WO2000070642A1

WO2000070642A1 - Dispositif d'affichage

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Publication number: WO2000070642A1
Application number: PCT/JP2000/002979
Authority: WO
Inventors: Masakazu Sagawa; Makoto Okai; Fumikazu Mizutani; Hiroshi Takaha; Makoto Ue
Original assignee: Hitachi, Ltd.; Mitsubishi Chemical Corporation
Priority date: 1999-05-17
Filing date: 2000-05-10
Publication date: 2000-11-23
Also published as: KR100750889B1; JP2000323016A; TW460855B; KR20020013880A

Description

明細書表示装置技術分野

本発明は、表示装置に係わり、特に、 MIM (Me t a 1—

I n s u l a t o r -Me t a l ) 型トンネルダイォ一ド構造の電子線源を用いる表示装置に関する。

背景技術

M I M型トンネルダイオード構造の電子線源を用いる表示装置が、例えば、下記文献（ i ) に記載されている。

( i ) M. Suzuki and T. Kusunoki, Emission and Beam-Divergence Properties of an MIM - Cathode Array for Display Applications" , SID' 97 DIGEST (1997) p.123-126。

前記文献（ i ) に開示されている M I M型ダイォード構造の微小電子線源は、高効率 ·高指向性を特徴としており、トンネル絶縁層の厚さは 5. 5 nmで、電子放出部となる上部電極は、ホットエレクトロンの散乱を避けるため 6 nmと薄くなっている。

前記文献（ i ) に記載されているような M I M型ダイォ一ド構造の電子線源素子は、その構成上、動作中にトンネル絶縁層にはおおよそ 1 OMVZc mの高電界がかかり、約 0. mAZc m²の電流が流れる。

このような過酷な条件下においては、トンネル絶縁層を構成する絶縁膜の経時的な劣化は避けられない。

トンネルダイォード特性の経時変化を観測すると、ダイォード電流は時間と共に減少しやがて破壊に至る。

この現象は、トンネル絶縁層を構成する絶縁膜中で、注入されたホットエレクトロンの一部が、絶縁膜中に存在する電子トラップに捕獲されてマイナスの固定電荷となり、力ソード側の電界を弱める結果、電子注入を抑制することで説明される。また、劣化が時間的に飽和しないことは、高電界中のホットエレクトロンにより、新たな電子トラップが発生していることを物語っている。

この現象が、 M I M型ダイォ一ド構造の電子線源素子の動作寿命を制限する大きな要因となっていた。

そして、従来、トンネル絶縁層を構成する絶縁膜は、化成液として、 1〜3重量。 /₀の酒石酸水溶液をアンモニア水で中和し、エチレングリコールで希釈したものを用い、化成電流密度を 1 0 0 μ A/ c m ²以下に制限して、陽極酸化により形成されていた。

この方法では、良好な初期特性を達成できるが、長期的に特性を維持するのには問題があった。

発明の開示

本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、表示装置において、 M I M型ダイォ一ド構造の電子線源のトンネル絶縁層を構成する絶縁膜の膜質を改善し、動作寿命を向上させることが可能となる技術を用いた表示装置を提供することにある。

本発明は、表面に蛍光体層が形成される第 2の基板と、

前記第 2の基板と相対向し、電子線源が形成される第 1の基板とを有し、前記電子線源が、第 1の基板上に積層された第 1の導電膜（下部電極）一絶縁膜一第 2の導電膜（上部電極）構造を有する表示装置であって、

前記絶縁膜が下記の非水系化成液（a ) 〜（c ) のいずれか一種

( a ) アルコール性水酸基を有する有機溶媒と、無機ォキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩（但し、芳香族カルボン酸の塩、もしくは、アルコール性水酸基を 2つ以上含まない脂肪族多価カルボン酸の塩に限る）から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液、 ( b ) 非プロトン性有機溶媒と、無機ォキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液、

( c ) アルコール性水酸基を有する有機溶媒と非プロトン性有機溶媒とからなる混合溶媒と、無機ォキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩から選ばれた少なくとも 1種の溶質とを含む非水系化成液、を用いて前記第 1導電膜を陽極酸化して形成されたものであることからなる表示装置を提供する。

