JP2018026479A - 発光素子アレイ、及び光伝送装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1、図2及び図10を参照して、本実施の形態に係る発光素子アレイ100について説明する。図1は、発光素子アレイ100の平面図を示している。図2(a)は発光素子アレイ100の発光部、受光部を説明する平面図であり、図2(b)は図2(a)におけるA−A’で切断した断面図である。図10は、発光素子アレイ100における遮光部を備えていない比較例に係る発光素子アレイ900を示した図である。なお、本実施の形態では発光素子アレイの基本的な構成を説明するために、2つの発光素子が形成された発光素子アレイを例示して説明するが、発光素子の個数は用途等に応じて必要な数だけ形成してよい。
p側電極配線36の他端側はメサMの側面から基板12の表面まで延伸され、p側電極パッド42−1を構成している。p側電極配線36は、例えば、Ti(チタン)/Au(金)の積層膜を着膜して形成される。なお、以下ではp側電極パッド42−1及びp側電極パッド42−2(図3(b)参照)を総称する場合は、「p側電極パッド42」という。
発光素子10では、p側電極がアノード電極を構成している。
その後、エッチング加工により露出したメサ形状の側面やエッチングされた半導体表面は、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜などの絶縁材料によって覆われるのが一般的である。
図5を参照して、本実施の形態に係る発光素子アレイ200について説明する。発光素子アレイ200は、GaAsの基板202上に複数の発光素子10が形成されている。図5では発光素子10A、10B、10C、10Dの4個の発光素子10を配列させた形態を例示しているが、発光素子10の個数は4個に限られず用途等に応じて必要な個数としてよい。なお、図5では煩雑さを避けるため、電極パッドの符号について発光素子10Aのp側電極パッド42−1A及びn側電極パッド44−1A、発光素子10Dのp側電極パッド42−2D及びn側電極パッド44−2Dのみ示し、他の電極パッドの符号を省略している。
図6を参照して、本実施の形態に係る発光素子アレイ300について説明する。発光素子アレイ300は、GaAsの基板302上に複数の発光素子10が形成されている。図6では発光素子10A、10B、10C、10Dの4個の発光素子10を配列させた形態を例示しているが、発光素子10の個数は4個に限られず用途等に応じて必要な個数としてよい。なお、図6では煩雑さを避けるため、電極パッドの符号について発光素子10Aのp側電極パッド42−1A及びn側電極パッド44−1A、発光素子10Dのp側電極パッド42−2D及びn側電極パッド44−2Dのみ示し、他の電極パッドの符号を省略している。
図7を参照して、本実施の形態に係る発光素子アレイ400について説明する。発光素子アレイ400は、各々GaAsの基板上に形成された単体の発光素子10を、複数個実装基板上にアレイ状に配置して構成されている。図7では発光素子10A、10B、10C、10Dの4個の発光素子10を配列させた形態を例示しているが、発光素子10の個数は4個に限られず用途等に応じて必要な個数としてよい。なお、図7では煩雑さを避けるため、電極パッドの符号について発光素子10Aのp側電極パッド42−1A及びn側電極パッド44−1A、発光素子10Dのp側電極パッド42−2D及びn側電極パッド44−2Dのみ示し、他の電極パッドの符号を省略している。
図8を参照して、本実施の形態に係る光伝送装置500について説明する。図8は、本実施の形態に係る光伝送装置500の構成の一例を示す断面図である。光伝送装置500は、モノリシック型の発光素子アレイ550を用いた光伝送装置であり、4チャンネルの光並列伝送装置である。すなわち、光伝送装置500は、GaAsの基板502上にモノリシックに形成された4個の発光素子10A、10B、10C、10Dを含む発光素子アレイ550、ステム514、キャップ510、筐体512を含むパッケージ、フェルール516、光ファイバ518A、518B、518C、及び518D(以下、総称する場合は「光ファイバ518」)を含む光結合部を備えている。
図9を参照して、本実施の形態に係る光伝送装置600について説明する。光伝送装置600は、上記の光伝送装置500における発光素子アレイ550を発光素子アレイ650に置き換えた形態である。従って、光伝送装置500と同様の構成には同じ符号を付し詳細な説明を省略する。
12 基板
14 コンタクト層
16 下部DBR
18 境界
24、24A、24B 活性領域
