JP2007081282A - 電気光学素子および光伝送モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 1つの基板上に波長の異なる複数の面発光レーザを備え、簡便に集積化でき、小型化することが容易な電気光学素子および光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】 半導体基板11と、半導体基板11に形成されており第1波長の光を出射する第1面発光レーザVC1と、半導体基板11に形成されており第2波長の光を出射する第2面発光レーザVC2と、第1面発光レーザVC1の共振器の構成要素である誘電体ミラー19と、第2面発光レーザVC2の共振器の構成要素である誘電体ミラー29と、を有し、第1面発光レーザVC1の上部ミラーと第2面発光レーザVC2の下部ミラーとは、共通の積層構造を有することを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体基板11と、半導体基板11に形成されており第1波長の光を出射する第1面発光レーザVC1と、半導体基板11に形成されており第2波長の光を出射する第2面発光レーザVC2と、第1面発光レーザVC1の共振器の構成要素である誘電体ミラー19と、第2面発光レーザVC2の共振器の構成要素である誘電体ミラー29と、を有し、第1面発光レーザVC1の上部ミラーと第2面発光レーザVC2の下部ミラーとは、共通の積層構造を有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電気光学素子および光伝送モジュールに関するものである。
光通信における波長分割多重通信(WDM)は、波長の異なる光は互いに干渉しないという光の性質を利用した通信方式であり、1本の光ファイバを用いて波長の異なる複数の光を伝送して通信する方式である。面発光レーザ(VCSEL)は、高速動作が可能であり低消費電力であるという特徴を持ち、波長分割多重通信装置の構成部品としても注目されている。また、従来においては、1つの基板上に波長の異なる複数の面発光レーザを形成した電気光学素子が考え出されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平11−284282号公報
しかしながら、従来の波長分割多重通信に用いられる電気光学素子(半導体光素子)は、光導波路を用いて光結合しているので集積化が困難であり、波長分割多重通信装置の大型化及び製造コストの増大を招いているという問題点があった。
また、特許文献1に記載の電気光学素子は、1つの基板上に波長の異なる複数の面発光レーザを形成しているが、各面発光レーザを構成している複数の層が面発光レーザ毎に異なっている。これにより、特許文献1に記載の電気光学素子では、基板平面から最も離れている面発光レーザの上面までの距離である高さが大きくなる。そこで、特許文献1に記載の電気光学素子を波長分割多重通信装置に用いる場合、集積化が困難であり、装置の大型化及び製造コストの増大を招くという問題点があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、1つの基板上に波長の異なる複数の面発光レーザを備え、簡便に集積化でき、小型化することが容易な電気光学素子および光伝送モジュールの提供を目的とする。
また、本発明は、1つの基板上に波長の異なる複数の面発光レーザを備え、簡便に集積化でき、小型化することが容易であり、さらに簡便に製造することができる電気光学素子および光伝送モジュールの提供を目的とする。
また、本発明は、1つの基板上に波長の異なる複数の面発光レーザを備え、簡便に集積化でき、小型化することが容易であり、さらに簡便に製造することができる電気光学素子および光伝送モジュールの提供を目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の電気光学素子は、基板と、前記基板に形成されており第1波長の光を出射する第1面発光レーザと、前記基板に形成されており第2波長の光を出射する第2面発光レーザと、前記第1面発光レーザの共振器の構成要素である第1誘電体ミラーと、前記第2面発光レーザの共振器の構成要素である第2誘電体ミラーと、を有し、前記第1面発光レーザの共振器における上部ミラーと前記第2面発光レーザの共振器における下部ミラーとは、共通の積層構造を有することを特徴とする。
本発明によれば、第1面発光レーザの上部ミラーと第2面発光レーザの下部ミラーとが共通の積層構造を有するので、基板の平面を基準として、第1面発光レーザの上部ミラーと第2面発光レーザの下部ミラーとをほぼ同一の高さに配置することができる。そこで、本発明の電気光学素子は、同一基板上において、発光波長の異なる複数の面発光レーザを備えながら、基板平面からの高さを低くすることができる。
また、本発明の電気光学素子は、第1面発光レーザ及び第2面発光レーザのそれぞれの共振器が誘電体ミラーを備えているので、簡便に製造することができる。すなわち、誘電体ミラーの反射率特性は、分布反射型多層膜ミラー(DBRミラー)に比べて広く帯域幅を持っている。これにより、面発光レーザの共振器の構成要素として誘電体ミラーの構造の自由度はDBRミラーに比べておおきく、簡便に、各種波長の面発光レーザを製造できることとなる。したがって、本発明によれば複数の波長の異なる面発光レーザを有しながら、コンパクトであり、且つ安価な電気光学素子を提供することができる。
