KR100616540B1

KR100616540B1 - 2파장 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR100616540B1
Application number: KR1020040022116A
Authority: KR
Inventors: 고종만
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2004-03-31
Filing date: 2004-03-31
Publication date: 2006-08-29
Also published as: US7071497B2; KR20050096666A; CN100508309C; JP2005294795A; JP4163166B2; TW200533023A; US20050224837A1; US20060208278A1; CN1677774A; US7374959B2; TWI249280B

Abstract

본 발명은 2파장 반도체 레이저 소자에 관한 것으로서, 제1 영역과 제2 영역을 분리된 상면을 갖는 제1 도전형 기판과, 상기 제1 도전형 기판의 제1 영역 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 제1 클래드층, 제1 활성층 및 제2 도전형 제1 클래드층으로 이루어진 제1 반도체 레이저 다이오드와, 상기 제1 도전형 기판의 제2 영역 상에 형성되며, 상기 제1 도전형 제1 클래드층, 제1 활성층 및 제2 도전형 제1 클래드층과 각각 동일한 층들로 이루어진 비활성영역와, 상기 비활성영역 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 제2 클래드층, 제2 활성층 및 제2 도전형 제2 클래드층으로 이루어진 제2 반도체 레이저 다이오드와, 상기 제2 도전형 제2 클래드층과 상기 제1 도전형 기판이 전기적으로 연결되도록, 적어도 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 다이오드 사이에 형성된 측방향 도전영역을 포함하는 2파장 반도체 레이저 소자를 제공한다.

2파장 반도체 레이저 소자(two wavelength semiconductor laser device), 트렌치(trench), SBR(selectively burried ridge)

Description

2파장 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법{TWO WAVELENGTH SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME}

도1은 종래의 2 파장 반도체 레이저 소자의 측단면도이다.

도2a 및 도2b는 각각 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 2파장 반도체 레이저 소자의 측단면도 및 상부평면도이다.

도3a 내지 도3d는 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 2파장 반도체 레이저 소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.

<도면의 주요부부에 대한 부호설명>

21: 제1 도전형 기판 20a,20b: 제1 및 제2 반도체 레이저

22: 제1 도전형 제1 클래드층 23b: 제1 활성층

24b: 제2 도전형 제1 클래드층 25b: 제1 전류차단층

25c: 측방향 도전영역 32a: 제1 도전형 제2 클래드층

33a: 제2 활성층 34a: 제2 도전형 제2 클래드층

본 발명은 반도체 레이저 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게 서로 다른 2파장의 광을 추력할 수 있는 2파장 레이저다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 레이저 소자는 유도방출에 의해 증폭된 광을 출력하는 반도체 소자로서, 그 출력광은 좁은 주파수폭(단파장특성)을 가지며 지향성을 우수하고, 고출력이 보장되는 특징을 갖고 있다. 이러한 특징으로 인해, CD나 DVD 등과 같은 광디스크시스템의 광픽업장치를 위한 광원으로 사용될 뿐만 아니라, 광통신, 다중통신, 우주통신 등의 분야에 광범위하게 적용되고 있다.

최근에는, 레이저를 정보기록 및 정보재생을 위한 광원으로서 사용하는 광디스크분야에서는, 2개의 서로 다른 파장을 발진할 수 있는 2파장 반도체 레이저 소자가 요구되고 있다. 특히, 상기 2파장 반도체 레이저 소자는 비교적 저밀도인 CD 재생기와 비교적 고밀도인 DVD재생기를 동시에 구현하기 위한 광원으로서 적극적으로 채용되고 있다. 이러한 2파장 반도체 레이저소자는 단일 기판 상에 780㎚의 파장출력을 갖는 레이저다이오드와 650㎚의 파장출력이 형성된 구조를 갖는다.

도1은 종래의 2파장 반도체 레이저소자의 측단면도이다.

도1을 참조하면, 종래의 2파장 반도체 레이저소자(10)는, 동일한 기판(11) 상에 형성된 제1 반도체 레이저(10a)와 제2 반도체 레이저(10b)를 포함한다. 상기 제1 및 제2 반도체 레이저(10a,10b)는 소정의 아이솔레이션영역에 의해 분리되며, 서로 다른 제1 및 제2 파장광을 각각 출력하도록 구성된다. 예를 들어, 상기 제1 파장광은 650㎚의 레이저광이며, 상기 제2 파장광은 780㎚의 레이저광일 수 있다.

