JPH02271569A - 集積回路の製造方法 - Google Patents
集積回路の製造方法Info
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- JPH02271569A JPH02271569A JP1092691A JP9269189A JPH02271569A JP H02271569 A JPH02271569 A JP H02271569A JP 1092691 A JP1092691 A JP 1092691A JP 9269189 A JP9269189 A JP 9269189A JP H02271569 A JPH02271569 A JP H02271569A
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Landscapes
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光素子と電子素子が集積され、光フアイバ通
信等に用いられる光電子集積回路に関するものである。
信等に用いられる光電子集積回路に関するものである。
光フアイバ通信用の受信フロントエンドとして、受光素
子であるｐｉｎ−ホトダイオード（ＰＩＮ−ＰＤ）と電
子素子である電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）やバイポ
ーラトランジスタとをハイブリッド基板に集積した構造
のものが知られている。
子であるｐｉｎ−ホトダイオード（ＰＩＮ−ＰＤ）と電
子素子である電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）やバイポ
ーラトランジスタとをハイブリッド基板に集積した構造
のものが知られている。
また、ＰＩＮ−Ｐ’ＤとＦＥＴとがＩｎＰ基板上にモノ
リシックに集積された構造のものも既に作製されている
。
リシックに集積された構造のものも既に作製されている
。
ハイブリッド基板上に受光素子および電子素子を集積し
たものは、半田付けにより各素子が実装されているので
、モノリシックのものに比べて信頼性が低く、また、大
量生産に不向きである。
たものは、半田付けにより各素子が実装されているので
、モノリシックのものに比べて信頼性が低く、また、大
量生産に不向きである。
一方、上述した従来のモノリシックのものは、バイポー
ラトランジスタを備えていない。光フアイバ通信の受信
フロントエンドは、その初段においては入力インピーダ
ンスが高くショットノイズの小さいＦＥＴが望ましく、
次段以降は相互コンダクタンスの大きいバイポーラトラ
ンジスタが望ましい。したがって、ＰＩＮ−ＰＤとＦＥ
Ｔとバイポーラトランジスタの３種類の素子が全て同一
半導体基板上にモノリシックに集積化されたものが求め
られているが、未だそのような集積回路は開発されてい
ない。
ラトランジスタを備えていない。光フアイバ通信の受信
フロントエンドは、その初段においては入力インピーダ
ンスが高くショットノイズの小さいＦＥＴが望ましく、
次段以降は相互コンダクタンスの大きいバイポーラトラ
ンジスタが望ましい。したがって、ＰＩＮ−ＰＤとＦＥ
Ｔとバイポーラトランジスタの３種類の素子が全て同一
半導体基板上にモノリシックに集積化されたものが求め
られているが、未だそのような集積回路は開発されてい
ない。
上記課題を解決するために、本発明の集積回路の製造方
法は、電子素子用結晶である高電子移動度トランジスタ
用結晶がエピタキシャル成長により形成された後、光素
子用結晶であるｐｉｎホトダイオード用結高結晶子素子
用結晶であるヘテロ接合バイポーラトランジスタ用結晶
とがそれぞれエピタキシャル成長により形成されること
を特徴とするものである。
法は、電子素子用結晶である高電子移動度トランジスタ
用結晶がエピタキシャル成長により形成された後、光素
子用結晶であるｐｉｎホトダイオード用結高結晶子素子
用結晶であるヘテロ接合バイポーラトランジスタ用結晶
とがそれぞれエピタキシャル成長により形成されること
を特徴とするものである。
