JP4660453B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
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Description
(1)基板及び基板上に積層された窒化ガリウム系化合物半導体層からなる発光素子であって、発光素子側面の少なくとも1面において、半導体層の下方(基板側)が基板主面に対して5°〜85°傾斜した逆テーパーであり、上方が基板主面に対して95°〜175°傾斜した順テーパーであることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
(11)上記10項に記載の電子機器が組み込まれている機械装置。
本実施例で作製した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の断面模式図を図3に示す。 窒化ガリウム系化合物半導体の積層構造体は、サファイアのc面((0001)結晶面)からなる基板1上に、AlNからなるバッファ層2を介して順次、アンドープGaN層(層厚=8μm)からなる下地層、Siドープn型GaN層(層厚=2μm、キャリア濃度=1×1019cm-3)からなるnコンタクト層およびSiドープn型Al0.07Ga0.93N層(層厚=25nm、キャリア濃度=1×1018cm-3)からなるnクラッド層から構成されたn型半導体層3、6層のSiドープGaN障壁層(層厚=14.0nm、キャリア濃度=1×1018cm-3)と5層のアンドープIn0.20Ga0.80Nの井戸層(層厚=2.5nm)を交互に積層させた多重量子構造の発光層4、Mgドープp型Al0.07Ga0.93N層(層厚=10nm)からなるpクラッド層およびMgドープAl0.02Ga0.98N層(層厚=150nm)からなるpコンタクト層から構成されたp型半導体層5を積層して構成した。上記の積層構造体の各構成層は、一般的な減圧MOCVD手段で成長させた。
(1)MgドープのAl0,07Ga0.93N層からなるpクラッド層の成長を終了した後、成長反応炉内の圧力を2×104パスカル(Pa)とした。キャリアガスは水素を用いた。
(2)トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウムおよびアンモニアを原料とし、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムをMgのドーピング源として、1020℃でMgドープAlGaN層の気相成長を開始した。
(3)トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、アンモニアおよびビスシクロペンタジエニルマグネシウムを、成長反応炉内へ4分間に亘り継続して供給して、層厚を150nmとするMgドープAl0.02Ga0.98N層を成長させた。
(4)トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウムおよびビスシクロペンタジエニルマグネシウムの成長反応炉内への供給を停止し、MgドープAl0.02Ga0.98N層の成長を停止した。
この状態で室温まで冷却後、成長反応炉より積層構造体を取り出し、MgドープAlGaN層からなるpコンタクト層のマグネシウム及び水素の原子濃度を一般的なSIMS分析法で定量した。Mg原子は、7×1019cm-3の濃度で、表面から深さ方向に略一定の濃度で分布していた。一方、水素原子は、6×1019cm-3の略一定の濃度で存在していた。また、抵抗率は、一般的なTLM法による測定から、おおよそ150Ωcmと見積もられた。
先ず、順テーパー面12を形成する為、公知のフォトグラフィー技術を用いて、個々の素子に分割する割溝部が露出するようにレジストにてパターニングを実施した。その後、レジストが塗布されていない露出した割溝部にRIE型のドライエッチングにて深さ1.2μm程度の側面が垂直の割溝を形成した。その後、レジストは溶剤にて除去洗浄した。
レジストを全面に一様に塗布した後、公知リソグラフィー技術を用いて、露出したnコンタクト層上の負極形成部分からレジストを除去して、通常用いられる真空蒸着法で半導体側から順にTiが100nm、Auが200nmよりなる負極30を蒸着形成した。その後レジストを公知の方法でその上に形成されたTiおよびAuと共に除去した。
図4は、本実施例で作製した発光素子の平面模式図であり、以上の工程で作製した電極の位置関係を示した図である。
次に、逆テーパー面11の作製手順を説明する。電極作製工程が終了したウェハにリソグラフに用いたフォトレジストを塗布する。その後、再度リソグラフにより各素子の境界部分(割溝部)のみを露出させる。
エッチング処理後のウェハはさらに基板背面の研磨により、基板の厚さが80μmになるまで薄くし、その後ブレーキング装置により個々の発光素子として分離した。
順テーパー12を形成しなかったことを除いて、実施例と同じ手順で発光素子を作製した。得られた発光素子を実施例と同様に評価したところ、出力は12mWあり、その駆動電圧は3.35Vであった。また、その配光特性を図5に示したが、実施例の順テーパー形成品に比較して斜め方向の光取り出し特性が劣っている物であった。さらに、実施例で用いたものと同一の特殊発光パッケージに装着して出力を測定したところ、電流20mAで16.8mWであり、順テーパーを形成した場合に比較してパッケージ実装段階での効率が劣る結果となった。
2 バッファ層
3 n型半導体層
4 発光層
5 p型半導体層
10 窒化ガリウム系化合物半導体
11 逆テーパー側面
12 順テーパー側面
20 正極
21 透光性正極
22 正極ボンディングパッド
30 負極
Claims (11)