또한, 각각의 레이저(10a,10b)는 제1 도전형 클래드층(12a,12b), 활성층(13a,13b) 및 제2 도전형 클래드층(14a,14b)이 순차적으로 적층된 SBR(selectively burried ridge) 구조일 수 있다. 상기 각 레이저(10a,10b)의 SBR구조는 리지구조를 갖는 제2 도전형 클래드층(14a,14b)과, 그 주위에 형성된 제1 도전형 전류차단층(15a,15b) 및, 그 상부에 제2 도전형 클래드층(14a,14b)과 연결된 제2 도전형 콘택층(16a,16b)을 포함한다. 상기 기판(11) 하면에는 공통전극으로서 제1 전극(17)이 제공되고, 상기 각 콘택층에는 제2 전극(18a,18b)이 각각 제공되어, 각 레이저(10a,10b)는 독립적으로 구동될 수 있다.

이러한 2파장 반도체 레이저소자를 제조하는 일 방법으로는, 서로 다른 파장을 갖는 레이저 다이오드(10a,10b)를 별도를 제조한 후에, 동일한 기판(11) 상에 다이본딩방식으로 결합시키는 방법이 있다. 이러한 방법은 각각 반도체 레이저(10a,10b)에 대한 제조공정과 함께 별도의 접착공정이 요구되므로, 전체 공정이 복잡할 뿐만 아니라, 칩 다이본딩시에 정렬불량이 야기될 수 있으며, 나아가, 칩의 소형화에 어렵다는 단점이 있다.

종래의 다른 방안에서는, 동일한 기판(11) 상면 중 제1 영역에만 노출되도록 마스크(미도시)를 형성한 후에, 제1 파장광을 출력하는 제1 반도체 레이저(10a)를 형성하고, 마스크를 제거한 후에 기판(11) 상면의 제2 영역에 제2 파장광을 출력하는 제2 반도체 레이저(10b)를 제조하는 방법이 있다.

반복적인 마스크형성 및 제거공정이 요구될 뿐 아니라, 제1 반도체레이저를 위한 결정성장공정과 제2 반도체레이저를 위한 결정성장공정이 중단되므로, 전체공정이 복잡해지는 문제가 여전히 존재하며, 특히 마스크를 제거하기 위한 에칭공정 등에 의해 기판(11)의 제2 영역에 해당하는 표면이 손상되어, 제2 반도체 레이저(10b)를 위한 결정성장공정에 문제가 야기되는 치명적인 단점이 있다.

본 발명은 상술된 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 연속적인 반도체 결정성장공정을 통해 구현될 수 있는 새로운 2파장 반도체 레이저 소자를 제공하는데 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 연속적인 반도체 결정성장공정을 이용하여 제1 및 제2 반도체 레이저를 위한 결정을 성장시키는 새로운 2파장 반도체 레이저 소자의 제조방법을 제공하는데 있다.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명은

제1 영역과 제2 영역을 분리된 상면을 갖는 제1 도전형 기판과,

상기 제1 도전형 기판의 제1 영역 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 제1 클래드층, 제1 활성층 및 제2 도전형 제1 클래드층으로 이루어진 제1 반도체 레이저 다이오드와,

상기 제1 도전형 기판의 제2 영역 상에 형성되며, 상기 제1 도전형 제1 클래드층, 제1 활성층 및 제2 도전형 제1 클래드층과 각각 동일한 층들로 이루어진 비활성영역과,

상기 비활성영역 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 제2 클래드층, 제2 활성층 및 제2 도전형 제2 클래드층으로 이루어진 제2 반도체 레이저 다이오드와,

상기 제2 도전형 제1 클래드층과 상기 제1 도전형 기판이 전기적으로 연결되도록, 적어도 상기 제1 및 제2 반도체 레이저 다이오드 사이에 형성된 측방향 도전영역을 포함하는 2파장 반도체 레이저 소자를 제공한다.

