KR100610632B1 - 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법 - Google Patents

수직 구조 발광 다이오드 제조 방법 Download PDF

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Abstract

소자의 집적도를 증가시킬 수 있는 수직 발광 다이오드 제조 방법이 개시된다. 발광 구조물 형성 기판에 복수의 발광 구조물을 형성하는 단계, 도전성 기판이 발광 구조물과 접합되는 경우 접합면에서 각 발광 구조물을 둘러싸는 소정 깊이의 패턴을 도전성 기판에 형성하는 단계, 접합면에서 패턴이 복수의 발광 구조물 각각을 둘러싸도록 도전성 기판과 발광 구조물을 접합하는 단계, 도전성 기판이 패턴에 의해 분리되도록 도전성 기판 접합면의 대향면을 제거하는 단계, 도전성 기판의 분리된 대향면에 전극을 형성하는 단계, 발광 구조물 형성 기판을 제거하는 단계, 및발광 구조물의 발광 구조물 형성 기판이 제거된 면에 전극을 형성하는 단계로 구성된다. 패턴에 의해 도전성 기판이 분리되므로 도전성 기판을 절단하기 위한 별도의 공정이 필요 없게 된다.
발광 다이오드, 수직 구조, 건식 식각, 다이싱 테이프

Description

수직 구조 발광 다이오드 제조 방법{Manufacturing method of LED having vertical structure}
도 1은 종래의 수평 구조 발광 다이오드의 일 예의 단면도.
도 2는 수직 구조 발광 다이오드의 일 예의 단면도.
도 3a 내지 3f는 종래의 수직 구조 발광 다이오드의 제조 방법의 각 단계별 공정을 도시한 도면.
도 4는 도 3f의 단계에서 실리콘 기판을 절단하는 예를 도시한 도면.
도 5a 내지 5j는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 수직 발광 다이오드 제조 방법의 각 단계별 공정을 도시한 도면.
도 6a 내지 6j는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수직 발광 다이오드 제조 방법의 각 단계별 공정을 도시한 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
510, 610: 발광 구조물 형성 기판
520, 620: 도전성 기판
530, 630: 반사층
540, 640: 도전성 접착층
550, 650: 발광 구조물
570, 590, 670, 690: 전극
580, 680: 고정용 테이프
본 발명은 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode)는 전자와 홀의 재결합에 기초하여 발광하는 반도체 소자로서, 광통신, 전자 기기에서 여러 형태의 광원으로 널리 사용되고 있다.
발광 다이오드에 의해 방출되는 광의 색깔은 발광 다이오드의 제조에 사용되는 반도체 재료에 따라 달라진다. 이는 방출된 광의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band gap)에 따라 달라지기 때문이다. 현재, 빨간색부터 노란색까지의 발광을 위해서는 AlGaInP, 청색부터 녹색까지의 발광을 위해서는 InGaN이 많이 사용되고 있다.
도 1은 종래의 수평 구조 발광 다이오드 단면도의 일 예를 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 발광 다이오드는 수평 구조 GaN 발광 다이오드로서, GaN 발광 다이 오드(100)는 사파이어 기판(110), 및 사파이어 기판(110) 상에 형성된 GaN 발광 구조물(150)을 포함한다.
GaN 발광 구조물(150)은 사파이어 기판(110) 상에 순차적으로 형성된 n형 GaN 클래드 층(152), 다중 양자 우물(Multi-Quantum Well) 구조의 활성층(154), 및 p형 GaN 클래드층(156)으로 구성된다. 발광 구조물(150)은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)와 같은 공정을 이용하여 성장될 수 있다. 이때, n형 GaN 클래드층(152)을 성장시키기 전에 사파이어 기판(110)과의 격자 정합을 향상시키기 위해 AlN/GaN으로 이루어진 버퍼층(미도시)을 형성할 수도 있다.
소정의 영역에 해당하는 p형 클래드층(156)과 활성층(154)을 건식 식각하여 n형 GaN 클래드층(152)의 일부 상면을 노출시키고, 노출된 n형 컨택(190)과 p형 컨택(170)을 형성한다. 일반적으로 전류 주입 면적을 증가시키면서 휘도에 악영향을 주지 않기 위해서 p형 클래드층(156) 상면에는 p형 컨택(170)을 형성하기 전에 투명 전극(transparent electrode; 160)을 형성할 수도 있다.
