JPH1065279A - 側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ - Google Patents

側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ

Info

Publication number
JPH1065279A
JPH1065279A JP9187248A JP18724897A JPH1065279A JP H1065279 A JPH1065279 A JP H1065279A JP 9187248 A JP9187248 A JP 9187248A JP 18724897 A JP18724897 A JP 18724897A JP H1065279 A JPH1065279 A JP H1065279A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vertical cavity
surface emitting
cavity surface
emitting laser
integrated photodetector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9187248A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3801311B2 (ja
Inventor
Jian Uenbin
ウェンビン・ジアン
Shie Chiyannron
チャン−ロン・シェ
S Rebii Michael
マイケル・エス・レビー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of JPH1065279A publication Critical patent/JPH1065279A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3801311B2 publication Critical patent/JP3801311B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/3004—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region employing a field effect structure for inducing charge-carriers, e.g. FET
    • H01S5/3009—MIS or MOS conffigurations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
    • H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
    • H01S5/2063—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by particle bombardment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造工程の簡略化とコスト低減を図った側設
一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザおよびそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 垂直空洞面放出レーザ（ＶＣＳＥＬ）
は、第１および第２ミラー・スタックを有し、エピタキ
シャル層成長技法を用いて活性領域を形成する。側設光
検出器は、エピタキシャル成長層において一体化されて
形成され、これによって、側設一体化光検出器を有する
ＶＣＳＥＬが提供される。ＶＣＳＥＬおよび光検出器間
のエピタキシャル成長層内に分離領域が形成され、ＶＣ
ＳＥＬと光検出器を分離している。一体化ＶＣＳＥＬお
よび側設光検出器は、反射レーザ放出光を監視すること
によって、ＶＣＳＥＬのレーザ・パワー出力を監視し、
更にフィードバックを用いて特定のレーザ・パワー出力
を維持することによって、自動パワー制御（ＡＰＣ）が
可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は垂直空洞面放出レー
ザに関し、更に特定すれば、垂直空洞面放出レーザの動
作の監視および制御に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】垂直空洞面放出レーザ（ＶＣＳＥＬ）お
よび端面放出レーザ(edge emitting laser) 等の半導体
レーザはよく知られており、様々な構成に形成されてい
る。事実上全てのＶＣＳＥＬの構成において基本となる
のは、２個のミラー・スタック(mirror stack)間に挿入
された活性領域である。この２個のミラー・スタックお
よび活性領域に電流を駆動することによって、レーザを
活性化(activate)する。通常、これを行うには、レーザ
の一端にあるミラー・スタック全体に第１電極を、また
レーザの他端にある他方のミラー・スタック全体に第２
電極を配置する。電極の内一方は、概略的に、光が放出
される中央の開口を規定する。
【０００３】ＶＣＳＥＬのような発光素子の自動パワー
制御(automatic power control) （ＡＰＣ）を行うこと
によって、これらの素子は一定しかつ一貫した出力の維
持が可能となる。通常、端面放出レーザ素子の自動パワ
ー制御は容易に達成されるが、これは端面放出素子が２
端部から光を放出するからである。このため、放出端部
の内一方を用いてパワー出力を測定し、この後これを用
いて端面放出素子に対するパワー入力を調整することに
より、パワー出力を調整する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＶＣＳ
ＥＬは通常単一面のみから光を放出するので、ＶＣＳＥ
Ｌの自動パワー制御（ＡＰＣ）は困難な課題であり、こ
のため、出力の測定およびその後の調整も困難な課題と
なる。従来、この作業を行うために、ＶＣＳＥＬからの
放出光路に、フォトダイオード，ミラー，ビーム・スプ
リッタ等の様々な光学素子を手作業で配置している。光
学素子を手作業で配置することにより、高製造コスト，
再現性の欠如，および粗末な品質管理等、いくつかの問
題または欠点が生るため大量生産に支障を来たす。
