JP4250576B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 152
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 39
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 232
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 79
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description
また、本発明の別の態様の半導体発光素子は、特定の波長で発光可能であり、第1導電型の第1クラッド層、活性層、及び第2導電型の第2クラッド層を有する発光層構成部と、前記発光層構成部の前記第1クラッド層側の面に一体的に接合し、前記発光層構成部に近い側で幅が広く且つ前記発光層構成部から遠い側で幅が狭くなるように傾斜した外側面を有し、前記波長に実質透明な第1導電型の半導体基板と、前記第1導電型の半導体基板の前記発光層構成部に接合した面とは異なる前記第1導電型の半導体基板の面に配設された第1導電側電極と、前記発光層構成部の前記第2クラッド層側の面に一体的に接合し、前記発光層構成部に近い側で幅が広く且つ前記発光層構成部から遠い側で幅が狭くなるように傾斜した外側面を有し、前記波長に実質透明な第2導電型の半導体基板と、前記第2導電型の半導体基板の前記発光層構成部に接合した面とは異なる前記第2導電型の半導体基板の面に配設された第2導電側電極と、前記第1導電型及び第2導電型の半導体基板の少なくとも一方の前記接合した面の中央部に形成され、導電型が同じで、キャリア濃度が前記中央部の周囲より高い半導体層とを備えたことを特徴とする。
7 半導体発光素子構造体
11、13、15、17 p型GaPウェーハ
12、16、18 n型GaPウェーハ
21、25 反転層(n型)
22 突起部
23 高キャリア濃度層
28 n型GaAs基板
30、40 発光層構成部
31 バッファ層
32 エッチング停止層
33 第2の接着層
34 n型クラッド層
35 活性層
36 p型クラッド層
37 第1の接着層
38 カバー層
41 p側電極
42、44 n側電極
51 切捨て部
Claims (5)
- 特定の波長で発光可能であり、第1導電型の第1クラッド層、活性層、及び第2導電型の第2クラッド層を有する発光層構成部と、
前記発光層構成部の前記第1クラッド層側の面に一体的に接合し、前記発光層構成部に近い側で幅が広く且つ前記発光層構成部から遠い側で幅が狭くなるように傾斜した外側面を有し、前記波長に実質透明な第1導電型の半導体基板と、
前記第1導電型の半導体基板の前記発光層構成部に接合した面とは異なる前記第1導電型の半導体基板の面に配設された第1導電側電極と、
前記発光層構成部の前記第2クラッド層側の面に一体的に接合し、前記発光層構成部に近い側で幅が広く且つ前記発光層構成部から遠い側で幅が狭くなるように傾斜した外側面を有し、前記波長に実質透明な第2導電型の半導体基板と、
前記第2導電型の半導体基板の前記発光層構成部に接合した面とは異なる前記第2導電型の半導体基板の面に配設された第2導電側電極と、
前記第1導電型及び第2導電型の半導体基板の少なくとも一方の前記接合した面の中央部の周囲に形成され、導電型が前記中央部とは反対である半導体層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。 - 特定の波長で発光可能であり、第1導電型の第1クラッド層、活性層、及び第2導電型の第2クラッド層を有する発光層構成部と、
前記発光層構成部の前記第1クラッド層側の面に一体的に接合し、前記発光層構成部に近い側で幅が広く且つ前記発光層構成部から遠い側で幅が狭くなるように傾斜した外側面を有し、前記波長に実質透明な第1導電型の半導体基板と、
前記第1導電型の半導体基板の前記発光層構成部に接合した面とは異なる前記第1導電型の半導体基板の面に配設された第1導電側電極と、
前記発光層構成部の前記第2クラッド層側の面に一体的に接合し、前記発光層構成部に近い側で幅が広く且つ前記発光層構成部から遠い側で幅が狭くなるように傾斜した外側面を有し、前記波長に実質透明な第2導電型の半導体基板と、
前記第2導電型の半導体基板の前記発光層構成部に接合した面とは異なる前記第2導電型の半導体基板の面に配設された第2導電側電極と、
前記第1導電型及び第2導電型の半導体基板の少なくとも一方の前記接合した面の中央部に形成され、導電型が同じで、キャリア濃度が前記中央部の周囲より高い半導体層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記半導体層の周囲に、導電型が前記半導体層とは反対である第2の半導体層を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体発光素子。
- 前記第1導電型の半導体基板及び前記第2導電型の半導体基板はそれぞれ半球状をなしていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 特定の波長で発光可能であり、第1導電型の第1クラッド層、活性層、及び第2導電型の第2クラッド層を有する発光層構成部と、
前記発光層構成部の前記第1クラッド層側の面の中央部に突起部が一体的に接合し、前記発光層構成部に近い側で幅が広く且つ前記発光層構成部から遠い側で幅が狭くなるように傾斜した外側面を有し、前記波長に実質透明な第1導電型の半導体基板と、
前記第1導電型の半導体基板の前記発光層構成部に接合した面とは異なる前記第1導電型の半導体基板の面に配設された第1導電側電極と、
前記発光層構成部の前記第2クラッド層側の面に一体的に接合し、前記発光層構成部に近い側で幅が広く且つ前記発光層構成部から遠い側で幅が狭くなるように傾斜した外側面を有し、前記波長に実質透明な第2導電型の半導体基板と、
前記第2導電型の半導体基板の前記発光層構成部に接合した面とは異なる前記第2導電型の半導体基板の面に配設された第2導電側電極と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004243615A JP4250576B2 (ja) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 半導体発光素子 |
US11/208,638 US7220996B2 (en) | 2004-08-24 | 2005-08-23 | Semiconductor light-emitting device |
US11/695,299 US7476902B2 (en) | 2004-08-24 | 2007-04-02 | Semiconductor light-emitting device with faceted surfaces and interstice |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004243615A JP4250576B2 (ja) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006066422A JP2006066422A (ja) | 2006-03-09 |
JP4250576B2 true JP4250576B2 (ja) | 2009-04-08 |
Family
ID=35941782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004243615A Expired - Fee Related JP4250576B2 (ja) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 半導体発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7220996B2 (ja) |
JP (1) | JP4250576B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1065734B1 (en) * | 1999-06-09 | 2009-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof. |
JP4250576B2 (ja) | 2004-08-24 | 2009-04-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP2006324587A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP4950557B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2012-06-13 | 三洋電機株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2007103725A (ja) | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP2007165811A (ja) | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP4996186B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2012-08-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置および化合物半導体基板とその製造方法 |