高電子移動度トランジスタ用結晶のためのエピタキシャ
ル成長が素子形成のための最初のエピタキシャル成長と
なるので、選択成長マスクが形成されていない清浄な基
板の上でのエピタキシャル成長となる。したがって、高
電子移動度トランジスタ用結晶の能動層の不純物濃度が
十分に低く抑えられる。
ル成長が素子形成のための最初のエピタキシャル成長と
なるので、選択成長マスクが形成されていない清浄な基
板の上でのエピタキシャル成長となる。したがって、高
電子移動度トランジスタ用結晶の能動層の不純物濃度が
十分に低く抑えられる。
第１図は、本発明の一実施例を示す工程断面図である。
本実施例は、Ｐ ＩＮ−ＰＤと、ＦＥＴの一種である高
電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）と、ペテロ接合バ
イポーラトランジスタ（ＨＢ Ｔ）の３種類の素子のた
めのエピタキシャル結晶がインジウム・リン（ＩｎＰ）
基板上にモノリシックに形成されている光電子集積回路
の製造方法である。
電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）と、ペテロ接合バ
イポーラトランジスタ（ＨＢ Ｔ）の３種類の素子のた
めのエピタキシャル結晶がインジウム・リン（ＩｎＰ）
基板上にモノリシックに形成されている光電子集積回路
の製造方法である。
本実施例では、エピタキシャル成長方法として、優れた
選択成長性を示す１００Ｔｏｒｒ以下の減圧での有機金
属気相成長法（ＯＭＶＰＥ）が用いられている。基板温
度は６００℃ないし７００℃程度とし、形成したい半導
体層毎に反応ガスが適宜選択される。エピタキシャル成
長により形成される半導体層としては、ＩｎＰ層、ガリ
ウム・インジウム拳ひ素（Ｇａ Ｉ ｒ＋Ａｓ）層およ
びアルミニウム・インジウム・ひ素（Ａ１１ｎＡｓ）層
の３Ｍ類であり、これらの半導体層が形成すべき素子に
応じて適宜選択される。
選択成長性を示す１００Ｔｏｒｒ以下の減圧での有機金
属気相成長法（ＯＭＶＰＥ）が用いられている。基板温
度は６００℃ないし７００℃程度とし、形成したい半導
体層毎に反応ガスが適宜選択される。エピタキシャル成
長により形成される半導体層としては、ＩｎＰ層、ガリ
ウム・インジウム拳ひ素（Ｇａ Ｉ ｒ＋Ａｓ）層およ
びアルミニウム・インジウム・ひ素（Ａ１１ｎＡｓ）層
の３Ｍ類であり、これらの半導体層が形成すべき素子に
応じて適宜選択される。
ＩｎＰ層のエピタキシャル成長には、反応ガスとしてト
リメチルインジウム（ＴＭＩ）、ホスフィン（ＰＨ３）
およびアルシン（Ａ ｓ Ｈａ ）が用いられる。Ｇａ
ｌｎＡｓ層のエピタキシャル成長には、反応ガスとして
トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム
（ＴＭ Ｉ ）およびアルシン（Ａ ｓ Ｈａ ）が用
いられる。Ａ［ＩｎＡｓ層のエピタキシャル成長には、
反応ガスとしてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ） 、
トリメチルインジウム（ＴＭ Ｉ ）およびアルシン（
Ａ ｓ Ｈｓ ）が用いられる。
リメチルインジウム（ＴＭＩ）、ホスフィン（ＰＨ３）
およびアルシン（Ａ ｓ Ｈａ ）が用いられる。Ｇａ
ｌｎＡｓ層のエピタキシャル成長には、反応ガスとして
トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム
（ＴＭ Ｉ ）およびアルシン（Ａ ｓ Ｈａ ）が用
いられる。Ａ［ＩｎＡｓ層のエピタキシャル成長には、
反応ガスとしてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ） 、
トリメチルインジウム（ＴＭ Ｉ ）およびアルシン（
Ａ ｓ Ｈｓ ）が用いられる。
また、選択成長マスクとしては、窒化シリコン（ＳｉＮ
）膜、または酸化シリコン（ＳｌＯ２）膜が用いら
れる。
）膜、または酸化シリコン（ＳｌＯ２）膜が用いら
れる。
以下、第１図と共に具体的手順を説明する。
まず、用意されたＩｎＰ基板１上に、ＨＥＭＴ形成用の