【０００５】従来のＶＣＳＥＬのＡＰＣは種々の欠点お
よび問題を有するので、大量生産の用途における製造が
不可能であることは容易に理解できよう。よって、一体
化されたＶＣＳＥＬおよび光検出器、ならびにその製造
工程の簡略化とコスト低減および信頼性向上を図った製
造方法を得ることができれば、極めて有益であろう。従
って、従来技術に固有の前述およびその他の欠点を排除
することができれば、極めて有益であろう。よって、本
発明の目的は、一体化されたＶＣＳＥＬおよび光検出器
を提供することである。
【０００６】本発明の別の目的は、ＶＣＳＥＬおよび光
検出器、即ち、フォトダイオードの一体構造において、
ＶＣＳＥＬのエピタキシャル成長層内において横方向に
フォトダイオードが形成された構造を提供することであ
る。
【０００７】本発明の更に別の目的は、製造工程中にお
けるＶＣＳＥＬおよびフォトダイオードの整合に関する
問題を解決する、一体化ＶＣＳＥＬおよびフォトダイオ
ードを提供することである。
【０００８】また、本発明の更に別の目的は、組立が非
常に簡単で、大量生産に適しており、製造コスト低減を
図った一体化ＶＣＳＥＬおよびフォトダイオードを提供
することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述およびその他の問題
の実質的な解決、ならびに上述およびその他の目的の実
現は、垂直空洞面放出レーザ（ＶＣＳＥＬ）のような半
導体レーザ、およびかかる半導体レーザのパワー出力を
監視するように機能するフォトダイオードのような側設
一体化光検出器(laterally integrated photodetector)
において達成される。側設一体化光検出器は、ＶＣＳＥ
Ｌを形成する複数の層のエピタキシャル成長において、
またはかかる成長間に製造される。ＶＣＳＥＬの出力を
監視することにより、フィードバックを用いて、ＶＣＳ
ＥＬの一貫した制御を維持することが可能となる。
【００１０】更に、上述およびその他の問題は実質的な
解決、ならびに上述およびその他の目的の実現は、実現
垂直空洞面放出レーザ（ＶＣＳＥＬ）のような半導体レ
ーザおよび側設一体化光検出器の製造方法において達成
される。かかる方法は、ＶＣＳＥＬをエピタキシャル成
長によって製造する段階，プロトン・インプラント(pro
ton implant)および／または分離溝(isolation trench)
のような分離規定素子(defining isolation device) に
を用い、ＶＣＳＥＬと同じエピタキシャル成長層を用い
て、横側に配置した光検出器を製造および規定する段階
を含む。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下図面を参照しながら本発明の
実施例を説明するが、まず図１に注目すると、概略的に
１０として示す垂直空洞面放出レーザ（ＶＣＳＥＬ）が
示されている。ＶＣＳＥＬ１０は、第１ミラー・スタッ
ク１１，第１クラッド層(cladding layer)１３，活性層
１４（１個かそれ以上の量子井戸等），および第２クラ
ッド層１５を有する活性領域１２，ならびに第２ミラー
・スタック１７を含み、これらによって、光が生成され
通過する光路が規定される。第２ミラー・スタック１７
は、エッチングまたは選択的堆積により、メサ型構造(m
esa-like structure) またはリッジ状構造(ridge-like
structure)を形成する。この開示から、平面ＶＣＳＥＬ
構造(planar VCSEL structure)を用いた別の実施例も予
想される。これは典型的に同様の方法で製造され、第１
ミラー・スタック内にプロトン・インプラントを含むこ
とによって、平面ＶＣＳＥＬからの光放出のための電流
路が規定される。このプロトン・インプラントを設ける
ことは、上述のメサ型構造における第２ミラー・スタッ
ク１７のエッチングまたは選択的堆積に相当する。
【００１２】電気接点２０は、第２ミラー・スタック１
７の少なくとも上端部に接触するように形成されてい
る。電気接点２０は、ＶＣＳＥＬ１０から第２ミラー・
スタック１７を通した光の放出のためのウィンドウ２２
を規定する。第１ミラー・スタック１１の下面、典型的
に、素子が形成されている基板２６とは逆側の表面に、
第２電気接点２４を配置する。
【００１３】接点２０，２４を通じて印加される動作電
圧によって、ＶＣＳＥＬ１０を通る電流が発生し、これ
が、既知のようなレージング作用(lasing action) を起
こす。通常、電気接点２０は第２ミラー・スタック１７
の表面上に配置されているので、電流は第２ミラー・ス
タック１７のメサ型構造全体を流れ、レージングは、電
流が流れる領域全てにおいて維持される。光学モードの
範囲外の電流は無駄になり、ＶＣＳＥＬの適切な動作を
妨害することもあるので、典型的に、メサの直径寸法
（および、プレーナＶＣＳＥＬ構造のプロトン・インプ
ラントにより規定される放出領域）はＶＣＳＥＬの動作
モードに依存しており、この直径は動作のモードと厳密
に一致させる。このように、電流は概ね動作モードに限
定される。次に図２ないし図６を参照するが、図２ない
し図４においては、ＶＣＳＥＬ素子はリッジ状またはメ
サ型のＶＣＳＥＬ３０によって表わされ、また図５およ
び図６においては、ＶＣＳＥＬ素子はプレーナＶＣＳＥ
Ｌ６０によって表されていることを注記しておく。図２
に移ると、本発明を具体化したメサ型の垂直空洞面放出
レーザ（ＶＣＳＥＬ）３０が示されている。ＶＣＳＥＬ
３０は、第１ミラー・スタック３１，活性領域３２，お
よび第２ミラー・スタック３７を含む。第２ミラー・ス
タック３７は、エッチングまたは選択的堆積により、上
述のようなメサ型構造を形成する。あるいは、ＶＣＳＥ
Ｌ３０は、フォトリソグラフィ，エッチング，リフト・
オフ(lift-off)，またこれらの組み合わせ等、従来技術
において既知である適切な方法のいずれかにより、メサ
型構造に形成する。第２ミラー・スタック３７において
メサ型構造を規定することにより、第２ミラー・スタッ
ク３２において光路が規定され、これが活性領域即ち領
域３２で形成された光を反射し、かつ誘導する。
【００１４】側設光検出器(lateral photodetector) ４
０は、ＶＣＳＥＬ３０の周囲にまたはこれに隣接して形
成されており、第１ミラー・スタック３１に対応する第
１ミラー・スタック４１，活性領域３２に対応する活性
領域４２，および第２ミラー・スタック３７に対応する
第２ミラー・スタック４４を含む。本実施例では、側設
