JP4163166B2 - ２波長半導体レーザー素子及びその製造方法 - Google Patents

２波長半導体レーザー素子及びその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は半導体レーザー素子に関し、より詳しくは相異する２波長の光を出力できる２波長半導体レーザー素子及びその製造方法に関するものである。
一般に半導体レーザー素子は誘導放出により増幅された光を出力する半導体素子として、その出力光は狭い周波数幅（短波長特性）を有し、指向性に優れ、高出力を保障する特徴を有する。こうした特徴により、ＣＤやＤＶＤなどの光ディスクシステムにおける光ピックアップ装置用光源として使用されるばかりでなく、光通信、多重通信、宇宙通信などの分野に幅広く適用されている。
最近、レーザーを情報の書き込み及び読み取りのための光源に用いる光ディスク分野においては、２個の相異する波長を発振することのできる２波長半導体レーザー素子が要求されている。とりわけ、上記２波長半導体レーザー素子は比較的低密度のＣＤ再生機と比較的高密度のＤＶＤ再生機を同時に具現するための光源として積極採用されている。こうした２波長半導体レーザー素子は単一基板上に７８０ｎｍの波長出力を有するレーザーダイオードと６５０ｎｍの波長出力を有するレーザーダイオードとが形成された構造を有する。
図１は従来の２波長半導体レーザー素子の側断面図である。図１によると、従来の２波長半導体レーザー素子１０は、同一基板１１上に形成された第１半導体レーザーダイオード１０ａと第２半導体レーザーダイオード１０ｂとを含む。上記第１及び第２半導体レーザーダイオード１０ａ，１０ｂは所定のアイソレーション領域により分離され、相異する第１及び第２波長光を夫々出力するよう構成される。例えば、上記第１波長光は６５０ｎｍのレーザー光、上記第２波長光は７８０ｎｍのレーザー光である。
また、夫々の半導体レーザーダイオード１０ａ，１０ｂは第１導電型クラッド層１２ａ，１２ｂ、活性層１３ａ，１３ｂ及び第２導電型クラッド層１４ａ，１４ｂが順次積層されたＳＢＲ（selectively buried ridge）構造で構成することができる。上記各半導体レーザーダイオード１０ａ，１０ｂのＳＢＲ構造はリッジ構造を有する第２導電型クラッド層１４ａ，１４ｂと、その周囲に形成された第１導電型電流遮断層１５ａ，１５ｂと、そしてその上部に第２導電型クラッド層１４ａ，１４ｂと連結された第２導電型コンタクト層１６ａ，１６ｂとを含む。上記基板１１の下面には共通電極として第１電極１７が設けられ、上記各コンタクト層１６ａ，１６ｂには第２電極１８ａ，１８ｂが夫々設けられ、各半導体レーザーダイオード１０ａ，１０ｂは独立的に駆動することができる。
こうした２波長半導体レーザー素子１０を製造する一方法としては、相異する波長を有する半導体レーザーダイオード１０ａ，１０ｂを別に製造した後、同一基板１１上にダイボンディング方式で結合させる方法がある。こうした方法は夫々の半導体レーザーダイオード１０ａ，１０ｂに対する製造工程と共に別の接着工程が要求されるので、全体の工程が複雑になるばかりでなく、チップダイボンディングの際に整列不良が惹起されかねなく、さらにチップの小型化が困難な欠点がある。
従来の他案としては、基板１１の上面の第１領域にのみ露出されるようマスク（図示せず）を形成した後、第１波長光を出力する第１半導体レーザーダイオード１０ａを形成し、マスクを除去した後、同一基板１１の上面の第２領域に第２波長光を出力する第２半導体レーザーダイオード１０ｂを製造する方法がある。
しかしながら、この製造方法では、繰り返しマスク形成及び除去工程が必要となるばかりでなく、第１半導体レーザーダイオード１０ａのための結晶成長工程と第２半導体レーザーダイオード１０ｂのための結晶成長工程との間で工程が一度中断されるので、全体の工程が複雑になる問題が未だ残り、とりわけマスクを除去するためのエッチング工程などにより基板１１の第２領域に該当する表面が損傷され、第２半導体レーザーダイオード１０ｂのための結晶成長工程に問題が生じる致命的な欠点がある。
