JP2002094182A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】オフ基板を用いた場合にリッジの形状を左右対
称とできるなど、リッジ形状を制御して製造できる半導
体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】基板１０に、少なくとも活性層１２と、活
性層の上層および下層にそれぞれ配置された第１導電型
のクラッド層１１および第２導電型のクラッド層１３を
有する半導体積層体を形成する。次に、半導体積層体の
上層において、電流注入領域の一部を保護するように第
１マスク層４０を形成し、次に、部分的に上記第１マス
ク層と重なるように、電流注入領域の残部を保護し、下
層となる上記半導体積層体に対する密着性を異ならせる
など、保護特性を第１マスク層と異ならせて第２マスク
層４２を形成する。次に、第１および第２マスク層（４
０，４２）をマスクとしてエッチングを行い、半導体積
層の電流注入領域をリッジ形状ＲＤに加工する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク装置、
光磁気ディスクメモリ、レーザビームプリンタなどの光
情報機器や光通信になど使用される半導体レーザの製造
方法に係り、特に基板としてオフ基板を用いた半導体レ
ーザの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＣＤ（コンパクトディスク）、
ＤＶＤ（デジタル多用途ディスク）あるいはＭＤ（ミニ
ディスク）などの光（磁気）ディスク装置における光学
ピックアップ装置や、レーザビームプリンタ、光情報機
器などには半導体レーザが内蔵されている。

【０００３】上記の半導体レーザは、用途により異なる
発振波長のレーザ光を用いられており、例えはＤＶＤの
再生などには６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光が用いら
れ、この６５０ｎｍ帯の半導体レーザとして、例えばＡ
ｌＧａＩｎＰ系材料の半導体積層体からなる半導体レー
ザが広く用いられている。

【０００４】図６は上記のＡｌＧａＩｎＰ系材料からな
る半導体レーザの断面図である。例えばＧａＡｓからな
るｎ型基板１０上に、不図示のＧａＡｓからなるｎ型バ
ッファ層やＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ層が形成さ
れており、その上層に、例えばＡｌＧａＩｎＰからなる
ｎ型クラッド層１１、活性層（発振波長６５０ｎｍの多
重量子井戸構造）１２、例えばＡｌＧａＩｎＰからなる
ｐ型クラッド層１３、および、例えばＧａＡｓからなる
ｐ型キャップ層１４が形成されている。電流注入ストラ
イプにおいて、上記のｐ型キャップ層１４の表面からｐ
型クラッド層１３の途中の深さまでリッジ状（凸状）Ｒ
Ｄに加工されており、電流狭搾構造となるストライプが
形成されている。リッジＲＤの両側部には、例えばＧａ
Ａｓからなるｎ型電流ブロック層１５が形成されてい
る。

【０００５】上記のｐ型キャップ層１４およびｎ型基板
１０には、それぞれｐ電極２０およびｎ電極３０が接続
して形成されている。上記のｐ電極２０およびｎ電極３
０に所定の電圧を印加することで、リッジストライプ領
域における上記活性層の端面が共振器の端面となって、
該共振器端面間に導波路が構成され、リッジストライプ
領域における活性層１２から、例えば６５０ｎｍ帯の波
長のレーザ光が出射される。

【０００６】上記の構造の半導体レーザは、ＣＤやＤＶ
Ｄなど光ディスクシステムの光学ピックアップ装置など
の光源として、あるいは、レーザビームプリンタなどの
光情報機器や光通信になど使用される半導体レーザとし
て好ましく用いることができる。

【０００７】上記のｎ型基板１０としては、（１００）
面から〔１１０〕方向に２°以上１５°以下で傾斜した
オフ基板が用いられることが多い。自然超格子による長
波長化を防止するためである。