エピタキシャル成長が行われる。ここでは、能動層であ
るｉ型Ｇａ Ｉ ｎＡｓＡｌＢ１２び電子供給層である
ｎ型Ａ、１ｌＩｎＡｓ層１４が順に形成される（第１図
（Ａ）参照）。ついで、将来ＨＥＭＴが形成される領域
１５にのみ、エピタキシャル層１３および１４が残るよ
うにメサエッチングが行われる。まず、窒化シリコン膜
が、例えば電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学的気相
成長法（ＥＣＲプラズマＣＶＤ）によって、基板表面全
体に形成される。そしてＨＥＭＴ領域１５の表面にレジ
ストパターンが形成され、このレジストパターンをマス
クとして窒化シリコン膜が弗酸（Ｆ Ｈ）で除去される
。つぎに、ＨＥＭＴ領域１５上に残された窒化シリコン
膜およびその上のレジストパターンをマスクとして、上
記エピタキシャル層１３および１４が順次エツチング除
去され、その後、マスクとして用いられたレジストパタ
ーンおよび窒化シリコン膜が除去されてＨＥＭＴ用結晶
１８が形成される（第１図（Ｂ）参照）。
エピタキシャル成長が行われる。ここでは、能動層であ
るｉ型Ｇａ Ｉ ｎＡｓＡｌＢ１２び電子供給層である
ｎ型Ａ、１ｌＩｎＡｓ層１４が順に形成される（第１図
（Ａ）参照）。ついで、将来ＨＥＭＴが形成される領域
１５にのみ、エピタキシャル層１３および１４が残るよ
うにメサエッチングが行われる。まず、窒化シリコン膜
が、例えば電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学的気相
成長法（ＥＣＲプラズマＣＶＤ）によって、基板表面全
体に形成される。そしてＨＥＭＴ領域１５の表面にレジ
ストパターンが形成され、このレジストパターンをマス
クとして窒化シリコン膜が弗酸（Ｆ Ｈ）で除去される
。つぎに、ＨＥＭＴ領域１５上に残された窒化シリコン
膜およびその上のレジストパターンをマスクとして、上
記エピタキシャル層１３および１４が順次エツチング除
去され、その後、マスクとして用いられたレジストパタ
ーンおよび窒化シリコン膜が除去されてＨＥＭＴ用結晶
１８が形成される（第１図（Ｂ）参照）。
ついで、ＨＥＭＴ領域１５に窒化シリコン膜または酸化
シリ・コン膜からなる選択成長マスク１９が形成される
。この選択成長マスク１９も、前述のメサエッチングの
際の窒化シリコンマスクと同様に、ＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄによる成長とレジストパターンによるパターンニング
によって形成される（第１図（Ｃ）参照）。
シリ・コン膜からなる選択成長マスク１９が形成される
。この選択成長マスク１９も、前述のメサエッチングの
際の窒化シリコンマスクと同様に、ＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄによる成長とレジストパターンによるパターンニング
によって形成される（第１図（Ｃ）参照）。
ツキに、Ｐ ＩＮ−ＰＤ用のエピタキシャル選択成長が
行われる。すなわち、ｎ型Ｇａ１ｎＡｓ層２とｉ型Ｇａ
１ｎＡｓ層３とｐ型Ｇａ１ｎＡｓ層４が選択成長マスク
１９上を除いて順に形成される（第１図（Ｄ）参照）。
行われる。すなわち、ｎ型Ｇａ１ｎＡｓ層２とｉ型Ｇａ
１ｎＡｓ層３とｐ型Ｇａ１ｎＡｓ層４が選択成長マスク
１９上を除いて順に形成される（第１図（Ｄ）参照）。
ついで、将来ＰＩＮ−ＰＤが形成される領域５にのみ、
エピタキシャル層２ないし４が残るようにメサエッチン
グが行われ、Ｐ Ｉ Ｎ−ＰＤ用結晶１６が形成される
（第１図（Ｅ）参照）。ここでのメサエッチング方法は
、上述したＨＥＭＴ１８におけるメサエッチングと同様
であり、ＥＣＲプラズマＣＶＤによる窒化シリコンまた
は酸化シリコン膜の形成工程、そのパターンニング工程
、さらにパターンニングされた膜をマスクとするエツチ
ング工程を含んでいる。
エピタキシャル層２ないし４が残るようにメサエッチン
グが行われ、Ｐ Ｉ Ｎ−ＰＤ用結晶１６が形成される
（第１図（Ｅ）参照）。ここでのメサエッチング方法は
、上述したＨＥＭＴ１８におけるメサエッチングと同様
