JP3335161B2 - 電界放射型電子源 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電界放射により電
子線を放射するようにした電界放射型電子源に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、電界放射型電子源として、例
えば米国特許３６６５２４１号などに開示されているい
わゆるスピント（Spindt）型電極と呼ばれるものがあ
る。このスピント型電極は、微小な三角錐状のエミッタ
チップを多数配置した基板と、エミッタチップの先端部
を露出させる放射孔を有するとともにエミッタチップに
対して絶縁された形で配置されたゲート層とを備え、真
空中にてエミッタチップをゲート層に対して負極として
高電圧を印加することにより、エミッタチップの先端か
ら放射孔を通して電子線を放射するものである。

【０００３】しかしながら、スピント型電極は、製造プ
ロセスが複雑であるとともに、多数の三角錐状のエミッ
タチップを精度良く構成することが難しく、例えば平面
発光装置やディスプレイなどへ応用する場合に大面積化
が難しいという問題があった。また、スピント型電極
は、電界がエミッタチップの先端に集中するので、エミ
ッタチップの先端の周りの真空度が低くて残留ガスが存
在するような場合、放射された電子によって残留ガスが
プラスイオンにイオン化され、プラスイオンがエミッタ
チップの先端に衝突するから、エミッタチップの先端が
ダメージ（例えば、イオン衝撃による損傷）を受け、放
射される電子の電流密度や効率などが不安定になった
り、エミッタチップの寿命が短くなってしまうという問
題が生じる。したがって、スピント型電極では、この種
の問題の発生を防ぐために、高真空（約１０^−５Ｐａ〜
約１０^−６Ｐａ）で使用する必要があり、コストが高く
なるとともに、取扱いが面倒になるという不具合があっ
た。

【０００４】この種の不具合を改善するために、ＭＩＭ
（Metal Insulator Metal)方式やＭＯＳ(Metal Oxid
e Semiconductor)型の電界放射型電子源が提案されて
いる。前者は金属−絶縁膜−金属、後者は金属−酸化膜
−半導体の積層構造を有する平面型の電界放射型電子源
である。しかしながら、このタイプの電界放射型電子源
において電子の放射効率を高めるためには（多くの電子
を放射させるためには）、上記絶縁膜や上記酸化膜の膜
厚を薄くする必要があるが、上記絶縁膜や上記酸化膜の
膜厚を薄くしすぎると、上記積層構造の上下の電極間に
電圧を印加した時に絶縁破壊を起こす恐れがあり、この
ような絶縁破壊を防止するためには上記絶縁膜や上記酸
化膜の膜厚の薄膜化に制約があるので、電子の放出効率
（引き出し効率）をあまり高くできないという不具合が
あった。

【０００５】また、近年では、特開平８−２５０７６６
号公報に開示されているように、シリコン基板などの単
結晶の半導体基板を用い、その半導体基板の一表面を陽
極酸化することにより多孔質半導体層（ポーラスシリコ
ン層）を形成して、その多孔質半導体層上に表面電極を
形成し、半導体基板と表面電極との間に電圧を印加して
電子を放射させるように構成した電界放射型電子源（半
導体冷電子放出素子）が提案されている。

【０００６】しかしながら、上述の特開平８−２５０７
６６号公報に記載の電界放射型電子源では、基板が半導
体基板に限られるので、大面積化やコストダウン化が難
しいという不具合がある。また、特開平８−２５０７６
６号公報に記載の電界放射型電子源では電子放出時にい
わゆるポッピング現象が生じやすく、放出電子量にむら
が起こりやすいので、平面発光装置やディスプレイなど
に応用すると、発光むらができてしまうという不具合が
ある。

【０００７】そこで、本願発明者らは、特願平１０−２
７２３４０号、特願平１０−２７２３４２号において、
多孔質多結晶シリコン層を急速熱酸化（ＲＴＯ）技術に
よって急速熱酸化することによって、導電性基板と表面
電極との間に介在し導電性基板から注入された電子がド
リフトする強電界ドリフト部（強電界ドリフト層）を形
成した電界放射型電子源を提案した。ここにおいて、多
孔質多結晶シリコン層は、導電性基板上の多結晶シリコ
ン層を陽極酸化によって多孔質化することにより形成し
ている。また、表面電極は、強電界ドリフト部の表面に
到達した電子（該到達した電子はホットエレクトロンと
考えられる）が該表面電極内で散乱されることなくトン
ネルして真空中へ放出する必要があるので、膜厚が１０
ｎｍ程度のＡｕ薄膜などにより形成されている。この電
界放射型電子源では、電子放出特性の真空度依存性が小
さく且つ電子放出時にポッピング現象が発生せず安定し
て電子を放出することができ、また、導電性基板として
単結晶シリコン基板などの半導体基板の他にガラス基板
などに導電性膜（例えば、ＩＴＯ膜）を形成した基板な
どを使用することもできるから、従来のように半導体基
板を多孔質化した多孔質半導体層を利用する場合やスピ
ント型電極に比べて、電子源の大面積化および低コスト
化が可能になる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の特願
平１０−２７２３４０号、特願平１０−２７２３４２号
に提案した電界放射型電子源では、表面電極の材料とし
て該表面電極内での電子の散乱が少なくかつ仕事関数が
小さなＡｕを用いることを例示しているが、製造工程に
おいて、導電性基板上の多結晶シリコン層を陽極酸化に
て多孔質化することにより多孔質多結晶シリコン層を形
成しているので、多孔質多結晶シリコン層の表面に多数
の微細な凹凸が形成され、結果として強電界ドリフト部
の表面にも多数の微細な凹凸（この凹凸は凸部の先端と
凹部の底との段差が２００ｎｍ程度である）が形成され
ている。このため、強電界ドリフト部への表面電極の密
着性が低く、製造プロセスの途中などに強電界ドリフト
部から表面電極が剥離してしまうことがあり、歩留まり
が低下してコストが増加したり、経時安定性が低下して
しまうという不具合があった。