그러나, 이와 같은 구조의 GaN 발광 다이오드(100)는 절연 물질인 사파이어 기판(110)을 사용하기 때문에, n형 컨택(190)으로부터 활성층(154)을 통해 p형 컨택(170)으로 향하는 전류 흐름이 수평 방향을 따라 협소하게 형성될 수밖에 없다. 이러한 협소한 전류 흐름으로 인해, 발광 다이오드(100)의 순방향 전압이 증가하여 전류 효율이 저하되며, 정전기 방전(electrostatic discharge) 효과가 취약해지는 문제가 발생한다.
또한, 전류 밀도의 증가에 의해 열 발생량이 큼에도 불구하고, 사파이어 기 판(110)의 낮은 열전도성에 의해 열방출이 원활하지 못하므로, 열증가에 따라 사파이어 기판(110)과 GaN 발광 구조물(150) 사이에 기계적 응력이 발생하여 소자가 불안정해질 수 있다.
나아가, n형 컨택(190)을 형성하기 위해서, 적어도 형성할 컨택(190)의 면적보다 크게 활성층(154)의 일부 영역을 제거하여야 하므로, 발광 면적이 감소되어 소자 크기 대 휘도에 따른 발광 효율이 저하된다는 문제점이 있다.
도 2는 수평 구조 다이오드의 단점을 해결하기 위해 고안된 수직 구조 발광 다이오드의 일 예를 도시한 단면도이다. 도 2에 도시된 발광 다이오드는 수직 구조 GaN 발광 다이오드로서, GaN 발광 다이오드(200)는 p형 GaN 클래드층(252), 활성층(254), 및 n형 클래드층(256)을 포함하는 발광 구조물(250)을 포함한다.
도 2에서 도시된 바와 같이, 수직 구조 발광 다이오드(200)는 실리콘 기판(220)과 같은 도전성 기판을 사용하여 다이오드(200)의 상하부가 서로 전기적으로 도통할 수 있는 구조를 가진다. 이로 인해, 다이오드(200)의 열방출 효과를 향상시킬 수 있고, 전류 흐름이 수평 구조 발광 다이오드보다 넓은 면적을 통해 형성되므로 순방향 전압을 감소시킬 수 있으며, 아울러, 정전기 방전 효과도 향상시킬 수 있다.
또한, 공정 측면에서는 전류 밀도 분포를 충분히 개선할 수 있으므로, 투명 전극의 형성 공정이 필요하지 않으며, 견고한 사파이어 기판이 제거되므로, 개별 소자 단위로 절단하는 공정이 간소해질 수 있다.
아울러, LED의 휘도 측면에서도 수평 구조 발광 다이오드와 달리 활성층의 일부를 식각하는 공정이 요구되지 않으므로, 넓은 발광 면적을 확보할 수 있어 휘도를 보다 향상시킬 수 있다는 이점이 있다.
도 3a 내지 도 3f는 도 2의 수직 구조 발광 다이오드를 제조하기 위한 종래의 제조 공정을 각 단계별로 도시한 도면이다.
도 3a의 단계에서 사파이어 기판(310) 상에 GaN 단결정층으로 이루어진 발광 구조물(350)이 형성하고, 도 3b의 단계에서는 형성된 발광 구조물(350)을 단위 발광 다이오드의 크기로 분리한다. 도 3c단계에서 도전성 접착층(340)을 이용하여 도전성 기판(310)을 분리된 발광 구조물(350) 상면에 접합시키고, 도 3d의 단계에서는 레이저 빔을 이용하여 발광 구조물(350)로부터 사파이어 기판(310)을 분리한다. 마지막으로, 3e단계에서 결과물의 양면에 컨택 형성 공정을 실시한다.
도 3f단계에서 도 3e 단계의 결과물을 개별 발광 다이오드의 크기, 즉 분리된 발광 구조물(350)의 크기로 절단하여 최종적인 수직 구조 발광 다이오드를 생성한다.
도 4는 도 3f에 도시된 단계에서 도전성 기판을 절단하는 예를 도시한 도면이다. 도 4에서 상부에 발광 구조물(450)이 접합된 도전성 기판(420)을 다이아몬드 휠(diamond wheel; w)로 절단하는 예가 도시되어 있다.
일반적으로 도전성 기판(420)으로는 사파이어 기판(410)에 비해 강도가 작은 실리콘 기판 등이 사용되므로, 통상의 절단 공정을 통해 용이하게 절단될 수 있다.
