JP4526548B2 - 面型光変調器 - Google Patents
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Description
本発明の半導体発光素子の参考形態1として、図1に屈折率調整層を有する面型変調器構造を示す。
本発明の参考形態2による変調器の構造図を図2に示す。以下、この素子構造と動作方法について説明する。
本発明の参考形態3による変調器の構造図を図3(a)に示す。以下、この素子の製造方法と構造について説明する。入射光の波長は1.3μmとした。図3(b)に示したように、半絶縁性GaAs基板1上に、nipi構造を繰り返してMOVPE法等によりエピタキシャル成長した。このnipi構造は、Siをドープしたn型AlGaAs層12(103nm厚)、10層よりなるキャリアキラー用ドーパントを添加した半絶縁性GaAs/AlGaAs-MQW層(5nm+5nm)14、Mgをドープしたp型AlGaAs層13(103nm厚)、半絶縁性MQW層14を繰り返し成長したものである。n型AlGaAs層12とp型AlGaAs層13のAl組成は、半絶縁性GaAs/AlGaAs-MQW層14の平均Al組成と同一とした。AlGaAs層13と半絶縁性MQW層14の層厚の和はλ/2となるようにした。
本発明の参考形態4による変調器の構造図を図4(a)に示す。以下、この素子の製造方法と構造について説明する。入射光の波長は1.3μmとした。図4(a)に示したように、サファイア基板1上に、GaN低温バッファ層(図示せず)を成長した後、Siを2×1018cm-3ドーピングしたn型GaN下部コンタクト層3(4μm厚)、Al0.5Ga0.5N/In0.1Ga0.9Nバンド間吸収層17、Mgをドーピングしたp型GaN上部コンタクト層5(500nm厚)をMOVPE法によりエピタキシャル成長した。このバンド間吸収層17は、5層よりなり、Siを5×1018cm-3ドーピングしたAlGaNバリア層(3nm厚)とSiを5×1017cm-3ドーピングしたInGaN井戸層(2nm厚)を繰り返し成長したものである。その後、全面にNi(5nm厚)/Au(10nm厚)上部透明電極7を蒸着した後、SiO2膜をマスクにして、上部透明電極7をスパッタした後、塩素系ドライエッチングで上部コンタクト層5、バンド間吸収層17までをエッチング除去する。さらに、Al/Pt/Au下部電極8を蒸着して、図4(a)の構造を得る。
本発明の実施の形態1による変調器の構造図を図5(a)に示す。以下、この素子の製造方法と構造について説明する。入射光の波長は1.3μmとした。図16(a)に示したように、半絶縁性InP基板1上に、Siをドーピングしたn型InP下部コンタクト層3(100nm厚)、アンドープ空乏領域調整層74、Znをドーピングしたp型InP上部コンタクト層5(100nm厚)をMOVPE法等によりエピタキシャル成長した。空乏領域調整層74は、5ペアーで、アンドープInP層(10nm厚)とアンドープInGaAsP層(5nm厚)よりなる。その後、図16(b)に示したように、SiO2膜を堆積して、円形状にエッチングしてエッチングマスク53とし、このエッチングマスクを用いて上部電極7より外側のInP上部コンタクト層5を塩酸系エッチャントによりエッチング除去した後、硫酸系エッチャントで下部コンタクト層3までエッチングを行う。ここでも、参考形態1で説明したように、空乏領域調整層74は選択的にエッチングされ、エッチングは下部コンタクト層3で停止する。その後、図16(c)に示したように、改めてSiO2膜54を堆積して、受光領域をエッチングするエッチングマスクとし、このエッチングマスクを用いて、塩酸系エッチャントで受光領域の上部コンタクト層をエッチング除去する。その後、図16(d)に示したように、受光領域に直径2nmの複数の金ドット19を200nm程度の間隔で配置し、上部はSiO2で保護する。金ドット19の形成方法を以下に示す。まず、受光領域のアンドープ空乏領域調整層の表面をシランカップリング材(APTES)等の5%溶液につける。その後、Auコロイド溶液を表面にたらして、1時間程度放置する。Auコロイド溶液を除去した後、水洗および乾燥を行って、100℃でベークする。その後、表面の有機物を除去するために酸素プラズマで60℃60Wで10分間クリーニングする。その後、320℃でSiO2をプラズマCVDを用いて堆積した。今回は、2nmの直径のAuドット19を形成することにしたので、2.5×109cm2とするために、pHを8から9とした。Auドット19が5nmの場合は、pHは9から10程度となる。表面の金ドット19の間隔は、吸収する光の空乏領域調整層74の内部の波長より短い間隔にする必要がある。ここでは、空乏領域調整層74の屈折率を3.2として、金ドット19の間隔が400nm以下になるようにした。その後、上部電極7としてCr/Pt/Au電極を、下部電極8としてAu-Sn電極を蒸着し、リフトオフにより図16(d)のように形成して図5(a)に示した構造を得た。