【０００８】上記の半導体レーザの製造方法について説
明する。まず、図７（ａ）に示すように、例えばＧａＡ
ｓからなり、（１００）面から〔１１０〕方向に２°以
上１５°以下で傾斜したオフ基板であるｎ型基板１０上
に、例えば有機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶ
ＰＥ）などのエピタキシャル成長法により、必要に応じ
てＧａＡｓやＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ層（不図
示）を形成した後、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型
クラッド層１１、活性層（発振波長６５０ｎｍの多重量
子井戸構造）１２、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型
クラッド層１３、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ
層１４を順に積層させる。

【０００９】次に、図７（ｂ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー工程により、電流注入ストライプ領域とな
る部分を保護するレジスト膜４０をｐ型キャップ層１４
の上層にパターン形成し、ウェットエッチングを行い、
ｐ型キャップ層１４の表面からｐ型クラッド層１３の途
中の深さまでリッジ状（凸状）ＲＤに加工する。

【００１０】次に、予めｐ型キャップ層１４上に形成し
た酸化シリコンのマスクパターン（不図示）を選択成長
のマスクとする選択エピタキシャル成長などにより、例
えばＧａＡｓからなるｎ型電流ブロック層１５を形成す
る。次に、ｐ型キャップ層１４に接続するようにＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕなどのｐ型電極を形成し、一方、ｎ型基板１
０に接続するようにＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどのｎ型電
極を形成し、ペレタイズ工程を経て、図６に示すような
半導体レーザとする。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の半導体レーザは、（１００）面から〔１１０〕方
向に傾斜したオフ基板を用いた場合、図６に示すよう
に、リッジの延伸方向に垂直な断面において、オフ基板
の傾斜角によってリッジの形状が左右非対称となってお
り、このように左右非対称な形状によって、注入される
電流の分布と屈折率導波による光の分布に差が生じ、キ
ンクが出現する光出力、即ち、キンクレベルが低くなっ
てしまう。上記のオフ基板の傾斜角によってリッジの形
状が左右非対称となってしまうのは、図７（ｂ）に示す
ように、オフ基板の被エッチング特性のために、レジス
ト膜によるマスク層の下層へ一方から入り込むサイドエ
ッチングＳＥａと他方から入り込むサイドエッチングＳ
Ｅｂの程度が異なるためである。従って、電流狭搾構造
としてリッジストライプを有する半導体レーザの製造方
法において、リッジの延伸方向に垂直な断面におけるリ
ッジ形状を制御して製造できる方法が求められていた。

【００１２】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、従って、本発明の目的は、オフ基板を用いた場
合にもリッジの延伸方向に垂直な断面におけるリッジの
形状を左右対称とできるなど、リッジ形状を制御して製
造できる半導体レーザの製造方法を提供することであ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体レーザの製造方法は、基板に、少な
くとも活性層と、該活性層の上層および下層にそれぞれ
配置された第１導電型のクラッド層および第２導電型の
クラッド層を有する半導体積層体を形成する工程と、上
記半導体積層体の上層において、電流注入領域の一部を
保護するように第１マスク層を形成する工程と、上記半
導体積層体の上層において、部分的に上記第１マスク層
と重なるように、電流注入領域の残部を保護し、下層と
なる上記半導体積層体に対する保護特性を上記第１マス
ク層と異ならせて第２マスク層を形成する工程と、上記
第１および第２マスク層をマスクとしてエッチングを行
い、上記半導体積層の電流注入領域をリッジ形状に加工
する工程とを有する。

【００１４】上記の本発明の半導体レーザの製造方法
は、好適には、上記第２マスク層を形成する工程におい
ては、上記半導体積層体への密着性を変えることで、上
記半導体積層体に対する保護特性を上記第１マスク層と
異ならせて形成する。

【００１５】上記の本発明の半導体レーザの製造方法
は、好適には、上記第１マスク層を形成する工程におい
ては、第１レジスト膜をパターン形成し、第１の処理温
度のベーキング処理を行って上記第１マスク層とし、上
記第２マスク層を形成する工程においては、第２レジス
ト膜をパターン形成し、上記第１の処理温度よりも低い
第２の処理温度でベーキング処理を行って上記第２マス
ク層とする。さらに好適には、上記第１レジスト膜をパ
ターン形成し、ベーキング処理を行って第１マスク層と
した後、上記第２マスク層を形成する工程の前に、上記
第１マスク層の表層部を硬化処理する工程をさらに有す
る。