本発明は上述した従来技術の問題を解決するためのものとして、その目的は連続的な半導体結晶成長工程を通して具現できる新たな２波長半導体レーザー素子を提供することにある。
さらに、本発明の他目的は連続的な半導体結晶成長工程を利用して第１及び第２半導体レーザーダイオードのための結晶を成長させる新たな２波長半導体レーザー素子の製造方法を提供することにある。
上記技術的課題を成し遂げるために、本発明に係る２波長半導体レーザー素子は第１領域及び第２領域が分離された上面を有する第１導電型基板と、上記第１導電型基板の第１領域上に順次形成された第１導電型第１クラッド層、第１活性層及び第２導電型第１クラッド層から成る第１半導体レーザーダイオードと、上記第１導電型基板の第２領域上に形成され、上記第１導電型第１クラッド層、第１活性層及び第２導電型第１クラッド層と夫々同一の層から成る非活性領域と、上記非活性領域上に順次形成された第１導電型第２クラッド層、第２活性層及び第２導電型第２クラッド層から成る第２半導体レーザーダイオードと、上記第１導電型第２クラッド層及び上記第１導電型基板の間が電気的に接続するよう、少なくとも上記第１及び第２半導体レーザーダイオード間に形成された側方向導電領域とを含むことを特徴とする。
好ましくは、上記第１及び/または第２半導体レーザーダイオードは、ＳＢＲ構造に具現することができる。例えば、上記第１半導体レーザーダイオードは、リッジ構造を有する第２導電型第１クラッド層と、上記リッジ構造周囲に形成された第１導電型第１電流遮断層と、上記第１導電型第１電流遮断層及び第２導電型第１クラッド層の上部に形成された第２導電型第１コンタクト層とを含むことができ、上記第２半導体レーザーダイオードは、リッジ構造を有する第２導電型第２クラッド層と、上記リッジ構造の周囲に形成された第１導電型第２電流遮断層と、上記第１導電型第２電流遮断層及び第２導電型第２クラッド層の上部に形成された第２導電型第２コンタクト層とを含むことができる。
各半導体レーザーダイオードをＳＢＲ構造で具現する場合に、上記第１及び第２電流遮断層と上記側方向導電領域とは同一の第１導電型物質から構成することができる。また、上記第１及び第２コンタクト層は同一の第２導電型物質から成り、上記側方向導電領域の上部に上記第１及び第２コンタクト層と同一の物質から成る第２導電型物質層をさらに含むことができる。
本発明は側方向導電領域と望まない領域との電気的接続を防止するために絶縁性分離構造を用いることができる。
より具体的には、上記第１半導体レーザーダイオードと上記側方向導電領域との間に形成され、上記レーザーダイオードの上部から少なくとも上記第１導電型第１クラッド層の一部まで延長された第１絶縁性トレンチをさらに含むことができ、これと同様に、上記第２半導体レーザーダイオードと上記側方向導電領域との間に形成され、上記レーザーダイオードの上部から上記第１導電型第２クラッド層の一部まで延長された第２絶縁性トレンチをさらに含むことができる。
また、第１半導体レーザーダイオードと第２半導体レーザーダイオードとの光源位相差を許容範囲内に維持するために、上記第２導電型第１クラッド層と上記第１導電型第２クラッド層との全体の厚さは約２μｍ以下に形成することが好ましい。
上記第１半導体レーザーダイオードの上記第１導電型第１クラッド層と、上記非活性領域の第１導電型クラッド層とは同時に形成することができ、上記側方向導電領域は上記第２半導体レーザーダイオードの両側とも全て形成することができる。