그러나, 이와 같은 다이아몬드 휠(w)을 이용한 수직 발광 다이오드의 소자 절단 방법은 다이아몬드 휠의 두께와 기판을 절단할 때 소모되는 기판의 손실로 인 해 소자 간의 거리를 많이 필요로 한다. 이러한 이유로 하나의 기판에 제작될 수 있는 소자의 개수가 줄어들게 되어 생산성이 떨어지게 된다.
발광 다이오드 제조에 있어서 한정된 기판의 면적 안에 얼마나 많은 수의 소자를 형성할 수 있느냐에 따라 소자의 가격과 생산성에 큰 영향을 미치게 된다. 발광 다이오드의 동작 특성을 고려한 설계에 의해 소자의 면적이나 크기가 정해진 상태에서 기판당 소자의 개수를 늘이기 위해서는 소자 사이의 거리를 최대한 좁히는 방법밖에는 없다.
이때 소자 사이의 거리는 모든 제조 공정이 완료된 후 수행되는 기판의 절단을 고려하여 정해지는데, 다이아몬드 휠에 의한 기판의 절단은 다이아몬드 휠의 두께와 절단 공정시 소모되는 기판의 손실 때문에 소자 사이의 상당한 거리를 필요로 하며, 이로 인해 단위 기판당 생산할 수 있는 발광 다이오드의 수는 제한을 받게 된다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 수직 발광 다이오드 제조에 있어서, 기판 상에 형성된 소자 사이의 거리를 최소화함으로써 단위 기판당 제조할 수 있는 수직 발광 다이오드의 개수를 최대화할 수 있는 수직 발광 다이오드 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 특징에 따른 수직 발광 다이오드 제조 방법은, 발광 구조물 형성 기판에 복수의 발광 구조물을 형성하는 단계, 도전성 기판이 발광 구조물과 접합되는 경우 접합면에서 각 발광 구조물을 둘러싸는 소정 깊이의 패턴을 도전성 기판에 형성하는 단계, 접합면에서 패턴이 복수의 발광 구조물 각각을 둘러싸도록 도전성 기판과 발광 구조물을 접합하는 단계, 도전성 기판이 패턴에 의해 분리되도록 도전성 기판 접합면의 대향면을 제거하는 단계, 도전성 기판의 분리된 대향면에 전극을 형성하는 단계, 발광 구조물 형성 기판을 제거하는 단계, 및 발광 구조물의 발광 구조물 형성 기판이 제거된 면에 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제 2 특징에 따른 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법은, 발광 구조물 형성 기판에 복수의 발광 구조물을 형성하는 단계, 도전성 기판이 발광 구조물과 접합되는 경우 접합면에서 각 발광 구조물을 둘러싸는 소정 깊이의 패턴을 도전성 기판에 형성하는 단계, 접합면에서 패턴이 복수의 발광 구조물 각각을 둘러싸도록 도전성 기판과 발광 구조물을 접합하는 단계, 발광 구조물 형성 기판을 제거하는 단계, 발광 구조물의 발광 구조물 형성 기판이 제거된 면에 전극을 형성하는 단계, 도전성 기판이 패턴에 의해 분리되도록 도전성 기판의 접합면의 대향면을 제거하는 단계, 및 도전성 기판의 분리된 대향면에 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
수직 발광 다이오드 소자의 분리를 위해 다이아몬드 휠로 도전성 기판을 절단하는 대신 미리 형성된 패턴에 의해 개개의 소자가 자발적으로 절단되도록 함으로써, 기판 상에 형성된 발광 다이오드 소자 사이의 거리를 최소화하고, 단위 기판당 제조할 수 있는 수직 발광 다이오드의 개수를 최대화할 수 있게 된다.
본 발명은 먼저 형성된 전극에 고정용 테이프를 부착하는 단계, 및 마지막 전극 형성 이후 상기 고정용 테이프를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 고정용 테이프를 부착함으로써, 마지막 전극 형성시 소자를 고정하여 더욱 정확한 전극 형성을 수행할 수 있게 된다.
도전성 기판은 실리콘 기판일 수 있고, 기판 상의 패턴은 건식 식각에 의해 형성될 수 있다. 건식 식각을 이용함으로써 패턴 형성시 가공 정밀도가 우수해진다.