本発明によれば、第1面発光レーザの上部ミラーと第2面発光レーザの下部ミラーとが共通の積層構造を有するので、基板の平面を基準として、第1面発光レーザの上部ミラーと第2面発光レーザの下部ミラーとをほぼ同一の高さに配置することができる。そこで、本発明の電気光学素子は、同一基板上において、発光波長の異なる複数の面発光レーザを備えながら、基板平面からの高さを低くすることができる。
また、本発明の電気光学素子は、第1面発光レーザ及び第2面発光レーザのそれぞれの共振器が誘電体ミラーを備えているので、簡便に製造することができる。すなわち、誘電体ミラーの反射率特性は、分布反射型多層膜ミラー(DBRミラー)に比べて広く帯域幅を持っている。これにより、面発光レーザの共振器の構成要素として誘電体ミラーの構造の自由度はDBRミラーに比べておおきく、簡便に、各種波長の面発光レーザを製造できることとなる。したがって、本発明によれば複数の波長の異なる面発光レーザを有しながら、コンパクトであり、且つ安価な電気光学素子を提供することができる。
また、本発明の電気光学素子は、前記共通の積層構造が、前記基板に1つの積層構造として形成された多層膜ミラー(DBR)を分割したものであることが好ましい。
本発明によれば、例えば、第1面発光レーザの上部ミラー(の一部)と第2面発光レーザの下部ミラー(の一部)とが同一の層で構成されている。そこで、基板平面からの高さを低くすることができる。また、本発明の電気光学素子は、第1面発光レーザの上部ミラーの製造工程と第2面発光レーザの下部ミラーの製造工程とを同時に行うことができ、簡易且つ迅速に製造することができる。
本発明によれば、例えば、第1面発光レーザの上部ミラー(の一部)と第2面発光レーザの下部ミラー(の一部)とが同一の層で構成されている。そこで、基板平面からの高さを低くすることができる。また、本発明の電気光学素子は、第1面発光レーザの上部ミラーの製造工程と第2面発光レーザの下部ミラーの製造工程とを同時に行うことができ、簡易且つ迅速に製造することができる。
また、本発明の電気光学素子は、前記第1誘電体ミラーと第2誘電体ミラーとが同一構造であることが好ましい。
本発明によれば、発光波長の異なる複数の面発光レーザを備えながら、より簡便に製造できる電気光学素子を提供することができる。
本発明によれば、発光波長の異なる複数の面発光レーザを備えながら、より簡便に製造できる電気光学素子を提供することができる。
また、本発明の電気光学素子は、前記第1面発光レーザにおける基板に近い方の電極である第1下側電極と、前記第2面発光レーザにおける基板に近い方の電極である第2下側電極とが、同一の電位となるように電気的に接続されていることが好ましい。
本発明によれば、前記第1下側電極及び第2下側電極とを共通電極とすることにより、前記第1下側電極又は第2下側電極の下層側(基板側)に形成された層が、複数の共振器構造のいずれかに悪影響を及ぼすことを回避することができる。
本発明によれば、前記第1下側電極及び第2下側電極とを共通電極とすることにより、前記第1下側電極又は第2下側電極の下層側(基板側)に形成された層が、複数の共振器構造のいずれかに悪影響を及ぼすことを回避することができる。
また、本発明の電気光学素子は、前記共通の積層構造を有して構成されるフォトダイオードを有することが好ましい。
本発明によれば、同一基板上に発光波長の異なる複数の面発光レーザを備えた電気光学素子において、基板平面からの高さが増加することを抑えながら、フォトダイオードを備えた構成にすることができる。
本発明によれば、同一基板上に発光波長の異なる複数の面発光レーザを備えた電気光学素子において、基板平面からの高さが増加することを抑えながら、フォトダイオードを備えた構成にすることができる。
また、本発明の電気光学素子は、前記フォトダイオードが前記第1面発光レーザ又は第2面発光レーザの出射光の一部を受光するように構成されていることが好ましい。
本発明によれば、前記フォトダイオードによって前記第1面発光レーザ又は第2面発光レーザの出力をモニタすることができる。
本発明によれば、前記フォトダイオードによって前記第1面発光レーザ又は第2面発光レーザの出力をモニタすることができる。
また、本発明の電気光学素子は、前記第1面発光レーザの出射口と第2面発光レーザの出射口とは、所定の基準点又は基準線に対して対称となる位置に配置されている
ことが好ましい。
本発明の電気光学素子によれば、例えば、前記基準点又は基準線を、光ファイバ等の光伝播路の光軸上に合わせることにより、第1面発光レーザ及び第2面発光レーザと光伝播路との光結合等を簡便に実行することができる。
ことが好ましい。
本発明の電気光学素子によれば、例えば、前記基準点又は基準線を、光ファイバ等の光伝播路の光軸上に合わせることにより、第1面発光レーザ及び第2面発光レーザと光伝播路との光結合等を簡便に実行することができる。
上記目的を達成するために、本発明の光伝送モジュールは、前記電気光学素子を有して構成されていることを特徴とする。
本発明によれば、波長分割多重通信を行うことができ、簡便に集積化でき、さらに小型化することが容易な光伝送モジュールを安価に提供することができる。
本発明によれば、波長分割多重通信を行うことができ、簡便に集積化でき、さらに小型化することが容易な光伝送モジュールを安価に提供することができる。
また、本発明の光伝送モジュールは、前記第1面発光レーザ及び第2面発光レーザの出射光が入射するように配置された光ファイバを有し、前記光ファイバの中心軸と、前記第1面発光レーザ及び第2面発光レーザの各出射口の配置についての前記基準点又は基準線とが、同一線上に位置するように配置されていることが好ましい。
本発明の光伝送モジュールによれば、例えば、前記第1面発光レーザ及び第2面発光レーザの光軸と光ファイバの光軸とを容易に合わせることができ、製造コストを抑えながらコンパクト化を図ることができる。