【０００９】また、この電界放射型電子源では、動作時
に表面電極近傍の温度が上昇することにより、表面電極
を構成するＡｕ原子が多孔質多結晶シリコンよりなる電
界ドリフト部中へ拡散してしまい、電子放出特性などの
特性が劣化してしまうという不具合があった。なお、表
面電極をＡｕ薄膜により形成した上述の電界放射型電子
源を２００℃で２分間アニールした後に、二次イオン質
量分析法（ＳＩＭＳ）により分析した結果、シリコン
（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、金（Ａｕ）それぞれについて図
１０に示すような深さプロファイルが得られ、強電界ド
リフト部中にＡｕが１μｍ程度の深さまで拡散している
ことがわかった。

【００１０】また、動作時に表面電極近傍の温度が高温
になると、該表面電極のＡｕが凝集して断線が起こる恐
れがあった。

【００１１】なお、上述の特開平８−２５０７６６号公
報に開示された電界放射型電子源においても、多孔質半
導体層上にＡｕ薄膜よりなる表面電極を形成しているの
で、同様の問題が生じる。

【００１２】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的は、低コストかつ経時安定性に優れた電
界放射型電子源を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するために、導電性基板と、導電性基板の一
表面側に形成された多孔質材料よりなる強電界ドリフト
部と、該強電界ドリフト部上に形成された導電性薄膜よ
りなる表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対し
て正極として電圧を印加することにより導電性基板から
注入された電子が強電界ドリフト部をドリフトし表面電
極を通して放出される電界放射型電子源であって、強電
界ドリフト部は、少なくとも、導電性基板の上記一表面
側に形成された柱状の半導体結晶と、半導体結晶間に介
在するナノメータオーダの微結晶半導体層と、微結晶半
導体層の表面に形成され当該微結晶半導体層の結晶粒径
よりも小さな膜厚の絶縁膜とからなり、表面電極は、厚
み方向に積層された少なくとも二層の薄膜電極層からな
り、最上層の薄膜電極層は、放出される電子のエネルギ
近傍の状態密度が低い性質と、仕事関数がＡｕと同じま
たはそれ以下である性質との少なくとも一方の性質を有
し、最下層の薄膜電極層は、強電界ドリフト部との密着
性が良い性質を有することを特徴とするものであり、強
電界ドリフト部が、少なくとも、導電性基板の上記一表
面側に形成された柱状の半導体結晶と、半導体結晶間に
介在するナノメータオーダの微結晶半導体層と、微結晶
半導体層の表面に形成され当該微結晶半導体層の結晶粒
径よりも小さな膜厚の絶縁膜とからなるので、電子放出
特性の真空度依存性が小さくかつ電子放出時にポッピン
グ現象が発生せず安定して高効率で電子を放出すること
ができ、また、表面電極が、厚み方向に積層された少な
くとも二層の薄膜電極層からなり、最上層の薄膜電極層
が、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低い性
質と、仕事関数がＡｕと同じまたはそれ以下である性質
との少なくとも一方の性質を有し、最下層の薄膜電極層
が、強電界ドリフト部との密着性が良い性質を有するの
で、強電界ドリフト部をドリフトした電子が表面電極中
で散乱されにくくかつ表面電極が電界ドリフト部から剥
離するのを防止することができ、経時安定性が向上する
とともに、歩留まりが高くなって低コスト化を図ること
ができる。

【００１４】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、上記最上層の薄膜電極層の膜厚が、当該薄膜電極層
の成膜時に島状の結晶核が合体して平坦な連続膜となる
膜厚以上に設定されているので、断線の発生を抑制する
ことができるとともに、電子放出効率および耐熱性を向
上させることができる。

【００１５】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、上記最下層の薄膜電極層が、当該薄膜電極層上の薄
膜電極層から強電界ドリフト部中への拡散を防止できる
膜厚を有するので、上記最下層の薄膜電極層の膜厚を制
御するだけの簡単な管理で表面電極から強電界ドリフト
部への拡散を防止することができる。

【００１６】請求項４の発明は、請求項１の発明におい
て、上記最下層の薄膜電極層が、Ａｕよりも高い昇華エ
ンタルピーを有するので、上記最下層の薄膜電極層とし
てＡｕを用いる場合に比べて耐熱性および経時安定性が
向上し、上記最下層の薄膜電極層の膜厚を薄くすること
ができて表面電極の膜厚を薄くすることができるから、
電子放出効率を向上させることができる。

【００１７】請求項５の発明は、請求項１ないし請求項
４の発明において、上記表面電極の膜厚が、当該表面電
極中の電子の平均自由行程よりも小さく設定されている
ので、電子放出効率を向上させることができる。

【００１８】請求項６の発明は、請求項１ないし請求項
５の発明において、上記柱状の半導体結晶が、柱状の多
結晶シリコンであり、上記微結晶半導体層が、微結晶シ
リコン層であり、上記絶縁膜が、シリコン酸化膜である
ので、シリコンプロセスを利用しながらも大面積化が可
能になる。

【００１９】請求項７の発明は、請求項１ないし請求項
６の発明において、上記表面電極を構成する薄膜電極層
は二層であって、最上層の薄膜電極層がＡｕよりなり、
最下層の薄膜電極層がＣｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｒｈ、Ｈｆ、Ｉｒおよびそれらの酸化物からなる群より
選択される材料よりなるので、最下層の薄膜電極層を比
較的安価な材料を用いて形成することができる。

【００２０】請求項８の発明は、請求項７の発明におい
て、上記表面電極が、真空蒸着法あるいはＣＶＤ法ある
いはスパッタ法あるいはイオンプレーティング法により
成膜されているので、表面電極を半導体プロセスで利用
される一般的な方法により成膜できる。