光検出器４０は、ＶＣＳＥＬ３０に一体化され、更にこ
れと同時に形成される。即ち、第１ミラー・スタック４
１，活性領域４２，および第２ミラー・スタック４４
は、第１ミラー・スタック３１，活性領域３２，および
第２ミラー・スタック３７と概ほぼ同一である。電気接
点４６は光検出器４０の第２ミラー・スタック４４の少
なくとも上端部に接触するように形成されており、電気
接点４９はＶＣＳＥＬ３０の第２ミラー・スタック３７
の少なくとも上端部に接触するよう形成され、ＶＣＳＥ
Ｌ３０の放出領域を規定する。基板５０の下面に、第２
電気接点４８が配置されている（以下で説明する）。光
検出器４０は、分離領域５３によって、ＶＣＳＥＬ３０
から分離されている。更に特定すれば、分離領域５３
は、エッチング，分離溝、あるいはＶＣＳＥＬ３０の周
囲にまたはこれに隣接して形成されているプロトン・イ
ンプラント５１である。プロトン・インプラント５１
は、ＶＣＳＥＬ３０から拡散する横方向電流を遮断およ
び／または吸収することにより、光検出器４０が規定さ
れ、ＶＣＳＥＬ３０から分離される。オプションとし
て、更に光検出器４０を規定するため、この他に分離溝
５２を設ける。あるいは、図３に示すように、複数の離
間したプロトン・インプラント５１’を設けることによ
り、プロトン・インプラント５１’相互間の領域５４を
規定する。図２に示す素子と同様の素子には全て同様の
数字を付するが、異なる実施例であることを示すために
ダッシュ（’）を追加することを注記しておく。図示の
ように、規定領域５４は、動作の間、ＶＣＳＥＬ３０’
を外側光検出器４０’から更に分離するように機能す
る。より具体的には、規定領域５４は、２つの能動素子
３０’，４０’間の吸収領域として機能し、ＶＣＳＥＬ
３０’からの横方向の自然放出を吸収する。
【００１５】次に図４を参照すると、本発明の好適な一
体化ＶＣＳＥＬ３０および光検出器４０の簡略平面図が
示されている。図示のように、好適実施例では、一体化
ＶＣＳＥＬ３０および光検出器４０は、ほぼリング状の
構造に形成されているので、標準ＴＯキャン内にＶＣＳ
ＥＬ３０および光検出器４０を組み込み、光検出器４０
によって、ＶＣＳＥＬ３０によって放出される反射レー
ザ放出光の横方向の検出を行うことができる。あるい
は、本発明のＶＣＳＥＬおよび側設一体化光検出器は、
いずれの数のほぼ幾何学的な構造にも形成可能である。
より具体的には、本発明のＶＣＳＥＬおよび側設一体化
光検出器を、ほぼ矩形状または正方形状の構造として形
成して、ＶＣＳＥＬの周囲にまたはこれに隣接して光検
出器を形成し、ＶＣＳＥＬおよび検出器間に、横方向の
電流分散および／または横方向の自然レーザ放出光を遮
断および／または吸収する分離領域を配置することがで
きる。また、本発明の光検出器および分離領域は、ＶＣ
ＳＥＬ構造の周囲にまたはこれに隣接して、対称的に配
置する必要はないことが理解されよう。非対称構造が可
能なことにより、反射レーザ放出光を検出および／また
は受光する実際の領域の拡大または縮小が可能となる。
【００１６】次に図５および図６を参照すると、本発明
による平面垂直空洞面放出レーザの別の実施例が、６
０，６０’として示されている。図５を参照すると、Ｖ
ＣＳＥＬ６０は、第１ミラー・スタック６１，活性領域
６２，および第２ミラー・スタック６３を含む。第２ミ
ラー・スタック６３をほぼ平面状に堆積して、プレーナ
構造を形成している。側設検出器７０は、ＶＣＳＥＬ６
０の周囲にまたはこれに隣接して形成されており、第１
ミラー・スタック６１に対応する第１ミラー・スタック
７１，活性領域６２に対応する活性領域７２，および第
２ミラー・スタック６３に対応する第２ミラー・スタッ
ク７４を含む。先に説明したメサ型ＶＣＳＥＬ３０にお
けると同様、側設光検出器７０はＶＣＳＥＬ６０と一体
化されており、同時に形成される。即ち、第１ミラー・
スタック７１，活性領域７２，および第２ミラー・スタ
ック７４は、第１ミラー・スタック６１，活性領域６
２，および第２ミラー・スタック６３とほぼ同一であ
る。従来技術において既知の方法で製造した複数のプロ
トン・インプラント７５を用意して、更にＶＣＳＥＬ６
０の活性発光領域(active light emitting region)を規
定する。電気接点７６は光検出器７０の第２ミラー・ス
タック７４の少なくとも上端部に接触するよう形成され
ており、電気接点７９はＶＣＳＥＬ６０の第２ミラー・
スタック６３の少なくとも上端部に接触するよう形成さ
れている。基板８０の下面に、第２電気接点７８が配置
されている（以下で論じる）。光検出器７０は、分離領
域８１によって、ＶＣＳＥＬ６０から分離されている。
更に特定すれば、分離領域８１は、エッチング，分離溝
によって、および／または、ＶＣＳＥＬ６０の周囲にま
たはこれに隣接して形成されたプロトン・インプラント
８２である。図示のように、プレーナＶＣＳＥＬ６０お
よび光検出器７０間に溝状構造を形成して、プロトン・
インプラント８２の挿入を行う。先に論じたように、プ
ロトン・インプラント８２は、ＶＣＳＥＬ６０および光
検出器７０間の横方向の電流分散を遮断するように機能
し、これによって、光検出器７０は一層厳密に規定さ
れ、かつ分離される。図２および図３を参照して既に説
明したように、オプションとして、更に光検出器７０を
規定するために、この他にも分離溝（図示せず）を設け
る。
【００１７】あるいは、図６に示すように、ＶＣＳＥＬ
６０’の周囲にまたはこれに隣接して、複数のプロトン
・インプラント８２’を設けることにより、プロトン・
インプラント８２’相互間に形成される領域８３を規定
してもよい。図５に示す素子と同様の素子には全て同様
の数字を付するが、異なる実施例であることを示すため
に、ダッシュを追加することを注記しておく。図示のよ
うに、規定領域８３は、動作の間、ＶＣＳＥＬ６０’を
外側光検出器７０’から更に分離するよう機能する。よ
り具体的には、規定された領域８３は、２つの能動素子
６０’，７０’間の追加吸収層として機能し、ＶＣＳＥ
Ｌ６０’によって放出された横方向の自然放出光が光検
出器７０’に達する前に、これを吸収するように機能す
る。
【００１８】尚、図１ないし図６は簡略図であり、本発
明をより明白に示すため、多くの素子を意図的に省略し
ていることは理解されよう。一般に、図１ないし図６に
示すように、メサ型ＶＣＳＥＬ３０，３０’およびプレ
ーナＶＣＳＥＬ６０，６０’の双方は、従来技術におい
て既知の方法または工程のいずれかを用いて形成され
る。しかしながら、読者の理解を促す目的で、材料およ
