KR20210032052A - 구리계 금속막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각방법 - Google Patents
구리계 금속막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 구리계 금속막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 구리계 금속막의 두께가 증가되더라도 식각속도가 저하되지 않고, 에천트에 의한 포토레지스트가 제거되는 현상(리프트-오프)이 발생되지 않으며, 식각 후 구리계 금속막 상부의 침식(시디 로스)을 최소화하여 미세패턴을 구현할 수 있는 구리계 금속막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각방법을 제공하기 위한 것이다.
Description
본 발명은 구리계 금속막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 에천트에 의한 포토레지스트가 제거되는 현상(리프트-오프)이 발생되지 않으며, 식각 후 구리계 금속막 상부의 침식(시디 로스)을 최소화하여 미세패턴을 구현할 수 있는 구리계 금속막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각방법에 관한 것이다.
반도체 장치, 디스플레이 장치, 프린트 기판 및 IC 카드 등은 일반적으로 기판상에 금속 박막 등을 패턴화함으로써, 금속 박막 소자나 전극 배선 소자 등을 형성한다. 이러한 금속 박막을 배선 등의 미세 구조로 패턴화하는 가공 기술로는, 포토리소그래피 기술에 의해 금속 박막 표면 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로서 이용하고, 화학 약품에 의한 식각을 통해 패턴화하는 습식 식각법과 이온 식각 또는 플라즈마 식각 등과 같은 건식 식각법 등이 있다. 이 중, 습식 식각법은 건식 식각법과 달리 고가의 장치를 필요로 하지 않고, 비교적 저가의 약품을 이용하므로 경제적으로 유리하다. 또한, 다양한 형상의 기판에도 균일한 식각을 제공할 수 있다는 장점이 있다. 위와 같은 장점에 의해 현재로서는 박막 패턴의 제조 방법으로 주로 습식 식각법이 사용되고 있다. 일반적으로, 반도체 및 액정 표시 장치 등에 사용되는 금속 박막 소자나 전극 배선, 그 외 소자 등에 사용되는 소재로서 전기 저항값이 낮고, 박막 패턴으로의 가공성이 용이한 구리계 금속이 사용된다. 앞서 설명한 습식 식각을 위해서는 구리계 금속막 에천트가 필수적으로 사용되는 데, 대부분의 구리계 금속막 에천트는 비용 및 성능이 우수한 과산화수소계 에천트가 널리 사용되고 있다. 다만, 최근에는 구리계 금속막의 두께가 두꺼워짐에 따라 과산화수소계 에천트를 이용하더라도 구리계 금속막의 미세 패턴을 구현하기 어려운 문제가 있었다.
본 발명은 구리계 금속막의 두께가 증가되더라도 식각속도가 저하되지 않고, 에천트에 의한 포토레지스트가 제거되는 현상(리프트-오프)이 발생되지 않으며, 식각 후 구리계 금속막 상부의 침식(시디 로스)을 최소화하여 미세패턴을 구현할 수 있는 구리계 금속막 식각용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상술한 구리계 금속막 식각용 조성물을 이용하여 수행되는 식각방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 기술적 과제의 해결을 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면, 구리계 금속막의 식각용 조성물은 과산화수소, 식각제, pH 조절제, 킬레이트제, 및 하기의 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1 에서,
X는 수소, C1-C10 의 알킬, C3-C10 의 시클로알킬, 및 아민으로부터 선택된다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 상술한 구리계 금속막의 식각용 조성물을 이용하여 수행되는 식각방법은 (a) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계 (b) 상기 구리계 금속막 상에 포토레지스트 물질을 남기는 단계 및 (c) 23 ℃ 내지 27 ℃에서 상기 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 구리계 금속막의 식각용 조성물은 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 구리계 금속막의 식각공정이 종료되기 전에 포토레지스트가 제거되는 현상(리프트-오프)이 발생되지 않는다. 