図面の簡単な説明

図 1は、本発明の実施の形態の表示装置の概略構成を示す展開斜視図である。図 2は、図 1に示す下基板（第 1の基板）の一例の概略構成を示す図である。図 3は、図 1に示す上基板（第 2の基板）の一例の概略構成を示す図である。図 4は、図 2に示す M I M型ダイォード構造の電子線源素子をァレイ状に配置した状態を示す模式図である。

発明を実施するための最良の形態

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。

即ち、本発明は、表面に蛍光体層が形成される第 2の基板（上基板）と、前記第 2の基板と相対向し、電子線源が形成される第 1の基板（下基板）とを有する表示装置であって、前記電子線源は、第 1の基板上に積層された第 1の導電膜一絶縁膜一第 2の導電膜構造を有する表示装置において、前記絶縁膜が、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と、無機ォキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩 (但し、芳香族カルボン酸の塩、もしくは、アルコール性水酸基を 2つ以上含まない脂肪族多価カルボン酸の塩に限る）から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液を用いて、前記第 1導電膜を陽極酸化して形成される絶縁膜であることを特徴とする表示装置に関する。

また、本発明は、表面に蛍光体層が形成される第 2の基板（上基板）と、前記第 2の基板と相対向し、電子線源が形成される第 1の基板（下基板）とを有する表示装置であって、前記電子線源は、第 1の基板上に積層された第 1の導電膜一絶縁膜一第 2の導電膜構造を有する表示装置において、前記絶縁膜が、非プロトン性有機溶媒と、無機ォキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液を用いて、前記第 1導電膜を陽極酸化して形成される絶縁膜であることを特徴とする表示装置に関する。

更にまた、本発明は、表面に蛍光体層が形成される第 2の基板（上基板）と、前記第 2の基板と相対向し、電子線源が形成される第 1の基板（下基板）とを有する表示装置であって、前記電子線源は、第 1の基板上に積層された第 1の導電膜一絶縁膜一第 2の導電膜構造を有する表示装置において、前記絶縁膜が、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と非プロトン性有機溶媒と力らなる混合溶媒と、無機ォキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液を用いて、前記第 1導電膜を陽極酸化して形成される絶縁膜であることを特徴とする表示装置に関する。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。

なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

図 1は、本発明の実施の形態の表示装置の概略構成を示す展開斜視図である。本実施の形態の表示装置は平面型の表示装置であり、表面に、金属一絶縁膜一金属構造（M I M構造）の微小電子線源アレイが形成される下基板（第 1の基板） 3と、ストライプ状の蛍光体層が形成される上基板（第 2の基板） 5とが、枠ガラス 4により対向配置されて構成される。なお、図 1において、 6は排気管である。

図 2は、図 1に示す下基板 3の一例の概略構成を示す図である。

同図に示す下基板 3は、ソーダガラス等のガラス基板 1 1上に形成される X方向に延びるストライプ状の下部電極 1 2と、下部電極 1 2上に形成される電界緩和層（または層間絶縁膜） 1 3およびトンネル絶縁層 1 4と、電界緩和層 1 3およびトンネル絶縁層 1 4上に形成される Y方向に延びるストライプ状のバス電極

1 5と、バス電極 1 5上に形成される上部電極 1 6とで構成される。

ここで、下部電極 1 2とバス電極 1 5とは、互いに略直交するように形成され、下部電極 1 2とバス電極 1 5とが重なる領域内の一部に電子放出部 1 7が形成される。

この電子放出部 1 7は、バス電極 1 5が除去され、上部電極 1 6がトンネル絶縁層 1 4を介して下部電極 1 2と対向している。

図 3は、図 1に示す上基板 5の一例の概略構成を示す図である。

同図に示す上基板 5は、ソーダガラス等のガラス基板 2 1上に、 Y方向に延びるストライプ状の赤、緑、青の蛍光体層から成る蛍光体ストライプ 1 8と、当該蛍光体ストライプ 1 8上に形成されるメタルバック（A 1膜）膜 1 9とで構成される。