本発明の光伝送モジュールによれば、例えば、前記第1面発光レーザ及び第2面発光レーザの光軸と光ファイバの光軸とを容易に合わせることができ、製造コストを抑えながらコンパクト化を図ることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下で参照する各図面においては、図面を見易くするために、各構成要素の縮尺を適宜変更して表示している。
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学素子を示す模式断面図である。電気光学素子10は、半導体基板11と、n型DBR(反射層)12と、活性層13A,13Bと、p型DBR(反射層)14A,14Bと、活性層15と、n型DBR(反射層)16と、電流狭窄層18A,18Bと、誘電体ミラー19と、第1電極20と、第2電極21と、第3電極22と、第4電極23と、電流狭窄層28と、誘電体ミラー29と、を有して構成されている。
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学素子を示す模式断面図である。電気光学素子10は、半導体基板11と、n型DBR(反射層)12と、活性層13A,13Bと、p型DBR(反射層)14A,14Bと、活性層15と、n型DBR(反射層)16と、電流狭窄層18A,18Bと、誘電体ミラー19と、第1電極20と、第2電極21と、第3電極22と、第4電極23と、電流狭窄層28と、誘電体ミラー29と、を有して構成されている。
半導体基板11上における左側半分において、n型DBR12、活性層13A、電流狭窄層18A、p型DBR14A、誘電体ミラー19、第1電極20及び第2電極21は、第1波長λ1の光を出射する第1面発光レーザVC1を構成している。また、半導体基板11上における右側半分において、p型DBR14B、活性層15、電流狭窄層28、n型DBR16、誘電体ミラー29と、第3電極22及び第4電極23は、第2波長λ2の光を出射する第2面発光レーザVC2を構成している。
ここで、第1面発光レーザVC1における上部ミラーを構成するp型DBR14Aと、第2面発光レーザVC2における下部ミラーを構成するp型DBR14Bとは、半導体基板11上に形成された共通の積層構造(層)となっている。すなわち、前記共通の積層構造であるp型DBR14A,14Bは、半導体基板11に1つの積層構造(層)として形成された多層膜ミラーであるp型DBRを分割したものである。次に、各構成要素について詳細に説明する。
半導体基板11は、化合物半導体からなり、例えばn型GaAs基板又はn型InP基板で構成される。n型DBR12は、半導体基板11の上層に形成されている。n型DBR12は、屈折率の異なる層を交互に積層した反射層で構成されている。例えばn型DBR12は、n型Al0.9Ga0.1As層とn型Al0.15Ga0.85As層とを交互に積層した40ペアの分布反射型多層膜ミラー(DBRミラー)を構成している。そして、n型DBR12は、第1面発光レーザVC1における下部ミラーとして機能する。
活性層13A,13Bは、n型DBR12の上層に形成されている。活性層13Aは、第1面発光レーザVC1の活性層として機能する。そして、活性層13A,13Bは、例えば厚さ3nmのGaAsのウエル層と厚さ3nmのAl0.3Ga0.7Asのバリア層からなり、そのウエル層が3層で構成されている量子井戸活性層を構成している。
p型DBR14A,14Bは、活性層13A,13Bの上に設けられている。p型DBR14Aは、第1面発光レーザVC1の上部ミラーの一部として機能する。また、p型DBR14Bは、第2面発光レーザVC1の下部ミラーとして機能する。p型DBR14A,14Bは、屈折率の異なる層を交互に積層した反射層で構成されている。例えばp型DBR14Aは、p型Al0.9Ga0.1As層とp型Al0.15Ga0.85As層とを交互に積層した2から3ペアの分布反射型多層膜ミラー(DBRミラー)を構成している。またp型DBR14Bは、p型Al0.9Ga0.1As層とp型Al0.15Ga0.85As層とを交互に積層した25ペアの分布反射型多層膜ミラー(DBRミラー)を構成している。
誘電体ミラー19は、p型DBR14Aの上に設けられている。誘電体ミラー19は、例えばSiO2、Si3N4、TiO2、ポリイミド、エポキシ系樹脂などを多層化したものである。誘電体ミラー19及びp型DBR14Aは、第1面発光レーザVC1の上部ミラーとして機能する。n型DBR12は、Siがドーピングされることによりn型半導体にされている。p型DBR14A,14Bは、Cがドーピングされることによりp型半導体にされている。活性層13A,13Bには、不純物がドーピングされていない。これらにより、n型DBR12、活性層13A及びp型DBR14Aは、pinダイオードを構成している。したがって、n型DBR12、活性層13A、p型DBR14A及び誘電体ミラー19は、波長λ1の光を出射する第1面発光レーザVC1の共振器を構成している。この共振器における活性層13A、p型DBR14A及び誘電体ミラー19は、半導体基板11及びn型DBR12の上面に凸形状に形成された円柱形状の柱部を構成している。なお、n型DBR12も凸形状として、そのn型DBR12における上側の一部を柱部の一部としてもよい。この柱部の上面及び下面が第1面発光レーザVC1のレーザ光出射面となる。
第1電極20は、第1面発光レーザVC1のカソード電極をなすものである。第1電極20は、n型DBR12と電気的に接続されている。第2電極21は、第1面発光レーザVC1のアノード電極をなすものである。第2電極21は、p型DBR14Aと電気的に接続されている。
