、特に限定されないが、0.2〜4μmが好ましく、より好ましくは0.4〜2μmの範囲である。膜厚がこの範囲であると、発光出力の点で好ましい。
本発明の発光素子は、図1に示す例のように、第1のp型半導体層表面に凹凸が形成されている。
本発明では、光取り出し面である第1のp型半導体層15表面に凹凸が形成された構成とすることにより、発光素子の駆動電圧が下げられ、また、光取り出し効率が向上し、発光特性に優れた発光素子を実現することができる。
本発明の発光素子は、上述したように、表面に凹凸が形成された第1のp型半導体層15上に、pコンタクト層(第2のp型半導体層)16が積層されている。また、図1に示す例では、第1のp型半導体層15表面に形成された凹凸に沿うようにして、pコンタクト層16が凹凸に形成されている。
pコンタクト層16の膜厚が大きすぎると凹凸が平坦化してしまい、光取り出しの点で好ましくない。pコンタクト層16の膜厚が小さすぎると傾斜した結晶面が出現せず、透光性正極のステップカバレッジ性の点で好ましくない。
透光性正極17は、図1に示す例のように、pコンタクト層16の直上、あるいはpコンタクト層16上に金属層等を介して形成される。また、図1に示す例では、第1のp型半導体層15表面に形成された凹凸に沿うようにして、透光性正極17が、pコンタクト層16とともに凹凸に形成されている。
また、透光性正極17に用いられる透明酸化物としては、例えば、ITO(In2O3−SnO2)、AZnO(ZnO−Al2O3)、IZnO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−GeO2)等の内、少なくとも一種類を含んだ材料を、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることができる。また、その構造も、従来公知の構造を含めて如何なる構造のものも何ら制限なく用いることができる。
正極ボンディングパッド18は、図1に示す例のように、透光性正極17上に設けられる。
正極ボンディングパッド18の材料としては、例えば、Au、Al、NiおよびCu等を用いた各種構造が周知であり、これら周知の材料、構造のものを何ら制限無く用いることができる。
このため、負極ボンディングパッド19を形成する際は、発光層14およびp型半導体層15の一部を除去してn型半導体層13のnコンタクト層を露出させ、この上に負極ボンディングパッド19を形成する。
負極ボンディングパッド19の材料としては、各種組成および構造の負極が周知であり、これら周知の負極を何ら制限無く用いることができ、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることができる。
本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法は、上述したように、図1に示すような基板11上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型半導体層13、発光層14および第1のp型半導体層15をこの順序で積層する第1の結晶成長工程と、さらに窒化ガリウム系化合物半導体からなるpコンタクト層(第2のp型半導体層)16を積層する第2の結晶成長工程とを含み、前記第1の結晶成長工程と第2の結晶成長工程との間に、前記第1のp型半導体層15表面に凹凸を形成する凹凸形成工程と、該凹凸形成工程の後に熱処理を行う熱処理工程とが備えられた構成とされている。
本発明の凹凸形成工程は、下記(a)及び(b)の中工程が備えられた構成とすることができる。
(a)第1のp型半導体層上にマスクを形成する工程。
(b)第1のp型半導体層表面をドライエッチングする工程。
また、本発明の凹凸形成工程は、上記工程(a)が、第1のp型半導体層上に金属薄膜を形成する小工程と、金属薄膜形成後に熱処理を行なう小工程とが備えられた構成とすることができる。
まず、基板11上に、バッファ層12を介して、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型半導体層13、発光層14および第1のp型半導体層15がこの順序で積層されたウェハ上に、一般的なレジストマスクをフォトリソグラフィー法により任意のパターン形状に作製する。この際の形状は、円形、楕円形、多角形、ストライプ状等、発光素子の大きさ、形状、発光波長等に合わせて選択する。その後、一般的なドライエッチング装置を用いて、第1のp型半導体層15をエッチングする。エッチング深さは、第1のp型半導体層15の膜厚以下であることが好ましい。ドライエッチング後、有機洗浄などによってレジストマスクを剥離する。
これらの金属を用いて、蒸着、スパッタ等の一般的な成膜方法にて、任意のパターンでウェハ上に形成し、その後、材料に応じた熱処理を加えて凝集させる。例えば、NiまたはNi合金を用いる場合、酸素存在下で300℃から600℃の温度範囲で熱処理をするのが好ましい。この条件で熱処理を行えば、光取り出しの点で好ましい形状を得ることが出来る。その後、ドライエッチングを行うことにより、粒状マスクに応じた凹凸が第1のp型半導体層表面に形成される。
以下、熱処理工程に関して説明する。
本発明の熱処理工程は、処理温度が250℃以上であることが好ましく、さらに好ましくは500℃以上である。また、熱処理工程は、酸素存在下で行うことが好ましい。但し、熱処理温度が1100℃以上であると、MQWにダメージを与える可能性が高くなり、逆方向電圧特性に悪影響を与えることがある。