本発明の表示装置は、図 2に示すトンネル絶縁層 1 4が、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と、無機ォキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩（但し、芳香族カルボン酸の塩もしくは、アルコール性水酸基を 2つ以上含まない脂肪族多価カルボン酸の塩に限る）から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液（a ) を用いて、下部電極 1 2を陽極酸化して形成される絶縁膜であることを特徴とする。

また、本発明の表示装置は図 2に示すトンネル絶縁層 1 4が、非プロトン性有機溶媒と、無ォキソ機酸の塩および有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液（b ) を用いて、下部電極 1 2を陽極酸化して形成される絶縁膜であることを特徴とする。

あるいは、本発明の表示装置は図 2に示すトンネル絶縁層 1 4が、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と非プロトン性有機溶媒からなる混合溶媒と、無機ォキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液（c ) を用いて、下部電極 1 2を陽極酸化して形成される絶縁膜であることを特徴とする。

本発明における陽極酸化用化成液の溶質となる無機酸としては、無機ォキソ酸が好ましい。

無機ォキソ酸は、プロトンとして解離しうる水素が酸素原子に結合している無機酸であり、中心原子は非金属であっても金属であってもかまわない。

具体的には、硼酸、燐酸、硫酸、タングステン酸、モリブデン酸、クロム酸、バナジン酸および過レニゥム酸からなる群から選択される 1以上の化合物が好ましい。

本発明における陽極酸化用化成液の溶質となる有機カルボン酸としては、カルボキシル基を有する広範な有機化合物の中から選択することができる。

力ルボキシル基の数や結合位置は特に制限されなレ、。

好ましいのは、芳香族カルボン酸の塩および脂肪族多価カルボン酸の塩である。芳香族カルボン酸としては、ベンゼン環、縮合ベンゼン環、非ベンゼン系芳香環、複素芳香環とカルボキシル基とを有する化合物を使用することができる。例えば、ヘテロ原子を含まない芳香族カルボン酸として、サリチル酸、フタル酸、安息香酸、ーレゾルシン酸、トルィル酸、クミル酸、 t一プチル安息香酸、ァニシン酸、 2， 4—クレソチン酸、桂皮酸、 N—メチルアントラニル酸、ゲンチシン酸、没食子酸および p—ヒドロキシ安息香酸を例示することができる。また、ヘテロ芳香族カルボン酸として、ニコチン酸、 2—フロイン酸、 2—テノィン酸およびヒドラジル安息香酸を例示することができる。

さらに、本発明の所期の効果を損なわない限り、カルボキシル基以外の官能基を有する芳香族カルボン酸も使用することができる。

例えば、ニトロ安息香酸、アントラニル酸、モノメチルァミノ安息香酸およびジメチルァミノ安息香酸のようにニトロ基やアミノ基を有する芳香族カルボン酸を使用することができる。

脂肪族多価カルボン酸としては、酒石酸、クェン酸、タルトロン酸、リンゴ酸、シユウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、ァゼライン酸、セバシン酸、ジメチルマロン酸、ジェチルマロン酸、ジプ口ピルマ口ン酸、 2—メチルダルタル酸、 3， 3—ジメチルダルタル酸、 3—メチルアジピン酸、マレイン酸、フマル酸、ィタコン酸、シトラコン酸、 2—メチレンダルタル酸、 2—メチル一2ペンタニ酸などを例示することができる。

なお、化成液としてアルコール性水酸基を有する溶媒を使用する場合は、溶質である有機カルボン酸の塩は芳香族カルボン酸の塩およびアルコール性水酸基を 2つ以上含まない脂肪族多価カルボン酸の塩からなる群から選択することが好ましい。

この場合の芳香族カルボン酸の塩としては、前記の例示化合物を挙げることができる。

また、脂肪族多価カルボン酸の塩は、アルコール性水酸基を 2つ以上含まず、かつ力ルポキシル基 2個を有する脂肪族化合物であれば特にその構造は制限されない。

脂肪族多価カルボン酸を使用する場合には、炭素数 3〜 9の脂肪族ジカルボン酸が好ましい。従って、分子中に不飽和結合を有するものであっても良いし、不飽和結合を有しないものであっても良い。