【００１６】上記の本発明の半導体レーザの製造方法
は、好適には、上記基板として、（１００）面から〔１
１０〕方向に傾斜したオフ基板を用い、さらに好適に
は、上記半導体積層の電流注入領域をリッジ形状に加工
する工程においては、上記リッジの延伸方向に垂直な断
面における該リッジの形状を左右対称となるように形成
する。

【００１７】上記の本発明の半導体レーザの製造方法
は、好適には、上記半導体積層体を形成する工程におい
ては、ＡｌＧａＩｎＰ系材料により形成する。

【００１８】上記の本発明の半導体レーザの製造方法
は、好適には、上記半導体積層の電流注入領域をリッジ
形状に加工する工程に後に、上記リッジ形状部の側部に
電流ブロック層を形成する工程をさらに有する。

【００１９】上記の本発明の半導体レーザの製造方法
は、基板に、少なくとも活性層と、該活性層の上層およ
び下層にそれぞれ配置された第１導電型のクラッド層お
よび第２導電型のクラッド層を有し、ＡｌＧａＩｎＰ系
材料などからなる半導体積層体を形成する。次に、半導
体積層体の上層において、電流注入領域の一部を保護す
るように第１マスク層を形成し、次に、第１マスク層の
隣接部に、電流注入領域の残部を保護し、下層となる上
記半導体積層体に対する保護特性を第１マスク層と異な
らせて第２マスク層を形成する。ここで、例えば、第１
レジスト膜をパターン形成し、第１の処理温度でベーキ
ング処理を行って第１マスク層とし、得らえた第１マス
ク層の表層部を硬化処理した後、次に、第２レジスト膜
をパターン形成し、第１の処理温度よりも低い第２の処
理温度でベーキング処理を行って上記第２マスク層とす
るなど、第２マスク層の半導体積層体への密着性を上記
第１マスク層と変えることで、半導体積層体に対する保
護特性を上記第１マスク層と異ならせて形成する。次
に、第１および第２マスク層をマスクとしてエッチング
を行い、半導体積層の電流注入領域をリッジ形状に加工
する。この後の工程としては、例えば、リッジ形状部の
側部に電流ブロック層などを形成する。

【００２０】上記の本発明の半導体レーザの製造方法に
よれば、電流狭搾構造としてリッジストライプを有する
半導体レーザの製造方法において、リッジストライプ形
成マスクとなる第１マスク層と第２マスク層において、
第２マスク層の半導体積層体への密着性を第１マスク層
と変えることで保護特性を変えており、これによりリッ
ジ形状を制御して製造できる。例えば、基板として（１
００）面から〔１１０〕方向に傾斜したオフ基板を用い
た場合にも、リッジの延伸方向に垂直な断面における該
リッジの形状を左右対称となるように形成できる。リッ
ジの形状を左右対称とすることで、注入される電流の分
布と屈折率導波による光の分布を均一にして導波を安定
化させることができ、キンクが出現する光出力、即ち、
キンクレベルの低下の防止や、長期信頼性の向上が可能
となる。また、基板として（１００）面から〔１１０〕
方向に傾斜したオフ基板を用いた場合に、リッジの形状
を従来の方法により形成される非対称性と逆の方向の非
対称性を持つ形状などに加工することもでき、あるいは
傾斜していない基板を用いた場合にも非対称なリッジを
加工することができ、例えば自励発振レーザなどの設計
時においてリッジ形状を制御することが必要な場合に有
効である。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体レーザおよ
びその製造方法の実施の形態について、図面を参照して
説明する。