電流狭窄層18Aは、活性層13Aの上に、ドーナツ形状に形成されている。電流狭窄層18Aは、活性層13Aを通って流れる電流の流路を制限する絶縁領域をなすものである。すなわち、電流狭窄層18Aは、第1面発光レーザVC1の共振器内で流れる電流の流域を狭くして電流密度を向上させるものである。電流密度を高くすることで、低電流でレーザ発振することができる高性能な面発光レーザを構成できる。
活性層15は、p型DBR14Bの上層に形成されている。活性層15は、第2面発光レーザVC2の活性層として機能する。そして、活性層13A,13Bは、例えば厚さ3nmのGaAsのウエル層と厚さ3nmのAl0.3Ga0.7Asのバリア層からなり、そのウエル層が3層で構成されている量子井戸活性層を構成している。
n型DBR16は、活性層15の上に設けられている。n型DBR16は、第2面発光レーザVC2の上部ミラーの一部として機能する。n型DBR16は、屈折率の異なる層を交互に積層した反射層で構成されている。例えばn型DBR16は、n型Al0.9Ga0.1As層とn型Al0.15Ga0.85As層とを交互に積層した2から3ペアの分布反射型多層膜ミラー(DBRミラー)を構成している。
誘電体ミラー29は、n型DBR16の上に設けられている。誘電体ミラー29は、例えばSiO2、Si3N4、TiO2、ポリイミド、エポキシ系樹脂などを多層化したものである。誘電体ミラー29及びn型DBR16は、第2面発光レーザVC2の上部ミラーとして機能する。活性層15は、不純物がドーピングされておらず、p型半導体のp型DBR14Bとn型半導体のn型DBR16で挟まれている。これらにより、p型DBR14B、活性層15及びn型DBR16は、pinダイオードを構成している。したがって、p型DBR14B、活性層15、n型DBR16及び誘電体ミラー29は、波長λ2の光を出射する第2面発光レーザVC2の共振器を構成している。この共振器における活性層15、n型DBR16及び誘電体ミラー29は、半導体基板11及びp型DBR14Bの上面に凸形状に形成された円柱形状の柱部を構成している。なお、p型DBR14Bも凸形状となっており、柱部の一部を構成している。この柱部の上面及び下面が第2面発光レーザVC2のレーザ光出射面となる。
第3電極22は、第2面発光レーザVC2のカソード電極をなすものである。第3電極22は、p型DBR14Bと電気的に接続されている。第4電極23は、第2面発光レーザVC2のアノード電極をなすものである。第4電極23は、n型DBR16と電気的に接続されている。
電流狭窄層28は、活性層15の上に、ドーナツ形状に形成されている。電流狭窄層28は、活性層15を通って流れる電流の流路を制限する絶縁領域をなすものである。すなわち、電流狭窄層15は、第2面発光レーザVC2の共振器内で流れる電流の流域を狭くして電流密度を向上させるものである。電流密度を高くすることで、低電流でレーザ発振することができる高性能な面発光レーザを構成できる。
これらにより、本実施形態の電気光学素子10によれば、第1面発光レーザVC1の上部ミラーの一部をなすp型DBR(反射層)14Aと、第2面発光レーザの下部ミラーをなすp型DBR14Bとが共通の積層構造を有する。換言すれば、p型DBR(反射層)14Aとp型DBR14Bとの半導体基板11からの高さが同一である。そこで、半導体基板の平面を基準として、第1面発光レーザVC1の上部ミラーと第2面発光レーザVC2の下部ミラーとをほぼ同一の高さに配置することができる。したがって、電気光学素子10は、同一基板上において、発光波長の異なる複数の面発光レーザを備えながら、基板平面からの高さを低くすることができる。また、第1面発光レーザVC1のp型DBR(反射層)14Aと第2面発光レーザのp型DBR14Bとが共通の積層構造を有するので、第1面発光レーザVC1の上部ミラーの製造工程と第2面発光レーザVC2の下部ミラーの製造工程とを同時に行うことができ、簡易且つ迅速に製造することができる。
図2は、誘電体ミラーの反射率の測定例を示す図である。誘電体ミラーの反射率特性は、分布反射型多層膜ミラー(DBRミラー)に比べて広く帯域幅を持っている。これにより、面発光レーザの共振器の構成要素として、誘電体ミラーの構造の自由度はDBRミラーに比べておおきく、簡便に、各種波長の面発光レーザを製造できることとなる。したがって、本実施形態の電気光学素子10は、第1面発光レーザVC1及び第2面発光レーザVC2のそれぞれが誘電体ミラー19,29を備えているので、複数の波長の異なる面発光レーザを有しながら、コンパクト化することが容易であり、且つ製造コストを抑えることができる。
また、本実施形態の電気光学素子10はフォトダイオードを有する構成としてもよい。例えば、第1面発光レーザVC1の出射光の一部又は第2面発光レーザVC2の出射光の一部が入射する位置にフォトダイオードを配置する。これにより、第1面発光レーザVC1又は第2面発光レーザVC2の出力をモニタすることができる。このフォトダイオードは、、第1面発光レーザVC1又は第2面発光レーザVC2の上記共通の積層構造を用いて構成することが好ましい。このようにすると、同一基板上に発光波長の異なる複数の面発光レーザを備えた電気光学素子において、基板平面からの高さが増加することを抑えながら、フォトダイオードを備えた構成にすることができる。
(製造方法)
次に、上記電気光学素子10の製造方法について、図1,図3から図8を参照して説明する。図3から図8に示す工程を順次行うことにより、電気光学素子10を製造する。