また、本発明の所期の効果を損なわない限り、カルボキシル基以外の官能基を有する脂肪族多価カルボン酸を使用することができる。

本発明で使用できる脂肪族多価カルボン酸として、例えば、クェン酸、タルトロン酸、リンゴ酸、シユウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、ァゼライン酸、セバシン酸、ジメチルマロン酸、ジェチルマロン酸、ジプロピルマロン酸、 2—メチルダルタル酸、 3， 3—ジメチルグルタル酸、 3—メチルアジピン酸、マレイン酸、フマル酸、ィタコン酸、シトラコン酸、 2—メチレングルタル酸、 2—メチルー 2ペンタニ酸などを例示することができる。

前記無機ォキソ酸の中でも、硼酸、燐酸、硫酸、タングステン酸、モリブデン酸、クロム酸、およびバナジン酸が好ましく、特に、タングステン酸が好ましい。前記有機カルボン酸の中でも、サリチル酸、アジピン酸、ァゼライン酸、フタル酸、安息香酸、 γ—レゾノレシン酸、マレイン酸、フマル酸、ィタコン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、ジメチルマロン酸およびシトラコン酸が好ましく、中でも特に、サリチル酸、アジピン酸、マレイン酸、ァゼライン酸およびフタル酸を使用するのが好ましい。

これらの無機酸の塩や有機カルボン酸の塩を形成するための陽イオンは、特に制限されない。

例えば、アンモニゥムイオン、アルカリ金属イオン、 1、 2、 3、または 4級アルキノレアンモニゥムィ才ン、ホスホニゥムイオンおよびスノレホニゥムイオンなどを用いることができる。

中でも、アンモニゥムイオンまたは 1， 2， 3 , または 4級アルキルアンモニゥムイオンを用いるのが好ましい。

アルキルアンモニゥムイオンを用いる場合のアルキル基の大きさは、溶媒への溶解性を考慮して選択することができる。

通常は炭素数 1〜 4のアルキル基を選択する。

これらの溶質は 1種を単独で使用しても良いし、 2種以上組み合わせて使用しても良い。

また、無機酸や有機カルボン酸の塩以外の溶質を組み合わせて使用しても良い。本発明に用いる化成液の溶質濃度は、 0 . 0 1 〜 3 0重量％の範囲に設定するのが一般的であり、 0 . 1 〜 1 5重量％の範囲内に設定するのが好ましい。

本発明に用いる化成液には、溶媒としてアルコール性水酸基を有する溶媒または非プロトン性有機溶媒を使用する。

溶媒として使用するアルコール性水酸基を有する化合物の種類は特に制限されなレ、。

好ましい溶媒は、アルコール性水酸基を有する脂肪族アルコールである。

例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール等の 1価ァノレコーノレ；エチレングリコー/レ、プロピレングリコ一ノレ等の 2ィ面ァノレコーノレ； 3価以上の多価アルコールを使用することができる。

また、分子内にアルコール性水酸記以外の官能基を有する溶媒も、本発明の所期の効果を損なわない限り使用することができる。

例えば、メチルセ口ソルブゃセ口ソルブ等のようにアルコール性水酸基と共にアルコキシ基を有する溶媒も使用することができる。

これらの溶媒は 1種を単独で使用しても良いし、 2種以上を組み合わせて使用しても良い。

本発明で使用するアルコール性水酸基を有する溶媒としては、炭素数 1 〜 8の溶媒が好ましい。

特に好ましレ、溶媒は、エチレングリコールぉよびプロピレングリコールの単独または混合溶媒である。

本発明で使用する非プロトン性有機溶媒は、極性溶媒であっても非極性溶媒であっても良い。

極性溶媒としては、 y—ブチロラクトン、 γ—バレロラクトン、 δ—バレロラクトン等のラクトン系溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート等のカーボネート系溶媒； Ν—メチルホルムアミド、 Ν— ェチルホルムアミド、 Ν， Ν—ジメチノレホノレムアミド、 Ν， Ν—ジェチルホルムアミド、 Ν—メチルァセトアミド、 Ν， Ν—ジメチルァセトアミド、 Ν—メチルピロロジノン等のァミド系溶媒； 3—メトキシプロピオ二トリル、グルタロニトリル等の二トリル系溶媒；トリメチルホスフェート、トリェチルホスフェート等の燐酸エステル系溶媒を例示することができる。