【００２１】請求項９の発明は、請求項１ないし請求項
８の発明において、上記強電界ドリフト部が、上記電子
がドリフトするドリフト部とドリフト部よりも熱伝導性
の良い放熱部とからなり、表面電極は、ドリフト部と放
熱部とのうちドリフト部上のみに形成されていないの
で、放熱部に流れる無駄な電流を低減でき、電子放出効
率を向上することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】（実施形態１） 図１に本実施形態の電界放射型電子源１０の概略断面図
を、図２（ａ）〜（ｄ）に電界放射型電子源１０の製造
方法における主要工程断面図を示す。なお、本実施形態
では、導電性基板として抵抗率が導体の抵抗率に比較的
近い単結晶のｎ形シリコン基板１（例えば、抵抗率が略
０．１Ωｃｍの（１００）基板）を用いている。

【００２３】本実施形態の電界放射型電子源１０は、図
１に示すように、導電性基板たるｎ形シリコン基板１の
主表面（一表面）側に酸化された多孔質多結晶シリコン
層よりなる強電界ドリフト部６が形成され、強電界ドリ
フト部６上に導電性薄膜よりなる表面電極７が形成され
ている。また、ｎ形シリコン基板１の裏面にはオーミッ
ク電極２が形成されている。

【００２４】なお、本実施形態では、導電性基板として
ｎ形シリコン基板１を用いているが、導電性基板は、電
界放射型電子源１０の負極を構成するとともに真空中に
おいて上述の強電界ドリフト部６を支持し、なお且つ、
強電界ドリフト部６へ電子を注入するものである。した
がって、導電性基板は、電界放射型電子源１０の負極を
構成し強電界ドリフト部６を支持することができればよ
いので、ｎ形シリコン基板に限定されるものではなく、
クロムなどの金属基板であってもよいし、ガラスなどの
絶縁性基板の一表面に導電性膜（例えば、ＩＴＯ膜）を
形成したものであってもよい。ガラス基板の一表面に導
電性膜を形成した基板を用いる場合には、半導体基板を
用いる場合に比べて、電子源の大面積化および低コスト
化が可能になる。また、強電界ドリフト部６を酸化され
た多孔質多結晶シリコン層により構成しているが、窒化
された多孔質多結晶シリコン層により構成してもよい
し、その他の酸化若しくは窒化された多孔質半導体層に
より構成してもよい。なお、いずれの場合も、強電界ド
リフト部６は、多孔質材料により形成されることにな
る。

【００２５】この電界放射型電子源１０では、図３に示
すように、表面電極７を真空中に配置するとともに表面
電極７に対向してコレクタ電極２１を配置し、表面電極
７をｎ形シリコン基板１（オーミック電極２）に対して
正極として直流電圧を印加するとともに、コレクタ電極
２１を表面電極７に対して正極として直流電圧を印加す
ることにより、導電性基板１から注入された電子が強電
界ドリフト部６をドリフトし表面電極７を通して放出さ
れる。したがって、表面電極７としては、仕事関数の小
さな材料を用いることが望ましい。なお、この電界放射
型電子源１０の基本構成および基本動作については本願
発明者らが既に特願平１０−２７２３４０号、特願平１
０−２７２３４２号において提案している。

【００２６】ところで、本実施形態では、表面電極７
が、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低くか
つ強電界ドリフト部６との密着性が良い性質を有する点
に特徴がある。ここで、上述のホットエレクトロンの散
乱は主に電子−電子散乱であり、状態密度が高いほど散
乱確率が高くなることが知られている。つまり、状態密
度が低い材料を表面電極７に用いれば、散乱確率が低く
なり、電子源としての効率（電子放出効率）が向上す
る。ここで、放出されるエネルギ近傍の状態密度が低い
とは、主にｄ軌道の電子からなる状態密度の高い部分と
比較して低いという意味である。また、密着性が良いと
は、少なくともＡｕよりも強電界ドリフト部６との密着
性が良く、フォトリソグラフィなどのプロセス中に剥離
などの問題を生じないという意味である。ここにおい
て、表面電極７は、厚み方向に積層された二層の薄膜電
極層７ｂ，７ａからなり、最上層の薄膜電極層７ａは、
放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低い性質を
有し、最下層の薄膜電極層７ｂは、放出される電子のエ
ネルギ近傍の状態密度が低くかつ強電界ドリフト部６と
の密着性が良い性質を有している。なお、放出される電
子は、強電界ドリフト部６をドリフトし表面電極７を通
して放出される電子である。また、放出される電子のエ
ネルギ近傍の状態密度が低い性質を有することにより、
電子が散乱されにくくなる。

【００２７】さらに、最下層の薄膜電極層７ｂの材料
は、最上層の薄膜電極層７ａの材料に比べて強電界度ド
リフト部６中で拡散しにくい（つまり、強電界ドリフト
部６の材料中での拡散係数が小さい）性質を有してい
る。なお、本実施形態では、表面電極７を厚み方向に積
層された二層の薄膜電極層７ｂ，７ａにより構成してい
るが、厚み方向に積層された三層以上の薄膜電極層によ
り構成してもよく、厚み方向に隣接する薄膜電極層間
（本実施形態においては薄膜電極層７ａと薄膜電極層７
ｂとの間）は密着性が良いことが望ましい。

【００２８】しかして、本実施形態の電界放射型電子源
１０では、表面電極７が、放出される電子のエネルギ近
傍の状態密度が低くかつ強電界ドリフト部６との密着性
が良い性質を有するので、強電界ドリフト部６をドリフ
トした電子が表面電極７中で散乱されにくくかつ表面電
極７が電界ドリフト部６から剥離するのを防止すること
ができ、経時安定性が向上するとともに、歩留まりが高
くなって低コスト化を図ることができるという効果が得
られる。なお、本実施形態では、最上層の薄膜電極層７
ａが、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低い
性質を有しているが、この性質の代わりに仕事関数がＡ
ｕと同じまたはそれ以下である性質を有した材料であっ
てもよいし、これら両方の性質を有している場合にも、
同様の効果が得られる。