JP4660453B2 (ja) * | 2006-11-13 | 2011-03-30 | 昭和電工株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP4290745B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2009-07-08 | 豊田合成株式会社 | Iii−v族半導体素子の製造方法 |
JP4998396B2 (ja) * | 2008-07-22 | 2012-08-15 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP2010045156A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
DE102009032486A1 (de) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE102010027679A1 (de) | 2010-07-20 | 2012-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP6024432B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2016-11-16 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
KR20150105429A (ko) * | 2013-01-08 | 2015-09-16 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 향상된 광 추출 효율을 위한 형상의 led |
US20160013363A1 (en) * | 2014-07-08 | 2016-01-14 | Epistar Corporation | Light-emitting element and the manufacturing method thereof |
JP6440802B1 (ja) * | 2017-11-08 | 2018-12-19 | 住友化学株式会社 | 有機デバイスの製造方法 |
CN110491974B (zh) * | 2019-08-16 | 2021-03-30 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光元件及微型发光二极管元件基板 |
TWI708404B (zh) | 2019-08-16 | 2020-10-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光元件及微型發光二極體元件基板 |
CN113707787B (zh) * | 2020-05-22 | 2023-07-18 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 球形倒装微型led及其制造方法、显示面板 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0770474B2 (ja) | 1985-02-08 | 1995-07-31 | 株式会社東芝 | 化合物半導体装置の製造方法 |
US5319220A (en) * | 1988-01-20 | 1994-06-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Silicon carbide semiconductor device |
US5707891A (en) * | 1989-04-28 | 1998-01-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a light emitting diode |
US5087949A (en) | 1989-06-27 | 1992-02-11 | Hewlett-Packard Company | Light-emitting diode with diagonal faces |
JP2937692B2 (ja) | 1993-05-27 | 1999-08-23 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
TW253999B (ja) * | 1993-06-30 | 1995-08-11 | Hitachi Cable | |
US6091085A (en) * | 1998-02-19 | 2000-07-18 | Agilent Technologies, Inc. | GaN LEDs with improved output coupling efficiency |
JP3707279B2 (ja) | 1998-03-02 | 2005-10-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置 |
US6404125B1 (en) * | 1998-10-21 | 2002-06-11 | Sarnoff Corporation | Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes |
EP1065734B1 (en) | 1999-06-09 | 2009-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof. |
JP2002111052A (ja) | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2002190619A (ja) | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2003046119A (ja) | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP4091279B2 (ja) | 2001-07-31 | 2008-05-28 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP2003188410A (ja) | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Daido Steel Co Ltd | 発光ダイオードチップ |
TW576864B (en) * | 2001-12-28 | 2004-02-21 | Toshiba Corp | Method for manufacturing a light-emitting device |
JP3776824B2 (ja) | 2002-04-05 | 2006-05-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP4868709B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2012-02-01 | 三洋電機株式会社 | 発光素子 |
JP4250576B2 (ja) | 2004-08-24 | 2009-04-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
-
2004
- 2004-08-24 JP JP2004243615A patent/JP4250576B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-23 US US11/208,638 patent/US7220996B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-04-02 US US11/695,299 patent/US7476902B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7220996B2 (en) | 2007-05-22 |
US7476902B2 (en) | 2009-01-13 |
US20060043386A1 (en) | 2006-03-02 |
US20070170445A1 (en) | 2007-07-26 |
JP2006066422A (ja) | 2006-03-09 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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