JP2009070835A - 半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009070835A JP2009070835A JP2007234143A JP2007234143A JP2009070835A JP 2009070835 A JP2009070835 A JP 2009070835A JP 2007234143 A JP2007234143 A JP 2007234143A JP 2007234143 A JP2007234143 A JP 2007234143A JP 2009070835 A JP2009070835 A JP 2009070835A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- manufacturing
- semiconductor element
- electrodes
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 15
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 18
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】２つの電極を電気的に完全に分離する半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】リッジ導波路型半導体集積素子１０は、互いに離間して配置されるＥＡ部１２の電極２０およびＬＤ部１４の電極２２と、電極２０および電極２２がそれぞれの上面に形成され、該上面の少なくとも一部の縁が該電極と同電位となる、互いに離間して配置されるＥＡ部１２のコンタクト層およびＬＤ部１４のコンタクト層と、それら２つのコンタクト層のうち一方の縁から他方の縁まで延伸する絶縁性の凹凸構造であるパッシベーション膜と、パッシベーション膜を埋めるポリイミド樹脂２６と、を含む。
【選択図】図１
【解決手段】リッジ導波路型半導体集積素子１０は、互いに離間して配置されるＥＡ部１２の電極２０およびＬＤ部１４の電極２２と、電極２０および電極２２がそれぞれの上面に形成され、該上面の少なくとも一部の縁が該電極と同電位となる、互いに離間して配置されるＥＡ部１２のコンタクト層およびＬＤ部１４のコンタクト層と、それら２つのコンタクト層のうち一方の縁から他方の縁まで延伸する絶縁性の凹凸構造であるパッシベーション膜と、パッシベーション膜を埋めるポリイミド樹脂２６と、を含む。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体素子およびその製造方法に関し、特に、２つの電極を電気的に分離する技術に関する。
強度変調器とレーザダイオードとを一体集積することにより応答速度を高めた半導体レーザが知られている。たとえば、特許文献１には、ＥＡ（Electro-Absorption：電界吸収型）変調器、ＤＦＢ（Distributed FeedBack：分布帰還型）レーザ、およびそれらを結ぶリッジ型の光導波路を含むリッジ導波路型半導体集積素子が開示されている。
図１２に示すように、リッジ導波路型半導体集積素子５０の表面には、ＥＡ変調器（以下「ＥＡ部」という。）５２の電極６０とレーザ（以下「ＬＤ部」という。）５４の電極６２がそれぞれ形成されている。これらの電極６０，６２は次の工程で形成される。まず表面保護用のパッシベーション膜（たとえばＳｉＯ２膜）を、ウェハ全面に形成する。さらにその上に電極材料（たとえばＡｕ）を蒸着する。最後に、形成された電極層のうち電極となる領域以外の領域を方向性を有するドライエッチングで除去することにより、ＥＡ部５２の電極６０とＬＤ部５４の電極６２が形成される。
特開２００６−３５１８１８号公報
しかしながら、上記従来の工程で製造されるリッジ導波路型半導体集積素子には、次のような製造歩留りを低下させる要因があった。
図１３は、図１２のａ−ａ’線に沿うリッジ導波路型半導体集積素子５０の断面図である。図１３（Ａ）は電極蒸着後の断面構造、図１３（Ｂ）は電極パタン形成後の断面構造を示す。絶縁膜（保護膜）であるパッシベーション膜６８はＣＶＤ（Cemical Vapor Deposition：化学気相成長）により導波路５６の上面および側面に等方的に形成されるため、図１３（Ａ）に示すように、導波路５６の上部周辺７４ではパッシベーション膜６８の膜厚が他の部分に比べて厚くなる。
上記従来の製造方法では、このパッシベーション膜６８の上に電極材料が直接蒸着されるため、電極パタンの形成にイオンミリングなどの方向性を有するドライエッチングを用いると、図１３（Ｂ）に示すように、導波路５６の側壁のうちパッシベーション膜６８の膜厚が変化する部分がイオンビームの影となり、その部分に形成された電極層６６が完全に除去されない場合がある。同様に、導波路の両側に形成された溝の底隅部にも、電極層６６の一部が除去されずに残る場合がある。
すなわち、リッジ導波路型半導体集積素子５０は、ＥＡ部５２とＬＤ部５４とがリッジ型の導波路５６に沿う凹凸状の絶縁壁で形成された溝で結ばれているため、従来の工程に従ってＥＡ部５２とＬＤ部５４とを隔てる分離部５８の溝部分に電極材料を直接蒸着すると、溝を形成する凹凸状の絶縁壁のうちイオンミリングなどの影になる部分に形成された電極層６６が完全に除去されない場合がある。このため、ＥＡ部５２の電極６０とＬＤ部５４の電極６２の分離抵抗が下がり、半導体レーザの応答速度が低下し、製造歩留りが低下するという課題があった。