【００２９】最上層の薄膜電極層７ａとしては金（Ａ
ｕ）を用いており、最下層の薄膜電極層７ｂとしては、
クロム（Ｃｒ）を用いているが、最下層の薄膜電極層７
ｂとしてはクロムの代わりに、ニッケル（Ｎｉ）、白金
（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ロ
ジウム（Ｒｈ）、ハフニウム（Ｈｆ）、イリジウム（Ｉ
ｒ）のいずれかあるいはそれらの酸化物を用いてもよ
い。最下層の薄膜電極層７ｂとして、クロム、ニッケ
ル、白金、チタン、ジルコニウム、ロジウム、ハフニウ
ム、イリジウムのいずれかあるいはそれらの酸化物を用
いることにより、最下層の薄膜電極層７ｂの材料コスト
を比較的安価にすることができる。ここに、金の仕事関
数は５．１０ｅＶ、クロムの仕事関数は４．５０ｅＶ、
ニッケルの仕事関数は５．１５ｅＶ、白金の仕事関数は
５．６５ｅＶである。また、最下層の薄膜電極層７ｂの
材料として、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒ
ｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、ス
カンジウム（Ｓｃ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム
（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃ
ｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、
イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ
（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、テクネチウム（Ｔ
ｃ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａ
ｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、錫（Ｓｎ）、タンタル（Ｔ
ａ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、タリウ
ム（Ｔｌ）、鉛（Ｐｂ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム
（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、ネオジウム（Ｎ
ｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユ
ーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウ
ム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈ
ｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテ
ルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）のいずれかある
いはそれらの合金を用いてもよい。

【００３０】上述の最上層の薄膜電極層７ａの膜厚は、
当該薄膜電極層７ａの成膜時に島状の結晶核が合体して
平坦な連続膜となる膜厚（臨界膜厚）以上に設定してあ
るので、薄膜電極層７ａにおける断線の発生を抑制する
ことができるとともに、電子放出効率および耐熱性を向
上させることができる。なお、最上層の薄膜電極層７ａ
として金よりも被覆性の良い材料を用いることにより、
最上層の薄膜電極層７ａの膜厚を薄くすることができる
ので、表面電極７の膜厚を薄くすることができ、電子放
出効率を向上させることができる。

【００３１】一方、上述の最下層の薄膜電極層７ｂは、
最上層の薄膜電極層７ａから強電界ドリフト部６中への
拡散を防止する拡散防止層としての機能を有しており、
最上層の薄膜電極層７ａから強電界ドリフト部６へ金が
拡散するのを防止することができ、耐熱性および経時安
定性が向上する。ここにおいて、最下層の薄膜電極層７
ｂの膜厚を、該薄膜電極層７ｂ上の薄膜電極層（本実施
形態では、最上層の薄膜電極層７ａ）から強電界ドリフ
ト部６への金の拡散を防止できる膜厚に設定することに
より、最下層の薄膜電極層７ｂの膜厚を制御するだけの
簡単な管理で最上層の薄膜電極層７ａから強電界ドリフ
ト部６への金の拡散を確実に防止することができる。ま
た、上述の最下層の薄膜電極層７ｂとしてＡｕよりも昇
華エンタルピーの高い材料を用いることにより、耐熱性
および経時安定性が向上し、最下層の薄膜電極層７ｂの
膜厚を薄くすることができて表面電極７の膜厚を薄くす
ることができるから、電子放出効率を向上させることが
できる。

【００３２】ところで、本実施形態では、表面電極７の
膜厚を、当該表面電極７中の電子の平均自由行程よりも
小さく設定してあるので、電子放出効率を高めることが
できる。言い換えれば、金を材料とする薄膜電極層７ａ
と酸化された多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ド
リフト部６との間に薄膜電極層７ｂを設けたことによる
電子放出効率の低下を抑制することができる。

【００３３】なお、強電界ドリフト部６は、図４に示す
ように、少なくとも、柱状の半導体結晶である多結晶シ
リコン５１（グレイン）と、多結晶シリコン５１の表面
に形成された薄い絶縁膜であるシリコン酸化膜５２と、
多結晶シリコン５１間に介在するナノメータオーダの微
結晶半導体層である微結晶シリコン層６３と、微結晶シ
リコン層６３の表面に形成され当該微結晶シリコン層６
３の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜であるシリコン
酸化膜６４とから構成されると考えられる。すなわち、
強電界ドリフト部６は、各グレインの表面が多孔質化し
各グレインの中心部分では結晶状態が維持されていると
考えられる。したがって、電界ドリフト部６に印加され
た電界はほとんどシリコン酸化膜６４にかかるから、注
入された電子はシリコン酸化膜６４にかかっている強電
界により加速され多結晶シリコン５１間を表面に向かっ
て図４中の矢印Ａの向きへ（図４中の上方向へ向かっ
て）ドリフトするので、電子放出効率を向上させること
ができる。なお、強電界ドリフト部６の表面に到達した
電子はホットエレクトロンであると考えられ、表面電極
７を容易にトンネルし真空中に放出される。また、上述
の多結晶シリコン５１はｎ形シリコン基板１の主表面に
略直交して列設されている。

【００３４】以下、図１の電界放射型電子源１０の製造
方法について図２を参照しながら説明する。

【００３５】まず、ｎ形シリコン基板１の裏面にオーミ
ック電極２を形成した後、ｎ形シリコン基板１の主表面
に所定膜厚（例えば、１．５μｍ）のノンドープの多結
晶シリコン層（多結晶シリコン薄膜）３を例えばＬＰＣ
ＶＤ法によって形成（成膜）することにより図２（ａ）
に示すような構造が得られる。なお、多結晶シリコン層
３の成膜は、導電性基板が半導体基板の場合にはＬＰＣ
ＶＤ法の他にスパッタ法により行ってもよいし、あるい
は、プラズマＣＶＤ法によってアモルファスシリコンを
成膜した後にアニール処理を行うことにより結晶化させ
て成膜してもよい。また、導電性基板としてガラス基板
に透明導電性膜を形成した基板を用いる場合には、ＣＶ
Ｄ法により透明導電性膜上にアモルファスシリコンを成
膜した後にアニールすることにより、多結晶シリコン層
３を形成してもよい。また、透明導電性膜上に多結晶シ
リコン層３を形成する方法はＣＶＤ法に限定されるもの
ではなく、例えばＣＧＳ（Continuous Grain Silico
n）法や触媒ＣＶＤ法などを用いてもよい。

【００３６】ノンドープの多結晶シリコン層３を形成し
た後、５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエタノールとを
略１：１で混合した混合液よりなる電解液の入った陽極
酸化処理槽を利用し、白金電極（図示せず）を負極、ｎ
形シリコン基板１（オーミック電極２）を正極として、
多結晶シリコン層３に光照射を行いながら所定の条件で
陽極酸化処理を行うことによって、多孔質多結晶シリコ
ン層４が形成され図２（ｂ）に示すような構造が得られ
る。ここにおいて、本実施形態では、陽極酸化処理の条
件として、電流密度を一定として、陽極酸化処理中に５
００Ｗのタングステンランプにより多結晶シリコン層３
の表面に光照射を行い、多結晶シリコン層３の全部を多
孔質化しているが、多結晶シリコン層３の一部を多孔質
化するようにしてもよい。

【００３７】上述の陽極酸化処理が終了した後、急速熱
酸化技術によって多孔質多結晶シリコン層４の急速熱酸
化を行うことにより図２（ｃ）に示す構造が得られる。
図２（ｃ）における６は多孔質多結晶シリコン層４を急
速熱酸化によって酸化することにより形成された強電界
ドリフト部６を示す。ここに、本実施形態では、多孔質
多結晶シリコン層４の酸化を急速熱酸化により行ってい
るので、数秒で酸化温度まで昇温することが可能であ
り、通常の炉心管タイプの酸化装置で問題となる入炉時
の巻き込み酸化を抑制することができる。なお、多孔質
多結晶シリコン層４の酸化方法としては、熱酸化法の他
に、プラズマによる酸化方法や電気化学的な（例えば酸
による）酸化方法を用いてもよい。また、多孔質多結晶
シリコン層４を酸化する代わりに、窒化するようにして
よい。

【００３８】強電界ドリフト部６を形成した後は、強電
界ドリフト部６上に導電性薄膜よりなる表面電極７を例
えば電子ビーム蒸着法により形成することによって、図
２（ｄ）に示す構造の電界放射型電子源１０が得られ
る。ここに、表面電極７は、上述の最下層の薄膜電極層
７ｂを形成し、続いて最上層の薄膜電極層７ａを形成し
ている。本実施形態では、表面電極７となる導電性薄膜
を電子ビーム蒸着法により形成しているが、導電性薄膜
の形成方法は真空蒸着法（例えば、電子ビーム蒸着法、
抵抗加熱蒸着法など）あるいはＣＶＤ法あるいはスパッ
タ法あるいはイオンプレーティング法を用いてもよい。

【００３９】上述の製造方法で製造された電界放射型電
子源１０は、本願発明者らが特願平１０−２７２３４０
号、特願平１０−２７２３４２号で提案した電界放射型
電子源と同様に、電子放出特性の真空度依存性が小さく
且つ電子放出時にポッピング現象が発生せず安定して電
子を放出することができ、また、導電性基板として単結
晶シリコン基板などの半導体基板の他にガラス基板など
に導電性膜（例えば、ＩＴＯ膜）を形成した基板などを
使用することもできるから、スピント型電極に比べて、
電子源の大面積化および低コスト化が可能になる。

【００４０】次に、本実施形態の電界放射型電子源１０
を利用したディスプレイの一例について図５を参照しな
がら説明する。

【００４１】図５に示すディスプレイは、電界放射型電
子源１０の表面電極７に対向配置されるガラス基板３３
を備え、ガラス基板３３の電界放射型電子源１０と対向
する面にはストライプ状にコレクタ電極３１が形成さ
れ、表面電極７から放射される電子線によって可視光を
発光する蛍光体層３２がコレクタ電極３１を覆うように
形成されている。ここに、表面電極７はストライプ状に
形成されている。なお、電界放射型電子源１０とガラス
基板３３との間の空間は真空にしてある。

【００４２】このディスプレイでは、表面電極７をスト
ライプ状に形成するとともに、コレクタ電極３１を表面
電極７に直交するストライプ状に形成しておき、コレク
タ電極３１および表面電極７を適宜選択して電圧（電
界）を印加することにより、電圧を印加した表面電極７
からのみ電子が放出される。そして、放出された電子
は、当該電子が放出された表面電極７において対向する
コレクタ電極３１に電圧が印加されている領域から放出
された電子だけが加速され、該コレクタ電極３１を覆う
蛍光体を光らせる。

【００４３】要するに、図５に示す構成のディスプレイ
では、特定の表面電極７と特定のコレクタ電極３１とに
電圧を印加することにより、蛍光体層３２のうち前記電
圧が印加された両電極７，３１の交差する領域に対応す
る部分を光らせることができる。そして、電圧を印加す
る表面電極７およびコレクタ電極３１を適宜切り替える
ことにより、画像や文字などを表示することが可能にな
る。

【００４４】（実施例） 実施形態１にて図２を参照しながら説明した電界放射型
電子源１０の製造方法で以下の条件により図１の電界放
射型電子源１０を作成した。

【００４５】ｎ形シリコン基板１としては、抵抗率が
０．０１〜０．０２Ωｃｍ、厚さが５２５μｍの（１０
０）基板を用いた。多結晶シリコン層３（図２（ａ）参
照）の成膜は、ＬＰＣＶＤ法により行い、成膜条件は、
真空度を２０Ｐａ、基板温度を６４０℃、モノシランガ
スの流量を標準状態で０．６Ｌ／ｍｉｎ（６００ｓｃｃ
ｍ）とした。

【００４６】陽極酸化では電解液として、５５ｗｔ％の
フッ化水素水溶液とエタノールとを略１：１で混合した
電解液を用いた。陽極酸化は、多結晶シリコン層３のう
ち表面の直径１０ｍｍの領域のみが電解液に触れるよう
にし、他の部分は電解液に接触しないようにシールを行
い、電解液中に白金電極を浸し、５００Ｗのタングステ
ンランプを用いて多結晶シリコン層３に一定の光パワー
で光照射を行いながら、白金電極を負極、ｎ形シリコン
基板１（オーミック電極２）を正極として所定の電流を
流した。ここに、陽極酸化期間における電流密度は、３
０ｍＡ／ｃｍ^２で一定とした。

【００４７】多孔質多結晶シリコン層４を急速熱酸化す
る条件は、酸素ガスの流量を標準状態で０．３Ｌ／ｍｉ
ｎ（３００ｓｃｃｍ）、酸化温度を９００℃、酸化時間
を１時間とした。また、表面電極７は電子ビーム蒸着法
によって形成し、膜厚を１２ｎｍとした。ここにおい
て、最下層の薄膜電極層７ｂとしてはクロムを用い、最
上層の薄膜電極層７ａとしては金を用いた。なお、最下
層の薄膜電極層７ｂの膜厚は２ｎｍ、最上層の薄膜電極
層７ａの膜厚は１０ｎｍとした。

【００４８】本実施例の電界放射型電子源１０を真空チ
ャンバ（図示せず）内に導入して、図３に示すように表
面電極７と対向する位置にコレクタ電極２１（放射電子
収集電極）を配置し、真空チャンバ内の真空度を５×１
０^−５Ｐａとして、表面電極７（正極）とオーミック電
極２（負極）との間に２０Ｖの直流電圧Ｖpsを印加する
とともに、コレクタ電極２１と表面電極７との間に１０
０Ｖの直流電圧Ｖｃを印加することによって、表面電極
７とオーミック電極２との間に流れるダイオード電流Ｉ
psと、電界放射型電子源１０から表面電極７を通して放
射される電子ｅ⁻（なお、図３中の一点鎖線は放射電子
流を示す）によりコレクタ電極２１と表面電極７との間
に流れる放出電子電流Ｉｅとを測定した。その結果、表
面電極７からコレクタ電極２１に向かって電子が放出さ
れるのを観測することができた。

【００４９】また、本実施例の電界放射型電子源１０を
２００℃で２分間アニールした後に、二次イオン質量分
析法（ＳＩＭＳ）により分析した結果、図６に示すよう
な深さプロファイルが得られ、図１０に示した従来の電
界放射型電子源に比べて金（Ａｕ）の拡散深さが１／３
程度になっていることがわかる。なお、最上層の薄膜電
極層７ａとして金を用いていることにより、表面電極７
が高い耐酸化性を有することから、例えばスピント型の
電子源に要求されるような高真空でなくても、経時的に
安定である。

【００５０】（実施形態２） 図７に本実施形態の電界放射型電子源１０の概略構成図
を、図８（ａ）〜（ｃ）に電界放射型電子源１０の製造
方法における主要工程断面図を示す。なお、本実施形態
では、導電性基板として抵抗率が導体の抵抗率に比較的
近い単結晶のｎ形シリコン基板１（例えば、抵抗率が略
０．１Ωｃｍの（１００）基板）を用いている。

【００５１】本実施形態の電界放射型電子源１０は、図
７に示すように、ｎ形シリコン基板１の主表面側に強電
界ドリフト部６が形成され、強電界ドリフト部６上に導
電性薄膜よりなる表面電極７が形成されている。また、
ｎ形シリコン基板１の裏面にはオーミック電極２が形成
されている。

【００５２】この電界放射型電子源１０では、表面電極
７を真空中に配置するとともに表面電極７に対向してコ
レクタ電極（図示せず）を配置し、表面電極７をオーミ
ック電極２に対して正極として直流電圧を印加するとと
もに、コレクタ電極を表面電極７に対して正極として直
流電圧を印加することにより、ｎ形シリコン基板１から
強電界ドリフト部６へ注入された電子が強電界ドリフト
部６をドリフトし表面電極７を通して放出される。ここ
において、表面電極７とオーミック電極２との間に流れ
る電流をダイオード電流と称し、コレクタ電極と表面電
極７との間に流れる電流を放出電子電流と称し、ダイオ
ード電流に対する放出電子電流が大きいほど電子の放出
効率が高くなる。なお、本実施形態の電界放射型電子源
１０では、表面電極７とオーミック電極２との間の直流
電圧を１０〜２０Ｖ程度の低電圧としても電子を放出さ
せることができる。

【００５３】本実施形態における強電界ドリフト部６
は、導電性基板たるｎ形シリコン基板１の厚み方向に直
交する断面が網目状に形成され上記電子がドリフトする
ドリフト部６１と、網目の中に満たされたドリフト部６
１よりも熱伝導性の良い放熱部６２とからなる。要する
に、放熱部６２は、ｎ形シリコン基板１の厚み方向に平
行な角柱状に形成されている。ここにおいて、ドリフト
部６１は、酸化された多孔質多結晶シリコンよりなり、
放熱部６２は、酸化された多結晶シリコンよりなる。

【００５４】また、表面電極７は、実施形態１と同様、
厚み方向に積層された二層の薄膜電極層７ｂ，７ａから
なり、強電界ドリフト部６のドリフト部６１と放熱部６
２とのうちドリフト部６１上にのみ形成されている点が
実施形態１と相違する。

【００５５】しかして、本実施形態の電界放射型電子源
１０では、ドリフト部６１で発生した熱が放熱部６２を
通して放熱されるので、電子放出時にポッピング現象が
発生せず安定して高効率で電子を放出することができ
る。しかも、放熱部６２上には表面電極７が形成されて
いないので、ドリフト部６１と放熱部６２との両方に跨
って表面電極７が形成される場合（つまり、強電界ドリ
フト部６上の全面にわたって表面電極７が形成される場
合）に比べて、放熱部６２に流れる無駄な電流を低減で
き、電子放出効率を向上することができる。

【００５６】以下、製造方法について図８を参照しなが
ら説明する。

【００５７】まず、ｎ形シリコン基板１の裏面にオーミ
ック電極２を形成した後、ｎ形シリコン基板１の主表面
上に所定膜厚（例えば、１．５μｍ）のノンドープの多
結晶シリコン層３を例えばＬＰＣＶＤ法によって形成
し、その後、多結晶シリコン層３上にフォトレジストを
塗布し、図９に示すようなフォトマスクＭを利用し上記
フォトレジストをパターニングすることによってレジス
トマスク３０を形成することにより図８（ａ）に示すよ
うな構造が得られる。ここに、フォトマスクＭは、レジ
ストマスク３０の平面形状が微小（例えば、０．１μｍ
オーダ）な略正方形になるように構成されているが、レ
ジストマスク３０の平面形状が正方形以外の微小な多角
形状、微小な円形状、微小な星形などになるように構成
してもよい。

【００５８】次に、５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエ
タノールとを略１：１で混合した混合液よりなる電解液
を用い、白金電極（図示せず）を負極、ｎ形シリコン基
板１（オーミック電極２）を正極として、多結晶シリコ
ン層３の主表面側に光照射を行いながら所定の条件で陽
極酸化処理を行うことによって、多結晶シリコン層３の
主表面側においてレジストマスク３０で覆われていない
部分が多孔質化されて多孔質多結晶シリコン層１１が形
成され図８（ｂ）に示すような構造が得られる。ここ
に、図８（ｂ）中の１２は多結晶シリコン層３の一部よ
りなる多結晶半導体層を示す。この多結晶半導体層１２
は、四角柱状に形成される。なお、本実施形態では、陽
極酸化処理の条件として、電流密度を１０ｍＡ／ｃｍ^２
一定、陽極酸化時間を３０秒とするとともに、陽極酸化
中に５００Ｗのタングステンランプにより多結晶シリコ
ン層３の主表面側に光照射を行ったが、この条件は一例
であって特に限定されるものではない。

【００５９】レジストマスク３０を除去した後、急速熱
酸化（ＲＴＯ：Rapid Thermal Oxidation）技術によ
って多孔質多結晶シリコン層１１および多結晶半導体層
１２の急速熱酸化を行うことによって強電界ドリフト部
６が形成され、続いて、強電界ドリフト部６上に表面電
極７を例えば電子ビーム蒸着法によって形成することに
より図８（ｃ）に示す構造が得られる。ここに、図８
（ｃ）における６１は急速熱酸化された多孔質多結晶シ
リコン層１１であって上述のドリフト部６１に対応し、
６２は急速熱酸化された多結晶半導体層１２であって上
述の放熱部６２に対応する。つまり、図８（ｃ）におけ
るドリフト部６１と放熱部６２とで強電界ドリフト部６
を構成している。急速熱酸化の条件としては、酸化温度
を９００℃、酸化時間を１時間とした。また、表面電極
７の膜厚は略１２ｎｍとし、最下層の薄膜電極層７ｂの
膜厚を２ｎｍ、最上層の薄膜電極層７ａの膜厚を１０ｎ
ｍとした。

【００６０】なお、上述の製造方法により製造された電
界放射型電子源１０は、放出電子電流の経時変化が少な
くてポッピングノイズがなく、電子が安定して高効率で
放出された。また、この電界放射型電子源１０は、電子
放出特性（例えば、電子放出電流）の真空度依存性が小
さく、低真空度でも良好な電子放出特性が得られたの
で、従来のような高真空で使用する必要がないから、電
界放射型電子源１０を利用する装置の低コスト化が図れ
るとともに取り扱いが容易になる。

【００６１】ところで、本実施形態の電界放射型電子源
１０では、ポッピングノイズが発生せずに高効率で安定
して電子を放出することができるが、これは、電圧の印
加により強電界ドリフト部６のドリフト部６１に発生し
た熱が放熱部６２を伝導して外部に放出され、温度上昇
が抑制されるからであると推考される。