さらに、本発明は上記２波長半導体レーザー素子製造方法を提供する。上記方法は、第１導電型基板を用意する段階と、上記第１導電型基板上に第１導電型第１クラッド層、第１活性層及び第２導電型第１クラッド層を順次形成する段階と、上記第１導電型基板上に第１導電型第２クラッド層、第２活性層及び第２導電型第２クラッド層を順次形成する段階と、半導体積層構造物が第１領域と第２領域とに分離されるよう上記半導体積層構造物の中間領域を除去し、上記第１領域に該当する部分から第１導電型第２クラッド層、第２活性層及び第２導電型第２クラッド層を除去する段階と、上記第２領域の第１導電型第２クラッド層と上記第１導電型基板とが電気的に接続されるよう、少なくとも上記第１領域と第２領域との間に側方向導電領域を形成する段階とを含んで成る。
上述したように、本発明によると、２波長光のための２個の半導体レーザーダイオードに該当する結晶層を連続的な半導体結晶成長工程により形成することができ、結晶成長面に影響を及ぼす不要なエッチング工程を省けるので、全体の工程が簡素化された新たな２波長半導体レーザー素子を提供することができる。
以下、添付の図に基づき本発明の好ましい実施形態について詳しく説明する。図２及び図３は夫々本発明の好ましい実施形態による２波長半導体レーザー素子２０の側断面図及び上部平面図である。図２によると、上記２波長半導体レーザー素子２０は一つの第１導電型基板２１上に形成され、相異する波長光を出力する第１及び第２半導体レーザーダイオード２０ｂ，２０ａを含む。
上記第１半導体レーザーダイオード２０ｂは上記第１導電型基板２１上に順次形成された第１導電型第１クラッド層２２、第１活性層２３ｂ及び第２導電型第１クラッド層２４ｂを含む。また、第１半導体レーザーダイオード２０ｂはＳＢＲ構造を有することができる。即ち、図示のように、上記第２導電型第１クラッド層２４ｂはリッジ構造で形成され、上記リッジ構造の周囲に形成された第１導電型第１電流遮断層２５ｂとその上部に形成された第２導電型第１コンタクト層２６ｂとを含むことができる。
上記第１導電型基板２１の他領域上には非活性領域が設けられる。上記非活性領域は活性層を含むがｐｎ接合構造により駆動されない領域として、上記第１半導体レーザーの第１導電型第１クラッド層２２、第１活性層２３ｂ及び第２導電型第１クラッド層２４ｂと夫々同一の層２２，２３ａ，２４ａから形成される。上記非活性領域の第１導電型クラッド層は本実施形態のように第１半導体レーザーの第１導電型第１クラッド層と一体に形成することができるが、第１活性層などのように分離して形成することもできる。
また、上記第２半導体レーザーダイオード２０ａは上記非活性領域上に設けられる。上記第２半導体レーザーダイオード２０ａは上記非活性領域上に順次形成された第１導電型第２クラッド層３２ａ、第２活性層３３ａ及び第２導電型第２クラッド層３４ａを含む。また、第２半導体レーザーダイオード２０ａは第１半導体レーザーダイオード２０ｂと同様にＳＢＲ構造を有することができる。即ち、上記第２導電型第２クラッド層３４ａはリッジ構造で形成され、上記リッジ構造周囲に形成された第１導電型第２電流遮断層３５ａとその上部に形成された第２導電型第２コンタクト層３６ａとを含むことができる。
また、上記第１導電型第２クラッド層３２ａと上記第１導電型基板２１とが電気的に接続するよう、少なくとも第１及び第２半導体レーザーダイオード２０ｂ，２０ａ間には側方向導電領域２５ｃが設けられる。
本発明においては、上記第１導電型基板２１の下面に設けられた第１電極２７と第２半導体レーザーダイオード２０ａの第２電極２８ａとの間に電圧が印加されると、上記非活性領域の第２導電型第１クラッド層２４ａと上記第２半導体レーザーダイオード２０ａの第１導電型第２クラッド層３２ａとの接合においては逆方向電圧として適用され、トンネリング電流の発生しない通常の駆動電圧範囲においてはそれ以上垂直方向へ電流が流れない。したがって、矢印で示すように上記側方向導電領域２５ｃに沿って電流が流れ第１電極２７へ向かうようになる。
さらに、本実施形態のように、電流の流れが均一に分散するよう上記側方向導電領域２５ｃは第２半導体レーザーダイオード２０ａの両側部に形成することが好ましい。