であり、ＥＣＲプラズマＣＶＤによる窒化シリコンまた
は酸化シリコン膜の形成工程、そのパターンニング工程
、さらにパターンニングされた膜をマスクとするエツチ
ング工程を含んでいる。
ついで、ＰＩＮ−ＰＤ領域５に窒化シリコン膜または酸
化シリコン膜からなる選択成長マスク６が形成される。
化シリコン膜からなる選択成長マスク６が形成される。
なお、このときＨＥＭＴ領域１５にも選択成長マスク１
９は残されている。選択成長マスク６も、前述の選択成
長マスク１９と同様に、ＥＣＲプラズマＣＶＤによる膜
形成とレジストパターンによるパターンニングによって
形成される（第１図（Ｆ）参照）。
９は残されている。選択成長マスク６も、前述の選択成
長マスク１９と同様に、ＥＣＲプラズマＣＶＤによる膜
形成とレジストパターンによるパターンニングによって
形成される（第１図（Ｆ）参照）。
つぎに、ＨＢＴ用のエピタキシャル選択成長が行われる
。すなわち、ｎ 型Ｇａ Ｉ ｎＡｓ層７、ｎ型Ｇａ
１ ｎＡｓ層８、ｐ型Ｇａ１ｎＡｓ層９およびｎ型１ｎ
Ｐ層１０が、選択成長マスク６および１９上を除いて表
面全体に順に形成される（第１図（Ｇ）参照）。ついで
、Ｐ Ｉ Ｎ−ＰＤ領域５と同様に、ＨＢＴ領域１１に
ＨＢＴ用結晶１７が残るようにメサエッチングが行われ
る（第１図（Ｈ）参照）。
。すなわち、ｎ 型Ｇａ Ｉ ｎＡｓ層７、ｎ型Ｇａ
１ ｎＡｓ層８、ｐ型Ｇａ１ｎＡｓ層９およびｎ型１ｎ
Ｐ層１０が、選択成長マスク６および１９上を除いて表
面全体に順に形成される（第１図（Ｇ）参照）。ついで
、Ｐ Ｉ Ｎ−ＰＤ領域５と同様に、ＨＢＴ領域１１に
ＨＢＴ用結晶１７が残るようにメサエッチングが行われ
る（第１図（Ｈ）参照）。
最後に、選択成長マスク６および１９を除去すれば、Ｐ
ＩＮ−ＰＤ用結晶１６、ＨＢＴ用結晶１７およびＨＥＭ
Ｔ用結晶１８がそれぞれの領域５．１１および１５に形
成される（第１図（１）参照）。
ＩＮ−ＰＤ用結晶１６、ＨＢＴ用結晶１７およびＨＥＭ
Ｔ用結晶１８がそれぞれの領域５．１１および１５に形
成される（第１図（１）参照）。
ところで、基板全面にエピタキシャル成長を行う場合に
は、適当なエッチャント（ＩｎＰ基板では例えば硫酸な
ど）によりエツチングし、清浄な表面を露出してから結
晶成長を行うことができるため、Ｉ×１０１５Ｃ１１−
３以下の不純物濃度の良好なエピタキシャル層が得られ
る。これに対して、選択成長を行う場合には、基板表面
に既に窒化シリコンあるいは酸化シリコンなどの選択成
長マスクが形成されている。そのため、選択成長マスク
が汚染源となって、不純物濃度をＩ Ｘ １０１６ｃｍ
−３以下にすることは非常に困難である。
は、適当なエッチャント（ＩｎＰ基板では例えば硫酸な
ど）によりエツチングし、清浄な表面を露出してから結
晶成長を行うことができるため、Ｉ×１０１５Ｃ１１−
３以下の不純物濃度の良好なエピタキシャル層が得られ
る。これに対して、選択成長を行う場合には、基板表面
に既に窒化シリコンあるいは酸化シリコンなどの選択成
長マスクが形成されている。そのため、選択成長マスク
が汚染源となって、不純物濃度をＩ Ｘ １０１６ｃｍ
−３以下にすることは非常に困難である。
一方、ｎ型ＡＪ Ｉ ｎＡｓ／Ｇａ Ｉ ｎＡｓエピタ
キシャル層を有するＨＥＭＴは、Ｇａ ｌ ｎＡｓ層中
の不純物濃度がＩ Ｘ １０１６ｃｍ−”以上となると
、ヘテロ界面に形成される２次元電子層中だけでなくＧ
ａｌｎＡｓ層中にも電流が流れ易くなり、ドレインＩ−
Ｖ特性においてドレインコンダクタンスの増加あるいは
ピンチオフ特性の低下を招く。
キシャル層を有するＨＥＭＴは、Ｇａ ｌ ｎＡｓ層中
の不純物濃度がＩ Ｘ １０１６ｃｍ−”以上となると
、ヘテロ界面に形成される２次元電子層中だけでなくＧ
ａｌｎＡｓ層中にも電流が流れ易くなり、ドレインＩ−
Ｖ特性においてドレインコンダクタンスの増加あるいは
ピンチオフ特性の低下を招く。
これに対して、他の素子すなわちＨＢＴおよびＰＩＮ−
ＰＤに対する、再成長中の選択成長マスクの影響は、Ｈ
ＥＭＴに対する影響に比べれば小さい。
ＰＤに対する、再成長中の選択成長マスクの影響は、Ｈ
