KR20040058479A - 수직구조 갈륨나이트라이드 발광다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 제1 컨택이 형성된 상면을 갖는 제1 도전형 GaN 클래드층;상기 제1 도전형 GaN 클래드층 하면에 형성된 활성층;상기 활성층 하면에 형성된 제2 도전형 GaN 클래드층;상기 제2 도전형 GaN 클래드층에 형성된 도전성 접착층; 및상기 도전성 접착층 하면에 형성되며, 제2 컨택이 형성된 하면을 갖는 도전성 기판을 포함하는 GaN 발광 다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 제2 도전형 GaN 클래드층과 상기 도전성 접착층 사이에 형성된, 도전성물질로 이루어진 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드.
- 제2항에 있어서,상기 반사층은,Au, Ni, Ag, Al 및 그 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 도전성 기판은,실리콘, 게르마늄, 및 GaAs를 포함하는 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 도전성 접착층은,Au-Sn, Sn, In, Au-Ag 및 Pb-Sn을 포함하는 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 제1 도전형 GaN 클래드층은 n형 불순물이 도핑된 GaN 결정층이며,상기 제2 도전형 클래드층은 p형 불순물이 도핑된 GaN 결정층인 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드.
- 사파이어기판 상에, 제1 도전형 GaN 클래드층, 활성층 및 제2 도전형 GaN 클래드층이 순차적으로 배치된 발광구조물을 형성하는 단계;상기 발광구조물을 소정의 크기로 절단하는 단계;도전성 접착층을 이용하여 상기 발광구조물의 노출된 상면에 도전성 기판을 접합하는 단계;상기 발광구조물로부터 상기 사파이어기판을 제거하는 단계;,상기 제1 도전형 클래드층의 양면 중 상기 사파이어 기판이 제거된 면과 상기 도전성 기판의 노출된 면에 제1 및 제2 컨택을 각각 형성하는 단계; 및,상기 제1 및 제2 컨택이 형성된 결과물을 개별 발광다이오드로 절단하는 단계를 포함하는 GaN 발광 다이오드 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 제2 도전형 GaN 클래드층 상에 도전성 물질로 이루어진 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 반사층은,Au, Ni, Ag, Al 및 그 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 발광구조물의 노출된 상면에 도전성 기판을 접합하는 단계는,상기 도전성 기판의 하면에 상기 도전성 접착층을 형성하는 단계와,상기 도전성 기판의 상기 하면과 상기 발광구조물의 노출된 상면을 접합시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 발광구조물의 노출된 상면에 도전성 기판을 접합하는 단계는,상기 발광구조물의 노출된 상면에 상기 도전성 접착층을 형성하는 단계와,상기 도전성 기판을 상기 발광구조물의 상면에 접합시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 사파이어기판을 제거하는 단계는,상기 사파이어기판 하부에 레이저 빔을 조사하여 상기 발광구조물로부터 상기 사파이어기판을 분리하는 단계인 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 제조방법
- 제12항에 있어서,상기 발광구조물이 절단되는 소정의 크기는, 상기 레이저빔에 의한 조사면적과 거의 동일하거나 작은 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 발광구조물이 절단되는 소정의 크기는, 상기 분리된 발광구조물이 각각 개별 발광다이오드의 크기에 일치하며,상기 개별 발광다이오드로 절단하는 단계는 상기 도전성 기판을 개별 발광다이오드 크기로 절단하는 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 도전성 기판은,실리콘, 게르마늄 및 GaAs를 포함하는 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 도전성 접착층은,Au-Sn, Sn, In, Au-Ag 및 Pb-Sn을 포함하는 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 제1 도전형 GaN 클래드층은 n형 불순물이 도핑된 GaN 결정층이며,상기 제2 도전형 클래드층은 p형 불순물이 도핑된 GaN 결정층인 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 제조방법.
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