び方法についての簡単な説明を以下に行う。簡単に言え
ば、メサ型ＶＣＳＥＬ３０およびプレーナＶＣＳＥＬ６
０の双方は、ガリウム砒素，りん化インジウム等、いず
れかの適当な半導体基板上に製造する。図２および図３
の第１ミラー・スタック３１，４１、および図５，６の
第１ミラー・スタック６１，７１は、分布ブラッグ反射
器(distributed Brag reflector)によって形成し、図２
および図３の活性領域３２，４２、ならびに図５および
図６の活性領域６２，７２は、ＡｌＧａＡｓクラッディ
ングを有するＧａＡｓの量子井戸によって形成する。ま
た、図２および図３の第２ミラー・スタック３７，４
４、ならびに図５および図６の第２ミラー・スタック６
３，７４は、図２および図３の活性領域３２，４２なら
びに図５および図６の活性領域６２，７２の表面上に、
分子ビームエピタキシャル法（ＭＢＥ），メト有機金属
化学蒸着法(meto-organic chemical vapor deposition)
（ＭＯＣＶＤ）等のいずれかの適切な方法を用いて、エ
ピタキシャル的に堆積させた、分布ブラッグ反射器によ
って形成する。
【００１９】一旦、リッジＶＣＳＥＬ３０またはプレー
ナＶＣＳＥＬ６０が形成されたなら、一連の堆積または
パターニング工程を行って、ここに開示した層およびイ
ンプラントの製造を更に進める。通常、化学蒸着法（Ｃ
ＶＤ），プラズマ・エンハンス化学蒸着法（ＰＥＣＶ
Ｄ），スパッタリング等、従来技術において既知の適切
な方法のいずれかによって堆積を行う。また、フォトリ
ソグラフィ，リフト・オフ，エッチング，またはこれら
の組み合わせ等、従来技術において既知の適切な方法ま
たはプロセスのいずれかにより、パターニングおよびイ
ンプラントの工程を実施する。
【００２０】動作の間、ＶＣＳＥＬ３０または６０はレ
ーザ放出光を生成するが、先に説明したように、このレ
ーザ放出光の自動パワー制御（ＡＰＣ）を必要とする。
したがって、この構造は、標準的なＴＯシリーズのキャ
ン内にパッケージされると、ＡＰＣが可能となる。キャ
ンは、一般に、有角上部(angled upper portion)が形成
されるように製造し、これをレーザ放出光が通過し、そ
の一部は反射されて、側設光検出器４０または７０へと
戻される。側設光検出器は、検出器として機能するよう
に、逆バイアスされるか、あるいはバイアスされていな
い。レーザ放出光は駆動電流の関数として定義されるの
で、この反射および光検出器の逆バイアスの結果、駆動
電流の増大または減少が起こる。
【００２１】次に図７に移ると、本発明の一体化ＶＣＳ
ＥＬおよび側設光検出器の動作が示されており、フィー
ドバック系を用いることにより、ＶＣＳＥＬ３０のレー
ザ・パワーを制御する。制御装置８５は、側設光検出器
４０が監視する情報を受信し処理する。より具体的に
は、ＶＣＳＥＬ３０の反射レーザ放出光を監視すること
により、レーザ・パワー出力は、検出された特定のレー
ザ・パワーに基づいて処理される。光検出器４０によっ
て監視された情報を処理することによって、レーザ・パ
ワーにおける変化が検出される点の識別が可能となるの
で、ＶＣＳＥＬ３０を駆動するのに用いられる電流源８
６からの電流の自動調整が得られる。したがって、レー
ザ光が放出されるレーザ・パワーを知ることにより、フ
ィードバックに基づいた自動パワー制御（ＡＰＣ）が可
能となり、これによって、特定の一定したレーザ・パワ
ー出力におけるレーザ動作が維持される。
【００２２】このように、半導体レーザ、更に特定すれ
ば、共に形成された側設一体化光検出器を有する垂直空
洞面放出レーザ（ＶＣＳＥＬ）、および側設光検出器を
用いてＶＣＳＥＬのパワー出力を監視する方法が提供さ
れる。より具体的には、横側に形成された光検出器と一
体化したＶＣＳＥＬが提供され、これによって、ＶＣＳ
ＥＬのレーザ・パワー出力を容易に監視し、続いて所望
の一定のレベルにほぼ自動的に調整することができる。
更に、一体化ＶＣＳＥＬおよび光検出器は１つの素子と
して製造されているので、大量生産可能な素子であり、
このためコストが低減され、信頼性および品質において
著しい改善が可能となる。
【００２３】本発明の具体的な実施例を図示し説明して
きたが、当業者には更に別の変更および改良も想起され
よう。本発明は図示した特定の形態に限定されるもので
はなく、また特許請求の範囲は、本発明の趣旨および範
囲から逸脱しないあらゆる変更に対応するよう意図され
ているものであることは理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の垂直空洞面放出レーザの部分断面図。
【図２】従来のメサ型ＶＣＳＥＬおよび本発明による側
設一体化光検出器の部分断面図。
【図３】本発明のメサ型ＶＣＳＥＬの第２実施例による
メサ型ＶＣＳＥＬおよび側設一体化光検出器の部分断面
図。
【図４】図２の構造の一実施例の簡略平面図。
【図５】本発明によるプレーナＶＣＳＥＬおよび側設一
体化光検出器の部分断面図。
【図６】本発明のプレーナＶＣＳＥＬの第２実施例によ
るプレーナＶＣＳＥＬおよび側設一体化光検出器の部分
断面図。
【図７】フィードバック制御システムの簡略ブロック
図。
【符号の説明】
１０ 垂直空洞面放出レーザ（ＶＣＳＥＬ） １１ 第１ミラー・スタック １２ 活性領域 １３ 第１クラッド層 １４ 活性層 １５ 第２クラッド層 １７ 第２ミラー・スタック ２０ 電気接点 ２２ ウィンドウ ２４ 第２電気接点 ２６ 基板 ３０，３０’ リッジ型またはメサ型ＶＣＳＥＬ ３１，４１ 第１ミラー・スタック ３２，４２ 活性領域 ３７，４４ 第２ミラー・スタック ４０ 側設光検出器 ４６，４９ 電気接点 ４８ 第２電気接点 ５０ 基板 ５１，５１’ プロトン・インプラント ５２ 分離溝 ５３ 分離領域 ６０，６０’ プレーナＶＣＳＥＬ ６１，７１ 第１ミラー・スタック ６２，７２ 活性領域 ６３，７４ 第２ミラー・スタック ７０，７０’ 光検出器 ７５ プロトン・インプラント ７６，７９ 電気接点 ７８ 第２電気接点 ８０ 基板 ８１ 分離領域 ８２，８２’ プロトン・インプラント ８５ 制御装置 ８６ 電流源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チャン−ロン・シェ アメリカ合衆国アリゾナ州パラダイス・バ レイ、イースト・バー・ゼット・レーン 6739 (72)発明者 マイケル・エス・レビー アメリカ合衆国アリゾナ州アパチェ・ジャ ンクション、ノース・ラバージ・ロード30

