KR100888440B1 - 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 사파이어 기판을 준비하는 단계와, 상기 사파이어 기판 상에 n형 질화물 반도체층과 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차 적층되어 이루어진 발광 구조물을 형성하는 단계와, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계와, 상기 p형 전극 상에 구조지지층을 형성하는 단계와, 상기 사파이어 기판을 LLO 공정을 통해 제거하는 단계와, 상기 발광 구조물을 소자분리 공정을 통해 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 단계 및 분리된 상기 발광 구조물의 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법에 관한 것이다.
수직구조, LED, LLO

Description

수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법{Method for forming vertically structured Light Emitting Diode device}
본 발명은 수직구조(수직전극형) 발광다이오드(Light Emitting Diode; 이하, 'LED'라 칭함) 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 사파이어 기판을 제거하기 위한 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off:LLO; 이하, 'LLO'라 칭함) 공정시, 발광 구조물의 손상을 방지할 수 있는 수직구조 LED 소자의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, LED 소자는 사파이어 기판 위에 성장하지만, 이러한 사파이어 기판은 단단하고 전기적으로 부도체이며 열전도 특성이 좋지 않아 LED 소자의 크기를 줄여 제조원가를 절감하거나, 광출력 및 칩의 특성을 개선시키는 데는 한계가 있었다. 특히, LED 소자의 고출력화를 위해서는 대전류 인가가 필수이므로, LED 소자의 열 방출 문제를 해결하는 것이 중요하다.
이러한 문제를 해결하기 위한 수단으로 종래에는 LLO 기술을 이용하여 사파 이어 기판을 제거한 수직구조 LED 소자가 제안되었다.
그러면, 이하 도 1a 내지 도 1f를 참조하여 종래 수직구조 LED 소자의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 1a 내지 도 1f는 종래 기술에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
우선, 도 1a에 도시한 바와 같이, 사파이어와 같은 투명 기판(100) 상에 질화물계 반도체층으로 이루어진 발광 구조물(110)을 형성한다. 이때, 상기 발광 구조물(110)은 n형 질화물 반도체층(112)과 다중우물구조인 GaN/InGaN 활성층(114) 및 p형 질화물 반도체층(115)을 순차적으로 적층되어 있는 구조를 가진다.
도 1b에 도시한 바와 같이, 상기 p형 질화물 반도체층(115) 상에 원하는 크기의 단위 LED 소자를 정의하는 감광막 패턴(PR) 형성한다.
이어, 도 1c에 도시한 바와 같이, 상기 감광막 패턴(PR)을 식각 마스크로 하여 상기 발광 구조물(110)을 유도결합플라즈마(Inductive Coupled Plasma:ICP) 등의 건식 식각(dry etching) 또는 레이저를 이용한 소자분리(ISO) 공정을 통해 단위 LED 소자의 크기로 각각 분리한 다음 감광막 패턴(PR)을 제거한다.
한편, 도시하지는 않았으나, 상기 발광 구조물(110)을 단위 LED 소자의 크기로 분리한 다음, 분리된 발광 구조물(110)의 측면에 절연막 또는 반사막을 형성할 수 있으며, 이는 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 생략 가능하다.
그런 다음, 도 1d에 도시한 바와 같이, 상기 분리된 발광 구조물(110) 상에 p형 전극(140)을 각각 형성한 후, 도 1e에 도시한 바와 같이, 상기 p형 전극(140) 상에 구조지지층(160)을 형성한다.
이어, 도 1f에 도시한 바와 같이, LLO 공정을 통해 상기 기판(100)을 제거한다. 상기 LLO 공정은 상온에서 약 700mJ/㎠ 정도의 에너지를 가해주게 되면 상기 기판(100)과 발광 구조물(110)의 계면에서 흡수되어 발광 구조물(110)의 접합표면이 열분해 되어 기판(100)과 발광 구조물(110)을 분리하는 공정이다.
그런 다음, 도시하지는 않았으나, 상기 기판(도시하지 않음)으로부터 분리되어 노출된 상기 n형 질화물 반도체층(112) 상에 n형 전극을 각각 형성하여 수직구조 LED 소자를 형성한다.
그러나, 상기와 같이 종래 기술에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법은, 기판을 제거하기 위한 LLO 공정시, 레이저의 충격에 의해 도 2의 "A"와 같이 발광 구조물(110)의 가장자리 부분에 크랙이 발생하여 소자의 불량이 발생되는 문제가 있다. 여기서, 도 2는 도 1f의 단계를 도시한 도면으로, 종래 기술에 따라 제조된 수직 구조 LED 소자의 문제점을 나타낸 사진이다.
또한, LLO 공정을 진행하기 전에 단위 LED 소자의 크기로 분리된 발광 구조물(110)의 측면에 절연막 또는 반사막이 형성될 경우 LLO 공정시, 절연막 또는 반사막에도 크랙이 발생되거나 이들의 접착성이 열화되는 문제가 있다.
상술한 바와 같이, 종래 기술에 따라 수직구조 LED 소자를 제조하게 되면, 상기 문제점들로 인하여 수직구조 LED 소자의 특성 및 신뢰성이 낮아지는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 사파이어 기판을 제거하기 위한 LLO 공정시, 발광 구조물의 손상을 방지할 수 있는 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 사파이어 기판을 준비하는 단계와, 상기 사파이어 기판 상에 n형 질화물 반도체층과 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차 적층되어 이루어진 발광 구조물을 형성하는 단계와, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계와, 상기 p형 전극 상에 구조지지층을 형성하는 단계와, 상기 사파이어 기판을 LLO 공정을 통해 제거하는 단계와, 상기 발광 구조물을 소자분리 공정을 통해 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 단계 및 분리된 상기 발광 구조물의 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 본 발명의 수직구조 LED 소자의 제조방법에서, 상기 발광 구조물을 소자분리 공정을 통해 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 단계 이후에 분리된 상기 발광 구조물의 측면에 절연막 또는 반사막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 다른 본 발명은 사파이어 기판을 준비하는 단 계와, 상기 사파이어 기판 상에 n형 질화물 반도체층과 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차 적층되어 이루어진 발광 구조물을 형성하는 단계와, 상기 p형 질화물 반도체층 표면 중 소자분리 영역에 해당하는 표면 상에 완충막을 형성하는 단계와, 상기 완충막이 형성된 결과물 상에 p형 전극을 형성하는 단계와, 상기 p형 전극이 형성된 결과물 상에 구조지지층을 형성하는 단계와, 상기 사파이어 기판을 LLO 공정을 통해 제거하는 단계와, 상기 발광 구조물을 소자분리 공정을 통해 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 단계 및 분리된 상기 발광 구조물의 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 본 발명의 수직구조 LED 소자의 제조방법에서, 상기 p형 전극은 상기 p형 질화물 반도체층 표면 중 상기 완충막이 형성된 영역을 제외한 영역에 해당하는 표면 상에 p형 전극을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명의 수직구조 LED 소자의 제조방법에서, 상기 완충막은 비전도성 물질로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 비전도성 물질로는 포토레지스트, 폴리이미드, 에폭시 및 유전체 등이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 또 다른 본 발명은 사파이어 기판을 준비하는 단계와, 상기 사파이어 기판 상에 n형 질화물 반도체층과 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차 적층되어 이루어진 발광 구조물을 형성하는 단계와, 상기 발광 구조물을 단위 LED 소자의 크기로 분리하되, 소자분리 영역에 해당하는 상기 발광 구조물이 상기 사파이어 기판 상에 소정 두께 잔류되도록 제1 소자분리 공정을 진행하 는 단계와, 상기 p형 질화물 반도체층 표면 중 단위 LED 소자 영역에 해당하는 표면 상에 p형 전극을 형성하는 단계와, 상기 p형 전극 상에 구조지지층을 형성하는 단계와, 상기 사파이어 기판을 LLO 공정을 통해 제거하는 단계와, 소자분리 영역에 해당하는 잔류된 상기 발광 구조물을 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 제2 소자분리 공정을 진행하는 단계 및 분리된 상기 발광 구조물의 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 본 발명의 수직구조 LED 소자의 제조방법에서, 상기 제1 소자분리 공정을 진행하는 단계 이후에 분리된 상기 발광 구조물의 측면에 제1 절연막 또는 제2 반사막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명의 수직구조 LED 소자의 제조방법에서, 상기 제2 소자분리 공정을 진행하는 단계 이후에 분리된 상기 발광 구조물의 측면에 제2 절연막 ㄸ또는 제2 반사막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명은 발광 구조물로부터 사파이어 기판을 분리하는 LLO 공정을 상기 발광 구조물을 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 소자분리 공정 이전에 진행함으로써, LLO 공정 진행시 레이저의 충격으로 인해 크랙 등과 같은 발광 구조물의 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 본 발명은 수직구조 LED 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 수직구조 LED 소자의 제조 수율을 또한 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 수직구조 LED 소자의 제조방법에 대한 구체적인 기술적 구성에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조하여 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.
실시예 1
도 3a 내지 도 3f를 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
우선, 도 3a에 도시한 바와 같이, 사파이어와 같은 투명 기판(100) 상에 질화물계 반도체층으로 이루어진 발광 구조물(110)을 형성한다. 이때, 상기 발광 구조물(110)은 n형 질화물 반도체층(112)과 다중우물구조인 GaN/InGaN 활성층(114) 및 p형 질화물 반도체층(115)을 순차적으로 적층되어 있는 구조를 가진다.
여기서, 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층(112, 115) 및 활성층(114)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 질화물 반도체 물질일 수 있으며, MOCVD 공정과 같은 공지의 질화물 증착공정을 통해 형성될 수 있다.
한편, 상기 활성층(114)은 하나의 양자우물층 또는 더블헤테로 구조로 형성될 수 있다.
이어, 도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 발광 구조물(110)의 p형 질화물 반도체층(115) 상에 p형 전극(140)을 형성한다. 이때, 상기 p형 전극(140)은, 전극과 반사막의 역할을 동시에 할 수 있도록 형성하는 것이 바람직하다.
그런 다음, 도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 p형 전극(140) 상에 구조지지층을 공융(eutectic) 접합법으로 부착하기 위한 접착층(도시하지 않음)을 형성한 후, 상기 접착층에 고온/고압을 가하여 상기 p형 전극(140) 상에 상기 구조지지층(160)을 접합하는 본딩(bonding) 공정을 진행한다. 이때, 상기 구조지지층(160)은 최종적인 LED 소자의 지지층 및 전극으로서의 역할을 수행하는 것이 바람직하므로, 열전도도가 좋고 전도성이 있는 실리콘 기판을 사용하여 형성한다.
또한, 상기 접합층은 금(Au) 또는 금을 포함한 합금(예를 들어, AuSn)을 사용하여 형성할 수 있다.
이어, 도 3d에 도시한 바와 같이, LLO 공정을 통해 상기 기판(100)을 제거한다. 상기 LLO 공정은 상온에서 화살표 방향으로 약 700mJ/㎠ 정도의 에너지를 가해주게 되면 상기 기판(100)과 발광 구조물(110)의 계면에서 흡수되어 발광 구조 물(110)의 접합 표면이 열분해 되어 기판(100)과 발광 구조물(110)을 분리하는 공정이다.
그런 다음, 상기 n형 질화물 반도체층(112) 상에 원하는 크기의 단위 LED 소자를 정의하는 감광막 패턴(도시하지 않음) 형성한다.
이어, 도 3e에 도시한 바와 같이, 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 발광 구조물(110)을 유도결합플라즈마(Inductive Coupled Plasma:ICP) 등의 건식 식각(dry etching) 또는 레이저를 이용한 소자분리(ISO) 공정을 통해 단위 LED 소자의 크기로 각각 분리한 다음 감광막 패턴을 제거한다.
그런 다음, 도 3f에 도시한 바와 같이, 상기 n형 질화물 반도체층(112) 상에 n형 전극(170)을 각각 형성하여 수직구조 LED 소자를 형성한다.
따라서, 본 발명은 사파이어 기판을 분리하는 LLO 공정 이후에 상기 발광 구조물을 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 소자분리 공정을 진행함으로써, 종래 LLO 공정시 레이저의 충격으로 인해 발생되던 크랙 등과 같은 발광 구조물의 손상을 방지할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 제1 실시예는 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 발광 구조물(110)을 단위 LED 소자의 크기로 분리한 다음 즉, 앞서 설명한 도 3e의 단계 이후에 분리된 발광 구조물(110)의 측면에 절연막(200)을 형성할 수 있으며, 이는 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 생략 가능하다. 이때, 소자의 특성에 따라 상기 절연막(200) 대신에 반사막을 형성할 수도 있다. 여기서, 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법의 변형예를 설명하기 위해 나타낸 공정 단면도이다.
실시예 2
그러면, 이하 도 5를 참고하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다. 다만, 제2 실시예의 구성 중 제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제2 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 제2 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법은 제1 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법과 구성이 동일하고, 다만, 상기 p형 질화물 반도체층(115) 상에 p형 전극(140)을 형성하는 단계 이전에 상기 p형 질화물 반도체층(115) 표면 중 소자분리 영역에 해당하는 표면 상에 완충막(300)을 형성하는 단계를 더 포함하고 있다는 점에서만 제2 실시예와 다르다.
따라서, 제2 실시예 또한, 제1 실시예와 마찬가지로, 기판을 분리하는 LLO 공정 이후에 상기 발광 구조물을 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 소자분리 공정을 진행하고 있기 때문에 제1 실시예에서와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있다.
상기 완충층(300)은 비전도성 물질로 형성하는 것이 바람직하며, 보다 구체적으로, 비전도성 물질은 포토레지스트, 폴리이미드, 에폭시 및 유전체 등으로 이 루어질 수 있다.
즉, 상기 완충막(300)을 형성하는 공정을 더 포함하는 제2 실시예는 LLO 공정시, LLO 공정 이후에 상기 발광 구조물을 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 소자분리 공정시 p형 전극을 레이저의 충격으로부터 제1 실시예에 보다 더욱더 보호할 수 있다.
실시예 3
그러면, 이하 도 6a 내지 도 6f를 참고하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다. 다만, 제3 실시예의 구성 중 제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제3 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 제3 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
도 6a 내지 도 6e에 도시한 바와 같이, 제3 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법은 제1 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법과 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 상기 발광 구조물(110)을 단위 LED 크기로 분리하는 소자분리 공정이 2단계로 진행되며, 그 사이에 상기 발과 구조물(110)로부터 기판(100)을 제거하는 LLO 공정을 진행하고 있다는 점에서만 제1 실시예와 다르다.
보다 상세하게, 본 발명의 제3 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법은 우선, 앞서 설명한 제1 실시예의 도 3a와 같이, 기판(100) 상에 발광 구조 물(110)을 형성한다.
그런 다음, 도 6a에 도시한 바와 같이, 상기 발광 구조물(110)의 p형 질화물 반도체층(115) 상에 원하는 크기의 단위 LED 소자를 정의하는 감광막 패턴(PR) 형성한다.
이어, 도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 감광막 패턴(PR)을 식각 마스크로 하여 상기 발광 구조물(110)을 유도결합플라즈마(Inductive Coupled Plasma:ICP) 등의 건식 식각(dry etching) 또는 레이저를 이용하여 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 제1 소자분리 공정을 진행하되, 소자분리 영역에 해당하는 상기 발광 구조물(110)이 상기 기판(100) 상에 소정 두께가 잔류되도록 한다.
그런 다음, 상기 감광막 패턴(PR)을 제거한다.
이어, 도 6c에 도시한 바와 같이, 상기 p형 질화물 반도체층(115) 표면 중 단위 LED 소자 영역에 해당하는 표면 상에 p형 전극(140)을 형성한 다음, 그 위에 구조지지층(160)을 형성한다.
그런 다음, 도 6d에 도시한 바와 같이, 상기 기판(100)을 LLO 공정을 통해 제거한다.
이어, 도 6e에 도시한 바와 같이, 소자분리 영역에 해당하는 영역에 잔류된 상기 발광 구조물(110)을 제2 소자분리 공정으로 제거하여 단위 LED 소자의 크기로 상기 발광 구조물(110)을 각각 분리한다.
그런 다음, 앞서 설명한 제1 실시예의 도 3f와 같이, 분리된 상기 발광 구조물(110)의 n형 질화물 반도체층(112) 상에 n형 전극(170)을 각각 형성한다.
따라서, 제3 실시예 또한, 제1 실시예와 마찬가지로, 기판을 분리하는 LLO 공정 이후에 상기 발광 구조물을 단위 LED 소자의 크기로 완전히 분리하는 제2 소자분리 공정을 진행하고 있기 때문에 제1 실시예에서와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있다.
한편, 도시하지는 않았으나, 본 발명에 따른 제3 실시예는 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 상기 제1 소자분리 공정을 진행하는 단계 이후에 분리된 상기 발광 구조물의 측면에 제1 절연막 또는 제2 반사막을 형성하는 단계와 상기 제2 소자분리 공정을 진행하는 단계 이후에 분리된 상기 발광 구조물의 측면에 제2 절연막 또는 제2 반사막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1a 내지 도 1f는 종래 기술에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
도 2는 종래 기술에 따라 제조된 수직 구조 LED 소자의 문제점을 나타낸 도면.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법의 변형예를 설명하기 위해 나타낸 공정 단면도.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법을 설명하기 위해 나타낸 공정 단면도.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 제3 실시예에 따른 수직구조 LED 소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 110 : 발광 구조물
112 : n형 질화물 반도체층 114 : 활성층
115 : p형 질화물 반도체층 140 : p형 전극
160 : 구조지지층 170 : n형 전극

Claims (14)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 사파이어 기판을 준비하는 단계;
    상기 사파이어 기판 상에 n형 질화물 반도체층과 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차 적층되어 이루어진 발광 구조물을 형성하는 단계;
    상기 p형 질화물 반도체층 표면 중 소자분리 영역에 해당하는 표면 상에 완충막을 형성하는 단계;
    상기 완충막이 형성된 결과물 상에 p형 전극을 형성하는 단계;
    상기 p형 전극이 형성된 결과물 상에 구조지지층을 형성하는 단계;
    상기 사파이어 기판을 LLO 공정을 통해 제거하는 단계;
    상기 발광 구조물을 소자분리 공정을 통해 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 단계; 및
    분리된 상기 발광 구조물의 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 각각 형성하는 단계;를 포함하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 p형 전극은 상기 p형 질화물 반도체층 표면 중 상기 완충막이 형성된 영역을 제외한 영역에 해당하는 표면 상에 p형 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 완충막은 비전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 비전도성 물질은 포토레지스트, 폴리이미드, 에폭시 및 유전체 중 선택된 어느 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 발광 구조물을 소자분리 공정을 통해 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 단계 이후에,
    분리된 상기 발광 구조물의 측면에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 발광 구조물을 소자분리 공정을 통해 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 단계 이후에,
    분리된 상기 발광 구조물의 측면에 반사막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
  10. 사파이어 기판을 준비하는 단계;
    상기 사파이어 기판 상에 n형 질화물 반도체층과 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차 적층되어 이루어진 발광 구조물을 형성하는 단계;
    상기 발광 구조물을 단위 LED 소자의 크기로 분리하되, 소자분리 영역에 해당하는 상기 발광 구조물이 상기 사파이어 기판 상에 소정 두께 잔류되도록 제1 소자분리 공정을 진행하는 단계;
    상기 p형 질화물 반도체층 표면 중 단위 LED 소자 영역에 해당하는 표면 상 에 p형 전극을 형성하는 단계;
    상기 p형 전극 상에 구조지지층을 형성하는 단계;
    상기 사파이어 기판을 LLO 공정을 통해 제거하는 단계;
    소자분리 영역에 해당하는 잔류된 상기 발광 구조물을 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 제2 소자분리 공정을 진행하는 단계; 및
    분리된 상기 발광 구조물의 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 각각 형성하는 단계;를 포함하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 소자분리 공정을 진행하는 단계 이후에,
    분리된 상기 발광 구조물의 측면에 제1 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제2 소자분리 공정을 진행하는 단계 이후에,
    분리된 상기 발광 구조물의 측면에 제2 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 소자분리 공정을 진행하는 단계 이후에,
    분리된 상기 발광 구조물의 측면에 제1 반사막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제2 소자분리 공정을 진행하는 단계 이후에,
    분리된 상기 발광 구조물의 측면에 제2 반사막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
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