【００２２】第１実施形態 図１は、本実施形態に係る半導体レーザの断面図であ
る。例えばＧａＡｓからなるｎ型基板１０上に、不図示
のＧａＡｓからなるｎ型バッファ層やＩｎＧａＰからな
るｎ型バッファ層が形成されており、その上層に、例え
ばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層１１、活性層
（発振波長６５０ｎｍの多重量子井戸構造）１２、例え
ばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層１３、およ
び、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層１４が形成
されている。電流注入ストライプにおいて、上記のｐ型
キャップ層１４の表面からｐ型クラッド層１３の途中の
深さまでリッジ状（凸状）ＲＤに加工されており、電流
狭搾構造となるストライプが形成されている。リッジＲ
Ｄの両側部には、例えばＧａＡｓからなるｎ型電流ブロ
ック層１５が形成されている。

【００２３】上記のｐ型キャップ層１４およびｎ型基板
１０には、それぞれｐ電極２０およびｎ電極３０が接続
して形成されている。上記のｐ電極２０およびｎ電極３
０に所定の電圧を印加することで、リッジストライプ領
域における上記活性層の端面が共振器の端面となって、
該共振器端面間に導波路が構成され、リッジストライプ
領域における活性層１２から、例えば６５０ｎｍ帯の波
長のレーザ光が出射される。

【００２４】上記の構造の半導体レーザは、ＣＤやＤＶ
Ｄなど光ディスクシステムの光学ピックアップ装置など
の光源として、あるいは、レーザビームプリンタなどの
光情報機器や光通信になど使用される半導体レーザとし
て好ましく用いることができる。

【００２５】上記のｎ型基板１０としては、自然超格子
による長波長化を防止するため、例えば（１００）面か
ら〔１１０〕方向に２°以上１５°以下で傾斜したオフ
基板が用いられる。

【００２６】本実施形態に係る半導体レーザは、上記の
ようにオフ基板を用いていても、リッジの延伸方向に垂
直な断面における該リッジの形状が左右対称となってい
る。従って、自然超格子による長波長化を防止しなが
ら、注入される電流の分布と屈折率導波による光の分布
が均一化されて導波が安定化され、キンクが出現する光
出力、即ち、キンクレベルの低下が防止され、長期信頼
性を向上した半導体レーザである。

【００２７】上記の半導体レーザの製造方法について説
明する。まず、図２（ａ）に示すように、例えばＧａＡ
ｓからなり、（１００）面から〔１１０〕方向に２°以
上１５°以下で傾斜したオフ基板であるｎ型基板１０上
に、例えば有機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶ
ＰＥ）などのエピタキシャル成長法により、必要に応じ
てＧａＡｓやＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ層（不図
示）を形成した後、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型
クラッド層１１、活性層（発振波長６５０ｎｍの多重量
子井戸構造）１２、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型
クラッド層１３、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ
層１４を順に積層させる。

【００２８】次に、図２（ｂ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー工程により、電流注入ストライプ領域とな
る部分の一部を保護する第１レジスト膜４０をｐ型キャ
ップ層１４の上層にパターン形成する。ここで、上記の
第１レジスト膜４０としては、例えば最終的に形成する
電流注入ストライプ領域の幅が３μｍである場合、２．
５μｍ幅のレジスト膜をパターン形成し、必要なストラ
イプ幅よりも細くなるように形成する。次に、例えばベ
ーキング炉にて１２０℃の温度で３０分間の熱処理を施
し、第１レジスト膜４０の半導体積層体（ｐ型キャップ
層１４）への密着性を高める。

【００２９】次に、図２（ｂ）に示すように、例えばＣ
Ｆ₄ などのガスを導入したプラズマアッシングなどによ
り、第１レジスト膜４０の表層部４１を硬化処理し、次
工程での現像処理などで溶出しないようにする。