바람직하게, 상기 제1 및/또는 제2 반도체 레이저 다이오드는, SBR(selectively burried ridge)구조로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반도체 레이저 다이오드는, 리지구조를 갖는 제2 도전형 제1 클래드층과,상기 리지구조 주위에 형성된 제1 도전형 제1 전류차단층과, 상기 제1 도전형 제1 전류차단층과 제2 도전형 제1 클래드층 상에 형성된 제1 도전형 제1 콘택층을 포함할 수 있으며, 상기 제2 반도체 레이저 다이오드는, 리지구조를 갖는 제2 도전형 제1 및 제2 클래드층과, 상기 리지구조 주위에 형성된 제1 도전형 제2 전류차단층과, 상기 제1 도 전형 제2 전류차단층과 제2 도전형 제2 클래드층 상에 형성된 제1 도전형 제2 콘택층을 포함할 수 있다.

각 반도체 레이저 다이오드를 SBR구조로 구현하는 경우에, 상기 제1 및 제2 전류차단층과 상기 측방향 도전영역은 동일한 제1 도전형 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 콘택층은 동일한 제2 도전형 물질로 이루어지며,상기 측방향 도전영역 상에 상기 제1 및 제2 콘택층과 동일한 물질로 이루어진 제2 도전형 물질층을 더 포함할 수 있다.

본 발명은 측방향 전도영역과 원하지 않는 영역과의 전기적 접속을 방지하기 위해서 절연성 분리구조를 채용할 수 있다.

보다 구체적으로, 상기 제1 반도체 레이저 다이오드와 상기 측방향 전도영역 사이에 형성되며, 상기 레이저 다이오드 상부에서부터 적어도 상기 제1 도전형 제1 클래드층의 일부까지 연장된 제1 절연성 트렌치를 더 포함할 수 있으며, 이와 유사하게, 상기 제2 반도체 레이저 다이오드와 상기 측방향 도전영역 사이에 형성되며, 상기 레이저 다이오드 상부에서부터 상기 제1 도전형 제2 클래드층의 일부까지 연장된 제2 절연성 트렌치를 더 포함할 수 있다.

또한, 제1 반도체 레이저와 제2 반도체 레이저의 광원 위상차이를 허용범위 내로 유지하기 위해서, 상기 제2 도전형 제1 클래드층과 상기 제1 도전형 제2 클래 드층의 전체두께는 약 2㎛이하로 형성하는 것이 바람직하다.

상기 제1 반도체 레이저 다이오드의 상기 제1 도전형 제1 클래드층과, 상기 비활성영역의 제1 도전형 클래드층은, 하나의 층으로 형성될 수 있으며, 상기 측방향 도전영역은 상기 제2 반도체 레이저 다이오드의 양측에 모두 형성될 수 있다.

나아가, 본 발명은 상기 2파장 반도체 레이저 소자 제조방법을 제공한다. 상기 방법은,

제1 도전형 기판을 마련하는 단계와,

상기 제1 도전형 기판 상에 제1 도전형 제1 클래드층, 제1 활성층 및 제2 도전형 제1 클래드층으로 순차적으로 형성하는 단계와,

상기 제1 도전형 기판 상에 제1 도전형 제2 클래드층, 제2 활성층 및 제2 도전형 제2 클래드층을 순차적으로 형성하는 단계와,

상기 반도체 적층구조물이 제1 영역과 제2 영역으로 분리되도록 상기 반도체 적층구조물의 중간영역을 제거하고, 상기 제1 영역에 해당하는 부분에서 제1 도전형 제2 클래드층, 제2 활성층 및 제2 도전형 제2 클래드층을 제거하는 단계와,

상기 제2 영역의 제2 도전형 제1 클래드층과 상기 제1 도전형 기판이 전기적으로 연결되도록, 적어도 상기 제1 영역과 제2 영역 사이에 측방향 도전영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시형태를 상세히 설명 하기로 한다.

도2a 및 도2b는 각각 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 2파장 반도체 레이저 소자(20)의 측단면도 및 상부평면도이다.

도2a를 참조하면, 상기 2파장 반도체 레이저 소자(20)는 하나의 제1 도전형 기판(21)상에 형성되며, 서로 다른 파장광을 출력하는 제1 및 제2 반도체 레이저(20b,20a)를 포함한다.

상기 제1 반도체 레이저(20b)는 상기 제1 도전형 기판(21) 상에 순차적으로 제1 도전형 제1 클래드층(22), 제1 활성층(23b) 및 제2 도전형 제1 클래드층(24b)을 포함한다. 또한, 제1 반도체 레이저(20b)는 SBR구조를 가질 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 상기 제2 도전형 제1 클래드층(24b)은 리지구조로 형성되며, 상기 리지구조 주위에는 형성된 제1 도전형 제1 전류차단층(25b)과 그 상부에 형성된 제2 도전형 제1 콘택층(26b)을 포함할 수 있다.

