KR980012750A - 측면 통합식 광검출기를 구비한 수직 캐비티면 방출 레이저 - Google Patents

측면 통합식 광검출기를 구비한 수직 캐비티면 방출 레이저 Download PDF

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빈센트 비, 인그라시아
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Abstract

제1및 제2미러 스택과 유효 영역을 구비한 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)는 에필택셜층의 성장기술을 사용함으로써 형성되고, 측면 광검출기는 에피택셜층에서 통합적으로 형성됨으로써, 측면 통합식 광검출기를 갖는 수직 캐비티면 방출 레이저를 제공한다. 수직 캐비티면 방출 레이저와 광검출기 사이의 에퍼택셜층에 절연 영역이 형성되어서, 수직 캐비티면 방출 레이저와 광검출기를 절연시킨다. 통합된 수직 캐비티면 방출 레이저와 측면 광검출기는 반사된 레이저 방사물을 검사하므로, 수직 캐비티면 방출 레이저의 레이저 동력의 출력값은 피드백을 사용하여 특정 레이저 동력의 출력 레벨을 유지함으로써, 자동으로 동력을 제어할 수 있다.

Description

측면 통합식 광검출기를 구비한 수직 캐비티면 방출 레이저
본 발명은 수직 캐비티면 방출 레이저에 관한 것이다. 다시 말해서, 본 발명은 수직 캐비티면 방출 레이저의 동작을 검사하고 제어하는 방법에 관한 것이다. 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)와 에지 방출 레이저와 같은, 반도체 레이저는 공지된 기술이며, 다양한 구성으로 형성된다. 실제로, 모든 구성의 수직 캐비티면 방출 레이저의 베이스는 두 미러 스택(mirror stacks)사이에 삽입된 유효 영역이다. 레이저는 두 미러 스택과 유효영역을 통해서 구동 전류에 의해 작동되며. 이것은 통상적으로 제 1전극을 레이저의 한 단부에서 미러 스택을 가로질러 배치하고, 제2전극을 레이저의 다른 단부에서 다른 미러 스택을 가로질러 배치함으로써 성취된다. 상기 전극들중 라이트의 방출을 위해, 전극을 관통하는 중앙 개방부를 한정한다.
수직 캐비티면 방출 레이저와 같은, 라이트 방출 장치의 자동 동력 제어동작(APC)으로, 상기 라이트 방출 장치는 일정하고 일관된 출력값을 유지할 수 있다. 통상적으로, 에지 방출 레이저 장치(edge emitting laserdevice)의 자동 동력 제어 동작은 에지 방출 장치(edge emitting lasers device)가 두 단부에서 라이트를 방슬하기 때문에 용이하게 실행할 수 있다. 따라서, 차후에 에지 방출 장치의 동력 입력값을 조절하는데 사용되는 동력 출력값을 측정하기 위해 사용되는 라이트 방출 에지중 한 에지를 실행함으로써, 동력 출력값을 조절 한다.
그러나, 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)의 자동 동력 제어 동작(APC)은 수직 캐비티면 방출 레이저가 통상적으로 단지단일 면으로부터 라이트를 방출하므로, 출력값을 측정하고 그 측정된 출력값으로부터 차후에 조절하는 것을 어렵게 하는 작업이다. 종래에는, 이 작업을 실행하기 위해, 포토다이오드, 미러, 분광기 (beam splitter)및 유사품과 같은, 여러 광학장치가 수직 캐비티면 방출 레이저로부터 빛의 방출 경로에 수동으로 배치된다. 광학 장치가 수동으로 배치되기 때문에 제조 비용의 상승과, 재공급 능력과, 불량한 품질 제어 등과 같은, 여러문제 또는 단점은 결과적으로 대량 생산을 방해한다.
수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)의 종래의 자동 동력 제어 동작(APC)은 여러 단점과 문제점을 가지므로, 대량 생산의 적용에서 허용되지 않는다. 따라서, 통합된 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)와 광검출기와 제조과정을 단순화하고 비용을 절감하며, 신뢰성을 향상시킨 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)의 제조 방법은 많은 장점이 있다.