【００３０】次に、図３（ｃ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー工程により、部分的に第１レジスト膜４０
と重なるように、電流注入ストライプ領域の残部を保護
する第２レジスト膜４２をパターン形成する。ここで、
上記の第２レジスト膜４２としては、例えば第１レジス
ト膜により電流注入ストライプ領域の幅３μｍの内の
２．５μｍ分を保護する場合には、第２レジスト膜で残
りの０．５μｍの幅の部分を保護するように、第１レジ
スト膜４０と重なるようにして形成する。次に、例えば
ベーキング炉にて９０℃の温度で３０分間の熱処理を施
し、第２レジスト膜４２の半導体積層体（ｐ型キャップ
層１４）への密着性を高める。このときのベーキング処
理温度を第１レジスト膜４０のベーキング処理温度（１
２０ド）より低く設定することで、第２レジスト膜４２
の半導体積層体（ｐ型キャップ層１４）への密着力を第
１レジスト膜４０よりも低く調整し、第１レジスト膜４
０と第２レジスト膜４２とで下層となる上記半導体積層
体に対する保護特性を異ならせて形成する。

【００３１】次に、図３（ｄ）に示すように、第１レジ
スト膜４０および第２レジスト膜４２をマスクとしてウ
ェットエッチングを行い、ｐ型キャップ層１４の表面か
らｐ型クラッド層１３の途中の深さまでリッジ状（凸
状）ＲＤに加工する。ここで、第１レジスト膜４０と第
２レジスト膜４２では、上記のように半導体積層体（ｐ
型キャップ層１４）への密着性が異なっていることか
ら、第１レジスト膜４０側から第１レジスト膜４０の下
層へ入り込むサイドエッチングＳＥａと第２レジスト膜
４２側から第２レジスト膜４２の下層へ入り込むサイド
エッチングＳＥｂの程度が異なっており、このサイドエ
ッチングの程度の差と、オフ基板の被エッチング特性と
が相殺されて、リッジの延伸方向に垂直な断面における
該リッジの形状が左右対称となるように加工される。

【００３２】上記の第１レジスト膜４０と第２レジスト
膜４２の形成工程においては、次工程のエッチング処理
において、レジスト膜によるマスク層の下層へのサイド
エッチングが生じるため、その分を見積もってパターン
形成する幅を決定する必要がある。さらに、第１レジス
ト膜４０と第２レジスト膜４２では、上記のように半導
体積層体（ｐ型キャップ層１４）への密着性が異なって
おり、第１レジスト膜４０側からと第２レジスト膜４２
側からのサイドエッチングの量が異なるため、その差を
見積もって第１レジスト膜４０と第２レジスト膜４２の
パターン形成幅を決める必要がある。

【００３３】この後の工程としては、例えば、リッジ形
状部の側部に電流ブロック層１５などを形成し、次に、
ｐ型キャップ層１４に接続するようにＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
などのｐ型電極を形成し、一方、ｎ型基板１０に接続す
るようにＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどのｎ型電極を形成
し、ペレタイズ工程を経て、図１に示すような半導体レ
ーザとする。

【００３４】上記の本実施形態の半導体レーザの製造方
法によれば、基板として（１００）面から〔１１０〕方
向に傾斜したオフ基板を用いた場合にも、リッジの延伸
方向に垂直な断面における該リッジの形状を左右対称と
なるように形成できる。リッジの形状を左右対称とする
ことで、注入される電流の分布と屈折率導波による光の
分布を均一にして導波を安定化させることができ、キン
クが出現する光出力、即ち、キンクレベルの低下の防止
や、長期信頼性の向上が可能となる。上記のように、本
実施形態の半導体レーザの製造方法により、電流狭搾構
造としてリッジストライプを有する半導体レーザの製造
方法において、リッジ形状を制御して製造できる。

【００３５】第２実施形態 図４は、本実施形態に係る半導体レーザの断面図であ
る。実質的に第１実施形態の半導体レーザと同様である
が、第１実施形態と同様にｎ型基板１０として、例えば
（１００）面から〔１１０〕方向に２°以上１５°以下
で傾斜したオフ基板が用いられており、また、電流狭搾
ストライプとなるリッジＲＤの形状が、リッジの延伸方
向に垂直な断面において、従来の方法により形成される
非対称性と逆の方向の非対称性を持つ形状となってい
る。