本発明の参考形態5による変調器の構造図を図15(a)に示す。以下、この素子の製造方法と構造について説明する。入射光の波長は1.3μmとした。図17(a)に示したように、n型InP基板1上に、直径2nmの複数の下部金ドット18を10から30nmの間隔で堆積し、InP59をスパッタによりλ/4の厚さである100nm堆積する。再び下部金ドット18’を堆積して、さらにλ/4の厚みにInP59’をスパッタで堆積して図17(b)を得る。ここで、2層のInP層は、意図的にドーピングは行ってないが、下部金ドット18からのディスチャージを目的にしているために、いずれも5×1017cm-3程度のn型導電性を示す堆積条件とした。一方、図17(c)に示したように、別なInP基板58上に上部コンタクト層であるZnをドーピングしたp型InP層5(100nm厚)と、アンドープ屈折率調整層4とを順に成長しておく。屈折率調整層4は、8周期のアンドープInP層(10nm厚)とアンドープInGaAsP層(10nm厚)よりなる。その後、図17(b)の基板上に図17(c)の基板を逆さにして接触させ、400℃で水素含む雰囲気中で加熱して融着する。その結果、図17(d)が得られる。基板58をメカノケミカルポリッシュと塩素系エッチャントを用いたエッチングにより除去した後、図17(e)に示したように、SiO2膜53を堆積して、円形状にエッチングしてエッチングマスクとし、このエッチングマスクを用いて上部電極7より外側のInP上部コンタクト層5を塩酸系エッチャントによりエッチング除去した後、硫酸系エッチャントでアンドープInP膜59’までエッチングを行う。ここでも、参考形態1で説明したように、屈折率調整層4は選択的にエッチングされ、エッチングはアンドープInP膜で停止する。その後、受光領域に上部金ドット19を堆積し、アンドープInP膜60でカバーした。上部金ドット19の形成方法は実施の形態1と同様であるが、表面の有機物を除去するために酸素プラズマで60℃60Wで10分間クリーニングした後、室温でInPをスパッタで堆積した。今回は、2nmの直径のAuドットを用いたので、2.5×1011cm2とするために、pHを5から7とした。Auドットが5nmの場合は、pHは2から3程度となる。下部金ドット18’と上部金ドット19の間隔は360nmとなり、1.3μmの光に対応する。このアンドープInP膜60も、金ドットのディスチャージ用のために、5×1017cm-3程度のn型導電性を示す堆積条件としている。以上のようにして、図15(a)の構造を得た。
2 下部反射層
3 下部コンタクト層
4 屈折率調整層
5 上部コンタクト層
6 上部反射層
7 上部電極(上部透明電極)
8 下部電極
9 固定治具
10 はんだ
12 n型層
13 p型層
14 半絶縁性MQW
15 n型電極
16 p型電極
17 バンド間吸収層
18 金ドット
19 上部金ドット層
20 面型変調器
21 フォトダイオード
22 電子回路
23 コネクタ
24 同軸ケーブル
25 フェルール
26,26‘ ファイバ
31 p型層
32 アンテナ電極
33 n型層
34 先球ファイバ
35 上り用LD
36 下り用LD
37 LAN用LD
38 LAN用PD
39 メディアコンバータ
40 n側電極
41 p側電極
42 電極リボン
43,43‘ レンズ
44 導波路型変調器
45 変調器モジュール
46 p型層
47 n型領域
48 p型領域
49 n型ヘビードープ層
50 n型ライトドープ層
51 p型ライトドープ層
52 p型ヘビードープ層
53,54 SiO2膜
55 透明電極
56 SiN膜
57 SiO2膜
58 基板
59,59’,60 アンドープInP膜
61 ディスチャージ電極
62 下り電気信号
63 上り電気信号
64 電気信号LAN
65 信号用グランド
66 信号ライン
67 情報ライン
68 電源ライン
69 面型変調器
71 情報プラグ
72 シールド
74 空乏領域調整層
111 空隙
101 ノード(導体片)
102 交点
201 アクセス系ファイバ
203 空乏層
204 pn接合
205 情報コンセント
Claims (12)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、組成の異なる複数の半導体層からなる量子井戸構造を有する空乏領域調整層と、
前記空乏領域調整層の上面に設けられた複数の金ドットからなる上部金ドット層と、
前記空乏領域調整層の下面に電気的に接続された下部電極と、
前記空乏領域調整層の上面に電気的に接続された上部電極とを備え、
前記複数の金ドットの間隔は、吸収する光の前記空乏領域調整層の内部の波長より短く、
前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加していない場合には、前記空乏領域調整層が空乏化されておらず、前記上部金ドット層から入射してきた光が透過し、
前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加した場合には、前記上部金ドット層から入射してきた光が前記空乏領域調整層において吸収される、面型光変調器。 - 前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加した場合には、前記各金ドットに対応する前記空乏領域調整層の内部の領域が空乏化する、請求項1に記載の面型光変調器。
- 前記空乏化した領域にプラズモンが形成されている、請求項2に記載の面型光変調器。
- 前記量子井戸構造が、複数のInP層と複数のInGaAsP層とを交互に積層してなる、請求項1に記載の面型光変調器。
- 前記上部金ドット層の上部に、SiO2からなる保護層が形成されている、請求項1に記載の面型光変調器。
- 前記各金ドット間の間隔が400nm以下である、請求項1に記載の面型光変調器。
- 前記基板がInPからなる、請求項1に記載の面型光変調器。
- 前記基板と前記下部電極との間に下部コンタクト層が挟まれている、請求項1に記載の面型光変調器。
- 前記基板と前記空乏領域調整層との間に下部コンタクト層が挟まれている、請求項1に記載の面型光変調器。
- 前記基板が導電性を有しており、
前記下部電極は前記基板を前記空乏領域調整層との間に挟むように形成されている、請求項1に記載の面型光変調器。 - 前記空乏領域調整層と前記上部電極との間に上部コンタクト層が挟まれている、請求項1に記載の面型光変調器。
- 前記空乏領域調整層がn型不純物を含有する、請求項1に記載の面型光変調器。
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