好ましくは、こうした側方向導電領域２５ｃは第１及び上記第２電流遮断層２５ｂ，３５ａと同一工程を利用して同一の第１導電型物質から形成する。上記側方向導電領域２５ｃと望まない領域とが相互電気的に接続しないよう、当初形成の際に電気的に離隔するよう所定の空間を隔たせて配置できるが、別途の第１及び第２絶縁性トレンチ２９ｂ，２９ａを利用して電気的に分離させることが好ましい。
上記第１絶縁性トレンチ２９ｂは上記側方向導電領域２５ｃが上記第１半導体レーザーダイオード２０ｂと分離するよう、上記第１半導体レーザーダイオード２０ｂと上記側方向導電領域２５ｃとの間に上記第１半導体レーザーダイオード２０ｂの上部から少なくとも上記第１導電型第１クラッド層２２の一部まで延長されるよう形成することができる。また、上記第２絶縁性トレンチ２９ａは上記側方向導電領域２５ｃが第２半導体レーザーダイオード２０ａの望まない領域から分離されるよう、上記第２半導体レーザーダイオード２０ａと上記側方向導電領域２５ｃとの間に上記第２半導体レーザーダイオード２０ａの上部から上記第１導電型第２クラッド層３２ａの一部まで延長されるよう形成することができる。図３は上記第１及び第２絶縁性トレンチ２９ｂ，２９ａが形成されたレーザー素子の上面図である。図３に示すように、第１及び第２絶縁性トレンチ２９ｂ，２９ａはリッジ構造の方向に沿って形成することができる。
また、上記第２導電型第１クラッド層２４ａまたは２４ｂと上記第１導電型第２クラッド層３２ａとの全体厚さは、第１半導体レーザーダイオード２０ｂと第２半導体レーザーダイオード２０ａとの光源位相差を惹起するので、光源の位相差を通常の許容範囲内に維持するために、上記第２導電型第１クラッド層２４ａと上記第１導電型第２クラッド層３２ａとの厚さの和が約２μｍ以下となるよう形成することが好ましい。
本発明においては、第１半導体レーザーダイオード２０ｂと第２半導体レーザーダイオード２０ａとに該当する全ての層を連続的に形成することができ、この場合に上記第２半導体レーザーダイオード２０ａは側方向導電領域２５ｃをさらに具備して電流経路を形成し駆動されるよう構成される。
図４〜図７は本発明の好ましい実施形態による２波長半導体レーザー素子４０の製造方法を説明するための断面図である。
先ず、図４に示すように、第１導電型基板４１上に第１半導体レーザーダイオード４０ｂを形成するために、第１導電型第１クラッド層４２、第１活性層４３及び第２導電型第１クラッド層４４を順次形成する。続いて、第２半導体レーザーダイオード４０ａを形成するために上記第２導電型第１クラッド層４４上に第１導電型第２クラッド層５２、第２活性層５３及び第２導電型第２クラッド層５４を順次形成する。上記第１導電型基板４１はｎ型ＧａＡｓ基板を適用することができ、上記各クラッド層４２，４４，５２，５４はＡｌＧａＩｎＰ層から形成することができ、第１及び第２活性層４３，５３は相異する波長光を出力するＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ層から形成することができる。
次いで、図５に示すように、上記半導体積層構造物が第１領域と第２領域とに分離されるよう上記半導体積層構造物の中間領域を除去し、上記第１領域に該当する部分から第１導電型第２クラッド層５２、第２活性層５３及び第２導電型第２クラッド層５４を除去する。また、図５に示すように、ＳＢＲ構造を形成するために第２導電型第２クラッド層５４ａと第２導電型第１クラッド層４４ｂをリッジ構造にエッチングする。このように本実施形態においては、中間領域除去工程、第１領域の一部層除去工程及びリッジ構造形成のためのエッチング工程は他パターンのマスクを適用して一律に実施することができる。