ＥＭＴに対する影響に比べれば小さい。
本実施例ではＨＥＭＴ用結晶のエピタキシャル成長がＨ
ＢＴ用結晶およびＰＩＮ−ＰＤ用結晶のエピタキシャル
成長にさきがけで行われる。すなわち、ＨＥＭＴ用結晶
は、選択成長マスクが形成されていない清浄な基板上で
のエピタキシャル成長により形成される。したがって、
Ｇａ Ｉ ｎＡｓ層中の不純物濃度を十分に低く抑える
ことができ、良好なドレインＩ−Ｖ特性を得ることがで
きる。
ＢＴ用結晶およびＰＩＮ−ＰＤ用結晶のエピタキシャル
成長にさきがけで行われる。すなわち、ＨＥＭＴ用結晶
は、選択成長マスクが形成されていない清浄な基板上で
のエピタキシャル成長により形成される。したがって、
Ｇａ Ｉ ｎＡｓ層中の不純物濃度を十分に低く抑える
ことができ、良好なドレインＩ−Ｖ特性を得ることがで
きる。
なお、本実施例では、ＨＥＭＴ用結晶１８が形成された
後、ＰＩＮ−ＰＤ用結晶１６、ＨＢＴ用結晶１７の順で
それぞれが形成されているが、ＨＥＭＴ用結晶１８が他
の素子用結晶に先立って形成されるのであれば、Ｐ Ｉ
Ｎ−ＰＤ用結晶１６とＨＢＴ用結晶１７の形成順序は
いずれでもよい。
後、ＰＩＮ−ＰＤ用結晶１６、ＨＢＴ用結晶１７の順で
それぞれが形成されているが、ＨＥＭＴ用結晶１８が他
の素子用結晶に先立って形成されるのであれば、Ｐ Ｉ
Ｎ−ＰＤ用結晶１６とＨＢＴ用結晶１７の形成順序は
いずれでもよい。
また、基板の材料やエピタキシャル成長層の材料は、上
記実施例に限定されるものではな（、適宜選択すること
ができる。
記実施例に限定されるものではな（、適宜選択すること
ができる。
以上説明したように、本発明の集積回路の製造方法によ
れば、互いに異なるエピタキシャル層構造を有するＨＥ
ＭＴ、ＨＢＴおよびＰ Ｉ Ｎ−ＰＤがモノリシックに
形成される。しかも、ＨＥＭＴ用結晶のためのエピタキ
シャル成長が、選択成長マスクが形成されていない清浄
な基板の上での成長となるので、ＨＥＭＴ用結晶の能動
層の不純物濃度が十分に低く抑えられる。したがって、
ドレインコンダクタンスが低く、ピンチオフ特性の良好
なＨＥＭＴを備えた集積回路が得られる。
れば、互いに異なるエピタキシャル層構造を有するＨＥ
ＭＴ、ＨＢＴおよびＰ Ｉ Ｎ−ＰＤがモノリシックに
形成される。しかも、ＨＥＭＴ用結晶のためのエピタキ
シャル成長が、選択成長マスクが形成されていない清浄
な基板の上での成長となるので、ＨＥＭＴ用結晶の能動
層の不純物濃度が十分に低く抑えられる。したがって、
ドレインコンダクタンスが低く、ピンチオフ特性の良好
なＨＥＭＴを備えた集積回路が得られる。
第１図は本発明の一実施例である集積回路の製造方法を
示す工程断面図である。 １−−−１ ｎ Ｐ基板、５−Ｐ Ｉ Ｎ −Ｐ Ｄ領
域、６．１９・・・選択成長マスク、１１・・・ＨＢＴ
領域、１５・・・ＨＥＭＴ領域、１６・・・Ｐ Ｉ Ｎ
−ＰＤ用結晶、１７・・・ＨＢＴ用結晶、１８・・・Ｈ
ＥＭＴ用結晶。 第 】 図（２） 図（］） 実施例（３／３） 第１ 図（３）
示す工程断面図である。 １−−−１ ｎ Ｐ基板、５−Ｐ Ｉ Ｎ −Ｐ Ｄ領
域、６．１９・・・選択成長マスク、１１・・・ＨＢＴ
領域、１５・・・ＨＥＭＴ領域、１６・・・Ｐ Ｉ Ｎ
−ＰＤ用結晶、１７・・・ＨＢＴ用結晶、１８・・・Ｈ
ＥＭＴ用結晶。 第 】 図（２） 図（］） 実施例（３／３） 第１ 図（３）
Claims (1)
- 化合物半導体基板上にエピタキシャル成長による光素子
用結晶と電子素子用結晶が形成される集積回路の製造方
法において、電子素子用結晶である高電子移動度トラン
ジスタ用結晶がエピタキシャル成長により形成された後
、光素子用結晶であるｐｉｎホトダイオード用結晶と電
子素子用結晶であるヘテロ接合バイポーラトランジスタ
用結晶とがそれぞれエピタキシャル成長により形成され
ることを特徴とする集積回路の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092691A JPH02271569A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 集積回路の製造方法 |