따라서, 종래 기술의 상기 및 다른 결점을 개선하는 것이 바람직하다.
본 발명의 목적은 통합된 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)와 광검출기를 제공하는 것이다.
본 발명의 부가 목적은 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)와 광검출기, 특히, 포토다이오드를 제공하는 것이며, 여기서, 포토다이오드는 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)의 에피택셜 성장층(epitaxial growth layers)에서 측면으로 형성된다.
본 발명의 다른 목적은 생산되는 동안 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)와 포토다이오드의 얼라인먼트 문제를 해결하는 통합된 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)와 포토다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 부가 목적은 대량 생산 및 저비용 생산에 적합하면서, 조립하기에 실제로 더욱 간단한 포토다이오드와 통합된 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)를 제공하는 것이다.
본 발명에서, 상기 및 기타 문제들은 층분히 해소되며, 수직 캐비티면 방출레이저(VCSBL)와 같은 레이저 반도체와, 레이저 반도체의 동력 출력값을 검사하는 포토다이오드와 같은, 측면 통합식 광검출기에서, 상기 목적 및 다른 목적들이 성취된다. 측면 통합식 광검출기는 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)를 형성하는 복수층이 에퍼택셜 성장하는 동안 제조된다. 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)의 출력값을 검사함으로써, 피드백을 사용하여 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)를 일정하게 유지할 수 있다.
부가로, 본 발명에서, 상기 및 기타 문제들은 충분히 해소되며, 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)와 같이 동이한 에퍼택셜 성장층을 사용함으로써, 측면으로 배치된 광검출기를 제조하고 규정하기 위해, 양자 주입부 및/ 또는 절연홈(isolation trench)와 같은 규정되는 절연장치를 이용하고, 에피택셜로 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)를 제조하는 스탬을 포함한, 측면 통합식 광검출기와, 수직 캐비티면 방출 레이저 (VCSEL)와 같은, 레이저 반도체를 형성하는 방법에서, 상기 목적 및 기타 목적들이 성취된다.
도 1은 종래 수직 캐비티면 방출 레이저의 부분 단면도.
도 2는 종래 메사형(mesa-like) 수직 캐비티면 방출레이저(VCSEL)와 본 발명에 따라 측면 통합식 광검출기의 부분 단면도,
도 3은 메사형 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)와 본 발명의 메사형 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)의 제 2실시예에 따른 측면 통합식 검출기의 부분 단면도,
도 4는 도 2구조의 한 실시예의 간단한 평면도,
도 5는 본 발명에 따른, 측면 통합식 광검출시와 평면 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)의 부분 단면도,
도 6은 본 발명의 평면 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)의 제 2실시예에 따른, 측면 통합식 광검출기와, 평면 수직 캐비티면 방출 데이저 (VCSEL)의 부분 단면도,
도 7은 피드백 제어 시스템의 간단한 블록도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 수직 캐비티면 방출 레이저 11 : 제 1미러 스택
12 : 유효 영역 17 : 제 2 미러 스택
20, 24 : 전기 접촉부 40 : 광검출기
51 :양자 주입부 53 : 절연 영역
먼저, 도면에 대해 기술하면, 도 1은 보통 "10" 으로 표시된 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)를 도시한다. 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)는 제 1미러 스택(11)과, 제 1 클래딩층(first cladding layer)(13)을 갖는 유효 영역(12)과, (하나 이상의 양자 또는 유사 종류와 같은) 유효층(14)과, 제 2 클래딩층(15)과, 제 2미러 스택(17)을 포함함으로써 라이트가 발생하여 통과하는 광경로를 제한한다. 제 2미러 스택(17)은 에칭 되거나 또는 선택적으로 증착되어 메사형 또는 리지형(ridge-like)구조를 형성한다. 먼저, 평면 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)를 사용하는 다른 실시예에 대해서 설명하며, 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)는 통상적으로 제 1미러 스택 내에서 포함되는 양자 주입부를 갖는 유사 방식으로 제조되어, 평면 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)로부터 라이트를 방출하기 위한 전류 경로부를 제한한다. 양자 주입부를 위한 본 규정은 상기 기술된 메사형 구조에서 제 2 미러 스택(17)의 에칭 또는 선택적인 중착과 동일한다.