【００３６】上記の本実施形態の半導体レーザは、リッ
ジ形状が制御されて加工されており、例えばリッジ形状
を細かく制御する必要がある自励発振レーザなどに好ま
しく適用することができる。

【００３７】上記の半導体レーザの製造方法について説
明する。実質的に第１実施形態と同様に形成することが
できるが、図５に示すように、第１レジスト膜４０側か
らのサイドエッチングＳＥａと第２レジスト膜４２側か
らのサイドエッチングＳＥｂの量などを調整し、第１レ
ジスト膜４０と第２レジスト膜４２をマスクとするウェ
ットエッチング処理を制御して行って、電流狭搾ストラ
イプとなるリッジＲＤの形状がリッジの延伸方向に垂直
な断面において、従来の方法により形成される非対称性
と逆の方向の非対称性を持つ形状となるように加工す
る。その他の工程は、第１実施形態と同様にして行うこ
とができる。

【００３８】上記の本実施形態の半導体レーザの製造方
法によれば、リッジ形状を制御して加工することがで
き、例えばリッジ形状を細かく制御する必要がある自励
発振レーザの製造方法に好ましく適用することができ
る。

【００３９】以上、本発明を２形態の実施形態により説
明したが、本発明はこれらの実施形態に何ら限定される
ものではない。例えば、第２実施形態において、基板と
して傾斜していない基板を用いてもよい。傾斜していな
い基板の場合、通常のリッジ加工ではリッジの延伸方向
に対して垂直な断面において非対称とはならないが、第
２実施形態の製造方法を適用することでリッジの延伸方
向に対して垂直な断面において非対称なリッジ形状を得
ることができ、リッジ形状を制御して製造することがで
きる。また、上記半導体レーザを構成する半導体材料や
金属材料などは、ＡｌＧａＩｎＰ系材料以外の半導体材
料系などを適宜選択して用いることができる。また、同
一基板上にモノリシックに複数個の半導体レーザが搭載
される多波長レーザに適用することも可能であり、例え
ば、７８０ｎｍ帯のレーザ光を出射する半導体レーザと
６５０ｎｍ帯のレーザ光を出射する半導体レーザともモ
ノリシックに搭載する２波長レーザにおいて、６５０ｎ
ｍ帯の半導体レーザ部分の製造方法に上記の実施形態を
適用することができる。その他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で種々の変更を行うことが可能である。

【００４０】

【発明の効果】上記のように、本発明の半導体レーザの
製造方法によれば、電流狭搾構造としてリッジストライ
プを有する半導体レーザの製造方法において、リッジス
トライプ形成マスクとなる第１マスク層と第２マスク層
において、第２マスク層の半導体積層体への密着性を第
１マスク層と変えることで保護特性を変えており、これ
によりリッジ形状を制御して製造できる。例えば、基板
として（１００）面から〔１１０〕方向に傾斜したオフ
基板を用いた場合にも、リッジの延伸方向に垂直な断面
における該リッジの形状を左右対称となるように形成で
きる。リッジの形状を左右対称とすることで、注入され
る電流の分布と屈折率導波による光の分布を均一にして
導波を安定化させることができ、キンクが出現する光出
力、即ち、キンクレベルの低下の防止や、長期信頼性の
向上が可能となる。また、基板として（１００）面から
〔１１０〕方向に傾斜したオフ基板を用いた場合に、リ
ッジの形状を従来の方法により形成される非対称性と逆
の方向の非対称性を持つ形状などに加工することもで
き、あるいは傾斜していない基板を用いた場合にも非対
称なリッジを加工することができ、例えば自励発振レー
ザなどの設計時においてリッジ形状を制御することが必
要な場合に有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は第１実施形態に係る半導体レーザの断面
図である。