図3は、結晶成長工程を示す。結晶成長工程では、まずn型のGaAs基板からなる半導体基板11の表面上に、n型DBR12、活性層13、p型DBR14、活性層15及びn型DBR16を、順にMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、またはMBE(Molecular Beam Epitaxy)法を用いて積層するように形成する。これらの各層の構造は、図1で説明したとおりである。
次に、上記電気光学素子10の製造方法について、図1,図3から図8を参照して説明する。図3から図8に示す工程を順次行うことにより、電気光学素子10を製造する。
図3は、結晶成長工程を示す。結晶成長工程では、まずn型のGaAs基板からなる半導体基板11の表面上に、n型DBR12、活性層13、p型DBR14、活性層15及びn型DBR16を、順にMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、またはMBE(Molecular Beam Epitaxy)法を用いて積層するように形成する。これらの各層の構造は、図1で説明したとおりである。
図4は、エッチング工程を示す。この工程では、第1面発光レーザVC1及び第2面発光レーザVC2の各共振器における柱部を形成する。例えば、フォトレジストをマスクとして、ドライエッチング法により、n型DBR16及び活性層15を除去し、円柱形状とする。次いで、フォトレジストをマスクとして、ドライエッチング法により、p型DBR14の一部を除去し、第2面発光レーザVC2の柱部を形成する。次いで、フォトレジストをマスクとして、ドライエッチング法により、p型DBR14の一部、活性層13及びn型DBR12を除去し、p型DBR14A,14B、活性層13A,13Bを形成して、第1面発光レーザVC1の柱部を形成する。これらにより、図4に示すように、第1面発光レーザVC1及び第2面発光レーザVC2の各共振器の柱部が形成される。
このエッチング工程では、各ドライエッチングで大まかにエッチングした後に、ウェットエッチングを施すことによりAl低組成層をきれいに露出させることとしてもよい。Al低組成層を露出させる理由は、第1電極20、第2電極21、第3電極22、第4電極23とその接合対象間において良好なオーミック接合をとるためである。
上記エッチング工程において犠牲層を用いてエッチングする場合は、次のように行う。例えば、上記結晶成長工程において、図3のp型DBR14における所望位置(図1のp型DBR14Aの上面に相当する位置)に犠牲層を形成しておく。犠牲層の膜厚は、(λ1)/4の奇数倍とする。ここで、λ1は、第1面発光レーザVC1の波長である。また犠牲層は例えばAlGaAsで構成し、その犠牲層の上層及び下層はAlの低組成層としておく。
次いで、エッチングにより、n型DBR16及び活性層15を除去し、円柱形状とする。次いで、所望位置(図1のp型DBR14Aの側面に相当する位置)の周囲に溝を掘る。この溝の深さは、少なくとも上記犠牲層に到達する深さとする。次いで、上記溝にエッチング液を注入して、犠牲層を除去する。これにより、図1のp型DBR14Aの上面まで、高精度にエッチングすることができる。この犠牲層を除去するエッチングでは、第2面発光レーザVC2の柱部(n型DBR16、活性層15、p型DBR14B及び活性層13B)内の犠牲層がエッチングされないように、その第2面発光レーザVC2の柱部の全体を保護レジストで覆っておく。
図5は、電流狭窄層形成工程を示している。図4に示すように柱部が形成された半導体基板11を400℃前後の水蒸気にさらすことにより、活性層13A上のp型DBR14Aの一部及び活性層13B上のp型DBR14Bの一部を、柱部の側面から酸化し、電流狭窄層18A,18Bを形成する。電流狭窄層18A,18Bは、酸化アルミニウムが主成分の絶縁性の層となっている。p型DBR14は、結晶成長工程で、活性層13近傍の層がアルミニウムの含有率の高いGaAlAs結晶を形成している。
図6は、絶縁層形成工程を示す。絶縁層31,32(図1では図示せず)として、ポリイミド、Si3N4、SiO2等を用いる。半導体基板11上の形成された柱部の側面を覆うように液状のポリイミド、Si3N4、SiO2等を使用し、柱部の側面に絶縁層31,32を形成する。絶縁層31,32は、図1に示す第1電極20、第2電極21、第3電極22及び第4電極23の相互間で短絡が生じるのを防ぐものである。
図7は、電極形成工程を示す。第1電極20及び第4電極23として、n型のオーミック接合ができる金属層を形成する。同じn型の導電性を有する電極であるので、第1電極20及び第4電極23は同じ工程で形成することができる。第1電極20及び第4電極23のパターン形成は、リフトオフ法またはドライエッチング法を用いる。
リフトオフ法を用いる場合には、まずフォトリソグラフィ法を用いてフォトレジスト(図示せず)をパターン形成する。フォトレジストは、第1電極20及び第4電極23が形成される部分が開口されたパターンを有する。次に、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて、n型のオーミック接合ができる金属層を形成する。この金属層を形成した後、フォトレジストを金属層とともに除去することにより、フォトレジストが形成されていない部分にのみ金属層、すなわち第1電極20及び第4電極23が残ることになる。その後、約400℃で熱処理を行い、n型DBR12又はn型DBR16とオーミック接合を形成する。
ドライエッチング法では、先に金属層を形成してから、第1電極20及び第4電極23を形成する領域にフォトレジストを形成する。次に金属層をドライエッチングして第1電極20及び第4電極23以外の金属層を除去する。その後、フォトレジストを剥離する。