전기 접촉부(20)는 적어도 제 2 미러 스택(17)의 상단부의 접촉으로 형성되며, 제 2 미러 스택(17)을 통해 서 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL) 라이트를 방출하기 위한 휜도(22)를 제한한다. 제 2 전기 접촉부(24) 는 통상적으로 장치가 형성되는 기판(26)의 대향면 상의 제 1 미러 스택(11)의 하부면에 대해 배치된다.
접촉부(20, 24)를 가로질러 적용되는 작동 전압은 공지된 레이저 방출 동작을 진행하는 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(10)를 통하는 전류를 생산한다. 통상적으로, 제 2 미러 스택(17)의 표면 상의 전기 접촉부(20)의 위치로 인하여, 전류는 제 2 미러 스택(17)의 메사형 구조를 통해서 전류가 흐르는 곳에서 레이저 방사물이 지지된다. 광 모드 주위의 전류는 소모되어 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)의 적당한 동작을 방해할 수 있으며, 통상적으로, 메사의 직경 크기 [과 평면 VCSBL 구조의 양자 주입부에 의해 제한되는 방출 면적]은 동작 모드와 유사하게 매칭되는 직경과 함께, VCSEL의 동작 모드에 좌우된다 이 방식에서, 전류는 통상적으로 작동 모드에 국한된다.
도 2 내지 도 6에 있어서, 도 2 내지 도 4는 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL) 장치가 리지형 또는 매사형 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30)로 표시되며, 도 5와 도 6은 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)장치가 평면 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(60)로 표시된다. 도 2는 본 발명을 구체화하는 메사형 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30)를 도시한다. 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)(30)는 제 1 미러 스택(31)과, 유효 영역(32)과, 제 2 미러 스택(37)을 포함하고, 제 2 미러 스택(37)은, 상기 기술된 바와 같이, 에칭되거나 또는 선택적으로 증착되어 메사형 구조를 형성한다. 다른 방안으로, 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30)는 사진석판(photolithography), 에칭, 리프트-오프(lift-off). 그 복합기술 또는 유사 기술과 같은, 기술에서 잘 공지된 적당한 방법에 의해 메사형 구조로 형성된다. 제 2 미러 스택(37)에서 메사형 구조를 한정함으로써, 유효 영역 또는 유효 면적(32)에서 형성된 라이트를 반사하고 안내하는 제 2 미러 스택(37)에서 한정된다.
측면 광검출기(40)는 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30) 주위에 또는 인접하게 형성되고 제 1 미러 스져(31)에 상웅하는 제 1 미러 스져(41)과 , 유효 영역(32)에 상응하는 유효 영역(42)과, 제 2 미러 스택(37)에 상응하는 제 2 미러 스택(44)을 포함하며, 이 실시예에서, 측면 광검출기(40)는 수직 캐비티면 방출 레이저 (VCSEL)(30)와 통합됨과 동시에 형성된다. 즉, 제 1 미러 스택(31)과 , 유효영역(32)과, 제2미러 스택(44)은 통상적으로 제1미러 스택(31)과, 유효영역(32)과, 제 2 미러 스택(37)과 일치한다. 전기 접촉부(47)는 광검출기 (40)의 제 2 미러 스택(44)의 적어도 상단부와 접촉하도록 헝성되고, 전기 접측부(49)는 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30)에 대한 방출 면적을 제한하도록, 제조된 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30)의 제 2미러 스택(37)의 적어도 상단부와 접촉하도록 형성된다. 제 2 전기 접촉부(48)는 현재 기술되는) 기판(57)의 하부면에 대해 배치된다. 광검출기(4)는 절연 영역(53), 특히 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30) 주위에 또는 인접하게 형성된 양자 주입부(51) 또는 에칭, 절연홈에 의해 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30)로부터 절연된다. 양자 주입부(51)는 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)(30)로부터 측면으로 전도되는 전류의 차단 및/또는 흡수를 목적으로 제고됨으로, 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30)로부터 광검출기(40)를 제한 하고 결연시킨다. 광검출기(40)를 부가로 한정히기 위해, 절연홈(52)이 선택적으로 부가로 제공한다.