| EP90106894A EP0392480B1 (en) | 1989-04-12 | 1990-04-10 | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| DE69030129T DE69030129T2 (de) | 1989-04-12 | 1990-04-10 | Herstellungsverfahren einer integrierten Halbleiterschaltung |
| US07/507,530 US5051372A (en) | 1989-04-12 | 1990-04-11 | Method of manufacturing a semiconductor optoelectric integrated circuit device, having a pin, hemt, and hbt, by selective regrowth |
| CA002014399A CA2014399C (en) | 1989-04-12 | 1990-04-11 | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| KR1019900005076A KR930009595B1 (ko) | 1989-04-12 | 1990-04-12 | 반도체집적회로장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092691A JPH02271569A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271569A true JPH02271569A (ja) | 1990-11-06 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1092691A Pending JPH02271569A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 集積回路の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02271569A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08255838A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-10-01 | Trw Inc | モノリシックの多機能集積回路デバイスを製造する方法 |
| JP2017126738A (ja) * | 2016-01-13 | 2017-07-20 | ソニー株式会社 | 受光素子、受光素子の製造方法、撮像素子および電子機器 |
| CN110753417A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-02-04 | 天津光电通信技术有限公司 | 一种使用max7219控制双极性LED灯的控制方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461944A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Nec Corp | Manufacture of optoelectronic integrated circuit |
-
1989
- 1989-04-12 JP JP1092691A patent/JPH02271569A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461944A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Nec Corp | Manufacture of optoelectronic integrated circuit |
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