도전성 기판과 발광 구조물은 도전성 기판과 발광 구조물 사이에 형성된 도전성 접착층에 의해 접합될 수 있고, 도전성 접착층은 금을 포함하는 접합재로 형성될 수 있으며, 도전성 기판과 발광 구조물은 열압착에 의해 접합될 수 있다.
또한, 도전성 접착층은 도전성 기판 및 상기 발광 구조물 상에 각각 형성된 후 서로 접합될 수 있으며, 도전성 기판은 연마 또는 식각에 의해 제거될 수 있으며, 고정용 테이프는 UV 테이프 또는 다이싱 테이프일 수 있다. 발광 구조물 형성 기판은 사파이어 기판 또는 GaAs 기판일 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
<제 1 실시예>
도 5a 내지 5j는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a는 도전성 기판으로 사용된 실리콘 기판(520)을 도시한 것으로 수직 구 조 발광 다이오드에 사용되는 도전성 기판으로는 일반적으로 실리콘 기판(520)이 많이 사용된다. 그러나 사파이어와 같은 절연성 기판이 아니라면 다른 재료의 기판도 가능한데, 예를 들어, 게르마늄, SiC, ZnO, 다이아몬드, 및 GaAs 등이 또한 사용될 수 있다.
도 5b에서 실리콘 기판(520)에 건식 식각(dry etching)을 이용하여 개개의 소자를 격리하기 위한 패턴을 일정 깊이로 식각한다. 건식 식각은 서브 미크론 가공 기술의 하나로서 감압된 용기 내에서 가스 또는 이온으로 에칭하는 방법이다. 건식 식각에는 플라스마, 스퍼터, 이온 등의 에칭 방법이 있으며, 습식에 비해 가공 정밀도가 우수하다.
도 5c에서 실리콘 기판(520)의 패턴이 형성된 면 상에 도전성 접착층(542)을 형성한다. 도전성 접착층(542)은 접착 패드로 형성할 수 있으며, 접착 패드는 접착성을 갖는 도전성 물질이어야 한다. 도전성 물질은 금(Au)을 이용한 금속 접합재가 바람직하며, Au-Sn, Sn, In, Au-Ag, Ag- Ge, Ag-Cu, 및 Pb-Sn등이 사용될 수 있다.
도 5d에서 건식 식각된 실리콘 기판(520)과 발광 구조물 형성 기판(510) 상의 발광 다이오드 구조물(550)을 열압착 방식을 이용하여 접합한다. 발광 구조물 형성 기판(510)으로는 일반적으로 사파이어 기판 또는 GaAs 기판이 사용된다.
도 5d에서 확인할 수 있는 바와 같이 본 실시예에서 도전성 접착층(544)은 발광 구조물(550) 상에도 형성되어 실리콘 기판(520) 상에 형성된 도전성 접착층(542)과 접합된다. 이와 같이, 도전성 접착층(540)을 이용하여 실리콘 기판(520)을 발광 구조물(550)에 접합하는 방식은 도전성 접착층(542, 544)을 도전성 기판(520) 및 발광 구조물(550) 상에 각각 형성한 후 서로 접합하는 것이 바람직하다.
하지만, 다른 실시예에서는 도전성 접착층(542)을 미리 도전성 기판(520)에 형성한 후 발광 구조물(550)과 접합하는 형태로 수행하거나 도전성 접착층(544)을 발광 구조물(550) 상에 먼저 형성한 후 다시 도전성 기판과 접합하는 형태로 수행할 수 있다.
발광 구조물(550)은 발광 다이오드의 핵심적인 부분으로서 실제로 광을 방출하는 영역이다. 발광 구조물은 일반적으로, p형 클래드층, n형 클래드층, 및 그 사이에 위치하는 활성층으로 구성된다.
도 5d에 도시된 바와 같이, 발광 구조물(550)은 발광 다이오드 상면으로 향하는 유효 휘도를 향상시키기 위한 반사층(530)을 더 포함할 수 있다. 반사층(530)은 반사율이 높은 금속으로 이루어질 수 있으며, 일반적으로, Au, Ni, Ag, Al, 및 그 합금으로 형성된다.
수직 발광 다이오드 제조시 본 실시예에서와 같이 발광 구조물(550)이 반사층(530)을 포함하는 것이 바람직하나, 도전성 접착층(540)을 구성하는 물질이 일반적으로 금속 또는 합금으로 이루어지고 비교적 높은 반사도를 가지므로, 별도의 반사층(530)을 형성하지 않더라도 어느 정도의 휘도 향상 효과는 얻을 수 있다.
