JP5746439B2 - 発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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- 第1半導体層と、
前記第1半導体層上に設けられた活性層と、
前記活性層上に設けられ、前記第1半導体層とは異なる導電形を有する第2半導体層と、
前記第2半導体層上に設けられ、前記活性層の面積と略等しい面積を有するミラー層と、
前記ミラー層上の端部領域に設けられた絶縁層と、
前記ミラー層上の前記端部領域を除いた領域に、前記絶縁層と並んで設けられた接合パッドと、
前記接合パッド上に接合され、前記接合パッドの面積と略等しい面積を有する第1表面を有し、前記第1表面から遠位の場所において、前記第1表面の面積よりも小さい断面積を有する基板部材と、
を備え、
前記基板部材は、前記ミラー層がその上方に形成される第2表面を有する基板を含み、前記基板の前記第2表面は、前記ミラー層の面積よりも小さい発光素子。 - 前記第1半導体層は、n型GaN層を含み、
前記n型GaN層は、前記活性層から放射される光の波長よりも大きい寸法の散乱形状の表面を有する請求項1記載の発光素子。 - 前記基板は、導電性である請求項1または2に記載の発光素子。
- 前記基板は、結晶性シリコンである請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記基板部材は、金属を含む請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記接合パッド層は共晶金属層である請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記ミラー層は、前記共晶金属層と接触する請求項6記載の発光素子。
- 前記基板部材は、前記接合パッド層と前記基板との間に絶縁層を含む請求項1〜7のいずれか1つに記載の発光素子。
- 第1半導体層と、前記第1半導体層とは異なる導電形の第2半導体層と、の間に挟まれた活性層を含む発光構造を、第1基板上に形成する工程と、
前記第1半導体層上に反射層を堆積する工程と、
前記反射層上に、絶縁領域で分離された複数の接合パッドを形成する工程と、
前記絶縁領域と前記基板部材との間に間隙が形成されるように、前記接合パッドを、第2基板を含む基板部材の第1表面に接合する工程と、
前記第1基板を除去して、前記基板部材に前記発光構造と前記反射層とが接合された構造を形成する工程と、
前記第2半導体層の表面から前記基板部材の方向に向けて、前記絶縁領域を貫通する、前記間隙よりも幅が狭い第1トレンチを形成する工程であって、少なくとも前記絶縁領域に至るまではドライエッチング法を用いてエッチングすることにより第1トレンチを形成する工程と、
前記基板部材の前記第1表面とは反対側の第2表面から前記第1トレンチに連通する第2トレンチを形成することで、前記構造を複数の部分に分断する工程と、
を備え、
前記複数の部分のそれぞれにおいて、前記基板部材は、その断面積が前記第1表面から前記第2表面に向けて小さくなるように形成され、前記第2基板は、前記ミラー層がその上方に形成される側の表面の面積を前記第1表面の面積よりも小さくなるように形成される発光素子の製造方法。 - 前記第1トレンチは、10μm未満の幅を有する請求項9記載の発光素子の製造方法。
- 前記第2トレンチは、前記第1トレンチよりも幅が広い請求項9または10に記載の発光素子の製造方法。
- 金属層を前記反射層上にパターニング形成する工程を更に備え、
前記パターニングされた金属層は、前記第1トレンチの下に配置された開口部を有し、
前記開口部は、前記第2トレンチの一部となる請求項9〜11のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。 - 前記反射層を前記基板部材へ接合する工程は、前記反射層上に共晶金属層をパターニング形成し、その共晶金属層を前記基板部材の表面に接合することを含み、
前記パターニングされた前記共晶金属層は前記第1トレンチ下に開口部を含む請求項9〜12のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。 - 前記第2半導体層の表面に散乱形状を形成し、
前記散乱形状は、前記活性層から放射される光の波長よりも大きい寸法を有する請求項9〜13のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。 - 前記第1トレンチを形成する工程は、前記第2半導体層の前記表面から前記絶縁領域までエッチングする第1ステップと、前記第1ステップと異なる条件で前記絶縁領域を貫通させるエッチングをする第2ステップと、を含む請求項9〜14のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。
- 前記基板部材は絶縁パッドを含み、
前記接合パッドが前記基板部材の第1表面に接合されることで、前記絶縁パッドは前記間隙を介して前記絶縁領域に相対する位置に配置される、請求項9〜15のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。
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US5048721A (en) | 1989-11-17 | 1991-09-17 | Union Carbide Industrial Gases Technology Corporation | Method for enhancing the mixture of gases within a cylinder |
JP2759836B2 (ja) | 1990-01-30 | 1998-05-28 | 富士写真光機株式会社 | カメラのセルフ撮影方法 |
JPH03250438A (ja) | 1990-02-27 | 1991-11-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光記録媒体 |
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JPH04118370A (ja) | 1990-09-07 | 1992-04-20 | Mazda Motor Corp | 後輪転舵装置の油圧駆動装置 |
US5306662A (en) | 1991-11-08 | 1994-04-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Method of manufacturing P-type compound semiconductor |
JP2917742B2 (ja) | 1992-07-07 | 1999-07-12 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法 |
DE69333250T2 (de) | 1992-07-23 | 2004-09-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtung aus einer Verbindung der Galliumnitridgruppe |
JP2626431B2 (ja) | 1992-10-29 | 1997-07-02 | 豊田合成株式会社 | 窒素−3族元素化合物半導体発光素子 |
JP2681733B2 (ja) | 1992-10-29 | 1997-11-26 | 豊田合成株式会社 | 窒素−3族元素化合物半導体発光素子 |
US5578839A (en) | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
JP2827794B2 (ja) | 1993-02-05 | 1998-11-25 | 日亜化学工業株式会社 | p型窒化ガリウムの成長方法 |
JP2778405B2 (ja) | 1993-03-12 | 1998-07-23 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
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DE69433926T2 (de) | 1993-04-28 | 2005-07-21 | Nichia Corp., Anan | Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung |
JP2785254B2 (ja) | 1993-06-28 | 1998-08-13 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
US6005258A (en) | 1994-03-22 | 1999-12-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III Nitrogen compound having emission layer doped with donor and acceptor impurities |
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JP2666237B2 (ja) | 1994-09-20 | 1997-10-22 | 豊田合成株式会社 | 3族窒化物半導体発光素子 |
JP3646649B2 (ja) | 1994-09-22 | 2005-05-11 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP3548442B2 (ja) | 1994-09-22 | 2004-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
US5777350A (en) | 1994-12-02 | 1998-07-07 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device |
JP2735057B2 (ja) | 1994-12-22 | 1998-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2890396B2 (ja) | 1995-03-27 | 1999-05-10 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP3890930B2 (ja) | 1995-03-29 | 2007-03-07 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP3250438B2 (ja) | 1995-03-29 | 2002-01-28 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
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KR100267839B1 (ko) | 1995-11-06 | 2000-10-16 | 오가와 에이지 | 질화물 반도체 장치 |
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JP3654738B2 (ja) | 1997-04-07 | 2005-06-02 | 豊田合成株式会社 | 3族窒化物半導体発光素子 |
JP3314666B2 (ja) | 1997-06-09 | 2002-08-12 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
US6194743B1 (en) | 1997-12-15 | 2001-02-27 | Agilent Technologies, Inc. | Nitride semiconductor light emitting device having a silver p-contact |
JP4118370B2 (ja) | 1997-12-15 | 2008-07-16 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 反射p電極を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置 |
JP4118371B2 (ja) | 1997-12-15 | 2008-07-16 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 電極に銀を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置 |
JP3622562B2 (ja) | 1998-03-12 | 2005-02-23 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光ダイオード |
KR100683234B1 (ko) | 1998-03-12 | 2007-02-15 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 소자 |
JP3063756B1 (ja) | 1998-10-06 | 2000-07-12 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP4629178B2 (ja) | 1998-10-06 | 2011-02-09 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP3063757B1 (ja) | 1998-11-17 | 2000-07-12 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP3427265B2 (ja) | 1998-12-08 | 2003-07-14 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP3424629B2 (ja) | 1998-12-08 | 2003-07-07 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
US20010042866A1 (en) | 1999-02-05 | 2001-11-22 | Carrie Carter Coman | Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal |
JP3551101B2 (ja) | 1999-03-29 | 2004-08-04 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
US6838705B1 (en) | 1999-03-29 | 2005-01-04 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
DE19955747A1 (de) | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur |
EP2270883A3 (en) | 1999-12-03 | 2015-09-30 | Cree, Inc. | Enhanced light extraction in LEDs through the use of internal and external optical elements |
TWI289944B (en) | 2000-05-26 | 2007-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip |
US6586762B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-07-01 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power |
JP3786114B2 (ja) | 2000-11-21 | 2006-06-14 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
US6906352B2 (en) | 2001-01-16 | 2005-06-14 | Cree, Inc. | Group III nitride LED with undoped cladding layer and multiple quantum well |
US6630689B2 (en) | 2001-05-09 | 2003-10-07 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa |
US6958497B2 (en) | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
US6488767B1 (en) | 2001-06-08 | 2002-12-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | High surface quality GaN wafer and method of fabricating same |