다른 방안으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 도 3에는 일정간격으로 이격된 복수의 양자 주입부(51')가 제공됨으로써, 양자 주입부(51')사이의 영역(54)을 한정한다. 도 2에 도시된 요소와 유사한 모든 요소들은 다른 실시 예를 표시하기 위해, 프라임이 부가된 유사 부호로 지정된다. 도시된 바와 같이, 한정된 영역(54)은 작동되는 동안 측부 광검출기(40')로부터 절연 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30')을 부가하는 역할을 수행한다. 다시 말해서, 한정된 영역(54)은 두 유효장치(30'40') 사이에서, 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)(37')로부터 측면으로 동시에 방출을 흡수하는 흡수 영역으로 작용한다.
도 4에 있어서, 본 발명의 양호한 통합된 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)(30)와 광검출기(40)가 단순화 된 평면도에 도시된다. 도시된 바와 같이. 양호한 실시예에서 통합된 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)(30)와 광검출기(40)는 실제로 고리 형태의 구조로 형성됨으로써, 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30)와 광검 출기(40)의 합체와 광검출기(40)로써 수직 캐비터면 방출 레이저(VCSBL)(30)에 의해 방출된 반사된 레이저 방사물의 측면 감지를 목적으로 제공된다. 다른 방안으로, 본 발명의 수직 캐비티먼 방출 레이저(VCSEL)와 측부로 통합된 광검출기는 일정 수의 충분한 기하학적 형태 구조로 형성될 수 있다. 다시 말해서, 본 발명의 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)와 측면 통합식 광검출기는 측면으로 전도되는 전류의 차단 및/또는 흡 수 및/ 또는 측면으로 동시에 레이저를 방출을 위한, 절연 영역 사이에 배치된 수직 캐비티면 방출 레이저 (VCSEL) 주위에 또는 인접하게 광검출기가 배치되는 실제로 직사각형 또는 정사각형 구조로 형성될 수 있다. 본 발명의 광검출기 및 절연 영역은 반드시 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL) 구조 주위에 또는 인접하게 대칭으로 배치될 필요는 없다는 사실을 부가로 이해해야 하며, 비대칭 구조를 위한 이 허용사항은 반사된 레이저 방사물을 감지하고/ 또는 수용하는 유효영역의 중가량의 증가량 및 감소량을 허용한다.
도 5와 도 6에서는, 60과 60'으로 지정된, 본 발명에 따른 평면 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)의 다른 실시예가 도시되어 있다. 도 5에 있어서, 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(60)는 제 1 미러 스택(61)과, 유효 영역(62)과, 제 2 미러 스택(63)을 포함하며, 제 2 미러 스택(63)은 실제로 평면 방식으로 증착되어 평면형 구조를 형성한다. 측면 광검출기(70)는 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(60) 주위에 또는 인접하게 형성되 며, 제 1 미러 스택(61)에 상응하는 제 1 미러 스택(제)과, 유효영역(62)에 상응하는 유효영역(62)와, 제 2 미러스려(63)에 상응하는 제 2 미러 스택(74)를 포함한다. 상기 기술된 메사형 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30)와 같이, 측면 광검출기(70)는 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(60)와 통합되며, 그와 동시에 형성된다. 즉, 제 1 미러 스택(제)과, 유효영역(62)과, 제 2 미러 스택(74)은 통상적으로 제 1 미러 스택(61)과, 유효영역 (62)과, 제 2 미러 스택(63)과 동일하다. 당 기술에서 널리 공지된 방식으로 제조된, 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(60)의 유효 라이트 방출 영역을 부가로 한정하기 위해, 복수의 양자 주입기(75)를 제공한다. 전기 접촉부(76)는 광검출기(70)의 제 2 미러 스택(74)의 적어도 상단부와 접촉하도록 형성되며, 전기 접촉부(79)는 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(60)의 제 2 미러스택(63)의 적어도 상단부와 접촉하도록 형성된다 제 2전기 접촉부(78)는 기판(80)의 하부면에 대해 배치되고, 광검출기(70)는 특히, 에칭, 절연홈 및/또는 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)(60) 주위에 또는 인접하게 형성된 양자 주입기(82)를 사용하여 형성된 절연 영역 (81)에 의해서 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(60)로부터 절연된다. 도시된 바와 같이, 홈 형태의 구조가 평면 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(60)와 광검출기(70) 사이에 형성됨으로써, 양자주입기(82)의 삽입을 목적으로 제공된다. 상기 기술한 바와 같이, 양자주입기(82)는 수직캐비티면 방출레이저(VCSBL)(60)와 검출기 (70) 사이에 전류가 측면으로 전도되는 것을 차단하는 역할을 수행하며, 그에 의해서, 황검출기(70)를 부가로 제한하여 절연시킨다. 도 2와 도 3을 참고로 상기 기술된 바와 같이, 광검출기(70)를 부가로 제한하기 위해 절 연홈(도시되지 않음)이 부가로 제공된다.
