JP6688168B2 - 光学素子 - Google Patents
光学素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6688168B2 JP6688168B2 JP2016119982A JP2016119982A JP6688168B2 JP 6688168 B2 JP6688168 B2 JP 6688168B2 JP 2016119982 A JP2016119982 A JP 2016119982A JP 2016119982 A JP2016119982 A JP 2016119982A JP 6688168 B2 JP6688168 B2 JP 6688168B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical element
- type semiconductor
- semiconductor layer
- electrode
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 107
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 121
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 10
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
[第1実施形態]
[第2実施形態]
[第3実施形態]
[第4実施形態]
Claims (13)
- 基板と、
前記基板に二次元状に配列され、アンテナとして機能する電子流路が形成されるn型半導体層を有する複数のアンテナ構造体と、
複数の前記アンテナ構造体のそれぞれに設けられた電極と、を備え、
前記電子流路が形成される前記n型半導体層は、複数の前記アンテナ構造体のそれぞれごとに分離されており、
前記電極は、電圧が印加された際に前記n型半導体層において空乏層が拡大又は縮小することで前記電子流路の形状が変化するように、複数の前記アンテナ構造体のそれぞれに設けられている、光学素子。 - 複数の前記アンテナ構造体は、前記基板上に二次元状に配列されている、請求項1記載の光学素子。
- 複数の前記アンテナ構造体は、前記基板内に二次元状に配列されている、請求項1記載の光学素子。
- 前記電極は、逆電圧が印加された際に前記n型半導体層において前記空乏層が拡大することで前記電子流路の形状が変化するように、前記n型半導体層と接合されている、請求項1〜3のいずれか一項記載の光学素子。
- 前記電極は、逆電圧が印加された際に前記n型半導体層において前記空乏層が拡大することで前記電子流路の形状が変化するように、絶縁層を介して前記n型半導体層上に配置されている、請求項1〜3のいずれか一項記載の光学素子。
- 複数の前記アンテナ構造体のそれぞれは、前記n型半導体層とPN接合を成すp型半導体層を更に有し、
前記電極は、順電圧が印加された際に前記n型半導体層において前記空乏層が縮小することで前記電子流路の形状が変化するように、前記n型半導体層又は前記p型半導体層と接合されている、請求項1〜3のいずれか一項記載の光学素子。 - 複数の前記アンテナ構造体のそれぞれには、複数の前記電極が設けられている、請求項1〜6のいずれか一項記載の光学素子。
- 複数の前記アンテナ構造体のそれぞれは、前記基板の厚さ方向から見た場合に環状又はC字状の形状を呈し、
複数の前記電極のそれぞれは、互いに異なる位置に配置されている、請求項7記載の光学素子。 - 複数の前記アンテナ構造体のそれぞれは、前記基板の厚さ方向から見た場合に放射状に配列された複数のアームを有し、
複数の前記電極のそれぞれは、複数の前記アームのそれぞれに配置されている、請求項7記載の光学素子。 - 複数の前記アンテナ構造体のそれぞれは、前記基板の厚さ方向から見た場合に多角形の形状を呈し、
複数の前記電極のそれぞれは、少なくとも前記多角形における複数の角部のそれぞれに配置されている、請求項7記載の光学素子。 - 複数の前記アンテナ構造体のそれぞれは、前記基板の厚さ方向に沿って延在する側面を有し、
前記電極は、前記側面に配置されている、請求項1〜10のいずれか一項記載の光学素子。 - 制御端子及び一対の電流端子を有し、一対の前記電流端子の一方に前記電極が電気的に接続されたスイッチング素子と、
一対の前記電流端子の他方に電気的に接続された第1配線と、
前記制御端子に電気的に接続された第2配線と、を更に備える、請求項1〜11のいずれか一項記載の光学素子。 - 一対の前記電流端子の前記一方とグランド電位とに電気的に接続されたコンデンサを更に備える、請求項12記載の光学素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016119982A JP6688168B2 (ja) | 2016-06-16 | 2016-06-16 | 光学素子 |
PCT/JP2017/018331 WO2017217168A1 (ja) | 2016-06-16 | 2017-05-16 | 光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016119982A JP6688168B2 (ja) | 2016-06-16 | 2016-06-16 | 光学素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017223867A JP2017223867A (ja) | 2017-12-21 |
JP6688168B2 true JP6688168B2 (ja) | 2020-04-28 |
Family
ID=60663119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016119982A Active JP6688168B2 (ja) | 2016-06-16 | 2016-06-16 | 光学素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6688168B2 (ja) |
WO (1) | WO2017217168A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7144188B2 (ja) * | 2018-05-15 | 2022-09-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 反射型動的メタサーフェス |
JP7219552B2 (ja) * | 2018-05-15 | 2023-02-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光デバイス |
CN112164869B (zh) * | 2020-09-25 | 2021-09-24 | 京信通信技术(广州)有限公司 | 天线、低频辐射单元及辐射臂 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS586314B2 (ja) * | 1975-06-05 | 1983-02-03 | 工業技術院長 | デンソウセンロシンプクヘンチヨウソシ |