도 5e에서 두 기판이 접합된 상태에서 도전성 기판(520)의 뒷면을 연마, 식각 등을 통해서 소자를 격리하기 위한 패턴이 드러날 때까지 가공한다. 일반적으로 도전성 기판은 사파이어 기판에 비해 강도가 작은 실리콘 기판 등이 사용되므로, 통상의 공정을 통해 용이하게 제거될 수 있다. 도 5f에서 실리콘 기판(520)의 뒷면 에 금속 전극(570)을 형성한다.
도 5g에서 소자들의 고정을 위해 UV테이프나 Dicing 테이프를 이용하여 접착한 후 레이저, 연마, 식각 등을 이용하여 사파이어나 GaAs 재료의 발광 구조물 형성 기판을 제거한다.
사파이어 기판의 경우 레이저를 이용한 제거 방법이 선호되는데, 사파이어 기판은 그 기계적 강도가 커서 기계적 연마를 통한 제거하기에는 어려움이 있기 때문이다.
사파이어 기판(510)을 레이저를 이용하여 제거하기 위해서는 도 5g에서와 같이 사파이어 기판(510)으로 레이저 빔을 조사하는데, 레이저 빔은 발광 사파이어 기판(510)을 투과하여 사파이어 기판(510)과 접촉한 발광 구조물(550)의 일부를 용융시켜 사파이어 기판(510)을 발광 구조물(550)로부터 용이하게 분리되도록 한다.
도 5h에서 사파이어나 GaAs 기판을 제거하게 되면 개개의 발광 다이오드 소자는 자발적으로 절단되어 고정용 테이프(580)에 의해서만 지지되게 된다. 도 5i에서 발광 다이오드 구조물(550) 상에 전극(590)을 형성하고, 도 5j에서 최종적으로 고정용 테이프(580)로부터 소자를 분리하여 사용하게 된다.
<제 2 실시예>
도 6a 내지 6j는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a내지 도 6d는 제 1 실시예의 도 5a 내지 도 5d와 동일하므로 추가적인 설명을 생략한다.
도 6e에서는, 제 1 실시예에서와 달리, 발광 구조물 형성 기판(610)을 도전성 기판(620)에 앞서 발광 구조물(650)로부터 제거한다. 발광 구조물 형성 기판(610)의 제거 방법은 제 1 실시예와 마찬가지로 레이저를 이용하는 것이 바람직하다.
도 6f에서는 발광 구조물 형성 기판(610)이 제거된 발광 구조물(630) 상에 전극(690)을 형성한다. 이어서, 도 6g에서 소자들의 고정을 위해 UV테이프나 Dicing 테이프와 같은 고정용 테이프(680)를 이용하여 접착한다.
도 6h에서 도전성 기판(620)의 뒷면을 연마, 식각 등을 통해서 소자를 격리하기 위한 패턴이 드러날 때까지 가공한다.
도 6i 및 6j에서는 노출된 발광 다이오드 구조물(650) 상에 전극(670)을 형성하고, 도 6j에서 최종적으로 고정용 테이프(680)로부터 발광 다이오드 소자를 분리한다.
본 발명에서는 개개의 소자를 분리하기 위한 패턴을 사진 식각 공정에서부터 건식 식각 공정으로 진행되고, 이후에 발광 다이오드 제작을 위한 공정이 진행된다.
실리콘의 연마, 식각 공정시 자발적 소자 절단을 위한 패턴이 드러날 때까지 연마, 식각 공정을 계속한다. 이로써, 개개의 소자는 자발적으로 분리되고, 발광 다이오드 에피층이 형성된 사파이어나 GaAs 기판에 의해서 지지된다.
레이저나 연마, 식각 등을 이용하여 사파이어나 GaAs 기판과 같은 발광 구 조물 형성 기판(610)을 제거하게 되면 개개의 발광다이오드 소자는 자발적으로 절단되고 오직 고정용 테이프(680)에 의해서만 지지되고 있는 상태가 되므로, 고정용 테이프(680)를 제거하여 각 수직 발광 다이오드를 분리한다.
본 발명에 의하면, 수직 구조 발광 다이오드 소자가 형성된 기판을 절단하기 위해 건식 식각을 이용하므로, 다이오드 소자 사이의 간격을 수 마이크로미터 이내로 줄일 수 있게 된다. 따라서, 기판의 단위 면적당 보다 많은 수의 수직 발광 다이오드 소자를 집적하여 생산할 수 있게 된다.