次いで、図６に示すように、夫々のリッジ構造周囲に第１導電型電流遮断層５５を形成し、上記第１導電型電流遮断層５５と各リッジ構造との上に第２導電型コンタクト層５６を形成する。本実施形態において上記第１導電型電流遮断層５５は後続工程において第２領域の第１導電型第２クラッド層５２ａと第１導電型第１クラッド層４２とを連結する側方向導電領域として提供することができる。この場合、側方向導電領域を第１導電型電流遮断層と同一物質から構成することを例示しているが、本発明はこれに限定されるわけではない。即ち、第１及び第２領域との間に、電流遮断層５５とコンタクト層５６部分とを除去して別の伝導性物質を設け、第２領域の第１導電型第２クラッド層５２ａと第１導電型第１クラッド層４２（第１導電型第１クラッド層が除去された場合には第１導電型基板４１）とを電気的に接続させることもできる。
次いで、図７に示すように、第１及び第２絶縁性トレンチ４９ｂ，４９ａを形成し、第１導電型電流遮断層５５の一部を利用して側方向導電領域５５ｃを形成する。上記第１絶縁性トレンチ４９ｂは第１領域と上記側方向導電領域５５ｃとの間に上記第１領域の上部層５６ｂ上部から少なくとも上記第１導電型第１クラッド層４２の一部まで延長されるよう形成し、上記第２絶縁性トレンチ４９ａは上記第２領域と上記側方向導電領域５５ｃとの間に上記第２領域の上部層５６ａから上記第１導電型第２クラッド層５２ａの一部まで延長されるよう形成することができる。次に、第１導電型基板４１の下面に第１電極４７を形成し、各半導体レーザー領域の上部に第２電極４８ａ，４８ｂを夫々形成する。
このような半導体レーザー構造において、第１電極４７と第２電極４８ａとの間に電圧が印加されると、上記第２導電型クラッド層４４ａと第１導電型第２クラッド層５２ａとの接合においては逆方向電圧が印加され、それ以上垂直方向へ電流が流れない。したがって、矢印で示すように上記側方向導電領域５５ｃに沿って電流が流れ第１電極４７へ向かうようになる。
このように、本発明は上述した実施形態及び添付の図により限定されるものではなく、添付の請求範囲により限定される。したがって、請求範囲に記載される本発明の技術的思想を外れない範囲内において多様な形態の置換、変形及び変更が可能なことは当技術分野において通常の知識を有するものにとっては明らかであろう。
従来の２波長半導体レーザー素子１０の側断面図である。 本発明の好ましい実施形態による２波長半導体レーザー素子２０の側断面図である。 図２に示した２波長半導体レーザー素子２０の上部平面図である。 本発明の好ましい実施形態による２波長半導体レーザー素子４０の製造方法を説明するための側断面図である。 本発明の好ましい実施形態による２波長半導体レーザー素子４０の製造方法を説明するための側断面図である。 本発明の好ましい実施形態による２波長半導体レーザー素子４０の製造方法を説明するための側断面図である。 本発明の好ましい実施形態による２波長半導体レーザー素子４０の製造方法を説明するための側断面図である。
符号の説明
１０、２０、４０ ２波長半導体レーザー素子
１０ａ、２０ｂ、４０ｂ 第１半導体レーザーダイオード
１０ｂ、２０ａ、４０ａ 第２半導体レーザーダイオード
１１ 基板
１２ａ、１２ｂ 第１導電型クラッド層
１３ａ、１３ｂ 活性層
１４ａ、１４ｂ 第２導電型クラッド層
１５ａ、１５ｂ 第１導電型電流遮断層
１６ａ、１６ｂ 第２導電型コンタクト層
１７、２７、４７ 第１電極
１８ａ、１８ｂ、２８ａ、４８ａ、４８ｂ 第２電極
２１、４１ 第１導電型基板
２２、４２ 第１導電型第１クラッド層
２３ａ、２３ｂ、４３ 第１活性層
２４ａ、４４、４４ａ、４４ｂ 第２導電型第１クラッド層
２４ｂ、５４、５４ａ 第２導電型第１クラッド層
２５ｂ 第１導電型第１電流遮断層
２５ｃ、５５ｃ 側方向導電領域
２６ｂ 第２導電型第１コンタクト層
２９ａ、４９ａ 第２絶縁性トレンチ
２９ｂ、４９ｂ 第１絶縁性トレンチ
３２ａ、５２、５２ａ 第１導電型第２クラッド層
３３ａ、５３ 第２活性層
３４ａ 第２導電型第２クラッド層
３５ａ 第１導電型第２電流遮断層
３６ａ 第２導電型第２コンタクト層
５５ 第１導電型電流遮断層
５６ 第２導電型コンタクト層
５６ａ 第２領域の上部層
５６ｂ 第１領域の上部層

Claims (20)