KR100558890B1 (ko) | 2001-07-12 | 2006-03-14 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체 소자 |
JP2003174194A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子とその製造方法 |
KR100909733B1 (ko) | 2002-01-28 | 2009-07-29 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 지지기판을 갖는 질화물 반도체소자 및 그 제조방법 |
KR101030068B1 (ko) | 2002-07-08 | 2011-04-19 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자 |
DE10245628A1 (de) | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7026653B2 (en) | 2004-01-27 | 2006-04-11 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Semiconductor light emitting devices including current spreading layers |
US7115908B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-10-03 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | III-nitride light emitting device with reduced polarization fields |
US7345297B2 (en) | 2004-02-09 | 2008-03-18 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
DE102005016592A1 (de) | 2004-04-14 | 2005-11-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
US7791061B2 (en) | 2004-05-18 | 2010-09-07 | Cree, Inc. | External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces |
US7795623B2 (en) | 2004-06-30 | 2010-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures |
US20060002442A1 (en) | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Kevin Haberern | Light emitting devices having current blocking structures and methods of fabricating light emitting devices having current blocking structures |
JP2006086516A (ja) | 2004-08-20 | 2006-03-30 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子の製造方法 |
US7737459B2 (en) | 2004-09-22 | 2010-06-15 | Cree, Inc. | High output group III nitride light emitting diodes |
JP4485314B2 (ja) * | 2004-10-01 | 2010-06-23 | セイコープレシジョン株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
TWI246784B (en) * | 2004-12-29 | 2006-01-01 | Univ Nat Central | Light emitting diode and manufacturing method thereof |
US7335920B2 (en) | 2005-01-24 | 2008-02-26 | Cree, Inc. | LED with current confinement structure and surface roughening |
JP2006303034A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子の作製方法 |
US7446345B2 (en) | 2005-04-29 | 2008-11-04 | Cree, Inc. | Light emitting devices with active layers that extend into opened pits |
JP2007329234A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
US7910945B2 (en) | 2006-06-30 | 2011-03-22 | Cree, Inc. | Nickel tin bonding system with barrier layer for semiconductor wafers and devices |
US7754514B2 (en) | 2006-08-22 | 2010-07-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of making a light emitting element |
US7547908B2 (en) | 2006-12-22 | 2009-06-16 | Philips Lumilieds Lighting Co, Llc | III-nitride light emitting devices grown on templates to reduce strain |
US8021904B2 (en) | 2007-02-01 | 2011-09-20 | Cree, Inc. | Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN |
JP2009130324A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法および半導体素子 |
JP5304232B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2013-10-02 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
US7791101B2 (en) | 2008-03-28 | 2010-09-07 | Cree, Inc. | Indium gallium nitride-based ohmic contact layers for gallium nitride-based devices |
JP5205114B2 (ja) * | 2008-04-16 | 2013-06-05 | スタンレー電気株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP2010114405A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-05-20 | Panasonic Corp | 窒化物半導体発光ダイオード |
US20100127237A1 (en) | 2008-11-26 | 2010-05-27 | Chih-Sung Chang | High brightness light emitting diode structure and a method for fabricating the same |
JP5702165B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2015-04-15 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 表面粗化による高効率窒化ガリウムベースの発光ダイオード |
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