또한, 일정 수준 이상의 식각 속도 확보가 가능하며, 식각 후 구리계 금속막 상부의 침식(시디 로스)을 최소화하여 포토레지스트의 크기를 최소화한 패턴으로 식각공정을 진행할 수 있으며, 상기 패턴의 간격을 줄일 수 있어 미세패턴을 구현할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 식각방법은 상술한 구리계 금속막의 식각용 조성물을 이용하여 상온에서 구리계 금속막을 식각함으로써, 구리계 금속이온의 농도가 증가되더라도 식각속도의 감소를 최소화할 수 있으며, 상기 조성물 내 포함된 과산화수소의 분해를 최소화하여 안정성이 향상될 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 후술하는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
이하, 본 발명에 따른 구리계 금속막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각방법 에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
<구리계
금속막
식각용
조성물>
일반적으로, 두께가 2 μm 이상인 두꺼운 구리계 금속막은 등방성 식각의 특성상 배선 두께의 2배 초과의 포토레지스트 패턴이 구현되어야 정상적인 식각 특성을 구현할 수 있다. 포토레지스트 패턴 사이즈가 배선 두께의 2배 이하로 형성될 경우에는 구리계 금속막의 식각공정이 종료되기 전에 에천트에 의한 포토레지스트가 제거되는 현상(리프트-오프)이 발생될 수 있다. 또한, 포토레지스트 패턴 사이즈를 증가시킬 경우 배선 간격을 넓게 구현해야 하며, 이에 따라 구리계 금속막의 미세패턴을 효과적으로 구현하는데 제약이 발생될 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 구리계 금속막의 식각용 조성물은 과산화수소, 식각제, pH 조절제, 킬레이트제 및 하기의 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 구리계 금속막 식각용 조성물이 제공된다.
[화학식 1]
상기 화학식 1 에서,
X는 수소, C1-C10 의 알킬, C3-C10 의 시클로알킬, 및 아민으로부터 선택된다.
본원에서 Ca-Cb 작용기는 a 내지 b 개의 탄소 원자를 갖는 작용기를 의미한다. 예를 들어, Ca-Cb 알킬은 a 내지 b 개의 탄소 원자를 갖는, 직쇄 알킬 및 분쇄 알킬 등을 포함하는 포화 지방족기를 의미한다. 직쇄 또는 분쇄 알킬은 이의 주쇄에 10개 이하(예를 들어, C1-C10의 직쇄, C3-C10의 분쇄), 바람직하게는 4개 이하, 보다 바람직하게는 3개 이하의 탄소 원자를 가진다.
구체적으로, 알킬은 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-뷰틸, s-뷰틸, i-뷰틸, t-뷰틸, 펜트-1-일, 펜트-2-일, 펜트-3-일, 3-메틸뷰트-1-일, 3-메틸뷰트-2-일, 2-메틸뷰트-2-일, 2,2,2-트리메틸에트-1-일, n-헥실, n-헵틸 및 n-옥틸일 수 있다.
본원에서 시클로알킬(cycloalkyl)은 달리 정의되지 않는 한 알킬의 고리형 구조로 이해될 수 있을 것이다. 시클로알킬의 비제한적인 예로는 시클로펜틸, 시클로헥실, 1-시클로헥세닐, 3-시클로헥세닐 및 시클로헵틸 등이 있다.
또한, 일예로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 2]
[화학식 3]
본 발명의 구리계 금속막의 식각용 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 구리계 금속막의 식각속도를 조절할 수 있으며 식각 후 구리계 금속막 상부의 침식 (시디 로스)을 최소화할 수 있다. 특히, 본 발명의 구리계 금속막의 식각용 조성물은 종래 식각용 조성물에 사용되는 아민 화합물 중 상기 화학식 1로 표시되는 테트라졸 화합물을 포함함으로써, 일정 수준이상의 식각속도를 확보할 수 있다. 또한, 본 발명의 구리계 금속막의 식각용 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 테트라졸 화합물을 포함함으로써, 구리계 금속막 상부의 침식(시디 로스)을 최소화하여 포토레지스트의 크기를 최소화한 패턴으로 식각공정을 진행할 수 있다. 또한, 본 발명의 구리계 금속막의 식각용 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 테트라졸 화합물을 포함함으로써, 구리계 금속막의 패턴의 간격을 줄일 수 있어 구리계 금속막의 미세패턴을 효과적으로 구현할 수 있다.