本発明は、上記従来の課題に鑑みてなされたものであり、２つの電極を電気的に完全に分離することができる半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明に係る半導体素子の製造方法は、互いに離間して配置される２つの電極それぞれと同電位となる２つの電極導通領域の一方から他方に延伸する凹または凸状の絶縁性を有する凹凸構造を基板上に形成する工程と、前記凹凸構造を絶縁材料で埋める工程と、前記絶縁材料により前記凹凸構造が埋められた前記基板に対して、その少なくとも前記電極が形成される領域に電極層を形成する工程と、前記電極層のうち前記電極となる領域以外の領域を方向性を有する所定の電極除去手段により除去する工程と、を含むことを特徴とする。
ここで、方向性を有する所定の電極除去手段とは、所定方向に放出される粒子により被処理体を除去する手段であり、たとえばイオンミリングなどのドライエッチングがこれに該当する。
本発明によれば、電極層を形成する前に、２つの電極導通領域の一方から他方に延伸する凹凸構造を絶縁材料で埋める工程が入るため、凹凸構造上に電極層が直接形成されることはない。このため、２つの電極導通領域の間に方向性を有する所定の電極除去手段の影となる部分が生じず、電極となる領域以外の領域に形成された電極層を該電極除去手段により完全に除去できるようになる。すなわち、２つの電極は電気的に完全に分離されるようになる。
また、本発明の一態様では、前記絶縁材料を埋める工程では、前記絶縁材料を前記電極導通領域よりも盛り上げるとともに、前記２つの電極導通領域の間にて当該半導体素子の一端から他端まで延伸する。この態様によれば、２つの電極導通領域の間にて半導体素子の一端から他端まで絶縁材料が延伸しているため、すなわち、絶縁材料が半導体素子の端から端まで切れ目なくつながっているため、この絶縁材料の盛り上がりによって、２つの電極導通領域の一方から他方に延伸する新たな凹凸構造が形成されることはない。このため、絶縁材料を電極導通領域より盛り上げる場合でも、２つの電極は電気的に完全に分離される。
また、本発明の一態様では、当該半導体素子は、光変調器とレーザダイオードとを集積したリッジ導波路型半導体集積素子であって、前記凹凸構造は、前記光変調器と前記レーザダイオードとを結ぶリッジ型の光導波路の形状に沿って形成され、前記電極は、前記光変調器のコンタクト層上面の少なくとも一部と前記レーザダイオードのコンタクト層上面の少なくとも一部にそれぞれ形成される。この態様によれば、リッジ導波路型半導体集積素子において、光変調器の電極とレーザダイオードの電極とを電気的に完全に分離できるようになる。
なお、上記半導体素子の製造方法において、前記所定の電極除去手段はイオンミリングでもよく、前記絶縁材料はポリイミド樹脂でもよい。
また、本発明に係る半導体素子は、互いに離間して配置される２つの電極と、前記各電極がそれぞれの上面に形成され、該上面の少なくとも一部の縁が該電極と同電位となる、互いに離間して配置される２つの台と、前記２つの台のうち一方の前記縁から他方の前記縁まで延伸する凹または凸状の絶縁性を有する凹凸構造と、前記凹凸構造を埋める絶縁部と、を含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様では、前記絶縁部は、前記台よりも盛り上がるとともに、前記台の間にて半導体素子の一端から他端まで延伸する。
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るリッジ導波路型半導体集積素子１０の上面図である。図２は、図１のａ−ａ’線に沿うリッジ導波路型半導体集積素子１０の断面図である。
図１に示すように、リッジ導波路型半導体集積素子１０は、ＥＡ変調器（ＥＡ部）１２、レーザダイオード（ＬＤ部）１４、ＥＡ部１２とＬＤ部１４とを結ぶリッジ型の導波路１６、およびＥＡ部１２とＬＤ部１４とを分離する分離部１８を含み、ＬＤ部１４から出射されたレーザ光が導波路１６を介してＥＡ部１２に入射され、ＥＡ部１２で電界吸収効果により変調された後に外部に出力されるよう構成されている。
リッジ導波路型半導体集積素子１０の表面には、ＥＡ部１２の電極２０と電極パッド（ＰＡＤ部）２４、電極２０と離間したＬＤ部１４の電極２２、および電極２０と電極２２とを電気的に分離するためのポリイミド樹脂２６が形成されている。
特に、分離部１８では、パッシベーション膜２８の形成後かつ電極の蒸着前に、ポリイミド樹脂２６が導波路１６に沿って形成された凹凸状の溝がポリイミド樹脂２６で完全に埋まるよう、またリッジ導波路型半導体集積素子１０の一端から他端まで延伸するように、形成されている。