なお、本実施形態では、第2電極21と第3電極22を同じ工程で形成しているが、例えば、第1電極20と第4電極23とを違う導電性を有する電極として形成する場合は、それぞれ別工程で形成する。
次いで、第2電極21及び第3電極22として、p型のオーミック接合ができる金属層を形成する。同じp型の導電性を有する電極であるので、第2電極21及び第3電極22は同じ工程で形成することができる。第2電極21及び第3電極22のパターン形成は、上記第1電極20及び第4電極23のパターン形成工程と同様にして形成できる。
図8は、誘電体ミラー形成工程を示す。本工程では、p型DBR14Aの上面に誘電体ミラー19を形成し、同時に、n型DBR16の上面に誘電体ミラー29を形成する。具体的には、例えばイオンアシスト蒸着装置とマスク蒸着法を用いて、TiO2/SiO2からなる複数周期のDBRを形成し、これを誘電体ミラー19,29とする。これにより同一構成の誘電体ミラー19及び誘電体ミラー29を同時に形成することができる。したがって、製造時間を短縮しながら、製造コストを下げることができる。これらにより、本実施形態の電気光学素子10が完成する。また、誘電体ミラー29を形成したくない場所に、レジストをパターニングして、誘電体ミラーを基板全面に形成してリフトオフ法を用いて誘電体ミラー29を形成することもできる。
[第2実施形態]
図9は、本発明の第2実施形態に係る電気光学素子を示す模式平面図である。図10は図9に示す電気光学素子の模式断面図である。図9及び図10において、図1の電気光学素子の構成要素と同一のものには同一符号を付けている。
図9は、本発明の第2実施形態に係る電気光学素子を示す模式平面図である。図10は図9に示す電気光学素子の模式断面図である。図9及び図10において、図1の電気光学素子の構成要素と同一のものには同一符号を付けている。
本実施形態の電気光学素子10Aは、1つの半導体基板11上に、それぞれ波長の異なる4つの面発光レーザVC1,VC2,VC3,VC4を配置している。面発光レーザVC1,VC2は、図1の電気光学素子10の面発光レーザVC1,VC2と同一構成である。したがって、電気光学素子10Aは、図1の電気光学素子10に面発光レーザVC3,VC4を追加した構成となっている。
面発光レーザVC3は、活性層15上に形成されたn型DBR16と、n型DBR16上に形成された活性層13’Aと、活性層13’A上に形成されたp型DBR14’Aと、p型DBR14’A上に形成された誘電体ミラー39と、第5電極24と、第6電極25とを有している。このような面発光レーザVC3は、n型DBR16が下部ミラーとして機能し、p型DBR14’A及び誘電体ミラー39が上部ミラーとして機能し、波長λ3の光を出射する。
面発光レーザVC4は、活性層15上に形成されたn型DBR16と、n型DBR16上に形成された活性層13’Bと、活性層13’B上に形成されたp型DBR14’Bと、p型DBR14’B上に形成された活性層15’と、活性層15’上に形成されたn型DBR16’と、誘電体ミラー49と、第7電極26と、第8電極27とを有している。このような面発光レーザVC4は、p型DBR14’Bが下部ミラーとして機能し、n型DBR16’及び誘電体ミラー49が上部ミラーとして機能し、波長λ4の光を出射する。
電気光学素子10Aの特徴は次の構成である。図1の電気光学素子10と同様に、第1面発光レーザVC1における上部ミラーを構成するp型DBR14Aと、第2面発光レーザVC2における下部ミラーを構成するp型DBR14Bとは、半導体基板11上に形成された共通の積層構造(層)となっている。さらに、第3面発光レーザVC3における上部ミラーを構成するp型DBR14’Aと、第2面発光レーザVC2における下部ミラーを構成するp型DBR14’Bとは、半導体基板11上に形成された共通の積層構造(層)となっている。
これらにより、本実施形態の電気光学素子10Aは、1つの半導体基板11上において発光波長の異なる4つの面発光レーザVC1,VC2,VC3,VC4を備えながら、基板平面からの高さを低くすることができ、簡易且つ迅速に製造することができる。
また、電気光学素子10Aにおいて、誘電体ミラー19,29,39,49は、それぞれ同一構造であることが好ましい。このようにすると、誘電体ミラー19,29,39,49を1つの工程により同時に形成でき、より簡便に製造することができる。
また、電気光学素子10Aにおいて、各面発光レーザVC1,VC2,VC3,VC4における半導体基板11に近い方の電極である第1電極20、第3電極22、第5電極24及び第7電極26は、相互に、同一の電位となるように電気的に接続されていることが好ましい。このように、各面発光レーザVC1,VC2,VC3,VC4の下側電極を共通電極とすることにより、各面発光レーザの下側電極よりも下層側(基板側)に形成された層が、各面発光レーザの共振器構造のいずれかに悪影響を及ぼすことを回避することができる。
[第3実施形態]
図11は、本発明の第3実施形態に係る電気光学素子を示す模式平面図である。図11において、図9及び図10の電気光学素子の構成要素と同一のものには同一符号を付けている。
図11は、本発明の第3実施形態に係る電気光学素子を示す模式平面図である。図11において、図9及び図10の電気光学素子の構成要素と同一のものには同一符号を付けている。