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放
    出レーザであって：基板（５０）上に形成された垂直空
    洞面放出レーザ（３０）；前記基板（５０）上に、前記
    垂直空洞面放出レーザ（３０）に隣接して形成された側
    設一体化光検出器（４０）；および前記垂直空洞面放出
    レーザ（３０）と前記側設一体化光検出器（４０）との
    間に形成され、前記側設一体化光検出器（４０）から前
    記垂直空洞面放出レーザ（３０）を分離する分離領域
    （５３）；から成ることを特徴とする垂直空洞面放出レ
    ーザ。
  2. 【請求項２】前記垂直空洞面放出レーザ（３０）は、前
    記基板（５０）の表面上に配置された第１ミラー・スタ
    ック（３１），該第１ミラー・スタック（３１）上に配
    置された活性領域（３２），および該活性領域（３２）
    上に配置された第２ミラー・スタック（３７）を含むこ
    とを特徴とする請求項１記載の側設一体化光検出器を有
    する垂直空洞面放出レーザ。
  3. 【請求項３】前記側設一体化光検出器（４０）は、前記
    基板（５０）の表面上に配置された第１ミラー・スタッ
    ク（４１），該第１ミラー・スタック（４１）上に配置
    された活性領域（４２），および該活性領域（４２）上
    に配置された第２ミラー・スタック（４４）を更に含む
    ことを特徴とする請求項１記載の側設一体化光検出器を
    有する垂直空洞面放出レーザ。
  4. 【請求項４】前記分離領域（５３）はプロトン・インプ
    ラント（５１）を含むことを特徴とする請求項１記載の
    側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ。
  5. 【請求項５】前記分離領域（５３）は分離溝を含むこと
    を特徴とする請求項１記載の側設一体化光検出器を有す
    る垂直空洞面放出レーザ。
  6. 【請求項６】側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放
    出レーザであって：第１面を有する基板（５０），該基
    板（５０）の前記第１面上に配置された第１ミラー・ス
    タック（３１），該第１ミラー・スタック（３１）上に
    配置された活性領域（３２），および前記活性領域（３
    ２）上に配置された第２ミラー・スタック（３７）を有
    し、光を生成し該光が通過する光路を規定する垂直空洞
    面放出レーザ（３０）であって、前記第１および第２ミ
    ラー・スタック（３１，３７）によってそれぞれ結合さ
    れ、前記垂直空洞面放出レーザ（３０）への動作電力を
    供給する第１および第２電気接点（４８，４９）を更に
    含む垂直空洞面放出レーザ（３０）；第１面を有する基
    板（５０），該基板（５０）の前記第１面上に配置され
    た第１ミラー・スタック（４１），該第１ミラー・スタ
    ック（４１）上に配置された活性領域（４２），および
    該活性領域（４２）上に配置された第２ミラー・スタッ
    ク（４４）を有し、前記垂直空洞面放出レーザ（３０）
    から放出されたレーザ・パワーを検出可能な素子を規定
    する側設一体化光検出器（４０）であって、前記第１お
    よび第２ミラー・スタック（４１，４４）によってそれ
    ぞれ結合され、前記側設一体化光検出器（４０）への動
    作電力を供給する第１および第２電気接点（４６，４
    ８）を更に含む側設一体化光検出器（４０）；および前
    記第１ミラー・スタック（４１），前記活性領域（４
    ２），および前記第２ミラー・スタック（４４）内に配
    置された分離領域（５３）であって、前記垂直空洞面放
    出レーザ（３０）と前記側設一体化光検出器（４０）と
    の間の横方向の電流分散を遮断するように、前記垂直空
    洞面放出レーザ（３０）と前記側設一体化光検出器（４
    ０）との間に配置された分離領域（５３）；から成るこ
    とを特徴とする側設一体化光検出器を有する垂直空洞面
    放出レーザ。
  7. 【請求項７】前記垂直空洞面放出レーザ（３０）の前記
    基板（５０），前記活性領域（３２），ならびに前記第
    １および第２ミラー・スタック（３１，３７）は、前記
    側設一体化光検出器（４０）の前記基板（５０），前記
    活性領域（４２），ならびに前記第１および第２ミラー
    ・スタック（４１，４４）と同一であることを特徴とす
    る請求項６記載の側設一体化光検出器を有する垂直空洞
    面放出レーザ。
  8. 【請求項８】前記側設一体化光検出器（４０）は、前記
    垂直空洞面放出レーザ（３０）によって放出された反射
    レーザ放出光を受光するように製造されていることを特
    徴とする請求項６記載の側設一体化光検出器を有する垂
    直空洞面放出レーザ。
  9. 【請求項９】前記分離領域（５３）は、少なくとも１つ
    のプロトン・インプラント（５１）によって形成されて
    いることを特徴とする請求項６記載の側設一体化光検出
    器を有する垂直空洞面放出レーザ。
  10. 【請求項１０】前記分離領域（５３）は、少なくとも２
    つの離間したプロトン・インプラント（５１）によって
    形成されており、これによって前記プロトン・インプラ
    ント（５１）間の横方向の自然放出に対する吸収領域を
    規定することを特徴とする請求項９記載の側設一体化光
    検出器を有する垂直空洞面放出レーザ。
  11. 【請求項１１】前記分離領域（５３）は分離溝によって
    形成されていることを特徴とする請求項６記載の側設一
    体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ。
  12. 【請求項１２】前記側設一体化光検出器（４０）は、逆
    バイアスされているかバイアスされていないかの内一方
    であることを特徴とする請求項６記載の側設一体化光検
    出器を有する垂直空洞面放出レーザ。
  13. 【請求項１３】側設一体化光検出器を有する垂直空洞面
    放出レーザであって：第１面を有する基板（５０），該
    基板（５０）の前記第１面上に配置された第１ミラー・
    スタック（３１），該第１ミラー・スタック（３１）上
    に配置された活性領域（３２），および前記活性領域
    （３２）上に配置された第２ミラー・スタック（３７）
    を有し、光を生成し該光が通過する光路を規定する垂直
    空洞面放出レーザ（３０）であって、前記第１および第
    ２ミラー・スタック（３１，３７）によってそれぞれ結
    合され、前記垂直空洞面放出レーザ（３０）への動作電
    力を供給する第１および第２電気接点（４８，４９）を
    更に含む前記垂直空洞面放出レーザ（３０）；第１面を
    有する基板（５０），該基板（５０）の前記第１面上に
    配置された第１ミラー・スタック（４１），該第１ミラ
    ー・スタック（４１）上に配置された活性領域（４
    ２），および前記活性領域（４２）上に配置された第２
    ミラー・スタック（４４）を有し、前記垂直空洞面放出
    レーザ（３０）から放出された反射レーザ放出光を検出
    可能な領域を規定する側設一体化光検出器（４０）であ
    って、前記第１および第２ミラー・スタック（４１，４
    ４）によってそれぞれ結合され、前記側設一体化光検出
    器（４０）への動作電力を供給する第１および第２電気
    接点（４６，４８）を更に含む前記側設一体化光検出器
    （４０）；および前記第１ミラー・スタック（３１），
    前記活性領域（３２），および前記第２ミラー・スタッ
    ク（３７）内に配置された少なくとも１つのプロトン・