【図２】図２は第１実施形態に係る半導体レーザの製造
方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）は第１レジ
スト膜の形成工程まで、（ｂ）は第１レジスト膜の表層
部の硬化処理工程までを示す。

【図３】図３は図２の続きの工程を示す断面図であり、
（ｃ）は第２レジスト膜の形成工程まで、（ｄ）はリッ
ジ形状形成のエッチング工程までを示す。

【図４】図４は第２実施形態に係る半導体レーザの断面
図である。

【図５】図５は第２実施形態に係る半導体レーザの製造
方法の製造工程を示す断面図であり、リッジ形状形成の
エッチング工程までを示す。

【図６】図６は従来例に係る半導体レーザの断面図であ
る。

【図７】図７は従来例に係る半導体レーザの製造方法の
製造工程を示す断面図であり、（ａ）はレジスト膜の形
成工程まで、（ｂ）はリッジ形状形成のエッチング工程
までを示す。

【符号の説明】

１０…ｎ型基板、１１…ｎ型クラッド層、１２…活性
層、１３…ｐ型クラッド層、１４…ｐ型キャップ層、１
５…ｎ型電流ブロック層、２０…ｐ電極、３０…ｎ電
極、４０…（第１）レジスト膜、４１…硬化された表層
部、４２…第２レジスト膜、ＲＤ…リッジ。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板に、少なくとも活性層と、該活性層の
   上層および下層にそれぞれ配置された第１導電型のクラ
   ッド層および第２導電型のクラッド層を有する半導体積
   層体を形成する工程と、 上記半導体積層体の上層において、電流注入領域の一部
   を保護するように第１マスク層を形成する工程と、 上記半導体積層体の上層において、部分的に上記第１マ
   スク層と重なるように、電流注入領域の残部を保護し、
   下層となる上記半導体積層体に対する保護特性を上記第
   １マスク層と異ならせて第２マスク層を形成する工程
   と、 上記第１および第２マスク層をマスクとしてエッチング
   を行い、上記半導体積層の電流注入領域をリッジ形状に
   加工する工程とを有する半導体レーザの製造方法。
2. 【請求項２】上記第２マスク層を形成する工程において
   は、上記半導体積層体への密着性を変えることで、上記
   半導体積層体に対する保護特性を上記第１マスク層と異
   ならせて形成する請求項１に記載の半導体レーザの製造
   方法。
3. 【請求項３】上記第１マスク層を形成する工程において
   は、第１レジスト膜をパターン形成し、第１の処理温度
   のベーキング処理を行って上記第１マスク層とし、 上記第２マスク層を形成する工程においては、第２レジ
   スト膜をパターン形成し、上記第１の処理温度よりも低
   い第２の処理温度でベーキング処理を行って上記第２マ
   スク層とする請求項１に記載の半導体レーザの製造方
   法。
4. 【請求項４】上記第１レジスト膜をパターン形成し、ベ
   ーキング処理を行って第１マスク層とした後、上記第２
   マスク層を形成する工程の前に、上記第１マスク層の表
   層部を硬化処理する工程をさらに有する請求項３に記載
   の半導体レーザの製造方法。
5. 【請求項５】上記基板として、（１００）面から〔１１
   ０〕方向に傾斜したオフ基板を用いる請求項１に記載の
   半導体レーザの製造方法。
6. 【請求項６】上記半導体積層の電流注入領域をリッジ形
   状に加工する工程においては、上記リッジの延伸方向に
   垂直な断面における該リッジの形状を左右対称となるよ
   うに形成する請求項５記載の半導体レーザの製造方法。
7. 【請求項７】上記半導体積層体を形成する工程において
   は、ＡｌＧａＩｎＰ系材料により形成する請求項１に記
   載の半導体レーザの製造方法。
8. 【請求項８】上記半導体積層の電流注入領域をリッジ形
   状に加工する工程に後に、上記リッジ形状部の側部に電
   流ブロック層を形成する工程をさらに有する請求項１に
   記載の半導体レーザの製造方法。