상기 제1 도전형 기판의 다른 영역상에는 비활성영역이 제공된다. 상기 비활성영역은 활성층을 포함하고 있으나 pn접합구조로 인해 구동되지 않는 영역으로서, 상기 제1 반도체 레이저의 제1 도전형 제1 클래드층(22)과 제1 활성층(23b) 및 제2 도전형 제1 클래드층(24b)과 각각 동일한 층(22,23a,24a)으로 형성된다. 상기 비활성영역의 제1 도전형 클래드층은 본 실시형태와 같이 제1 반도체 레이저의 제1 도전형 제1 클래드층과 일체로 형성될 수 있으나, 제1 활성층 등과 같이 분리되어 형 성될 수도 있다.

또한, 상기 제2 반도체 레이저(20a)는 상기 비활성영역 상에 제공된다. 상기 제2 반도체 레이저(20a)는 상기 비활성영역 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 제2 클래드층(32a)과 제2 활성층(33a) 및 제2 도전형 제2 클래드층(34a)을 포함한다. 또한, 제2 반도체 레이저(20a)는 제1 반도체 레이저(20b)와 유사하게 SBR구조를 가질 수 있다. 즉, 상기 제2 도전형 제2 클래드층(34a)은 리지구조로 형성되며, 상기 리지구조 주위에는 형성된 제1 도전형 제2 전류차단층(35a)과 그 상부에 형성된 제2 도전형 제2 콘택층(36a)을 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1 도전형 제2 클래드층(32a)과 상기 제1 도전형 기판(21)이 전기적으로 연결되도록, 적어도 제1 및 제2 반도체 레이저(20b,20a)의 사이에는 측방향 도전영역(25c)이 제공된다.

본 발명에서는, 상기 기판(21)의 하면에 마련된 제1 전극(27)과 제2 반도체 레이저(20a)의 제2 전극(28a) 사이에 전압이 인가되면, 상기 비활성화영역의 제2 도전형 클래드층(24a)와 상기 제2 반도체 레이저(20a)의 제2 도전형 제1 클래드층(32a) 사이의 접합에서는 역방향전압으로 적용되며, 터널링전류가 발생되지 않는 통상의 구동전압범위에서는 더이상 수직 방향으로 전류가 흐르지 않는다. 따라서, 화살표로 표시된 바와 같이 전류는 상기 측방향 도전영역(25c)을 통해 흐르게 되어 제1 전극(27)을 향하게 된다.

추가적으로, 본 실시형태와 같이, 전류 흐름이 균일하게 분산되도록, 상기 측방향 도전영역(25c)은 제2 반도체 레이저(20a)의 양측부에 형성하는 것이 바람직하다.

바람직하게, 이러한 측방향 도전영역(25c)은 제1 및 상기 제2 전류차단층(25b,25a)과 동일한 공정을 이용하여 동일한 제1 도전형 물질로 형성될 수 있다. 상기 측방향 도전영역(25c)과 원하지 않은 영역이 서로 전기적으로 접속하지 않도록, 최초 형성시에 전기적으로 이격되도록 소정의 공간을 두고 배치될 수 있으나, 별도의 제1 및 제2 절연성 트렌치구조(29b,29a)를 이용하여 전기적으로 분리시키는 것이 바람직하다.

상기 제1 절연성 트렌치(29b)는 상기 측방향 도전영역(25c)이 상기 제1 반도체 레이저(20b)과 분리되도록, 상기 제1 반도체 레이저(20b)와 상기 측방향 도전영역(25c) 사이에서 상기 제1 반도체 레이저(20b) 상부에서부터 적어도 상기 제1 도전형 제1 클래드층(23b)의 일부까지 연장되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 절연성 트렌치(29a)는 상기 측방향도전영역(25c)이 제2 반도체 레이저(20a)의 원하지 않는 영역으로부터 분리되도록, 상기 제2 반도체 레이저(20a)와 상기 측방향 도전영역(25c) 사이에서 상기 제2 반도체 레이저(20a) 상부에서부터 상기 제1 도전형 제2 클래드층(32a)의 일부까지 연장되도록 형성될 수 있다. 도2b는 상기 제1 및 제2 절연성 트렌치(29b,29a)가 형성된 레이저소자의 상면도이다. 도2b에 도시된 바와 같이, 리지구조의 방향에 따라 형성될 수 있다.