- 基板及び基板上に積層された窒化ガリウム系化合物半導体層からなる発光素子であって、発光素子側面の少なくとも1面において、半導体層の下方(基板側)が基板主面に対して5°〜85°傾斜した逆テーパーであり、上方が基板主面に対して95°〜175°傾斜した順テーパーであり、順テーパー側面が発光層を含んでいることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 順テーパー部分の厚さが0.1〜3μmである請求項1に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 逆テーパー部分の厚さが0.1〜10μmである請求項1または2に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 順テーパーおよび逆テーパーがオルトリン酸を主成分とする化学的エッチング法によりそれぞれ形成される請求項1〜3のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 基板がサファイアC面である請求項1〜4のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 順テーパーおよび逆テーパーを有する側面がサファイア基板上のC面方向から見てA面側である請求項5に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- サファイア基板上のC面方向から見てM面側である側面は、順テーパーおよび逆テーパーが形成されず垂直面である請求項5または6に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 発光素子の外形が平面視四角形であり、相対する側面のそれぞれが順テーパーおよび逆テーパーを有し、もう一方の相対する側面のそれぞれが垂直面である請求項5〜7のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子からなるランプ。
- 請求項9に記載のランプが組み込まれている電子機器。
- 請求項10に記載の電子機器が組み込まれている機械装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006306640A JP4660453B2 (ja) | 2006-11-13 | 2006-11-13 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
US12/065,172 US7947995B2 (en) | 2006-11-13 | 2007-11-08 | Gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device |
PCT/JP2007/072142 WO2008059904A1 (fr) | 2006-11-13 | 2007-11-08 | Elément électroluminescent semi-conducteur de composé de nitrure de gallium |
TW096142613A TWI369793B (en) | 2006-11-13 | 2007-11-12 | Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006306640A JP4660453B2 (ja) | 2006-11-13 | 2006-11-13 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008124254A JP2008124254A (ja) | 2008-05-29 |
JP4660453B2 true JP4660453B2 (ja) | 2011-03-30 |
Family
ID=39401708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006306640A Active JP4660453B2 (ja) | 2006-11-13 | 2006-11-13 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7947995B2 (ja) |
JP (1) | JP4660453B2 (ja) |
TW (1) | TWI369793B (ja) |
WO (1) | WO2008059904A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7652299B2 (en) * | 2005-02-14 | 2010-01-26 | Showa Denko K.K. | Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof |
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-
2006
- 2006-11-13 JP JP2006306640A patent/JP4660453B2/ja active Active
-
2007
- 2007-11-08 WO PCT/JP2007/072142 patent/WO2008059904A1/ja active Application Filing
- 2007-11-08 US US12/065,172 patent/US7947995B2/en active Active
- 2007-11-12 TW TW096142613A patent/TWI369793B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008124254A (ja) | 2008-05-29 |
TWI369793B (en) | 2012-08-01 |
TW200832759A (en) | 2008-08-01 |
US7947995B2 (en) | 2011-05-24 |
WO2008059904A1 (fr) | 2008-05-22 |
US20100176418A1 (en) | 2010-07-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090803 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100427 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101004 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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