    インプラント（５１）を含む分離領域（５３）であっ
    て、前記少なくとも１つのプロトン・インプラント（５
    １）が、前記垂直空洞面放出レーザ（３０）と前記側設
    一体化光検出器（４０）との間の横方向の電流分散を遮
    断するように前記垂直空洞面放出レーザ（３０）と前記
    側設一体化光検出器（４０）との間に配置された分離領
    域（５３）；から成ることを特徴とする側設一体化光検
    出器を有する垂直空洞面放出レーザ。
  14. 【請求項１４】前記垂直空洞面放出レーザ（３０），前
    記側設一体化光検出器（４０）および前記分離領域（５
    ３）の構造はリング状構造に形成されていることを特徴
    とする請求項１３記載の側設一体化光検出器を有する垂
    直空洞面放出レーザ。
  15. 【請求項１５】前記少なくとも１つのプロトン・インプ
    ラント（５１）は、複数のプロトン・インプラントを含
    み、その間に横方向の自然レーザ放出光を吸収する領域
    を規定することを特徴とする請求項１３記載の側設一体
    化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ。
  16. 【請求項１６】前記垂直空洞面放出レーザ（３０）およ
    び前記側設一体化光検出器（４０）は、共通の基板（５
    ０），共通の活性領域および共通の第１および第２ミラ
    ー・スタックを共有することを特徴とする請求項１３記
    載の側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レー
    ザ。
  17. 【請求項１７】前記垂直空洞面放出レーザ（３０）はメ
    サ型構造であることを特徴とする請求項１３記載の側設
    一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ。
  18. 【請求項１８】前記垂直空洞面放出レーザ（３０）はプ
    レーナ構造であることを特徴とする請求項１３記載の側
    設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ。
  19. 【請求項１９】前記プレーナ構造は、レーザ放出光が通
    過する電流路を規定する少なくとも１つのプロトン・イ
    ンプラントを含むことを特徴とする請求項１８記載の側
    設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ。
  20. 【請求項２０】自動パワー制御のための側設一体化光検
    出器を有する垂直空洞面放出レーザの製造方法であっ
    て：垂直空洞面放出レーザ（３０）を製造する段階；前
    記垂直空洞面放出レーザ（３０）に隣接して、前記垂直
    空洞面放出レーザ（３０）からの反射レーザ放出光を受
    光する側設一体化光検出器（４０）を製造する段階；前
    記垂直空洞面放出レーザ（３０）の駆動電流に対する前
    記垂直空洞面放出レーザ（３０）の反射レーザ放出光を
    監視し、これによって特定のレーザ・パワーを判定する
    段階；前記レーザ・パワーにおける変化が検出された点
    を識別する段階；およびフィードバックを用いて特定の
    レーザ・パワー出力を維持し、自動パワー制御を行う段
    階；から成ることを特徴とする方法。
  21. 【請求項２１】特定のレーザ・パワー出力を維持するた
    めフィードバックを行う前記段階は、前記側設一体化光
    検出器（４０）からの出力を受信し、前記垂直空洞面放
    出レーザ（３０）への電流を制御する制御手段を設ける
    段階を含み、前記反射レーザ放出光は前記電流の関数で
    あることを特徴とする請求項２０記載の方法。
  22. 【請求項２２】側設一体化光検出器を有する垂直空洞面
    放出レーザの製造方法であって：第１面を有する基板
    （５０），該基板（５０）の前記第１面上に配置された
    第１ミラー・スタック（３１），該第１ミラー・スタッ
    ク（３１）上に配置された活性領域（３２），および前
    記活性領域（３２）上に配置された第２ミラー・スタッ
    ク（３７）を有し、光を生成し該光が通過する光路を規
    定する垂直空洞面放出レーザ（３０）を形成し、前記垂
    直空洞面放出レーザ（３０）に、前記第１および第２ミ
    ラー・スタック（３１，３７）によってそれぞれ結合さ
    れ前記垂直空洞面放出レーザ（３０）への動作電力を供
    給する第１および第２電気接点（４８，４９）を設ける
    段階；第１面を有する基板（５０），該基板（５０）の
    前記第１面上に配置された第１ミラー・スタック（４
    １），該第１ミラー・スタック（４１）上に配置された
    活性領域（４２），および前記活性領域（４２）上に配
    置された第２ミラー・スタック（４４）を有し、前記垂
    直空洞面放出レーザ（３０）から放出された反射レーザ
    放出光を検出可能な素子を規定する側設一体化光検出器
    （４０）を形成する段階であって、前記第１および第２
    ミラー・スタック（４１，４４）によってそれぞれ結合
    され、前記側設一体化光検出器（４０）への動作電力を
    供給する第１および第２電気接点（４６，４８）を更に
    含む前記側設一体化光検出器（４０）を形成する段階；
    および前記第１ミラー・スタック（３１），前記活性領
    域（３２），前記第２ミラー・スタック（３７）内に形
    成された分離領域（５３）を設ける段階であって、前記
    垂直空洞面放出レーザ（３０）と前記側設一体化光検出
    器（４０）との間の予行方向の電流分散を遮断するよう
    に前記垂直空洞面放出レーザ（３０）と前記側設一体化
    光検出器（４０）との間に配置された前記分離領域（５
    ３）を設ける段階；から成ることを特徴とする方法。
  23. 【請求項２３】分離領域（５３）を設ける前段階は、少
    なくとも１つのプロトン・インプラント（５１）の形成
    を含むことを特徴とする請求項２２記載の側設一体化光
    検出器を有する垂直空洞面放出レーザの製造方法。
  24. 【請求項２４】分離領域（５３）を設ける前記段階は、
    ２つのプロトン・インプラントを形成し、その間に横方
    向の自然レーザ放出光吸収のための領域を規定する段階
    を含むことを特徴とする請求項２２記載の側設一体化光
    検出器を有する垂直空洞面放出レーザの製造方法。
  25. 【請求項２５】分離領域（５３）を設ける前記段階は、
    分離溝の形成を含むことを特徴とする請求項２２記載の
    側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザの製
    造方法。
JP18724897A 1996-07-01 1997-06-30 側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ Expired - Lifetime JP3801311B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US673488 1996-07-01
US08/673,488 US5757836A (en) 1996-07-01 1996-07-01 Vertical cavity surface emitting laser with laterally integrated photodetector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1065279A true JPH1065279A (ja) 1998-03-06
JP3801311B2 JP3801311B2 (ja) 2006-07-26