上述のような条件で熱処理を行うことにより、駆動電圧の低い素子が得られる。
また、この熱処理工程における酸素の役割は明らかになっていないが、実験的に良好な結果が得られている(後述の実施例を参照)。
酸素存在下での熱処理工程を、水素を使用するMOCVD炉内で実施することは安全上好ましくないので、熱処理工程は、MOCVD炉以外の加熱装置で行うことが好ましい。
以下、第二の結晶成長工程に関して詳述する。
本発明では、第1の結晶成長工程で積層した第1のp型半導体層15表面に、前記凹凸形成工程及び熱処理工程によって凹凸を形成した後、第2の結晶成長工程において、さらにpコンタクト層(第2のp型半導体層)を積層する。
また、本発明の製造方法では、特に、以下(1)及び(2)に示すような効果がある。
(1)第1のp型半導体層表面に、ドライエッチングダメージの無い凹凸を形成させることが出来る。
(2)第2のp型半導体層を積層して再成長させるため、基板法線方向に対して傾いた結晶面が表面に露出する。これにより、透光性正極のステップカバレッジ性が向上する。
これらの効果により、光取り出し効率にすぐれ、低い駆動電圧で動作可能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が得られる。
本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、例えば当業界周知の手段により透明カバーを設けてランプを構成することができる。また、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と蛍光体を有するカバーを組み合わせて白色のランプを作製することもできる。
図3は、本発明のランプの一例を模式的に示した断面図であり、このランプ2は、図1に示す本発明のフェイスアップ型の窒化物系半導体からなる発光素子1が砲弾型に実装されたものである。図3において、符号21、22はフレームを示し、符号23、24はワイヤー、符号25はモールドを示している。
なお、本発明のランプは、一般用途の砲弾型、携帯のバックライト用途のサイドビュー型、表示器に用いられるトップビュー型等、何れの用途にも用いることができる。
図1に、本実験例で作製した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の断面模式図を示すとともに、図2に、その平面模式図を示す。
サファイアからなる基板11上に、AlNからなるバッファ層12を介して、窒化ガリウム系化合物半導体層を積層した。この窒化ガリウム系化合物半導体層は、厚さ8μmのアンドープGaNからなる下地層、厚さ2μmのGeドープn型GaNコンタクト層及び厚さ0.02μmのn型In0.1Ga0.9Nクラッド層がこの順序で積層されたn型半導体層13、厚さ16nmのSiドープGaN障壁層及び厚さ2.5nmのIn0.06Ga0.94N井戸層を5回積層し、最後に障壁層を設けた多重量子井戸構造の発光層14、さらに厚さ0.01μmのMgドープp型Al0.07Ga0.93Nクラッド層と厚さ0.5μmのMgドープp型Al0.02Ga0.98Nコンタクト層がこの順序で積層された第1のp型半導体層15からなり、各層をこの順で積層して形成した。光取り出し面は半導体側とした。
次に、一般的なフォトリソグラフィー法を用いて、前記pコンタクト層上にドット状にレジストマスクを形成した。そして、0.4μmの深さでドライエッチングした後、レジストを有機洗浄で剥離した。その後、酸素濃度1%の雰囲気中で、600℃、1minのアニールを実施した。
次に、表面に凹凸が形成された第1のp型半導体層15上に、さらに、厚さ0.1μmのMgドープp型Al0.02Ga0.98Nコンタクト層16を積層した。
まず、エッチングマスクの形成にあたり、レジストをp型半導体層の全面に一様に塗布した後、公知のリソグラフィー技術を用いて、負極形成領域からレジストを除去した。そして、真空蒸着装置内にセットして、圧力4×10−4Pa以下で、Ni及びTiをエレクトロンビーム法により膜厚がそれぞれ約50nm及び300nmとなるように積層した。その後、リフトオフ技術により、負極形成領域以外の金属膜をレジストとともに除去した。
次に、公知のフォトリソグラフィー技術及びリフトオフ技術を用いて、p型AlGaNコンタクト層表面の正極を形成する領域にのみ、Ti0.95Nb0.05O2からなる透明電極をスパッタ法により1.2μm形成した。
次に、公知のフォトリソグラフィー技術及びリフトオフ技術を用いて、p型AlGaNコンタクト層16上の正極を形成する領域にのみ、厚さ1nmのNiコンタクトメタル層、ITOからなる電流拡散層を形成した。電流拡散層の形成では、まず、窒化ガリウム系化合物半導体層を積層した基板を真空スパッタ装置内に入れ、p型AlGaNコンタクト層上にITOを1μm積層した。
そして、真空室から取り出した後、透明化のための熱処理を実施し、透光性正極17とした。
次に、通常リフトオフと呼ばれる周知の手順に則って処理し、さらに同様な手法で透光性正極上の一部に、Auからなる第1の層、Tiからなる第2の層、Alからなる第3の層、Tiからなる第4の層、Auからなる第5の層を順に積層し、正極ボンディングパッド18を形成した。