다른 방안으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 수직 캐비티면 방출레이저(VCSEL)(60') 주위에 또는 인접하게 형성된 복수의 양자 주입기(82')가 제공됨으로써, 양자 주입기 사이에 형성된 영역(83)을 부가로 한정한다. 도 5에 도시된 요소와 유사한 모든 요소들은 다른 실시예를 표시하기 위래 부가된 프라임을 갖는 유사부호로 지 정된다. 도시된 바와 같이, 제한 영역(83)은 작동되는 동안 측면 광검출기(70')으로부터 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)(60')을 부가로 절연시키는 역할을 수행한다. 다시 말해서, 제한된 영역(83)은 광검출기(70')에 도달하기 전에, 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)(60')에 의해 방출된 측방향의 동시 방출을 홈수하는 역할 을 수행하면서, 두 유효영역(60',70')사이의 부가 홈수층으로 작용한다.
도 1 내지 도 6은 단순화된 도면이며 본 발명을 더욱 명확히 도시하기 위해 많은 요소들은 의도적으로 생략했다는 사실을 이해해야 한다. 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 통상적으로, 메사형 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30, 30')와 평면형 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(60, 60')는 모두 당기술에서 공지된 방법 또는 처리과정에 의해 제조된다. 그러나, 독자의 이해를 돕기 위해, 재료 및 방법의 간략한 설명을 하기에 기술한다. 간단히 말해서, 메사형 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)(30)와 평면형 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(60)는 갈륨 비화물, 인듐 인화물 또는 유사물과 같은 적당한 반도체 기판 상에서 제조된다. 도 2와 도 3의 제 1 미러 스택(31, 41)과 도 5및 도 6의 제 1 미러 스택(61, 제)은 분된 브래그 반사체(distributed Bragg reflectors)으로 형성되며, 도 2, 3, 5, 6의 유효 영역(32, 42, 52, 62)은 AIGaAs 클래딩을 갖는 GaAs 특정량 으로 구성되며 도 2, 3, 5, 6의 제 2 미러 스택(37, 44, 63, 74)은 분자 빔 에피택시(MBB)와, 금속-유기 화학 중 기즙착(MOCVD)과 같은 적당한 방법으로, 도 2, 3, 5, 6 의 유효영역(32, 42, 62, 62)의 표면 상에 에퍼택셜로 증착된 분포된 브래그 반사체로 형성된다.
일단, 리지형 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30) 또는 평면형 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(60) 가 형성된 후, 일련의 중착 및 패턴 스탭이 실행되어 공지된 층과 이온 주입 부가로 구성한다. 통상적으로, 화학 중기증착(CVD), 플라즈마 강화 화학 중기증착(PBCVD), 스퍼터링, 또는 유사 방법과 같이, 당기술에서 공 지된 방법으로 증착되고, 부가로, 왜터링 및 주입 스탭은 포토리소그래피, 리프트-오프, 에칭 또는 그 복합적 인 방법과 같이, 당기 술에서 공지된 방법 또는 처리과정으로 실행된다.