  1. 第１領域及び第２領域が分離された上面を有する第１導電型基板と、
    上記第１導電型基板の第１領域上に順次形成された第１導電型第１クラッド層、第１活性層及び第２導電型第１クラッド層から成る第１半導体レーザーダイオードと、
    上記第１導電型基板の第２領域上に形成され、上記第１導電型第１クラッド層、第１活性層及び第２導電型第１クラッド層と夫々同一の層から成る非活性領域と、
    上記非活性領域上に順次形成された第１導電型第２クラッド層、第２活性層及び第２導電型第２クラッド層から成る第２半導体レーザーダイオードと、
    上記第１導電型第２クラッド層及び上記第１導電型基板の間が電気的に接続するよう、少なくとも上記第１及び第２半導体レーザーダイオード間に形成された側方向導電領域と
    を含むことを特徴とする２波長半導体レーザー素子。
  2. 上記第１半導体レーザーダイオードは、
    リッジ構造を有する第２導電型第１クラッド層と、
    上記リッジ構造の周囲に形成された第１導電型第１電流遮断層と、
    上記第１導電型第１電流遮断層及び第２導電型第１クラッド層の上部に形成された第２導電型第１コンタクト層と
    を含むことを特徴とする請求項１に記載の２波長半導体レーザー素子。
  3. 上記第２半導体レーザーダイオードは、
    リッジ構造を有する第２導電型第２クラッド層と、
    上記リッジ構造の周囲に形成された第１導電型第２電流遮断層と、
    上記第１導電型第２電流遮断層及び第２導電型第２クラッド層の上部に形成された第２導電型第２コンタクト層と
    を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の２波長半導体レーザー素子。
  4. 上記第１及び第２電流遮断層と上記側方向導電領域とは同一の第１導電型物質から成ることを特徴とする請求項３に記載の２波長半導体レーザー素子。
  5. 上記第１及び第２コンタクト層は同一の第２導電型物質から成り、
    上記側方向導電領域の上部に上記第１及び第２コンタクト層と同一の物質から成る第２導電型物質層をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の２波長半導体レーザー素子。
  6. 上記第１半導体レーザーダイオードと上記側方向導電領域との間に形成され、上記レーザーダイオードの上部から少なくとも上記第１導電型第１クラッド層の一部まで延長された第１絶縁性トレンチをさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の２波長半導体レーザー素子。
  7. 上記第２半導体レーザーダイオードと上記側方向導電領域との間に形成され、上記レーザーダイオードの上部から上記第１導電型第２クラッド層の一部まで延長された第２絶縁性トレンチをさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の２波長半導体レーザー素子。
  8. 上記第２導電型第１クラッド層と上記第１導電型第２クラッド層との全体の厚さは約２μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の２波長半導体レーザー素子。
  9. 上記第１半導体レーザーダイオードの上記第１導電型第１クラッド層と、上記非活性領域の第１導電型クラッド層とは、同時に形成されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の２波長半導体レーザー素子。
  10. 上記側方向導電領域は上記第２半導体レーザーダイオードの両側に全て形成されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の２波長半導体レーザー素子。
  11. 第１導電型基板を用意する段階と、