これらの溶媒は、 1種を単独で使用しても良いし、 2種以上を組み合わせて使用しても良い。

本発明で用いる溶媒として好ましいものは、特にプロピレンカーボネ一トおよび _γ—プチロラクトンの単独あるいは混合溶媒である。

本発明で用いる化成液には、水が 0 . 1〜 5 0重量％含まれていることが好ましい。

水の含有量は、 0 . 1〜3 0重量％であることが好ましく、 0 . 1〜 2 0重量 %であることがより好ましく、 1〜 1 5重量。 /₀であることがさらにより好ましく、 3〜 1 5重量。 /₀であることが特に好ましい。

本発明で用いる化成液を調製するに際して、水を添加する方法は特に制限されない。

例えば、水を含む前記溶媒に前記溶質を溶解することにより本発明で用いる化成液を調製してもよいし、前記溶媒に前記溶質を溶解した後に水を添加して本発明に使用する化成液を調製してもよい。

さらに、酸と塩基とを反応させて前記溶質を生成させる際に副生する水を利用して調製してもよレ、。

また、これらの方法を組み合わせてもよい。

本発明で用いる化成液を用いて第 1導電膜（下部電極）を陽極酸化して絶縁膜 (トンネル絶縁層）を形成する条件は、特に制限されない。

陽極酸化時の温度は、化成液が安定に液体として存在する温度範囲に限定され、一般的には一 2 0〜 1 5 0 °Cの範囲内であり、好ましくは 1 0〜 1 0 0 °Cの範囲内である。

陽極酸化時の電流および電圧の制御方法は特に限定されず、金属表面に酸化皮膜が形成される条件を適宜組み合わせることができる。

通常は、あらかじめ定められた化成電圧（V f ) まで定電流で化成し、化成電圧に達した後は一定時間定電圧で陽極酸化を行う。この際、電流密度は 1 μ〜10 OmA/c m²の範囲内にし、好ましくは 1 // 〜 1 m A/ cm²の範囲にする。

また、 V f は通常 0. 1〜50 Vの範囲内に設定し、好ましくは 0. 1〜20 Vの範囲内に設定する。

第 1導電膜（下部電極）に使用する金属は、陽極酸化によりバリア皮膜を形成するいわゆる，バルブ金属' が対象となり、例えば、アルミニウム（A 1 ) あるいはアルミニウム合金が好ましい。

純粋アルミニウムは熱処理によりヒロックが生じ易いことから、アルミニウム以外の元素を微量含有する合金が配線材料としてより好ましい。

添加する元素としては、スカンジウム（S c) ，イットリウム（Y) ，ランタン（L a) ，プラセオジム（P r) ，ネオジム（Nd) ，ガドリニウム（Gd) ，ホルミウム（Ho) ，エルビウム（E r) 等の希土類元素や、チタン（T i ) 、タンタル（Ta) ，ジルコニウム（Z r) ，ハフニウム（H f ) ，ニオブ（N b) ，タングステン（W) ，モリブデン（Mo) 等の' バルブ金属' 元素を例示することができる。

更には、ケィ素（S i ) 、銅（Cu) であってもよい。

本発明において第 1導電膜としては、ネオジム（Nd) を含むアルミニウム合金が特に好ましい。

第 2の導電膜（上部電極）としては、 I r， P t， Auなどをマスク蒸着等により形成して使用することができる。

以下、本発明の表示装置を実施例について説明する。

実施例 1一 8，比較例 1

本実施例では、始めに、電子線源素子を以下の方法により作成した。

(1) ガラス基板 1 1にスパッタリングにより、 A l _Nd (2原子。 /₀) 合金を 300 nm堆積し、フォトリソグラフィー技術により下部電極（第 1導電膜） 1

2を形成した。

(2) 次に、後にトンネル絶縁層 14となる部分をレジストで覆い、酒石酸アンモニゥム水溶液とエチレングリコールとの混合液（比較例 1) を化成液として用い、陽極酸化により、下部電極 1 2の表面に酸化アルミニウムを形成して厚い電界緩和層 13を形成した。