작동하는 동안, 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)(30 또는 60)는 상기 기술된 바와 같이, 자동 동력 제어 (APC)가 시도되는 레이저 방사물을 발생시킨다. 따라서, 구조가 표준 투 시리즈 캔(standard TO-serries can) 내 에 패킹될 때, 자동 동력 제어를 실행할 수 있다. 상기 캔은 통상적으로 방출 레이가 나가는 각이 형성된 상부와, 역으로 바이어스되거나 또는 다른 방안으로 바이어스 없이 검출기로 작용하는 측면 광검출기(40 또는 70)로 뒤로 반사되는 부분을 형성하며 구성된다. 광검출기의 뒤로 반사되는 것과 역으로 바이어스되는 것은 레이저 방사물이 구동 전류의 작용으로 한정된다는 점에서 구동 전류를 중가시키거나 또는 감소시킨다.
도 7에는, 본 발명의 통합된 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)와 측면 광검출기의 작동이 도시되어 있으며, 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)(30)의 레이저 동력은 피드백 시스뎀을 이용하여 제어된다. 제어 장치 (85)는 측면 광검출기(40)에 의해 검사되는 정보를 수용하여 처리한다. 다시 말해서, 레이저 동력의 출력같은 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)(30)의 반사된 레이저 방사물을 검사함으로써, 감지된 특정한 레이저 동력을 기초로 한다. 광검출기(40)에 의해 검사된 정보의 처리과정은 레이저 동력에서의 변화가 감지되는 포인트의 동일성을 고려함으로써, 전원(86)으로부터 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)(30)을 구동하기 위해 사용되 는 전류의 자동 조절을 목적으로 제공된다. 따라서, 레이저 라이트가 방출되는 지점에서의 레이저 동력을 알 면, 피드백을 기초로 자동으로 동력을 제어할 수 있으므로, 레이저 동작을 특정한 일정 레이저 동력의 출력갈 으로 유지할 수 있다.
따라서, 반도체 레이저, 특히, 측면 통함식 광검출기를 구비한 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)와 측면 광검출기를 사용하여 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)의 동력 출력간을 검사하는 방법이 제공된다. 다시 말해서, 측면으로 구성된 광검출기와 일체로 통합된 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSBL)가 제공됨으로써, 수 직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)의 레이저 동력 출력값을 쉽게 검사하고 차후에 바람직한 일정 레벨로 자동으로 조절할 수 있다. 부가적으로, 통할적 수직 캐비티면 방출 레이저(VCSEL)와 광검출기는 한 장치로 구성 되기 때문에, 생산하기가 매우 용이하므로, 신뢰성 및 품질을 크게 향상시키면서 제조 단가를 감소시킨다.
본 발명가는 본원의 특정한 실시예에 대해 도시하고 기술하였지만, 당기술에 숙련된 전문가는 부가적으로 변형시키거나 개선할 수 있다. 따라서, 본 발명은 도시된 특별한 형태에 국한되지 않으며 첨부된 특허청구의 범위는 본 발명의 범주 및 정신 안에서 변형을 포함하고 있다는 사실을 이해해야 한다.

Claims (4)

  1. 측면 통합식 광검출기를 갖는 수직 캐비티면 방출 레이저에 있어서, 기판 상에 형성된 수직 캐비티면 방출 레이저과, 수직 캐비티면 방출 레이저와 인접한, 기판 상에 형성되며 측면 통합식 광검출기와, 수직 캐비티 면 방출 레이저와 측면 통합식 광검출기 사이에 형성되어서, 수직 캐비티면 방출 레이저를 측면 통합식 광검 출기로 부터 절연시키는 절연 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 측면 통합식 광검출기를 갖는 수직 캐비 티면 방출 레이저.