本実施形態の電気光学素子10Bは、図9及び図10に示す電気光学素子10Aの平面形状を変えたものである。すなわち、図9及び図10に示す電気光学素子10Aは4つの面発光レーザVC1,VC2,VC3,VC4の柱部(出射口)を直線上に等間隔で配置した構成となっている。一方、電気光学素子10Bでは、各面発光レーザVC1,VC2,VC3,VC4の柱部(出射口)が基準点Oに対して対称となる位置に配置されている。なお、図11において、第1面発光レーザVC1の出射口はp型DBR14Aの位置にあり、第2面発光レーザVC2の出射口はn型DBR16の位置にあり、第3面発光レーザVC3の出射口はp型DBR14’Aの位置にあり、第4面発光レーザVC4の出射口はn型DBR16’の位置にある。
これらにより、本実施形態の電気光学素子10Bによれば、例えば、基準点Oを、光ファイバ等の光伝播路の光軸(例えば光ファイバの中心軸)上に合わせることにより、各面発光レーザVC1,VC2,VC3,VC4の光軸を光伝播路の受光口内に配置することが可能となる。したがって、電気光学素子10Bは、各面発光レーザVC1,VC2,VC3,VC4と光伝播路との光結合を簡便な工程で実行できる。そこで、電気光学素子10Bを用いることにより、伝送容量が大きく、コンパクトであり、且つ安価な光伝送モジュールを提供することが可能となる。また、誘電体ミラー29の上に液滴吐出法で形成したマイクロレンズを設けることによりファイバーとの結合効率さらに向上することができる。
[光伝送モジュール]
図12に、本実施形態の電気光学素子を用いた光伝送モジュールの一例を示す。光伝送モジュールとしてのOSA(Optical Sub−Assembly)100は、システム101の上に、上記で説明した電気光学素子10(又は電気光学素子10A,10B)が取り付けられている。また、電気光学素子10の上方で、かつ電気光学素子10の光軸上に、レンズ103が配置されている。また、システム101の台から光ファイバ104の一部まで、外部の環境から電気光学素子10等を保護するために、カバー102が形成されている。また、レンズ103の光軸上に光ファイパ104が配置されている。また、本実施形態では、カバー102は、樹脂製であり、レンズ103と一体で形成されている。
図12に、本実施形態の電気光学素子を用いた光伝送モジュールの一例を示す。光伝送モジュールとしてのOSA(Optical Sub−Assembly)100は、システム101の上に、上記で説明した電気光学素子10(又は電気光学素子10A,10B)が取り付けられている。また、電気光学素子10の上方で、かつ電気光学素子10の光軸上に、レンズ103が配置されている。また、システム101の台から光ファイバ104の一部まで、外部の環境から電気光学素子10等を保護するために、カバー102が形成されている。また、レンズ103の光軸上に光ファイパ104が配置されている。また、本実施形態では、カバー102は、樹脂製であり、レンズ103と一体で形成されている。
システム101のピンを介して、電気光学素子10の第1電極20と第2電極21間及び第3電極22と第4電極23間に電圧を印加すると、電気光学素子10(第1面発光レーザVC1及び第2面発光レーザVC2)が駆動する。電気光学素子10から放出された光(λ1,λ2)はレンズ103に到達する。到達した光は、レンズ103で集光され、光ファイバ104へ入射する。
これらにより、本実施形態のOSA100は、電気光学素子10を備えているので、波長分割多重通信を行うことができ、簡便に集積化でき、容易に小型化することできながら製造コストを低減することもできる。
[光伝達装置]
図13は、本発明の実施形態に係る電気光学素子10(又は電気光学素子10A,10B)を有してなる光伝達装置を示す図である。光伝達装置200は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器202を相互に接続するものである。電子機器202は、情報通信機器であってもよい。光伝達装置200は、ケーブル204の両端にプラグ206が設けられたものであってもよい。ケーブル204は、光ファイバを含む。プラグ206は、図1に示す電気光学素子10(又は電気光学素子10A,10B)を内蔵する。プラグ206は、半導体チップをさらに内蔵してもよい。
図13は、本発明の実施形態に係る電気光学素子10(又は電気光学素子10A,10B)を有してなる光伝達装置を示す図である。光伝達装置200は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器202を相互に接続するものである。電子機器202は、情報通信機器であってもよい。光伝達装置200は、ケーブル204の両端にプラグ206が設けられたものであってもよい。ケーブル204は、光ファイバを含む。プラグ206は、図1に示す電気光学素子10(又は電気光学素子10A,10B)を内蔵する。プラグ206は、半導体チップをさらに内蔵してもよい。
ケーブル204の一方の端部に設けられたプラグ206は上述の実施形態に係る電気光学素子10を内蔵し、ケーブル204の他方の端部に設けられたプラグ206は受光素子を内蔵することとしてもよい。このようなケーブル204及びプラグ206を2組用いることにより、双方向通信をすることができる。すなわち、電子機器202から出力された電気信号は、ケーブル204の一方端部のプラグ206において光信号に変換される。この光信号は、ケーブル204を通りそのケーブル204の他方端部のプラグ206において電気信号に変換される。この電気信号は、他方端部のプラグ206が接続されている電子機器202に取り込まれる。同様にして、逆方向への信号伝送も行われる。こうして、本実施形態に係る光伝達装置200によれば、光信号を用いて、電子機器202間において情報伝達を行うことができる。
[光伝達装置の使用形態]