陽極酸化条件は、定電流（電流密度 30 //A, cm²) 状態で電圧 80 Vまで、その後定電圧状態で 1時間行った。

(3) 続いて、比較例 1以外において化成液として、下記表 1に示す本発明の非水系化成液を用いて、下部電極 1 2の表面の電子放出部 1 7の領域に酸化アルミ二ゥムを形成して薄いトンネル絶縁層 14を形成した。

陽極酸化条件は、定電流（電流密度 10 μ AZc m²) 状態で電圧 4 Vまで、その後定電圧状態で 2時間行つた。

(4) 最後に、バス電極 1 5および上部電極 16を形成した。

ここで、バス電極 1 5は、アルミニウムとモリブデンとの多層膜で構成され、また、上部電極 1 6は、スパッタリングでインジウム（ I r ； l nm) ，白金 (P t ； 2 nm) ，金（Au ； 3 n m) を順次真空を破らずにマスク蒸着を行つて作成した。

前記（1) 〜（4) の手順により作製した MI M型ダイオード構造の微小電子線源素子を、真空容器内で圧力 1 X 10— ⁴ P a下におき、下部電極 1 2を接地し、上部電極 16に 7. 5 Vの電圧を印加したところ、上部電極 16からの電子放出が確認された。

次に、ダイオード電流密度が 0. 4 mAZ cm²となるように初期電圧を設定し、そのまま 1時間駆動を行いその間のダイォード電流の変動を記録した。

その結果、従来仕様の酒石酸とエチレングリコール混合液（比較例 1) に比べて、本発明の化成液を用いて、下部電極 1 2を陽極酸化して形成されたトンネル絶縁層 14を有する M I M型ダイォード構造の微小電子線源素子では、下記表 1 に示すように、電流の減少が少ないことが確認できた。

このように、本実施例 1一 8の M I M型ダイォード構造の微小電子線源素子における、トンネル絶縁層 14は、電子トラップ密度が少なく、高電界、かつ大動作電流条件下において電子トラップの生成が少ないので優れた寿命特性を有する。 No. 溶質種溶 ¾浪度水分量溶媒種後の電流置比較例 1酒石酸アンモニゥム 0.3 t\ lOwtX エチレンク'リコ-ル 60* 実施例 1サリチ A酸アンモニゥム lwt% 5wtS 95X

〃 2 アジ'ピン酸アンモニゥム lwt% 5vtK // 85X

,/ 3マレイン酸アンモニゥム // // 88¾

4ァセ'ライン酸アンモニゥム 86¾

5フタル酸アンモニゥム 85%

6タンク'ステン酸アンモニゥム〃 85%

7サリチ Λ酸アンモニゥム l t¾ 5wtS r- チロラウトン 87X

// 8 〃〃フ °Dビレン力-ホ 'ネート 90¾

実施例 9

次に、図 4に示すように、前記した手順により、 MI M型ダイオード構造の微小電子線源素子をァレイ（マトリックス）状に配列した下基板 3を作成した。続いて、下基板 3と、ストライプ状の蛍光体層が形成される上基板 5と、枠ガラス 4とを、ガラスペーストを使って融着するとともに、排気管 6を融着して真空容器とした。

この時の、ガラスペーストの焼結条件は、大気中、 400。C、 10分とした。続いて、真空容器を油拡散ポンプにより排気し、 300°Cで焼きだしを行い真空度が 7 X 10^_5P aに達した時点で排気管を封止して表示装置を完成させた。本実施例の表示装置の表示実験を、 M I M型ダイォード構造の微小電子線源素子の駆動方式として、プログレッシブモードで行つた。

このプログレッシブモードでは、選択された画素の下部電極 1 2には、一3. 0Vの走査電圧パルスが、また、上部電極 1 6 (バス電極 1 5を介して）には、 4. 5 Vのデータ電圧パルスがそれぞれ印加されるので、電子放出部 i 7から電子が放出される。

この放出された電子は、上基板 5との間（ギャップ =2mm) に印加された 3 kVの加速電圧により加速されて、蛍光体ストライプ 1 8に達し発光を起こす。これに対して、非選択画素では、下部電極 1 2、あるいは上部電極 16 (またはバス電極 1 5 ) のどちらか一方にのみ、一3 . 0 Vの走查電圧パルス、あるいは、 4 . 5 Vのデータ電圧パルスが印加されるので、電子放出部 1 7から電子が放出されない。

