JP2000323016A5

JP2000323016A5 - 表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2000323016A5
Application number: JP1999135316A
Authority: JP
Filing date: 1999-05-17
Publication date: 2006-03-30

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】表面に蛍光体層が形成される第２の基板と、
前記第２の基板と相対向し、電子線源が形成される第１の基板とを有し、
前記電子線源は、第１の基板上に積層された第１の導電膜−絶縁膜−第２の導電膜構造を有する表示装置の製造方法であって、
アルコール性水酸基を有する有機溶媒と、無機オキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩（但し、芳香族カルボン酸の塩、もしくは、アルコール性水酸基を２つ以上含まない脂肪族多価カルボン酸の塩に限る）から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液を用いて、前記第１導電膜を陽極酸化して前記絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】前記アルコール性水酸基を有する有機溶媒は、エチレングリコールまたはプロピレングリコールであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】前記無機オキソ酸は、硼酸、燐酸、硫酸、タングステン酸、モリブデン酸、クロム酸およびバナジン酸からなる群から選択される１以上の化合物であり、
前記有機カルボン酸は、サリチル酸、アジピン酸、アゼライン酸、フタル酸、安息香酸、γ−レゾルシン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、ジメチルマロン酸およびシトラコン酸からなる群から選択される１以上の化合物であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】表面に蛍光体層が形成される第２の基板と、
前記第２の基板と相対向し、電子線源が形成される第１の基板とを有し、
前記電子線源は、第１の基板上に積層された第１の導電膜−絶縁膜−第２の導電膜構造を有する表示装置の製造方法であって、
非プロトン性有機溶媒と、無機オキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液を用いて、前記第１導電膜を陽極酸化して前記絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】前記非プロトン性有機溶媒は、γ―ブチロラクトンまたはプロピレンカーボネートであることを特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】前記無機オキソ酸は、硼酸、燐酸、硫酸、タングステン酸、モリブデン酸、クロム酸およびバナジン酸からなる群から選択される１以上の化合物であり、
前記有機カルボン酸は、サリチル酸、アジピン酸、アゼライン酸、フタル酸、安息香酸、γ−レゾルシン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、ジメチルマロン酸およびシトラコン酸からなる群から選択される１以上の化合物であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】表面に蛍光体層が形成される第２の基板と、
前記第２の基板と相対向し、電子線源が形成される第１の基板とを有し、
前記電子線源は、第１の基板上に積層された第１の導電膜−絶縁膜−第２の導電膜構造を有する表示装置の製造方法であって、
アルコール性水酸基を有する有機溶媒と非プロトン性有機溶媒とからなる混合溶媒と、無機オキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液を用いて、前記第１導電膜を陽極酸化して前記絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】前記アルコール性水酸基を有する有機溶媒は、エチレングリコールまたはプロピレングリコールであることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】前記非プロトン性有機溶媒は、γ―ブチロラクトンまたはプロピレンカーボネートであることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】前記無機オキソ酸は、硼酸、燐酸、硫酸、タングステン酸、モリブデン酸、クロム酸およびバナジン酸からなる群から選択される１以上の化合物であり、
前記有機カルボン酸は、サリチル酸、アジピン酸、アゼライン酸、フタル酸、安息香酸、γ−レゾルシン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、ジメチルマロン酸およびシトラコン酸からなる群から選択される１以上の化合物であることを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。