これにより、この後にＥＢ（Electron Beam）蒸着法などによりウェハ全面に電極を蒸着すると、分離部１８では凹凸状の溝を埋めるポリイミド樹脂２６の上に電極が形成されるため（図２Ａ参照）、導波路１６の側壁や底隅部には直接電極が付着しない。また、分離部１８はリッジ導波路型半導体集積素子１０の一端から他端まで切れ目なくポリイミド樹脂２６で覆われているため、ポリイミド樹脂２６により新たな凹凸が形成されることもない。このため、かかるポリイミド樹脂２６を形成した後に、従来と同様に方向性を有する電極除去手段であるイオンミリングなどのドライエッチングでポリイミド樹脂２６上に蒸着された電極層２１を除去すれば（図２Ｂ参照）、ＥＡ部１２の電極２０とＬＤ部１４の電極２２を電気的に完全に分離することができる。
ここで、リッジ導波路型半導体集積素子１０の製造工程を図３〜図１１に基づき詳細に説明する。図３〜図１１の（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ図１のａ−ａ’線およびｂ−ｂ’線に沿うリッジ導波路型半導体集積素子１０の断面構造を製造工程順に示した図である。
まず、ＩｎＰ基板３４上に、有機金属気相成長法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：ＭＯＣＶＤ）により、ＥＡ部１２と分離部１８とＬＤ部１４とを含む層と、ＩｎＰクラッド層３０と、ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６と、からなる多層構造を成長させる（図３（Ａ），図３（Ｂ））。ＥＡ部１２と分離部１８とＬＤ部１４はそれぞれ結晶構造が異なるため、バットジョイント法や選択成長法により絶縁膜をマスクとして結晶成長を行う。
次に、リソグラフィとエッチングにより、ＩｎＰクラッド層３０にリッジ型の導波路１６を形成する（図４（Ａ），図４（Ｂ））。さらに、電極が形成されない分離部１８以外の領域をレジストで覆い、分離部１８のＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を除去する（図５（Ａ），図５（Ｂ））。これにより、その上面に形成される電極と同電位となる、ＥＡ部１２のＩｎＧａＡｓコンタクト層３６とＬＤ部１４のＩｎＧａＡｓコンタクト層３６とが電気的に分離される。その後、電極２０，２２が形成されるＥＡ部１２およびＬＤ部１４の導波路１６上部以外の領域を、絶縁膜（保護膜）であるパッシベーション膜２８（たとえばＳｉＯ２膜）で保護する（図６（Ａ），図６（Ｂ））。ここで形成されるパッシベーション膜２８は、導波路１６およびその両側に形成されたＩｎＰクラッド層３０の形状に沿う凹凸構造を有する。なお、ここまでの工程は従来の製造工程と同様である。
パッシベーション膜２８を形成した後、ウェハ全面にポリイミド樹脂２６を塗布する（図７（Ａ），図７（Ｂ））。これにより、導波路１６に沿って形成された凹凸状の溝はポリイミド樹脂２６で埋められる。続いて、分離部１８に沿ってウェハの一端から他端までをレジスト３８でポリイミド樹脂２６をマスクし、分離部１８以外のポリイミド樹脂２６をドライエッチングにより除去する（図８（Ａ），図８（Ｂ））。こうして分離部１８上に残されたポリイミド樹脂２６は、ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６よりも盛り上がるとともに、ウェハの一端から他端まで延伸した形状を有する。なお、上記エッチングでは、リソグラフィでの合わせ精度を考慮して、電極２０，２２が形成される領域の内側５〜１０μｍ程度までポリイミド樹脂２６を残すようにしてもよい。
レジスト３８を除去した後、ＥＢ蒸着法などにより、電極層（たとえばＡｕ）２１をウェハ全面（ポリイミド樹脂２６により凹凸状の溝が埋められた基板表面のうち、少なくとも電極２０，２２が形成される領域でもよい。）に形成する（図９（Ａ），図９（Ｂ））。次に、電極２０が形成されるＥＡ部１２のＩｎＧａＡｓコンタクト層３６の一部と電極２２が形成されるＬＤ部１４のＩｎＧａＡｓコンタクト層３６の一部とをレジスト３８でマスクし（図１０（Ａ），図１０（Ｂ））、分離部１８を含む他の領域に形成された電極層２１をイオンミリングにより除去する（図１１（Ａ），図１１（Ｂ））。特に、分離部１８では、ポリイミド樹脂２６が凹凸状の溝を完全に埋め、またウェハの一端から他端まで切れ目なくつながっているため、導波路１６の側壁や底隅部に電極層２１が残ることはない。すなわち、分離部１８上に形成された電極層２１はイオンミリングにより完全に除去されるため、形成された電極２０と電極２２とは電気的に完全に分離される。さらに、分離部１８では、凹凸状の溝を埋めるポリイミド樹脂２６により、導波路１６底部に形成されたパッシベーション膜２８がイオンミリングによる破壊から保護される。
以上説明したリッジ導波路型半導体集積素子１０およびその製造方法によれば、電極材料を蒸着する前に、ＥＡ部１２の電極２０と同電位になる領域からＬＤ部１４の電極２２と同電位になる領域まで延伸するパッシベーション膜２８で覆われた凹凸上の溝をポリイミド樹脂２６で埋めるため、導波路１６の側壁や底隅部に電極材料が直接蒸着されることはない。このため、電極２０と電極２２の間にイオンミリングの影となる部分が生じず、電極２０，２２となる領域以外の領域に形成された電極層２１はイオンミリングにより完全に除去される。すなわち、ＥＡ部１２の電極２０とＬＤ部１４の電極２２は電気的に完全に分離されるようになる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。たとえば以上の説明では、リッジ導波路型半導体集積素子に本発明を適用したが、本発明は、互いに離間して配置される２つの電極と、該各電極がそれぞれの上面に形成され該上面の少なくとも一部の縁（導電縁）が該電極と同電位となる互いに離間して配置される２つの台と、該２つの台のうち一方の導電縁から他方の導電縁まで延伸する凹または凸状の絶縁性を有する凹凸構造と、を含む半導体素子全般に適用可能である。