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량은 본 발명의 식각용 조성물 중 0.01 내지 1 중량 % 일 수 있다. 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량이 0.01 중량 % 미만이면 식각용 조성물에 의해 구리계 금속막이 과도하게 식각될 수 있으며, 경사각의 식각 프로파일이 불량해질 수 있다. 또한 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량이 1 중량 % 초과이면 식각속도가 저하되어 구리계 금속막의 식각 후 잔류물이 발생되거나 식각공정이 길어질 수 있다.
본 발명의 구리계 금속막의 식각용 조성물은 과산화수소를 포함한다. 과산화수소는 구리계 금속막의 표면을 산화시키는 역할을 한다. 과산화수소의 함량은 본 발명의 식각용 조성물 중 5 내지 25 중량 % 일 수 있다. 과산화수소의 함량이 5 중량 % 미만이면 부족한 산화력으로 인해 구리계 금속막에 대한 식각이 충분히 이루어지지 않을 수 있다. 또한 과산화수소의 함량이 25 중량 % 초과이면 식각용 조성물에 의해 구리계 금속막의 식각속도가 과도하게 높아지며, 식각용 조성물의 안정성이 저하되어 폭발 위험성이 높아질 수 있다.
본 발명의 구리계 금속막의 식각용 조성물은 식각제를 포함한다. 식각제는 과산화수소에 의해 표면이 산화된 구리계 금속막을 이온화하여 표면에서 이온의 형태로 떨어뜨리는 역할을 한다. 식각제의 종류는 특별히 제한되지 않으나, 유기산 또는 무기산이 사용될 수 있으며, 식각속도 조절 및 구리계 금속막 상부의 시디(CD) 조절에 용이한 인산 또는 인산염 계열이 바람직하다. 식각제 함량은 본 발명의 식각용 조성물 중 0.01 내지 5 중량 % 일 수 있다. 식각제의 함량이 0.01 중량 % 미만이면 식각용 조성물에 의해 구리계 금속막의 식각속도가 저하될 수 있다. 또한 식각제의 함량이 5 중량 % 초과이면 CD(Critical Dimension)의 손실, 경사각의 식각 프로파일이 불량해질 수 있다.
본 발명의 구리계 금속막의 식각용 조성물은 pH 조절제를 포함한다. pH 조절제는 상기 식각용 조성물 내 수소이온농도를 조정하는 역할을 한다. pH 조절제의 종류는 특별히 제한되지 않으나, 일예로, 에탄올아민, 알릴아민, 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 부틸아민, 이소프렌아민, 헥실아민, 옥타데실아민 및 사이클로헥실아민으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다. 또한 바람직한 pH 조절제의 함량은 본 발명의 식각용 조성물 중 0.01 내지 5 중량 % 일 수 있다.
본 발명의 구리계 금속막의 식각용 조성물은 킬레이트제를 포함한다. 킬레이트제는 구리계 금속막의 식각공정에서 발생되는 금속이온과 리간드 결합을 하여 금속이온을 비활성화시키며, 식각용 조성물에 포함된 과화수소이온의 분해를 억제하고 식각된 구리계 금속의 석출을 억제하는 역할을 한다. 킬레이트제의 종류는 특별히 제한되지 않으나, 일예로, 니트릴로트리아세틱 에시드, 이미노디아세틱 에시드, 메틸 이미노디아세틱 에시드, 히드록시에틸 이미노디아세틱 에시드, 디에틸렌트리아민 펜타아세틱 에시드, 에틸렌디아민 테트라아세틱 에시드, N-히드록시에틸 에틸렌디아민 테트라아세틱 에시드, 메틸 에틸렌디아민 테트라아세틱 에시드, 트리에틸렌 테트라아민 헥사아세틱 에시드, 에틸렌 디아민 테트라메틸렌 포스포닉 에시드, 디에틸렌 트리아민 펜타메틸렌 포스포닉 에시드, 히드록시 에틸리덴 디포스포닉 에시드, 아미노 트리메틸렌 포스포닉 에시드, 글리신, 아르기닌, 글루타민산, 알라닌, 시스테인, 글루타민, 글리포스페이트 및 글라이실릭산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다. 킬레이트제의 함량은 본 발명의 식각용 조성물 중 0.1 내지 5 중량 % 일 수 있다. 킬레이트제의 함량이 0.1 중량 % 미만이면 과산화수소와 금속이온과의 급격한 반응이 발생되어, 식각용 조성물의 안정성이 저하될 수 있다. 또한 킬레이트제의 함량이 5 중량 % 초과이면 CD(Critical Dimension)의 손실, 경사각의 식각 프로파일이 불량해질 수 있다.
본 발명의 구리계 금속막의 식각용 조성물은 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물, 과산화수소, 식각제, pH 조절제 및 킬레이트제와 함께 잔부의 물을 조성물 총 중량이 100 중량 % 가 되도록 구성될 수 있다.
<
식각
방법>
일반적으로, 구리계 금속막의 식각 공정은 32 ℃ 내지 34 ℃ 에서 진행된다. 32 ℃ 내지 34 ℃에서 식각 공정이 진행될 경우에는 식각 조성물의 안정성이 저하되며, 식각 공정이 진행됨에 따라 식각 조성물 내 금속이온의 농도가 높아짐에 따라, 과산화수소의 분해가 촉진되는 문제가 발생될 수 있다. 또한, 식각 조성물 내 과산화수소의 분해가 촉진되어 식각 능력이 저감되며, 식각 조성물이 폭발되는 현상이 발생될 수도 있다. 또한, 상온조건(약 25 ℃)에서 식각 공정이 진행될 경우에는 식각 속도가 저하되거나, 식각 후 구리계 금속막 상부의 침식(시디 로스)이 증가되거나, 식각 공정이 종료되기 전에 에천트에 의한 포토레지스트가 제거되는 현상 (리프트-오프)이 발생될 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각방법은 (a) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계 (b) 상기 구리계 금속막 상에 포토레지스트 물질을 남기는 단계 및 (c) 23 ℃ 내지 27 ℃에서 상기 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계를 포함한다.
즉, 본 발명은 상술한 구리계 금속막 식각용 조성물을 사용하여 23 ℃ 내지 27 ℃에서 구리계 금속막을 식각함으로써, 상온조건하에 식각 공정이 진행되어 식각 조성물의 안정성을 향상시킬 수 있고, 식각 공정이 진행될 때 금속이온의 농도가 크게 높아지지 않아 식각 속도의 감소를 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명은 상술한 구리계 금속막 식각용 조성물을 사용함으로써, 상온조건에서 식각 속도가 크게 저하되지 않고 일정 수준 이상의 식각 속도를 확보할 수 있다. 또한, 본 발명은 상술한 구리계 금속막 식각용 조성물을 사용함으로써, 식각 후 구리계 금속막 상부의 침식(시디 로스)을 최소화하여 포토레지스트의 크기를 최소화한 패턴으로 식각공정을 진행할 수 있으며, 미세패턴을 구현할 수 있다.
상기 (a) 단계에서 구리계 금속막의 종류는 특별히 제한되지 않으나, 구리, 몰리브덴, 티타늄 및 몰리브덴-티타늄 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함한 단일막 또는 다중막일 수 있다. 또한, 상기 구리계 금속막의 두께는 2 μm 이상일 수 있다. 또한, 상기 (c) 단계에서 상기 구리계 금속막을 식각하는 식각속도가 400 Å/sec 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 식각방법은 두께가 2 μm 이상인 두꺼운 구리계 금속막을 식각할 경우에도 400 Å/sec 이상의 식각속도를 확보할 수 있어, 식각 면적의 증가없이 구리계 금속막을 균일하게 식각할 수 있다. 또한, 본 발명의 식각방법은 상온조건에서 두께가 2 μm 이상인 두꺼운 구리계 금속막을 식각할 경우에도 식각 후 구리계 금속막 상부의 침식(시디 로스)을 최소화하여 포토레지스트의 크기를 최소화한 패턴으로 식각공정을 진행할 수 있다. 또한, 구리계 금속막의 식각공정이 종료되기 전에 포토레지스트가 제거되는 현상(리프트-오프)을 방지할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
실시예
식각용
조성물의 제조
실시예 1 내지 2에 따른 식각용 조성물은 표 1과 같다.
| 식각용 조성물 | 화학식 1의 화합물 | |
| 실시예 1 | 과산화수소 (12중량%) + 피로인산 나트륨 (0.1중량%) + 에탄올아민 (0.1중량%) + 이미노디아세트산 (2.5 중량%) + 화학식 1의 화합물 (0.2중량%) + 잔부 물 |
 |
| 실시예 2 |
 |
비교예 1 내지 4에 따른 식각용 조성물은 표 2와 같다.
| 식각용 조성물 | 첨가제 | |
| 비교예 1 | 과산화수소 (12중량%) + 피로인산 나트륨 (0.1중량%) + 에탄올아민 (0.1중량%) + 이미노디아세트산 (2.5 중량%) + 첨가제 (0.2중량%) + 잔부 물 |
 |
| 비교예 2 |
 |
|
| 비교예 3 |
 |
|
| 비교예 4 |
 |
식각
성능 평가
유리 기판상에 화학기상증착에 의해 구리막을 증착하였다. 구리막의 두께는 약 20,000 ~ 25,000Å이었다. 이후, 구리막을 선택적인 부위에 형성하기 위하여 포토레지스트를 도포하고, 마스크를 이용하여 선택적으로 노광하며 현상액에 의해 부분적으로 포토레지스트를 제거하였다. 이후, 실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 4에 따른 식각용 조성물을 각각 분사식 습식 식각 방식의 실험장비(KCTECH사 제조, 모델명: ETCHER(TFT))에 넣고 온도가 25±0.5℃로 유지하여 상기 단일막 식각 공정을 수행하였다. 육안으로 EPD(End Point Detection, 금속 식각 시점)를 측정하여 식각 속도(etching rage)를 얻었다.
또한, 식각이 완료되면 초순수로 세정한 후 건조 장치를 이용하고 건조전자주사현미경(SEM, Phillips사 제조, 모델명: NOVA-200)을 이용하여 식각 중 PR lift off 발생여부를 측정하였다. PR lift off 가 발생되지 않으면 양호로 평가하며, PR lift off 가 발생되면 불량으로 평가하였다.
이후, 포토레지스트 박리기(stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하며 상하부 CD(Critical Dimension) 손실을 평가하였다. 상하부 CD(Critical Dimension) 손실의 차이가 0.5 μm ±0.2 μm 이하일 때 양호로 평가하며, 상하부 CD(Critical Dimension) 손실의 차이가 0.5 μm ±0.2 μm 초과일 때 불량으로 평가하였다.
또한, 금속이온 함량에 따른 식각 성능을 평가하기 위해, 약 5,000 ppm의 구리이온을 포함된 식각용 조성물에 대해 상기와 동일한 기준으로 식각 속도 및 상하부 CD(Critical Dimension) 손실의 차이를 평가하였다.
실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 4에 따른 식각용 조성물의 식각 성능 평가는 하기 표 3과 같다.
식각 속도( |
PR lift off 발생여부 | 상하부 CD loss 차이 |
구리이온농도 5,000 ppm 에서의 상하부 CD loss 차이 |
구리이온농도 5,000 ppm 에서의 식각속도 식각 속도(  |
|
| 실시예1 | 487 | 양호 | 양호 | 양호 | 452 |
| 실시예2 | 460 | 양호 | 양호 | 양호 | 432 |
| 비교예1 | 124 | 불량 | 불량 | 불량 | 82 |
| 비교예2 | 314 | 불량 | 불량 | 불량 | 221 |
| 비교예3 | 256 | 불량 | 양호 | 불량 | 212 |
| 비교예4 | 223 | 불량 | 양호 | 불량 | 196 |
상기 표 3에 나타난 바와 같이, 실시예 1 내지 2 에 따른 식각용 조성물은 두께가 20,000 Å이상인 두꺼운 구리막 식각 시 식각 속도가 400 Å/sec 이상을 나타내어 일정 수준이상의 식각속도 확보가 가능한 점을 확인할 수 있다. 또한, 실시예 1 내지 2 에 따른 식각용 조성물을 이용하여 식각된 구리막은 식각공정이 종료되기 전에 포토레지스트가 제거되는 현상(리프트-오프)이 발생되지 않으며, 상하부의 시디 로스 차이가 양호함을 확인할 수 있다. 아울러, 실시예 1 내지 2 에 따른 식각용 조성물은 구리이온의 농도가 증가된 상태에서도 식각속도 감소가 작으며, 상하부의 시디 로스 차이가 양호함을 확인할 수 있다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
Claims (9)
- 과산화수소; 식각제; pH 조절제; 킬레이트제; 및
하기의 화학식 1로 표시되는 화합물;을 포함하는
구리계 금속막 식각용 조성물:
[화학식 1]
상기 화학식 1 에서,
X는 수소, C1-C10 의 알킬, C3-C10 의 시클로알킬, 및 아민으로부터 선택된다.
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각용 조성물.
[화학식 2]
[화학식 3]
- 제1항에 있어서,
상기 과산화수소 5 내지 25 중량%; 상기 식각제 0.01 내지 5 중량%; 상기pH 조절제 0.01 내지 5 중량%; 상기 킬레이트제 0.1 내지 5 중량%;
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 0.01 내지 1 중량%; 및
잔부의 물;을 포함하는
구리계 금속막 식각용 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 pH 조절제는 에탄올아민, 알릴아민, 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 부틸아민, 이소프렌아민, 헥실아민, 옥타데실아민 및 사이클로헥실아민으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는
구리계 금속막 식각용 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 킬레이트제는 니트릴로트리아세틱 에시드, 이미노디아세틱 에시드, 메틸 이미노디아세틱 에시드, 히드록시에틸 이미노디아세틱 에시드, 디에틸렌트리아민 펜타아세틱 에시드, 에틸렌디아민 테트라아세틱 에시드, N-히드록시에틸 에틸렌디아민 테트라아세틱 에시드, 메틸 에틸렌디아민 테트라아세틱 에시드, 트리에틸렌 테트라아민 헥사아세틱 에시드, 에틸렌 디아민 테트라메틸렌 포스포닉 에시드, 디에틸렌 트리아민 펜타메틸렌 포스포닉 에시드, 히드록시 에틸리덴 디포스포닉 에시드, 아미노 트리메틸렌 포스포닉 에시드, 글리신, 아르기닌, 글루타민산, 알라닌, 시스테인, 글루타민, 글리포스페이트 및 글라이실릭산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는
구리계 금속막 식각용 조성물.
- (a) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
(b) 상기 구리계 금속막 상에 포토레지스트 물질을 남기는 단계; 및
(c) 23 ℃ 내지 27 ℃에서 상기 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계;를 포함하는
식각방법.
- 제6항에 있어서,
상기 (a) 단계의 구리계 금속막의 두께는 2 μm 이상인 것을 특징으로 하는
식각방법.
- 제6항에 있어서,
상기 (a) 단계의 구리계 금속막은 구리, 몰리브덴, 티타늄 및 몰리브덴-티타늄 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함한 단일막 또는 다중막인 것을 특징으로 하는
식각방법.
- 제6항에 있어서,
상기 (c) 단계에서 상기 구리계 금속막을 식각하는 식각속도가 400 Å/sec 이상인 것을 특징으로 하는
식각방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190113275A KR20210032052A (ko) | 2019-09-16 | 2019-09-16 | 구리계 금속막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190113275A KR20210032052A (ko) | 2019-09-16 | 2019-09-16 | 구리계 금속막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210032052A true KR20210032052A (ko) | 2021-03-24 |
Family
ID=75257089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190113275A KR20210032052A (ko) | 2019-09-16 | 2019-09-16 | 구리계 금속막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR20210032052A (ko) |
-
2019
- 2019-09-16 KR KR1020190113275A patent/KR20210032052A/ko not_active Application Discontinuation
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