JPH06214169A (ja) * | 1992-06-08 | 1994-08-05 | Texas Instr Inc <Ti> | 制御可能な光学的周期的表面フィルタ |
JP3821583B2 (ja) * | 1998-07-13 | 2006-09-13 | 富士写真フイルム株式会社 | 光変調素子及び露光素子及び表示装置 |
JP4526548B2 (ja) * | 2002-01-07 | 2010-08-18 | パナソニック株式会社 | 面型光変調器 |
US8836439B2 (en) * | 2007-10-12 | 2014-09-16 | Los Alamos National Security Llc | Dynamic frequency tuning of electric and magnetic metamaterial response |
US8811914B2 (en) * | 2009-10-22 | 2014-08-19 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Method and apparatus for dynamically processing an electromagnetic beam |
JP5988193B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2016-09-07 | 学校法人中部大学 | 平面型光変調器 |
JP5698394B2 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-04-08 | 日本電業工作株式会社 | 平面アンテナ |
JP6169536B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2017-07-26 | 日本電信電話株式会社 | メタマテリアル能動素子 |
-
2016
- 2016-06-16 JP JP2016119982A patent/JP6688168B2/ja active Active
-
2017
- 2017-05-16 WO PCT/JP2017/018331 patent/WO2017217168A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017223867A (ja) | 2017-12-21 |
WO2017217168A1 (ja) | 2017-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI798437B (zh) | 發光裝置 | |
JP7242716B2 (ja) | 表示装置 | |
US6097040A (en) | Semiconductor light emitting device that prevents current flow in a portion thereof directly under an electrode wire bonding pad | |
US10658540B2 (en) | Micro-light-emitting diode device | |
US7672553B2 (en) | High speed semiconductor optical modulator | |
JP6688168B2 (ja) | 光学素子 | |
KR20230004445A (ko) | 발광 다이오드 구조물 및 그 제조 방법 | |
CN103098237A (zh) | 纳米线发光二极管结构及其制造方法 | |
JP6404567B2 (ja) | 発光素子、発光素子の製造方法、複数の発光素子を備える発光装置、及び、発光装置の製造方法 | |
US10020422B1 (en) | Mesa shaped micro light emitting diode with bottom N-contact | |
US10873006B2 (en) | Light emitting diode structure | |
TW201947278A (zh) | 反射型動態超穎介面 | |
KR20110054318A (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP7232464B2 (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
KR20200088960A (ko) | 발광 장치, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
KR20200088959A (ko) | 발광 장치, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
GB2593354A (en) | PN-junction phase modulator in a large silicon waveguide platform | |
US11747706B2 (en) | Optical display device having variable conductivity patterns | |
KR102525324B1 (ko) | 봉지막을 포함하는 표시 패널 및 이를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치 | |
US20220238756A1 (en) | Light-emitting element, light-emitting element unit including the light-emitting element, and display device | |
US11616168B2 (en) | Micro light-emitting diode display | |
JP2020064993A5 (ja) | ||
TW201535676A (zh) | 發光二極體及其製造方法 | |
US11069798B2 (en) | Ballistic transport device and corresponding component | |
JP5014403B2 (ja) | 棒状構造発光素子、発光装置、発光装置の製造方法、バックライト、照明装置および表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190910 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200317 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200403 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6688168 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |