JP2812408B2 - ＧａＰ発光素子チップの表面処理方法 - Google Patents
ＧａＰ発光素子チップの表面処理方法Info
- Publication number
- JP2812408B2 JP2812408B2 JP15775191A JP15775191A JP2812408B2 JP 2812408 B2 JP2812408 B2 JP 2812408B2 JP 15775191 A JP15775191 A JP 15775191A JP 15775191 A JP15775191 A JP 15775191A JP 2812408 B2 JP2812408 B2 JP 2812408B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gap
- luminance
- light emitting
- treatment method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光取り出し効率が向上
し、加工ダメージ（ダイシング歪み）を良好に除去でき
るようにしたＧａＰ発光素子チップの表面処理方法に関
する。
し、加工ダメージ（ダイシング歪み）を良好に除去でき
るようにしたＧａＰ発光素子チップの表面処理方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＰのＬＥＤチップを加工する工程と
しては、ＧａＰのエピタキシャルウェーハを蒸着、フォ
トエッチ、シンター等の処理を行うことによって、基板
の一面にｐ電極を形成し、他面にｎ電極を形成した後、
ダイシング分離し、次いでエッチングによってダイシン
グ歪みを除去する方法が知られている。このエッチング
処理液としては、硫酸系エッチング液（硫酸：水：過酸
化水素の混合液）、塩酸エッチング液等が用いられてい
る。硫酸系エッチング液は、ダイシング歪みを除去する
には好適であるが、光取り出し効率が低下するという不
都合があり、一方塩酸エッチング液は、光取り出し効率
の向上には寄与するが、ダイシング歪みの除去には効果
的でないという問題があった。このダイシング歪みはＬ
ＥＤチップの劣化の原因となることが知られている。
しては、ＧａＰのエピタキシャルウェーハを蒸着、フォ
トエッチ、シンター等の処理を行うことによって、基板
の一面にｐ電極を形成し、他面にｎ電極を形成した後、
ダイシング分離し、次いでエッチングによってダイシン
グ歪みを除去する方法が知られている。このエッチング
処理液としては、硫酸系エッチング液（硫酸：水：過酸
化水素の混合液）、塩酸エッチング液等が用いられてい
る。硫酸系エッチング液は、ダイシング歪みを除去する
には好適であるが、光取り出し効率が低下するという不
都合があり、一方塩酸エッチング液は、光取り出し効率
の向上には寄与するが、ダイシング歪みの除去には効果
的でないという問題があった。このダイシング歪みはＬ
ＥＤチップの劣化の原因となることが知られている。
【０００３】また、この二種のエッチング液を併用する
技術も知られている。例えば、硫酸系エッチング液によ
ってエッチングを行った後、塩酸エッチング液によって
エッチングを行う場合には、ダイシング歪みを除去する
には好適であるが、光取り出し効率の向上は図れないと
いう問題が残り、一方この反対に塩酸エッチング液によ
ってエッチングを行った後、硫酸系エッチング液によっ
てエッチングを行う場合もは、やはりダイシング歪みを
除去するには好適であるが、光取り出し効率が低下して
しまうという欠点は解消されなかった。
技術も知られている。例えば、硫酸系エッチング液によ
ってエッチングを行った後、塩酸エッチング液によって
エッチングを行う場合には、ダイシング歪みを除去する
には好適であるが、光取り出し効率の向上は図れないと
いう問題が残り、一方この反対に塩酸エッチング液によ
ってエッチングを行った後、硫酸系エッチング液によっ
てエッチングを行う場合もは、やはりダイシング歪みを
除去するには好適であるが、光取り出し効率が低下して
しまうという欠点は解消されなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来技術の問題点に鑑みて発明されたもので、光取り出し
効率が向上し、加工ダメージ（ダイシング歪み）を良好
に除去できるようにしたＧａＰ発光素子チップの表面処
理方法を提供することを目的とする。
来技術の問題点に鑑みて発明されたもので、光取り出し
効率が向上し、加工ダメージ（ダイシング歪み）を良好
に除去できるようにしたＧａＰ発光素子チップの表面処
理方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願発明のＧａＰ発光素子チップの表面処理方法
は、塩酸でエッチングして粗面を形成した後、硫酸と過
酸化水素と水とよりなる混合液でエッチングし、最後に
塩酸でエッチングするようにしたものである。
に、本願発明のＧａＰ発光素子チップの表面処理方法
は、塩酸でエッチングして粗面を形成した後、硫酸と過
酸化水素と水とよりなる混合液でエッチングし、最後に
塩酸でエッチングするようにしたものである。
【０００６】第１のエッチング工程においては、塩酸を
使用し、ＧａＰ単結晶の表面を粗くするようにエッチン
グを行う。この目的を達成するためには、３０〜８５℃
で５〜１８０分処理するのが好適である。この温度範囲
外及び処理時間外ではいずれも本発明の所期の効果を奏
することができない。
使用し、ＧａＰ単結晶の表面を粗くするようにエッチン
グを行う。この目的を達成するためには、３０〜８５℃
で５〜１８０分処理するのが好適である。この温度範囲
外及び処理時間外ではいずれも本発明の所期の効果を奏
することができない。
【０００７】第２のエッチング工程においては、硫酸：
水：過酸化水素を容量比で３：１：１の割合に混合した
溶液をエッチング液として用いる。好適なエッチング条
件は、３０〜７０℃で３〜３０分である。この温度範囲
外及び処理時間外ではいずれも本発明の所期の効果を奏
することができない。
水：過酸化水素を容量比で３：１：１の割合に混合した
溶液をエッチング液として用いる。好適なエッチング条
件は、３０〜７０℃で３〜３０分である。この温度範囲
外及び処理時間外ではいずれも本発明の所期の効果を奏
することができない。
【０００８】第３のエッチング工程は、第１のエッチン
グ工程と同様の条件で行えばよい。
グ工程と同様の条件で行えばよい。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて説明する。 実施例１ 常法により製造されたＡｕＢｅ電極を有する０．３ｍｍ
角のＧａＰチップを、次の３工程からなるエッチング処
理を行った。第１工程：塩酸を用いて、５０〜６０℃で
２０分処理した。第２工程：硫酸：水：過酸化水素を容
量比で３：１：１の割合に混合した溶液を用いて、６０
℃で５分処理した。第３工程：塩酸を用いて、５０〜６
０℃で２０分処理した。
角のＧａＰチップを、次の３工程からなるエッチング処
理を行った。第１工程：塩酸を用いて、５０〜６０℃で
２０分処理した。第２工程：硫酸：水：過酸化水素を容
量比で３：１：１の割合に混合した溶液を用いて、６０
℃で５分処理した。第３工程：塩酸を用いて、５０〜６
０℃で２０分処理した。
【００１０】この３段階のエッチング処理を行ったＧａ
Ｐチップについて輝度の測定及び耐久試験を行なった。
輝度は良好な値を示した。以下この実施例の輝度を１０
０として、比較例の輝度を記述する。耐久試験は、波高
７０ミリアンペア、占有率２０％、周波数１００Hzのパ
ルス電流で、１００ケのＧａＰチップを室温で１００時
間駆動した後の輝度を測定して行なった。耐久試験後
も、全てのチップが試験前の値の９５％以上の輝度を維
持していた。なお、光取り出し効率の向上が輝度の向上
に寄与し、耐久性の向上が加工ダメージ（ダイシング歪
み）の減少を意味するものである。
Ｐチップについて輝度の測定及び耐久試験を行なった。
輝度は良好な値を示した。以下この実施例の輝度を１０
０として、比較例の輝度を記述する。耐久試験は、波高
７０ミリアンペア、占有率２０％、周波数１００Hzのパ
ルス電流で、１００ケのＧａＰチップを室温で１００時
間駆動した後の輝度を測定して行なった。耐久試験後
も、全てのチップが試験前の値の９５％以上の輝度を維
持していた。なお、光取り出し効率の向上が輝度の向上
に寄与し、耐久性の向上が加工ダメージ（ダイシング歪
み）の減少を意味するものである。
【００１１】比較例１ 実施例と同様のＧａＰチップを塩酸によって５０〜６０
℃で２０分エッチング処理した。この単独のエッチング
処理を行ったＧａＰチップについて同様に輝度の測定及
び耐久試験を行なった。輝度は実施例と同様相対値ほぼ
１００を示したが、耐久試験後の輝度は明らかに低下し
ており、初期値の３０％まで落ちるものが全体の１１％
もあった。
℃で２０分エッチング処理した。この単独のエッチング
処理を行ったＧａＰチップについて同様に輝度の測定及
び耐久試験を行なった。輝度は実施例と同様相対値ほぼ
１００を示したが、耐久試験後の輝度は明らかに低下し
ており、初期値の３０％まで落ちるものが全体の１１％
もあった。
【００１２】比較例２ 実施例と同様のＧａＰチップを硫酸：水：過酸化水素を
容量比で３：１：１の割合に混合した溶液を用いて、６
０℃で５分処理した後、塩酸によって５０〜６０℃で２
０分エッチング処理した。この２段階のエッチング処理
を行ったＧａＰチップについて同様に輝度の測定及び耐
久試験を行なった。耐久試験後の輝度の低下率は実施例
と同様の値であったが、初期の輝度は実施例の値の相対
値８３を示した。
容量比で３：１：１の割合に混合した溶液を用いて、６
０℃で５分処理した後、塩酸によって５０〜６０℃で２
０分エッチング処理した。この２段階のエッチング処理
を行ったＧａＰチップについて同様に輝度の測定及び耐
久試験を行なった。耐久試験後の輝度の低下率は実施例
と同様の値であったが、初期の輝度は実施例の値の相対
値８３を示した。
【００１３】比較例３ 実施例と同様のＧａＰチップを塩酸によって５０〜６０
℃で２０分エッチング処理した後、硫酸：水：過酸化水
素を容量比で３：１：１の割合に混合した溶液を用い
て、６０℃で５分処理した。この２段階のエッチング処
理を行ったＧａＰチップについて同様に輝度の測定及び
耐久試験を行なった。耐久試験後の輝度の低下率は実施
例と同様の値であったが、初期の輝度は実施例の値の相
対値７５を示した。
℃で２０分エッチング処理した後、硫酸：水：過酸化水
素を容量比で３：１：１の割合に混合した溶液を用い
て、６０℃で５分処理した。この２段階のエッチング処
理を行ったＧａＰチップについて同様に輝度の測定及び
耐久試験を行なった。耐久試験後の輝度の低下率は実施
例と同様の値であったが、初期の輝度は実施例の値の相
対値７５を示した。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明のＧａＰチッ
プのエッチング方法によれば、発光輝度が向上し、加工
ダメージ（ダイシング歪み）を良好に除去し劣化の生じ
にくいＧａＰチップを製造することができる。
プのエッチング方法によれば、発光輝度が向上し、加工
ダメージ（ダイシング歪み）を良好に除去し劣化の生じ
にくいＧａＰチップを製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 穴澤 健介 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 半導体株式会社 半導体磯部研究所内 (56)参考文献 特開 昭54−43473（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−93544（ＪＰ，Ａ) 特公 昭52−38397（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (1)
- 【請求項１】 塩酸でエッチングして粗面を形成した
後、硫酸と過酸化水素と水とよりなる混合液でエッチン
グし、最後に塩酸でエッチングすることを特徴とするＧ
ａＰ発光素子チップの表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15775191A JP2812408B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | ＧａＰ発光素子チップの表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15775191A JP2812408B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | ＧａＰ発光素子チップの表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04354382A JPH04354382A (ja) | 1992-12-08 |
| JP2812408B2 true JP2812408B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=15656553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15775191A Expired - Lifetime JP2812408B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | ＧａＰ発光素子チップの表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2812408B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19537545A1 (de) * | 1995-10-09 | 1997-04-10 | Telefunken Microelectron | Verfahren zur Herstellung einer Lumineszenzdiode |
| TW576864B (en) | 2001-12-28 | 2004-02-21 | Toshiba Corp | Method for manufacturing a light-emitting device |
| JP3910926B2 (ja) | 2003-02-26 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 表示装置用透明基板の製造方法 |
| US7511314B2 (en) | 2003-10-16 | 2009-03-31 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light emitting device and method of fabricating the same |
| EP1681727A4 (en) | 2003-11-04 | 2009-12-16 | Pioneer Corp | SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US7208334B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-04-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device, acid etching resistance material and copolymer |
| JP4692072B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2011-06-01 | 三菱化学株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP15775191A patent/JP2812408B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04354382A (ja) | 1992-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2953468B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法 | |
| JP3390185B2 (ja) | 半導体製品の洗浄方法 | |
| JP2812408B2 (ja) | ＧａＰ発光素子チップの表面処理方法 | |
| JPH1168157A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPS583983A (ja) | 表面安定化方法 | |
| JP2658009B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| DE118511T1 (de) | Verfahren zum herstellen eines kontakts fuer integrierte schaltung. | |
| US3994817A (en) | Etchant for etching silicon | |
| JP2599250B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法 | |
| JPH10233382A (ja) | 半導体の表面清浄方法 | |
| JP3341287B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3649786B2 (ja) | ペロブスカイト型構造単結晶用処理液及びペロブスカイト型構造単結晶の処理方法 | |
| US3669775A (en) | Removal of boron and phosphorous-containing glasses from silicon surfaces | |
| JPH0311093B2 (ja) | ||
| JP3672585B2 (ja) | ３族窒化物半導体の製造方法 | |
| JPH0853780A (ja) | 酸含有液による半導体材料処理方法 | |
| JPH06314823A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPS59175776A (ja) | 半導体発光素子の高出力化処理方法 | |
| US4004957A (en) | Method for etching silicon | |
| JP3729437B2 (ja) | 化合物半導体素子の製造方法 | |
| JPH0817788A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| KR950006973B1 (ko) | 반도체 디바이스의 금속배선형성방법 | |
| KR20210032052A (ko) | 구리계 금속막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각방법 | |
| JP2841742B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼―▲ｖ▼族化合物結晶のエッチング方法およびエッチング液 | |
| JP3259793B2 (ja) | ウエハの洗浄処理方法 |