また、ポリイミド樹脂の代わりに、絶縁性を有する他の材料を用いてもよい。この場合、できればイオンミリングなどのドライエッチングへの耐性が高く、吸湿性の低い材料を用いることが望ましい。
また、半導体素子を構成する基板や電極その他の部分の形状や材料が、上記実施形態に限定されないのはもちろんである。たとえば、ＥＡ部１２の電極２０と同電位となるＩｎＧａＡｓコンタクト層３６がその上面に形成される電極２０より小さい形状を有していてもよいし、ＬＤ部のコンタクト層がＩｎＧａＡｓ以外の材料で構成されていてもよい。
１０，５０ リッジ導波路型半導体集積素子、１２，５２ ＥＡ変調器（ＥＡ部）、１４，５４ レーザ部（ＬＤ部）、１６，５６ 導波路、１８，５８ 分離部、２０，２２，６０，６２ 電極、２１，６６ 電極層、２４，６４ 電極パッド（ＰＡＤ部）、２６ ポリイミド樹脂、２８，６８ パッシベーション膜、３０，７０ ＩｎＰクラッド層、３４，７４ ＩｎＰ基板、３６ ＩｎＧａＡｓコンタクト層、３８ レジスト、７４ 導波路の上部周辺。
Claims (7)
- 互いに離間して配置される２つの電極それぞれと同電位となる２つの電極導通領域の一方から他方に延伸する凹または凸状の絶縁性を有する凹凸構造を基板上に形成する工程と、
前記凹凸構造を絶縁材料で埋める工程と、
前記絶縁材料により前記凹凸構造が埋められた前記基板に対して、その少なくとも前記電極が形成される領域に電極層を形成する工程と、
前記電極層のうち前記電極となる領域以外の領域を方向性を有する所定の電極除去手段により除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項１に記載の半導体素子の製造方法において、
前記絶縁材料を埋める工程では、前記絶縁材料を前記電極導通領域よりも盛り上げるとともに、前記２つの電極導通領域の間にて当該半導体素子の一端から他端まで延伸する、
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項１または２に記載の半導体素子の製造方法において、
当該半導体素子は、光変調器とレーザダイオードとを集積したリッジ導波路型半導体集積素子であって、
前記凹凸構造は、前記光変調器と前記レーザダイオードとを結ぶリッジ型の光導波路の形状に沿って形成され、
前記電極は、前記光変調器のコンタクト層上面の少なくとも一部と前記レーザダイオードのコンタクト層上面の少なくとも一部にそれぞれ形成される、
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項１から３のいずれかに記載の半導体素子の製造方法において、
前記所定の電極除去手段は、イオンミリングである、
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項１から４のいずれかに記載の半導体素子の製造方法において、
前記絶縁材料は、ポリイミド樹脂である、
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 互いに離間して配置される２つの電極と、
前記各電極がそれぞれの上面に形成され、該上面の少なくとも一部の縁が該電極と同電位となる、互いに離間して配置される２つの台と、
前記２つの台のうち一方の前記縁から他方の前記縁まで延伸する凹または凸状の絶縁性を有する凹凸構造と、
前記凹凸構造を埋める絶縁部と、
を含むことを特徴とする半導体素子。 - 請求項６に記載の半導体素子において、
前記絶縁部は、前記台よりも盛り上がるとともに、前記台の間にて半導体素子の一端から他端まで延伸する、
ことを特徴とする半導体素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007234143A JP5001760B2 (ja) | 2007-09-10 | 2007-09-10 | 半導体素子の製造方法 |
| US12/108,553 US7998766B2 (en) | 2007-09-10 | 2008-04-24 | Semiconductor element and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007234143A JP5001760B2 (ja) | 2007-09-10 | 2007-09-10 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009070835A true JP2009070835A (ja) | 2009-04-02 |
| JP5001760B2 JP5001760B2 (ja) | 2012-08-15 |
Family