  2. 측면 통합식 광검출기를 갖는 수직 캐비티면 방출 레이저에 있어서, 제 1 면을 구비한 기판을 가지며, 제1 미러 스택이 기판의 제 1 면 상에 배치되고, 유효 영역이 제 1 미러 스택 상에 미치되며, 제 2 미러 스택이 라이트가 발생되어 통과하는 광경로부를 한정하기 위해 유효 영역 상에 배치되고, 작동 동력을 제공할 목적으 로 제 1 및 제 2 미러 스택에 각각 결합된 제 1 및 제 2 전기 접촉부를 부가로 포함하는 수직 캐비티면 방출 레이저과, 제 1면을 구비한 기판을 가지며, 제 1 미러 스택이 기판의 제 1 면 상에 배치되고, 유효 영역이 제 1 미러 스택 상에 배치되며, 제 2 미러 스택이 수직 캐비티면 방출 레이저에 의해 방술된 레이저 동력을 감지 할 수 있는 장치를 한정하기 위해 유효 영역 상에 배치되고, 작동 동력을 제공할 목적으로 제 1 및 제 2 미러 스택에 각각 결합된 제 1 및 제 2 전기 접촉부를 부가로 포함하는 측면 통합식 광검출기와, 수직 캐비티면 방 출 레이저와 측면 통합식 광검출기 사이에 전류가 측면으로 전도되는 것을 차단하기 위해, 수직 캐비티면 방출 레이저와 측면 통합식 광검출기 사이에 배치되고, 제 1 미러 스택과, 유효 영역과, 제 2 미러 스택 내에서 배열되는 절연 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 측면 통합식 광검출기를 갖는 수직 캐비티면 방출 레이
  3. 측면 통합식 광검출기를 갖는 수직 캐비티면 방출 레이저에 있어서, 제 1 면을 구비한 기판을 가지며, 제1 미러 스택이 기판의 제 1 면 상에 배치되고, 유효 영역이 제 1 미러 스택 상에 배치되며, 제 2 미러 스택이 라이트가 발생되어 통과하는 광경로부를 한정하기 위해 유효 영역 상에 배치되고. 작동 동력을 제공할 목적으 로 제 1 및 제 2 미러 스택에 각각 결합된 제 1 및 제 2 전기 접촉부를 부가로 포함하는 수직 캐비티면 방출 레이저과, 제 1 면을 구비한 기판을 가지며, 제 1 미러 스택이 기판의 제 1 면 상에 배치되고, 유효 영역이 제1 미러 스택 상에 배치되며, 제 2 미러 스택이 수직 캐비티면 방출 레이저에 의해 방출된 반사되는 레이저 방사물을 감지할 수 있는 장치를 한정하기 위해 유효 영역 상에 배치되고, 작동 동력을 제공할 목적으로 제 1및 제 2 미러 스택에 각각 결합된 제 1 및 제 2 전기 접촉부를 부가로 포함하는 측면 통합식 광검출기와, 수직 캐비티면 방출 레이저와 측면 통합식 광검출기 사이에 전류가 측면으로 전도되는것을 차단하기 위해 수직 캐비티면 방출 레이저와 측면 통합식 광검출기 사이에 배치되고, 제 1 미러 스택과, 유효 영역과, 제 2 미러 스택 내에서 배열되는 하나 이상의 양자 주입부를 구비한 절연 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 측면 퉁합식 광검출기를 갖는 수직 캐비티면 방출 레이저.
  4. 자동으로 동력을 제어하기 위하여, 측면 통함식 광검출기를 갖는 수직 캐비티면 방출 레이저의 제조 방법에 있어서, 수직 캐비티면 방출 레이저를 제조하는 스탭과, 수직 캐비티면 방출 레이저로부터 반사된 레이저 방사물을 수용할 목적으로, 수직 캐비티면 방출 레이저와 인접하는 측면 통함식 광검출기를 제조하는 스탭 과, 수직 캐비티면 방출 레이저의 반사된 레이저 방사물을 수직 캐비티면 방출 레이저의 구동 전류와 비교하여 검사함으로써, 특정 레이저 동력을 결정하는 스탭과, 레이저 동력의 변화가 감지되는 포인트를 확인하는 스탭과, 피드백을 사용하는 특정 레이저 동력의 출력갈을 유지함으로써 자동으로 동력을 제어하는 스탭을 포 함하는 것을 특징으로 하는 측면 통합식 곽검출기를 갖는 수직 캐비티면 방출 레이저의 제조 방법
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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