次に、露出したn型GaNコンタクト層上に負極ボンディングパッド19を以下の手順により形成した。レジストを全面に一様に塗布した後、公知リソグラフィー技術を用いて、露出したn型GaNコンタクト層上の負極形成部分からレジストを除去して、通常用いられる真空蒸着法で半導体側から順にTiが100nm、Auが200nmよりなる負極19を形成した。その後レジストを公知の方法で除去した。
このようにして正極および負極を形成したウェハを、基板11裏面を研削・研磨することにより80μmまで基板の板厚を薄くし、レーザスクライバを用いて半導体積層側から罫書き線を入れた後、押し割って、350μm角のチップに切断した。
上述のようにして得られたチップをステムマウントして、電流印加値20mAにおける順方向電圧の測定をしたところ3.3Vであった。発光出力は13mWであった。
そして、TO−18缶パッケージに実装してテスターによって発光出力を計測したところ、印加電流20mAにおける発光出力は20mWを示した。p型半導体層に凹凸を形成していないチップに対して発光出力は約1.3倍であった。またその発光面の発光分布は正極上の全面で発光しているのが確認できた。
熱処理条件を、下記表1に示す条件に変更した以外は、実施例1と同様にして、実施例2〜6、及び比較例1の発光素子を作製した。そして、実施例1と同様の評価を行い、結果を下記表1に示した。
これに対し、第1のp型半導体層表面への凹凸形成後、熱処理を行なわなかった比較例1の発光素子は、各実施例の発光素子に比べ、発光出力が10mWと低く、また、駆動電圧が4.0Vと高めであった。
実施例1と同様の方法により、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層を積層した。その後、蒸着装置内に入れ、pコンタクト層上全面にNiを150nm積層した。
次に、酸素濃度0.2%の雰囲気中で、600℃の温度で熱処理を行い、上記Niの薄膜を凝集させ、金属微粒子からなるマスクを形成した後、0.4μmの深さでドライエッチングした。ドライエッチング後の表面を顕微鏡で観察すると、Niが僅かに残存していることが確認された。
Claims (11)
- 基板上に、少なくとも、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型半導体層、発光層および第1のp型半導体層をこの順序で積層する第1の結晶成長工程と、さらに窒化ガリウム系化合物半導体からなる第2のp型半導体層を積層する第2の結晶成長工程とを含み、
前記第1の結晶成長工程と第2の結晶成長工程との間に、前記第1のp型半導体層表面に凹凸を形成する凹凸形成工程と、該凹凸形成工程の後に熱処理を行う熱処理工程とが備えられていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。 - 前記熱処理工程を酸素雰囲気下で行うことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記熱処理工程における熱処理温度が250℃以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記熱処理工程における熱処理温度が500℃以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記凹凸形成工程が、下記(a)及び(b)に示す中工程を備えていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
(a)第1のp型半導体層上にマスクを形成する工程。
(b)第1のp型半導体層表面をドライエッチングする工程。 - 前記工程(a)が、前記第1のp型半導体層上にレジスト材を用いてパターニングを行い、マスクを形成することを特徴とする請求項5に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記工程(a)は、前記第1のp型半導体層上に金属薄膜を形成する小工程と、金属薄膜形成後に熱処理を行なう小工程とを備えていることを特徴とする請求項5または6に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記工程(b)におけるドライエッチング後、前記工程(a)で形成した前記金属薄膜が、前記第1のp型半導体層中もしくは表面に残存していることを特徴とする請求項7に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記金属薄膜が、融点が100℃〜450℃の温度の低融点金属、もしくは低融点合金であることを特徴とする請求項7または8に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記金属薄膜がNiまたはNi合金であることを特徴とする請求項7または8に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記金属薄膜が、Ni、Au、Sn、Ge、Pb、Sb、Bi、Cd、Inの群から選ばれる低融点金属、または少なくともこれらの金属の内の1種を含んだ低融点合金であることを特徴とする請求項7〜10の何れか1項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
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