この表示実験により、本実施例の表示装置は良好な表示特性を示した。

以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。

産業上の利用可能性

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。

本発明によれば、 M I M型ダイォ一ド構造の電子線源素子を用いた表示装置の動作寿命を向上させることが可能となり、産業上の利用可能性大である。

Claims

請求の範囲

1 . 表面に蛍光体層が形成される第 2の基板と、

前記第 2の基板と相対向し、電子線源が形成される第 1の基板とを有し、前記電子線源が、第 1の基板上に積層された第 1の導電膜一絶縁膜一第 2の導電膜構造を有する表示装置であって、

前記絶縁膜が、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と、無機ォキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩（但し、芳香族カルボン酸の塩、もしくは、アルコール性水酸基を 2つ以上含まない脂肪族多価カルボン酸の塩に限る）から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液を用いて、前記第 1導電膜を陽極酸化して形成される絶縁膜であることからなる表示装置。

2 . 前記アルコール性水酸基を有する有機溶媒は、エチレングリコールまたはプロピレングリコ一ルであることからなる請求項 1記載の表示装置。

3 . 前記無機ォキソ酸は、硼酸、燐酸、硫酸、タングステン酸、モリブデン酸、クロム酸およびバナジン酸からなる群から選択される 1以上の化合物であり、前記有機カルボン酸は、サリチル酸、アジピン酸、ァゼライン酸、フタル酸、安息香酸、 7 -レゾノレシン酸、マレイン酸、フマ/レ酸、イタコン酸、マロン酸、コハク酸、ダルタル酸、ジメチルマロン酸およびシトラコン酸からなる群から選択される 1以上の化合物であることを特徴とする請求項 1記載の表示装置。

4 . 表面に蛍光体層が形成される第 2の基板と、

前記絶縁膜が、非プロトン性有機溶媒と、無機ォキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液を用いて、前記第 1導電膜を陽極酸化して形成される絶縁膜であることからなる表示装置。

5 . 前記非プロトン性有機溶媒が、 γ—プチロラクトンまたはプロピレン力ーボネートであることからなる請求項 4記載の表示装置。

6 . 前記無機ォキソ酸が、硼酸、燐酸、硫酸、タングステン酸、モリブデン酸、クロム酸およびバナジン酸からなる群から選択される 1以上の化合物であり、前記有機カルボン酸が、サリチル酸、アジピン酸、ァゼライン酸、フタル酸、安息香酸、 γ—レゾルシン酸、マレイン酸、フマル酸、ィタコン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、ジメチルマロン酸おょぴシトラコン酸からなる群から選択される 1以上の化合物であることからなる請求項 4記載の表示装置。

7 . 表面に蛍光体層が形成される第 2の基板と、

前記第 2の基板と相対向し、電子線源が形成される第 1の基板とを有し、前記電子線源が、第 1の基板上に積層された第 1の導電膜—絶縁膜—第 2の導電膜構造を有する表示装置であって、

前記絶縁膜が、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と非プロトン性有機溶媒とからなる混合溶媒と、無機ォキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液を用いて、前記第 1導電膜を陽極酸化して形成される絶縁膜であることからなる表示装置。

8 . 前記アルコール性水酸基を有する溶媒は、エチレングリコールまたはプロピレングリコールであることからなる請求項 7記載の表示装置。

9 . 前記非プロトン性有機溶媒は、 γ—ブチロラクトンまたはプロピレン力ーポネートであることからなる請求項 7記載の表示装置。

1 0 . 前記無機ォキソ酸は、硼酸、燐酸、硫酸、タングステン酸、モリブデン酸、クロム酸およびバナジン酸からなる群から選択される 1以上の化合物であり、前記有機カルボン酸は、サリチル酸、アジピン酸、ァゼライン酸、フタル酸、安息香酸、 y—レゾルシン酸、マレイン酸、フマル酸、ィタコン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、ジメチルマロン酸およびシトラコン酸からなる群から選択される 1以上の化合物であることからなる請求項 7記載の表示装置。