또한, 상기 제2 도전형 제1 클래드층(24a 또는 24b)과 상기 제1 도전형 제2 클래드층(32a)의 전체두께는 제1 반도체 레이저(20b)와 제2 반도체 레이저(20a)의 광원 위상차이를 야기하므로, 광원의 위상차이를 통상의 허용범위 내로 유지하기 위해서, 상기 제2 도전형 제1 클래드층(24a)과 상기 제1 도전형 제2 클래드층(32a)의 두께의 합이 약 2㎛이하가 되도록 형성하는 것이 바람직하다.

본 발명에서는, 제1 반도체 레이저(20b)와 제2 반도체 레이저(20a)에 해당하는 모든 층이 연속적으로 형성될 수 있으며, 이 경우에, 상기 제2 반도체 레이저(20a)는 측방향 도전영역(25c)을 추가로 구비하여 전류경로를 형성하여 구동될 수 있도록 구성된다.

우선, 도3a와 같이, 제1 도전형 기판(41) 상에 제1 반도체 레이저를 형성하기 위해, 제1 도전형 제1 클래드층(42), 제1 활성층(43) 및 제2 도전형 제1 클래드층(44)으로 순차적으로 형성한다. 이에 연속하여, 제2 반도체 레이저를 형성하기 위한 상기 제2 도전형 제1 클래드층(44) 상에 제1 도전형 제2 클래드층(52), 제2 활성층(53) 및 제2 도전형 제2 클래드층(54)을 순차적으로 형성한다. 상기 제1 도전형 기판(41)은 n형 GaAs기판일 수 있으며, 상기 각 클래드층(42,44,52,54)은 AlGaInP층으로 형성될 수 있으며, 제1 및 제2 활성층(43,53)은 서로 다른 파장광을 출력하는 AlGaInP/GaInP층으로 구성될 수 있다.

이어, 도3b와 같이, 상기 반도체 적층구조물이 제1 영역과 제2 영역으로 분리되도록 상기 반도체 적층구조물의 중간영역을 제거하고, 상기 제1 영역에 해당하는 부분에서 제1 도전형 제2 클래드층(52), 제2 활성층(53) 및 제2 도전형 제2 클래드층(54)을 제거한다. 또한, 도3b에 도시된 바와 같이, SBR구조를 형성하기 위해서 제2 도전형 제1 클래드층(54b)과 제2 도전형 제2 클래드층(44b)을 리지구조를 식각한다. 이와 같이, 본 실시형태에서는 중간영역 제거공정, 제1 영역의 일부층 제거공정 및 리지구조형성을 위한 식각공정은 다른 패턴의 마스크를 적용하여 일률적으로 실시할 수 있다.

다음으로, 도3c와 같이, 각긱의 리지구조 주위에 제1 도전형 전류차단층(55)을 형성하고, 상기 제1 도전형 전류차단층(55)과 각 리지구조 상에 제2 도전형 콘택층(56)을 형성한다. 본 실시형태에서 상기 제1 도전형 전류차단층(55)은 후속공정에서 제2 영역의 제1 도전형 제2 클래드층(52a)과 제1 도전형 제1 클래드층(42)을 연결하는 측방향 도전영역으로 제공될 수 있다. 이 경우에, 측방향 도전영역을 제1 도전형 전류차단층과 동일한 물질로 구성하는 것을 예시하고 있으나, 이에 본 발명은 한정되는 것은 아니다. 즉, 제1 및 제2 영역 사이에 전류차단층(55)과 콘택층(56)부분을 제거하고, 별도의 전도성물질을 제공하여 제2 영역의 제1 도전형 제2 클래드층(52a)과 제1 도전형 제1 클래드층(42: 제1 도전형 제1 클래드층이 제거된 경우에는 제1 도전형 기판(41))을 전기적으로 연결할 수도 있다.