26 上部DBR
30 n側電極配線
32 酸化狭窄層
32a 非酸化領域
32b 酸化領域
34 層間絶縁膜
36 p側電極配線
38 出射面保護層
40 結合部
42、42−1、42−1A、42−1B、42−2、42−2A、42−2B p側電極パッド
44、44−1、44−1A、44−1B、44−2、44−2A、44−2B n側電極パッド
50、50A、50B、50C、50D 発光部
52、52A、52B、52C、52D 受光部
60 電流阻止領域
100 発光素子アレイ
104 遮光部
200 発光素子アレイ
202 基板
204 遮光用ポスト
206 実装基板
300 発光素子アレイ
302 基板
304、304−1、304−2、304−3 遮光用ポスト
306 実装基板
400 発光素子アレイ
402、402A、402B、402C、402D 基板
404、404−1、404−2、404−3、404−4 遮光用ポスト
406 実装基板
500 光伝送装置
502 基板
504−1、504−2、504−3 遮光用ポスト
508A、508B、508C、508D ボールレンズ
510 キャップ
512 筐体
514 ステム
516 フェルール
518、518A、518B、518C、518D 光ファイバ
550 発光素子アレイ
600 光伝送装置
602A、602B、602C、602D 基板
604−1A、604−1B、604−1C、604−1D、604−2A、604−2B、604−2C、604−2D 遮光用ポスト
650 発光素子アレイ
800 発光素子
802 基板
804 下部DBR
806 活性領域
808 上部DBR
810 p側電極配線
812 裏面電極
900 発光素子アレイ
LA、LB 漏れ光
Iv 駆動電流
Im モニタ電流
Lo 出射光
Lv 発振光
Lm 伝播光
M、M1、M1A、M1B、M1C、M1D、M2、M2A、M2B、M2C、M2D メサ
Claims (10)
- それぞれが、発光部と当該発光部から半導体層を介して横方向に伝播する光を受光する受光部とを有する複数の半導体積層構造体と、
前記複数の半導体積層構造体の間に設けられ、一の半導体積層構造体の発光部から他の半導体積層構造体の受光部に向かう光を遮る遮光部と、
を備える発光素子アレイ。 - 前記遮光部は、前記複数の半導体積層構造体を構成する半導体層と共通の半導体層で構成されている
請求項1に記載の発光素子アレイ。 - 前記複数の半導体積層構造体は前記発光部における発光作用を奏する活性領域を含み、 前記遮光部の前記複数の半導体積層構造体の積層方向の高さは、前記活性領域の前記複数の半導体積層構造体の積層方向の高さ以上である
請求項1又は請求項2に記載の発光素子アレイ。 - 前記遮光部の前記複数の半導体積層構造体の積層方向の高さは、前記複数の半導体積層構造体の高さの1/2以上の高さである
請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発光素子アレイ。 - 前記遮光部の表面には遮光層が形成されている
請求項1〜請求項4いずれか1項に記載の発光素子アレイ。 - 前記受光部は、横方向に伝播する光を前記受光部が受光して発生した電流を電圧に変換する電流−電圧変換部を含む
請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の発光素子アレイ。 - 前記遮光部の平面視での長さは、前記発光部の平面視での長さ、又は前記受光部の平面視での長さより長い
請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の発光素子アレイ。 - 前記遮光部の平面視での長さは、前記発光部の平面視での長さと前記受光部の平面視での長さとを合わせた長さより長い
請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の発光素子アレイ。 - 前記遮光部は、複数の半導体積層構造体の各々を囲んで設けられている
請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の発光素子アレイ。 - 請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の発光素子アレイと、
複数の前記発光部を変調する変調手段と、
前記変調手段により変調され複数の前記発光部から出射した出射光の各々を伝送する複数の光ファイバと、
を備える光伝送装置。
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