KR100600371B1 - 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents
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- 기판 상부에 일정 공간의 간격으로 상호 이격된 복수개의 발광 소자들을 형성하는 단계와;상기 복수개의 발광 소자들 상부 및 상기 공간에 제 1 희생층을 형성하는 단계와;상기 공간에 대응되는 영역을 제외하고 상기 제 1 희생층을 선택적으로 식각하여 상기 복수개의 발광 소자들 상부를 노출시키는 단계와;상기 노출된 복수개의 발광 소자들 상부에 금속층을 증착하는 단계와;상기 제 1 희생층을 제거하여 금속층 및 공간을 노출시키고, 상기 금속층 상부 및 공간에 제 2 희생층을 형성하는 단계와;상기 기판을 상기 복수개의 발광 소자들 및 제 2 희생층로부터 이탈시키는 단계와;상기 복수개의 발광 소자들 각각의 상부에 금속 패드를 형성하는 단계와;상기 제 2 희생층을 제거하고 개별 발광 소자로 분리하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 희생층은 포토레지스트로 형성하고,상기 제 2 희생층은 에폭시로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법.
- 기판 상부에 복수개의 발광 소자들이 적층된 에피층을 형성하고, 상기 복수개의 발광 소자들이 적층된 에피층을 선택적으로 식각하여 개별 발광 소자들로 분할하는 단계와;상기 복수개의 발광 소자들이 적층된 에피층이 식각된 영역 내부에 상기 개별 발광 소자들의 상면보다 높게 제 1 감광막 패턴을 형성하고, 상기 개별 발광 소자들 상부에 오믹(Ohmic) 및 반사용 금속층을 형성하는 단계와;상기 제 1 감광막 패턴과 오믹 및 반사용 금속층 상부에 시드 금속층을 형성하는 단계와;상기 제 1 감광막 패턴 상면에 대응되는 상기 시드 금속층 상부에 제 2 감광막 패턴을 형성하고, 상기 제 2 감광막 패턴 사이의 상기 시드 금속층 상부에 열 방출용 금속층을 형성하는 단계와;상기 제 1, 2 감광막 패턴 및, 상기 제 1, 2 감광막 패턴 사이의 시드 금속층을 제거하는 단계와;상기 제 1, 2 감광막 패턴과 시드 금속층이 제거된 영역 및 상기 열 방출용 금속층 상부에 에폭시를 코팅하고 경화시키는 단계와;상기 발광 소자들 및 경화된 에폭시로부터 상기 기판을 이탈시키는 단계와;상기 식각된 발광 소자들 각 표면에 금속패드들을 형성하는 단계와;상기 에폭시를 제거시켜, 개별 발광 소자로 분리하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판이고,상기 발광 소자들은 질화갈륨이 포함된 물질로 만들어진 소자이고,상기 기판을 이탈시키는 것은 레이저 리프트 오프(Laser lift off)공정을 수행하여 기판을 이탈시키는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 기판을 이탈시키는 단계와 금속패드를 형성하는 단계 사이에,상기 발광 소자들의 표면을 식각하는 단계가 더 구비된 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법.
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KR1020050041213A KR100600371B1 (ko) | 2005-05-17 | 2005-05-17 | 발광 소자의 제조 방법 |
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KR100600371B1 true KR100600371B1 (ko) | 2006-07-18 |
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KR1020050041213A KR100600371B1 (ko) | 2005-05-17 | 2005-05-17 | 발광 소자의 제조 방법 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101525076B1 (ko) * | 2008-12-15 | 2015-06-03 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자의 제조 방법 |
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2005
- 2005-05-17 KR KR1020050041213A patent/KR100600371B1/ko active IP Right Grant
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