또한, 다이아몬드 휠에 의한 절단 공정시 기판에 가해지는 충격으로 인해 미세한 깨짐이 발생하게 되고, 이러한 미세한 깨짐은 소자에 손상을 주게 되어 소자의 신뢰성과 성능을 저하시키는 주된 원인이 되는데, 본 발명에서는 별도의 다이아몬드 휠을 이용한 절단 공정을 생략할 수 있으므로 생산 단가를 낮출 수 있을 뿐만 아니라, 다이아몬드 휠에 의한 절단으로 인해 발생하는 미세한 깨짐이나 손상을 방지할 수 있게 된다. 이로 인해, 수직 발광 다이오드 소자의 신뢰성과 성능을 더욱 개선할 수 있게 된다.
본 발명이 비록 일부 바람직한 실시예에 의해 설명되었지만 본 발명의 범위는 이에 의해 제한되어서는 아니 되고, 청구 범위에 의해 뒷받침되는 상기 실시예의 변형이나 개량에도 미쳐야 할 것이다.

Claims (15)

  1. (a) 발광 구조물 형성 기판에 복수의 발광 구조물을 형성하는 단계;
    (b) 도전성 기판이 상기 발광 구조물과 접합되는 경우 접합면에서 상기 각 발광 구조물을 둘러싸는 소정 깊이의 패턴을 상기 도전성 기판에 형성하는 단계;
    (c) 접합면에서 상기 패턴이 상기 복수의 발광 구조물 각각을 둘러싸도록 상기 도전성 기판과 상기 발광 구조물을 접합하는 단계;
    (d) 상기 도전성 기판이 상기 패턴에 의해 분리되도록 상기 도전성 기판의 접합면의 대향면을 제거하는 단계;
    (e) 상기 도전성 기판의 분리된 대향면에 전극을 형성하는 단계;
    (f) 상기 발광 구조물 형성 기판을 제거하는 단계; 및
    (g) 상기 발광 구조물의 상기 발광 구조물 형성 기판이 제거된 면에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법.
  2. (a) 발광 구조물 형성 기판에 복수의 발광 구조물을 형성하는 단계;
    (b) 도전성 기판이 상기 발광 구조물과 접합되는 경우 접합면에서 상기 각 발광 구조물을 둘러싸는 소정 깊이의 패턴을 상기 도전성 기판에 형성하는 단계;
    (c) 접합면에서 상기 패턴이 상기 복수의 발광 구조물 각각을 둘러싸도록 상기 도전성 기판과 상기 발광 구조물을 접합하는 단계;
    (d) 상기 발광 구조물 형성 기판을 제거하는 단계;
    (e) 상기 발광 구조물의 상기 발광 구조물 형성 기판이 제거된 면에 전극을 형성하는 단계;
    (f) 상기 도전성 기판이 상기 패턴에 의해 분리되도록 상기 도전성 기판의 접합면의 대향면을 제거하는 단계; 및
    (g) 상기 도전성 기판의 분리된 대향면에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법.
  3. 제 1 또는 2항에 있어서,
    상기 (e)단계에서 형성된 전극에 고정용 테이프를 부착하는 단계; 및
    상기 (g)단계 수행 이후, 상기 고정용 테이프를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 도전성 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 도전성 기판 상의 패턴은 건식 식각에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 도전성 기판과 상기 발광 구조물은 상기 도전성 기판과 상기 발광 구조물 사이에 형성된 도전성 접착층에 의해 접합되는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 도전성 접착층은 금을 포함하는 접합재로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 도전성 기판과 발광 구조물은 열압착에 의해 접합되는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 도전성 접착층은 상기 도전성 기판 및 상기 발광 구조물 상에 각각 형성된 후 서로 접합되는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법.
  10. 제 3항에 있어서,
    상기 도전성 기판은 연마에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 다이오드 제 조 방법.
  11. 제 3항에 있어서,
    상기 도전성 기판은 식각에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 다이오드 제조 방법.
  12. 제 3항에 있어서,
    상기 고정용 테이프는 UV 테이프인 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법.
  13. 제 3항에 있어서,
    상기 고정용 테이프는 다이싱 테이프인 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법.
  14. 제 3항에 있어서,
    상기 발광 구조물 형성 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법.
  15. 제 3항에 있어서,
    상기 발광 구조물 형성 기판은 GaAs 기판인 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법.
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