ID=40430945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007234143A Active JP5001760B2 (ja) | 2007-09-10 | 2007-09-10 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7998766B2 (ja) |
| JP (1) | JP5001760B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7998766B2 (en) * | 2007-09-10 | 2011-08-16 | Opnext Japan, Inc. | Semiconductor element and manufacturing method thereof |
| JP2019079993A (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10096675B2 (en) | 2003-01-03 | 2018-10-09 | Georgia State University Research Foundation | Spasers to speed up CMOS processors |
| CN106505408B (zh) * | 2016-11-01 | 2019-02-15 | 北京科技大学 | 脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法 |
| US11927839B2 (en) * | 2020-09-14 | 2024-03-12 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Broadband electro-absorption optical modulator using on-chip RF input signal termination |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61164289A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Nec Corp | 集積型半導体レ−ザ |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1026710A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Hitachi Ltd | 導波路型光素子及びこれを用いた光送信モジュール並びに集積化光導波素子 |
| JP2002232079A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-16 | Toshiba Electronic Engineering Corp | リッジ導波型光半導体素子およびその製造方法 |
| JP4144468B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2008-09-03 | 富士ゼロックス株式会社 | 積層型高分子光導波路およびその製造方法 |
| JP3987029B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2007-10-03 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体光素子の製造方法および半導体光素子 |
| JP4520777B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-08-11 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
| JP2006023385A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 積層型光導波路フィルム及びその製造方法、並びに導波路型光モジュール |
| JP4664742B2 (ja) | 2005-06-16 | 2011-04-06 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体光装置及びその製造方法 |
| JP2008010484A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子及び光送信モジュール |
| JP4091647B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2008-05-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
| JP5001760B2 (ja) * | 2007-09-10 | 2012-08-15 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
-
2007
- 2007-09-10 JP JP2007234143A patent/JP5001760B2/ja active Active
-
2008