Family

ID=24702852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18724897A Expired - Lifetime JP3801311B2 (ja) 1996-07-01 1997-06-30 側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5757836A (ja)
JP (1) JP3801311B2 (ja)
KR (1) KR100495186B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018026479A (ja) * 2016-08-10 2018-02-15 富士ゼロックス株式会社 発光素子アレイ、及び光伝送装置
JP2018074075A (ja) * 2016-11-02 2018-05-10 株式会社リコー 光照射器、光学センサ、光学検査装置
JP2023522559A (ja) * 2019-03-01 2023-05-31 ヴィクサー， インコーポレイテッド ３Ｄ及びＬｉＤＡＲセンシングモジュール

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6392256B1 (en) * 1996-02-01 2002-05-21 Cielo Communications, Inc. Closely-spaced VCSEL and photodetector for applications requiring their independent operation
GB9709949D0 (en) * 1997-05-17 1997-07-09 Dowd Philip Vertical-cavity surface-emitting laser polarisation control
US5963576A (en) * 1997-08-04 1999-10-05 Motorola, Inc. Annular waveguide vertical cavity surface emitting laser and method of fabrication
US6148016A (en) * 1997-11-06 2000-11-14 The Regents Of The University Of California Integrated semiconductor lasers and photodetectors
US5960024A (en) 1998-03-30 1999-09-28 Bandwidth Unlimited, Inc. Vertical optical cavities produced with selective area epitaxy
US6493372B1 (en) 1998-04-14 2002-12-10 Bandwidth 9, Inc. Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6487231B1 (en) 1998-04-14 2002-11-26 Bandwidth 9, Inc. Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6760357B1 (en) 1998-04-14 2004-07-06 Bandwidth9 Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6493373B1 (en) 1998-04-14 2002-12-10 Bandwidth 9, Inc. Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6487230B1 (en) 1998-04-14 2002-11-26 Bandwidth 9, Inc Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6535541B1 (en) 1998-04-14 2003-03-18 Bandwidth 9, Inc Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US5991326A (en) 1998-04-14 1999-11-23 Bandwidth9, Inc. Lattice-relaxed verticle optical cavities
US6493371B1 (en) 1998-04-14 2002-12-10 Bandwidth9, Inc. Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6452669B1 (en) * 1998-08-31 2002-09-17 Digital Optics Corp. Transmission detection for vertical cavity surface emitting laser power monitor and system
US6226425B1 (en) 1999-02-24 2001-05-01 Bandwidth9 Flexible optical multiplexer
US6233263B1 (en) 1999-06-04 2001-05-15 Bandwidth9 Monitoring and control assembly for wavelength stabilized optical system
US6275513B1 (en) 1999-06-04 2001-08-14 Bandwidth 9 Hermetically sealed semiconductor laser device
KR100618969B1 (ko) 1999-07-12 2006-08-31 삼성전자주식회사 광송수신 모듈
US6600845B1 (en) 1999-10-18 2003-07-29 Digital Optics Corporation Integrated parallel transmitter
KR100565050B1 (ko) * 1999-10-25 2006-03-30 삼성전자주식회사 표면광 레이저 및 그 제조방법
US6277668B1 (en) * 2000-01-04 2001-08-21 Lucent Technologies, Inc. Optical detector for minimizing optical crosstalk
US6753214B1 (en) * 2001-02-16 2004-06-22 Optical Communication Products, Inc. Photodetector with isolation implant region for reduced device capacitance and increased bandwidth
DE10121529B4 (de) * 2001-05-03 2004-09-30 Infineon Technologies Ag Lichtleiteranordnung zur seriellen, bidirektionalen Signalübertragung und optische Leiterplatine
US6859468B2 (en) * 2001-05-29 2005-02-22 Sycamore Networks, Inc. Method and system for mode stabilization of VCSELS using increased bias current
US6782019B2 (en) 2001-08-16 2004-08-24 Applied Optoelectronics, Inc. VCSEL with heat-spreading layer
US6697396B2 (en) 2001-10-02 2004-02-24 Honeywell International Inc. Laser light sources having integrated detector and intensity control and methods of producing same
US7085300B2 (en) * 2001-12-28 2006-08-01 Finisar Corporation Integral vertical cavity surface emitting laser and power monitor
EP1556904B1 (de) * 2002-10-30 2018-12-05 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum herstellen einer leuchtdioden-lichtquelle mit lumineszenz-konversionselement
TWI222756B (en) * 2002-11-12 2004-10-21 Epitech Corp Ltd Lateral current blocking light emitting diode and method of making the same
US6936486B2 (en) * 2002-11-19 2005-08-30 Jdsu Uniphase Corporation Low voltage multi-junction vertical cavity surface emitting laser
DE102004005269B4 (de) * 2003-11-28 2005-09-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Schutzdiode
US7403553B2 (en) * 2004-06-25 2008-07-22 Finisar Corporation Absorbing layers for reduced spontaneous emission effects in an integrated photodiode
US7746911B2 (en) * 2004-06-25 2010-06-29 Finisar Corporation Geometric optimizations for reducing spontaneous emissions in photodiodes
JP4584066B2 (ja) * 2004-12-10 2010-11-17 韓國電子通信研究院 光感知器を備えた面発光レーザ素子及びこれを用いた光導波路素子
US20090179211A1 (en) * 2005-07-14 2009-07-16 Tae-Kyung Yoo Light emitting device
WO2007008047A1 (en) * 2005-07-14 2007-01-18 Epivalley Co., Ltd. Light emitting device
FR2894395B1 (fr) * 2005-12-06 2009-11-06 Commissariat Energie Atomique Systeme d'emission de lumiere, comportant un photodetecteur de controle integre, et procede de fabrication de ce systeme
KR100809413B1 (ko) * 2005-12-08 2008-03-05 한국전자통신연구원 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출레이저 및 그제조방법
FR2915029A1 (fr) * 2007-04-13 2008-10-17 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique compact incluant au moins un laser emettant par la surface
US8000358B2 (en) * 2009-04-20 2011-08-16 Emcore Corporation Power monitoring system for a parallel optical transmitter
US8063424B2 (en) * 2009-11-16 2011-11-22 International Business Machines Corporation Embedded photodetector apparatus in a 3D CMOS chip stack
US9172462B2 (en) * 2012-12-31 2015-10-27 Zephyr Photonics Inc. Optical bench apparatus having integrated monitor photodetectors and method for monitoring optical power using same
CN106936068A (zh) * 2015-12-30 2017-07-07 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种集成激光器及其制备方法
JP6790529B2 (ja) * 2016-07-12 2020-11-25 富士ゼロックス株式会社 発光デバイス
US12074408B2 (en) 2019-10-01 2024-08-27 Meta Platforms Technologies, Llc Vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) with a light barrier