이어, 도3d와 같이, 제1 및 제2 절연성 트렌치(49b,49a)를 형성하여, 제1 도전형 전류차단층(55)의 일부를 이용하여 측방향 도전영역(55c)을 형성한다. 상기 제1 절연성 트렌치(49b)는 제1 영역과 상기 측방향 도전영역(45c) 사이에서 상기 제1 영역의 상부층(56b) 상부에서부터 적어도 상기 제1 도전형 제1 클래드층(43b)의 일부까지 연장되도록 형성되며, 상기 제2 절연성 트렌치(49a)는 상기 제2 영역과 상기 측방향 도전영역(45c) 사이에서 상기 제2 영역의 상부층(56a)에서부터 상기 제1 도전형 제2 클래드층(52a)의 일부까지 연장되도록 형성될 수 있다. 다음으로, 제1 도전형 기판(41)의 하면에 제1 전극(47)을 형성하고, 각 반도체 레이저영역의 상부에 제2 전극(48a,48b)을 각각 형성한다.

이와 같은 반도체 레이저 구조에서, 제1 전극(47)과 제2 전극(48a) 사이에 전압이 인가되면, 상기 제2 도전형 클래드층(44a)와 제1 도전형 제2 클래드층(42a) 사이의 접합에서는 역방향 전압이 인가되어 더이상 수직 방향으로 전류가 흐르지 않는다. 따라서, 화살표로 표시된 바와 같이 상기 측방향 도전영역(45c)을 따라 전류를 흐르게 되어 제1 전극(47)을 향하게 된다.

이와 같이, 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것 이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 명백할 것이다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 2파장광을 위한 2개의 반도체 레이저에 해당하는 결정층을 연속적인 반도체 결정성장공정으로 형성할 수 있으며, 결정성장면에 영향을 주는 불필요한 식각공정을 생략할 수 있으므로, 전체 공정이 간소화된 새로운 2파장 반도체 레이저 소자를 제공할 수 있다.

Claims

제1 영역과 제2 영역을 분리된 상면을 갖는 제1 도전형 기판;

상기 제1 도전형 기판의 제1 영역 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 제1 클래드층, 제1 활성층 및 제2 도전형 제1 클래드층으로 이루어진 제1 반도체 레이저 다이오드;

상기 제1 도전형 기판의 제2 영역 상에 형성되며, 상기 제1 도전형 제1 클래드층, 제1 활성층 및 제2 도전형 제1 클래드층과 각각 동일한 층들로 이루어진 비활성영역;

상기 비활성영역 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 제2 클래드층, 제2 활성층 및 제2 도전형 제2 클래드층으로 이루어진 제2 반도체 레이저 다이오드; 및,

상기 제1 도전형 제2 클래드층과 상기 제1 도전형 기판이 전기적으로 연결되도록, 상기 제2 반도체 레이저 다이오드 및 상기 비활성영역의 측부에 형성된 측방향 도전영역을 포함하는 2파장 반도체 레이저 소자.
제1항에 있어서,

상기 제1 반도체 레이저 다이오드는,

리지구조를 갖는 제2 도전형 제1 클래드층과,

상기 리지구조 주위에 형성된 제1 도전형 제1 전류차단층과,

상기 제1 도전형 제1 전류차단층과 제2 도전형 제1 클래드층 상에 형성된 제1 도전형 제1 콘택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 제2 반도체 레이저 다이오드는,

리지구조를 갖는 제2 도전형 제1 및 제2 클래드층과,

상기 리지구조 주위에 형성된 제1 도전형 제2 전류차단층과,

상기 제1 도전형 제2 전류차단층과 제2 도전형 제2 클래드층 상에 형성된 제1 도전형 제2 콘택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자.
제3항에 있어서,

상기 제1 및 제2 전류차단층과 상기 측방향 도전영역은 동일한 제1 도전형 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자.
제4항에 있어서,

상기 제1 및 제2 콘택층은 동일한 제2 도전형 물질로 이루어지며,

상기 측방향 도전영역 상에 상기 제1 및 제2 콘택층과 동일한 물질로 이루어진 제2 도전형 물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자.
제1항에 있어서,

상기 제1 반도체 레이저 다이오드와 상기 측방향 도전영역 사이에 형성되며, 상기 레이저 다이오드 상부에서부터 적어도 상기 제1 도전형 제1 클래드층의 일부까지 연장된 제1 절연성 트렌치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자.
제1항에 있어서,