図14は、図13に示す光伝達装置の使用形態を示す図である。光伝達装置212は、図13の光伝達装置200に相当するものである。光伝達装置212は、電子機器210間を接続する。電子機器210として、液晶表示モニタ又はディジタル対応のCRT(金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。)、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、ディジタルTV、小売店のレジ(POS(Point of Sale Scanning)用)、ビデオ、チューナ、ゲーム装置、プリンタ等が挙げられる。
図14は、図13に示す光伝達装置の使用形態を示す図である。光伝達装置212は、図13の光伝達装置200に相当するものである。光伝達装置212は、電子機器210間を接続する。電子機器210として、液晶表示モニタ又はディジタル対応のCRT(金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。)、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、ディジタルTV、小売店のレジ(POS(Point of Sale Scanning)用)、ビデオ、チューナ、ゲーム装置、プリンタ等が挙げられる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
例えば、上記実施形態において、各半導体層におけるp型とn型とを入れ替えても本発明の趣旨を逸脱するものではない。また、本発明に係る電気光学素子は、光を用いる電子機器などに対して広く適用できる。すなわち、本発明に係る電気光学素子を備えた応用回路又は電子機器としては、光インターコネクション回路、光ファイバ通信モジュール、レーザプリンタ、レーザビーム投射器、レーザビームスキャナ、リニアエンコーダ、ロータリエンコーダ、変位センサ、圧力センサ、ガスセンサ、血液血流センサ、指紋センサ、高速電気変調回路、無線RF回路、携帯電話、無線LANなどが挙げられる。
10,10A,10B…電気光学素子、11…半導体基板、12…n型DBR、13A,13B,13’A,13’B…活性層、14A,14B,14’A,14’B…p型DBR、15,15’…活性層、16,16’…n型DBR、18A,18B…電流狭窄層、19,29,39,49…誘電体ミラー、20…第1電極、21…第2電極、22…第3電極、23…第4電極、24…第5電極、25…第6電極、26…第7電極、27…第8電極、28…電流狭窄層、100…光伝送モジュール、101…システム、102…カバー、103…レンズ、104…光ファイバ、VC1,VC2,VC3,VC4…面発光レーザ
Claims (9)
- 基板と、
前記基板に形成されており第1波長の光を出射する第1面発光レーザと、
前記基板に形成されており第2波長の光を出射する第2面発光レーザと、
前記第1面発光レーザの共振器の構成要素である第1誘電体ミラーと、
前記第2面発光レーザの共振器の構成要素である第2誘電体ミラーと、を有し、
前記第1面発光レーザの共振器における上部ミラーと前記第2面発光レーザの共振器における下部ミラーとは、共通の積層構造を有することを特徴とする電気光学素子。 - 前記共通の積層構造は、前記基板に1つの積層構造として形成された多層膜ミラーを分割したものであることを特徴とする請求項1に記載の電気光学素子。
- 前記第1誘電体ミラーと第2誘電体ミラーとは、同一構造であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学素子。
- 前記第1面発光レーザにおける基板に近い方の電極である第1下側電極と、前記第2面発光レーザにおける基板に近い方の電極である第2下側電極とは、同一の電位となるように電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学素子。
- 前記共通の積層構造を有して構成されるフォトダイオードを有することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学素子。
- 前記フォトダイオードが前記第1面発光レーザ又は第2面発光レーザの出射光の一部を受光するように構成されていることを特徴とする請求項5に記載の電気光学素子。
- 前記第1面発光レーザの出射口と第2面発光レーザの出射口とは、所定の基準点又は基準線に対して対称となる位置に配置されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の電気光学素子。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載の電気光学素子を有して構成されていることを特徴とする光伝送モジュール。
- 前記第1面発光レーザ及び第2面発光レーザの出射光が入射するように配置された光ファイバを有し、
前記光ファイバの中心軸と、前記第1面発光レーザ及び第2面発光レーザの各出射口の配置についての前記基準点又は基準線とが、同一線上に位置するように配置されていることを特徴とする請求項8に記載の光伝送モジュール。
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JP2020161554A (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子アレイチップ、発光装置、光学装置および情報処理装置 |
-
2005
- 2005-09-16 JP JP2005269902A patent/JP2007081282A/ja not_active Withdrawn
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