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4906839A (en) * 1986-05-01 1990-03-06 Pencom International Corp. Hybrid surface emitting laser and detector
JP2548930B2 (ja) * 1987-02-16 1996-10-30 旭光学工業株式会社 半導体レ−ザの光出力制御装置
JP3206097B2 (ja) * 1992-04-22 2001-09-04 セイコーエプソン株式会社 面発光型半導体レーザ
US5345462A (en) * 1993-03-29 1994-09-06 At&T Bell Laboratories Semiconductor surface emitting laser having enhanced polarization control and transverse mode selectivity
US5606572A (en) * 1994-03-24 1997-02-25 Vixel Corporation Integration of laser with photodiode for feedback control
JPH08116139A (ja) * 1994-08-22 1996-05-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
US5491712A (en) * 1994-10-31 1996-02-13 Lin; Hong Integration of surface emitting laser and photodiode for monitoring power output of surface emitting laser
US5631987A (en) * 1995-06-07 1997-05-20 Reliaspeed, Inc. Low cost, mode-field matched, high performance laser transmitter optical subassembly
US5663944A (en) * 1995-12-29 1997-09-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical cavity laser light beam monitored by reflection of a half mirror, with application in optical pick-up

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018026479A (ja) * 2016-08-10 2018-02-15 富士ゼロックス株式会社 発光素子アレイ、及び光伝送装置
JP2018074075A (ja) * 2016-11-02 2018-05-10 株式会社リコー 光照射器、光学センサ、光学検査装置
JP2023522559A (ja) * 2019-03-01 2023-05-31 ヴィクサー， インコーポレイテッド ３Ｄ及びＬｉＤＡＲセンシングモジュール
US12007504B2 (en) 2019-03-01 2024-06-11 Vixar, Inc. 3D and LiDAR sensing modules

Also Published As

Publication number Publication date
KR980012750A (ko) 1998-04-30
KR100495186B1 (ko) 2005-09-15
US5757836A (en) 1998-05-26
JP3801311B2 (ja) 2006-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1065279A (ja) 側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ
US5181219A (en) Surface emission type semiconductor laser
US6052399A (en) Independently addressable laser array with native oxide for optical confinement and electrical isolation
US5943357A (en) Long wavelength vertical cavity surface emitting laser with photodetector for automatic power control and method of fabrication
US6285704B1 (en) Field modulated vertical cavity surface-emitting laser with internal optical pumping
US5835261A (en) Semiconductor optical amplifier device capable of deflecting output laser beam
EP1173908B1 (en) Vertical cavity laser and method of wavelength adjustment
US10178736B2 (en) Light emitting apparatus and optical transmitting apparatus
EP0583128B1 (en) Semiconductor laser with integrated phototransistor for dynamic power stabilization
JPH11150340A (ja) 垂直キャビティを有する表面発光型半導体レーザ
US5748661A (en) Integrated lateral detector and laser device and method of fabrication
JPH10256655A (ja) 長波長ｖｃｓｅｌ
JPH1174618A (ja) 半導体レーザ装置および光量制御装置、画像形成装置
JPH05299779A (ja) 面発光型半導体レーザ
JPH0697597A (ja) 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置
US5917847A (en) Independently addressable semiconductor laser arrays with buried selectively oxidized native oxide apertures
US6016326A (en) Method for biasing semiconductor lasers
JP3206080B2 (ja) 半導体レーザ
US6061485A (en) Method for wavelength division multiplexing utilizing donut mode vertical cavity surface emitting lasers
US6115398A (en) Automatic power control of a semiconductor laser array
JPH1051067A (ja) 垂直空洞面放出レーザ用反射型パワ−監視システム
JPH1065280A (ja) 半導体レーザのモード検出および制御方法
US5356832A (en) Method of making surface emission type semiconductor laser
EP0791990A1 (en) Low resistance p-down top emitting ridge VCSEL and method of fabrication
US20060126687A1 (en) Method for producing a buried tunnel junction in a surface-emitting semiconductor laser

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040603

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040603

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20051004

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20051220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060215

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060323

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060412

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060425

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120512

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130512

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140512

Year of fee payment: 8

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term