상기 제2 반도체 레이저 다이오드와 상기 측방향 도전영역 사이에 형성되며, 상기 레이저 다이오드 상부에서부터 상기 제1 도전형 제2 클래드층의 일부까지 연장된 제2 절연성 트렌치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자.
제1항에 있어서,

상기 제2 도전형 제1 클래드층과 상기 제1 도전형 제2 클래드층의 전체두께는 2㎛이하인 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자.
제1항에 있어서,

상기 제1 반도체 레이저 다이오드의 상기 제1 도전형 제1 클래드층과, 상기 비활성영역의 제1 도전형 클래드층은, 하나의 층으로 형성된 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자.
제1항에 있어서,

상기 측방향 도전영역은 상기 제2 반도체 레이저 다이오드의 양측에 모두 형성된 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자.
제1 도전형 기판을 마련하는 단계;

상기 제1 도전형 기판 상에 제1 도전형 제1 클래드층, 제1 활성층 및 제2 도전형 제1 클래드층으로 순차적으로 형성하는 단계;

상기 제1 도전형 기판 상에 제1 도전형 제2 클래드층, 제2 활성층 및 제2 도전형 제2 클래드층을 순차적으로 형성하는 단계;

상기 반도체 적층구조물이 제1 영역과 제2 영역으로 분리되도록 상기 반도체 적층구조물의 중간영역을 제거하고, 상기 제1 영역에 해당하는 부분에서 제1 도전형 제2 클래드층, 제2 활성층 및 제2 도전형 제2 클래드층을 제거하는 단계; 및,

상기 제2 영역의 제1 도전형 제2 클래드층과 상기 제1 도전형 기판이 전기적으로 연결되도록, 상기 제2 영역의 측부에 측방향 도전영역을 형성하는 단계를 포함하는 2파장 반도체 레이저 소자 제조방법.
제11항에 있어서, 상기 제거하는 단계 후에,

상기 제1 영역의 제2 도전형 제1 클래드층을 리지구조로 식각하는 단계와,

상기 리지구조 주위에 제1 도전형 제1 전류차단층을 형성하는 단계와,

상기 제1 도전형 제1 전류차단층과 제2 도전형 제1 클래드층 상에 제1 도전 형 제1 콘택층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자 제조방법.
제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 제거하는 단계 후에,

상기 제2 영역의 제2 도전형 제2 클래드층을 리지구조로 식각하는 단계와,

상기 리지구조 주위에 제1 도전형 제2 전류차단층을 형성하는 단계와,

상기 제1 도전형 제2 전류차단층과 제2 도전형 제2 클래드층 상에 제1 도전형 제2 콘택층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자 제조방법.
제13항에 있어서,

상기 제1 및 제2 전류차단층은 동일한 제1 도전형 물질로 동시에 형성되며, 이로써, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이에 제1 도전형 물질층이 형성되고,

상기 측방향 도전영역은 상기 제1 도전형 물질층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자 제조방법.
제13항에 있어서,

상기 제1 및 제2 콘택층은 동일한 제2 도전형 물질로 동시에 형성되며, 이로써, 상기 제1 도전형 물질층 상에 제2 도전형 물질층이 형성되는 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자 제조방법.
제11항에 있어서,

상기 측방향 도전영역을 형성하는 단계는,

상기 제1 영역과 상기 측방향 도전영역 사이에, 상기 제1 영역의 상부로부터 적어도 상기 제1 도전형 제1 클래드층의 일부까지 연장된 제1 절연성 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자 제조방법.
제11항에 있어서,

상기 측방향 도전영역을 형성하는 단계는,

상기 제2 영역과 상기 측방향 도전영역 사이에, 상기 제2 영역의 상부로부터 상기 제1 도전형 제2 클래드층의 일부까지 연장된 제2 절연성 트렌치를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자 제조방법.
제11항에 있어서,

상기 제2 도전형 제1 클래드층과 상기 제1 도전형 제2 클래드층의 전체두께는 2㎛이하인 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자 제조방법.
제12항에 있어서,

상기 반도체적층구조물의 중간영역을 제거하는 단계는, 상기 제1 영역과 상 기 제2 영역 사이의 상기 제1 도전형 제1 클래드층의 상부까지의 반도체적층구조물을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자 제조방법.
제11항에 있어서,

상기 측방향 도전영역은, 상기 제2 영역의 양측에 모두 형성되는 것을 특징으로 하는 2파장 반도체 레이저 소자 제조방법.