    上記第１導電型基板上に第１導電型第１クラッド層、第１活性層及び第２導電型第１クラッド層に順次形成する段階と、
    上記第１導電型基板上に第１導電型第２クラッド層、第２活性層及び第２導電型第２クラッド層を順次形成する段階と、
    半導体積層構造物が第１領域と第２領域とに分離されるよう上記半導体積層構造物の中間領域を除去し、上記第１領域に該当する部分から第１導電型第２クラッド層、第２活性層及び第２導電型第２クラッド層を除去する段階と、
    上記第２領域の第１導電型第２クラッド層と上記第１導電型基板とが電気的に接続するよう、少なくとも上記第１領域と第２領域との間に側方向導電領域を形成する段階と
    を含むことを特徴とする２波長半導体レーザー素子の製造方法。
  12. 上記除去する段階後に、
    上記第１領域の第２導電型第１クラッド層をリッジ構造にエッチングする段階と、
    上記リッジ構造の周囲に第１導電型第１電流遮断層を形成する段階と、
    上記第１導電型第１電流遮断層と第２導電型第１クラッド層との上部に第２導電型第１コンタクト層を形成する段階と
    をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の２波長半導体レーザー素子の製造方法。
  13. 上記除去する段階後に、
    上記第２領域の第２導電型第２クラッド層をリッジ構造にエッチングする段階と、
    上記リッジ構造の周囲に第１導電型第２電流遮断層を形成する段階と、
    上記第１導電型第２電流遮断層と第２導電型第２クラッド層との上部に第２導電型第２コンタクト層を形成する段階と
    をさらに含むことを特徴とする請求項１１または１２に記載の２波長半導体レーザー素子の製造方法。
  14. 上記第１及び第２電流遮断層は同一の第１導電型物質から同時に形成され、これにより上記第１領域及び上記第２領域間に第１導電型物質層が形成され、
    上記側方向導電領域は上記第１導電型物質層から形成されることを特徴とする請求項１３に記載の２波長半導体レーザー素子の製造方法。
  15. 上記第１及び第２コンタクト層は同一の第２導電型物質から同時に形成され、これにより上記第１導電型物質層上に第２導電型物質層が形成されることを特徴とする請求項１３に記載の２波長半導体レーザー素子の製造方法。
  16. 上記側方向導電領域を形成する段階は、
    上記第１領域と上記側方向導電領域との間に、上記第１領域の上部から少なくとも上記第１導電型第１クラッド層の一部まで延長された第１絶縁性トレンチを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか一つに記載の２波長半導体レーザー素子の製造方法。
  17. 上記側方向導電領域を形成する段階は、
    上記第２領域と上記側方向導電領域との間に、上記第２領域の上部から少なくとも上記第１導電型第２クラッド層の一部まで延長された第２絶縁性トレンチを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか一つに記載の２波長半導体レーザー素子の製造方法。
  18. 上記第２導電型第１クラッド層と上記第１導電型第２クラッド層との全体厚さは約２μｍ以下であることを特徴とする請求項１１〜１７のいずれか一つに記載の２波長半導体レーザー素子の製造方法。
  19. 上記半導体積層構造物の中間領域を除去する段階は、上記第１領域と上記第２領域との間の上記第１導電型第１クラッド層の上部までの半導体積層構造物を除去する段階であることを特徴とする請求項１１〜１８のいずれか一つに記載の２波長半導体レーザー素子の製造方法。
  20. 上記側方向導電領域は上記第２領域の両側に全て形成されることを特徴とする請求項１１〜１９のいずれか一つに記載の２波長半導体レーザー素子の製造方法。
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