- 2008-04-24 US US12/108,553 patent/US7998766B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61164289A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Nec Corp | 集積型半導体レ−ザ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7998766B2 (en) * | 2007-09-10 | 2011-08-16 | Opnext Japan, Inc. | Semiconductor element and manufacturing method thereof |
| JP2019079993A (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7998766B2 (en) | 2011-08-16 |
| JP5001760B2 (ja) | 2012-08-15 |
| US20090065901A1 (en) | 2009-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0184372B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JP5001760B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP5598297B2 (ja) | 半導体光変調素子及びその製造方法 | |
| JP6365357B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JP6598202B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP5297892B2 (ja) | 光半導体装置、及びその製造方法 | |
| JP4664742B2 (ja) | 半導体光装置及びその製造方法 | |
| JP6388007B2 (ja) | 光デバイスの製造方法 | |
| JP2008122926A (ja) | 光デバイスの製造方法 | |
| JP2006148065A (ja) | 半導体レーザーおよびその製造方法 | |
| JP2013197238A (ja) | 半導体光素子、光モジュール、光伝送装置、及びそれらの製造方法 | |
| JP2007109896A (ja) | 集積型光半導体装置とその製造方法 | |
| JP4238508B2 (ja) | 光導波路型素子およびその製造方法 | |
| JPH10275958A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法及び分布帰還型半導体レーザ素子 | |
| JP3928695B2 (ja) | 面発光型の半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JP2017034080A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP5140971B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2012079990A (ja) | 集積化光半導体装置 | |
| US20160056614A1 (en) | Semiconductor laser diode with shortened cavity length | |
| US6316280B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor devices separated from a wafer | |
| JP2008084891A (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
| JP4163166B2 (ja) | ２波長半導体レーザー素子及びその製造方法 | |
| JP6089953B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ化合物半導体素子を作製する方法 | |
| JP4980091B2 (ja) | 半導体発光素子製造方法 | |
| JP2005217255A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110803 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110912 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120427 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120518 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5001760 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150525 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |