KR100888440B1 - 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법 - Google Patents
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- 사파이어 기판을 준비하는 단계;상기 사파이어 기판 상에 n형 질화물 반도체층과 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차 적층되어 이루어진 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 표면 중 소자분리 영역에 해당하는 표면 상에 완충막을 형성하는 단계;상기 완충막이 형성된 결과물 상에 p형 전극을 형성하는 단계;상기 p형 전극이 형성된 결과물 상에 구조지지층을 형성하는 단계;상기 사파이어 기판을 LLO 공정을 통해 제거하는 단계;상기 발광 구조물을 소자분리 공정을 통해 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 단계; 및분리된 상기 발광 구조물의 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 각각 형성하는 단계;를 포함하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 p형 전극은 상기 p형 질화물 반도체층 표면 중 상기 완충막이 형성된 영역을 제외한 영역에 해당하는 표면 상에 p형 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 완충막은 비전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 비전도성 물질은 포토레지스트, 폴리이미드, 에폭시 및 유전체 중 선택된 어느 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 발광 구조물을 소자분리 공정을 통해 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 단계 이후에,분리된 상기 발광 구조물의 측면에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 발광 구조물을 소자분리 공정을 통해 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 단계 이후에,분리된 상기 발광 구조물의 측면에 반사막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
- 사파이어 기판을 준비하는 단계;상기 사파이어 기판 상에 n형 질화물 반도체층과 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차 적층되어 이루어진 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 발광 구조물을 단위 LED 소자의 크기로 분리하되, 소자분리 영역에 해당하는 상기 발광 구조물이 상기 사파이어 기판 상에 소정 두께 잔류되도록 제1 소자분리 공정을 진행하는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 표면 중 단위 LED 소자 영역에 해당하는 표면 상 에 p형 전극을 형성하는 단계;상기 p형 전극 상에 구조지지층을 형성하는 단계;상기 사파이어 기판을 LLO 공정을 통해 제거하는 단계;소자분리 영역에 해당하는 잔류된 상기 발광 구조물을 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 제2 소자분리 공정을 진행하는 단계; 및분리된 상기 발광 구조물의 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 각각 형성하는 단계;를 포함하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 제1 소자분리 공정을 진행하는 단계 이후에,분리된 상기 발광 구조물의 측면에 제1 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 제2 소자분리 공정을 진행하는 단계 이후에,분리된 상기 발광 구조물의 측면에 제2 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법.
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