【００６２】

【発明の効果】請求項１の発明は、導電性基板と、導電
性基板の一表面側に形成された多孔質材料よりなる強電
界ドリフト部と、該強電界ドリフト部上に形成された導
電性薄膜よりなる表面電極とを備え、表面電極を導電性
基板に対して正極として電圧を印加することにより導電
性基板から注入された電子が強電界ドリフト部をドリフ
トし表面電極を通して放出される電界放射型電子源であ
って、強電界ドリフト部は、少なくとも、導電性基板の
上記一表面側に形成された柱状の半導体結晶と、半導体
結晶間に介在するナノメータオーダの微結晶半導体層
と、微結晶半導体層の表面に形成され当該微結晶半導体
層の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜とからなり、表
面電極は、厚み方向に積層された少なくとも二層の薄膜
電極層からなり、最上層の薄膜電極層は、放出される電
子のエネルギ近傍の状態密度が低い性質と、仕事関数が
Ａｕと同じまたはそれ以下である性質との少なくとも一
方の性質を有し、最下層の薄膜電極層は、強電界ドリフ
ト部との密着性が良い性質を有するものであり、強電界
ドリフト部が、少なくとも、導電性基板の上記一表面側
に形成された柱状の半導体結晶と、半導体結晶間に介在
するナノメータオーダの微結晶半導体層と、微結晶半導
体層の表面に形成され当該微結晶半導体層の結晶粒径よ
りも小さな膜厚の絶縁膜とからなるので、電子放出特性
の真空度依存性が小さくかつ電子放出時にポッピング現
象が発生せず安定して高効率で電子を放出することがで
き、また、表面電極が、厚み方向に積層された少なくと
も二層の薄膜電極層からなり、最上層の薄膜電極層が、
放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低い性質
と、仕事関数がＡｕと同じまたはそれ以下である性質と
の少なくとも一方の性質を有し、最下層の薄膜電極層
が、強電界ドリフト部との密着性が良い性質を有するの
で、強電界ドリフト部をドリフトした電子が表面電極中
で散乱されにくくかつ表面電極が電界ドリフト部から剥
離するのを防止することができ、経時安定性が向上する
とともに、歩留まりが高くなって低コスト化を図ること
ができるという効果がある。

【００６３】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、上記最上層の薄膜電極層の膜厚が、当該薄膜電極層
の成膜時に島状の結晶核が合体して平坦な連続膜となる
膜厚以上に設定されているので、断線の発生を抑制する
ことができるとともに、電子放出効率および耐熱性を向
上させることができるという効果がある。

【００６４】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、上記最下層の薄膜電極層が、当該薄膜電極層上の薄
膜電極層から強電界ドリフト部中への拡散を防止できる
膜厚を有するので、上記最下層の薄膜電極層の膜厚を制
御するだけの簡単な管理で表面電極から強電界ドリフト
部への拡散を防止することができるという効果がある。

【００６５】請求項４の発明は、請求項１の発明におい
て、上記最下層の薄膜電極層が、Ａｕよりも高い昇華エ
ンタルピーを有するので、上記最下層の薄膜電極層とし
てＡｕを用いる場合に比べて耐熱性および経時安定性が
向上し、上記最下層の薄膜電極層の膜厚を薄くすること
ができて表面電極の膜厚を薄くすることができるから、
電子放出効率を向上させることができるという効果があ
る。

【００６６】請求項５の発明は、請求項１ないし請求項
４の発明において、上記表面電極の膜厚が、当該表面電
極中の電子の平均自由行程よりも小さく設定されている
ので、電子放出効率を向上させることができるという効
果がある。

【００６７】請求項６の発明は、請求項１ないし請求項
５の発明において、上記柱状の半導体結晶が、柱状の多
結晶シリコンであり、上記微結晶半導体層が、微結晶シ
リコン層であり、上記絶縁膜が、シリコン酸化膜である
ので、シリコンプロセスを利用しながらも大面積化が可
能になるという効果がある。

【００６８】請求項７の発明は、請求項１ないし請求項
６の発明において、上記表面電極を構成する薄膜電極層
は二層であって、最上層の薄膜電極層がＡｕよりなり、
最下層の薄膜電極層がＣｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｒｈ、Ｈｆ、Ｉｒおよびそれらの酸化物からなる群より
選択される材料よりなるので、最下層の薄膜電極層を比
較的安価な材料を用いて形成することができるという効
果がある。

【００６９】請求項８の発明は、請求項７の発明におい
て、上記表面電極が、真空蒸着法あるいはＣＶＤ法ある
いはスパッタ法あるいはイオンプレーティング法により
成膜されているので、表面電極を半導体プロセスで利用
される一般的な方法により成膜できるという効果があ
る。

【００７０】請求項９の発明は、請求項１ないし請求項
８の発明において、上記強電界ドリフト部が、上記電子
がドリフトするドリフト部とドリフト部よりも熱伝導性
の良い放熱部とからなり、表面電極は、ドリフト部と放
熱部とのうちドリフト部上のみに形成されていないの
で、放熱部に流れる無駄な電流を低減でき、電子放出効
率を向上することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１を示す概略断面図である。

【図２】同上の製造方法を説明するための主要工程断面
図である。

【図３】同上の特性測定原理の説明図である。

【図４】同上の電子放出機構の原理説明図である。

【図５】同上を応用したディスプレイの概略説明図であ
る。

【図６】同上のアニール後におけるＳＩＭＳ分析の結果
を示す構成元素の深さプロファイルである。

【図７】実施形態２を示し、（ａ）は概略縦断面図、
（ｂ）は概略水平断面図である。

【図８】同上の製造方法を説明するための主要工程断面
図である。

【図９】同上の製造方法を説明するためのフォトマスク
の平面図である。

【図１０】従来例のアニール後におけるＳＩＭＳ分析の
結果を示す構成元素の深さプロファイルである。

【符号の説明】 １ ｎ形シリコン基板 ２ オーミック電極 ６ 強電界ドリフト部 ７ 表面電極 ７ａ，７ｂ 薄膜電極層 １０ 電界放射型電子源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−250766（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−139175（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−161665（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 1/312 H01J 9/02 H01J 29/04 H01J 31/12

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性基板と、導電性基板の一表面側に
   形成された多孔質材料よりなる強電界ドリフト部と、該
   強電界ドリフト部上に形成された導電性薄膜よりなる表
   面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して正極と
   して電圧を印加することにより導電性基板から注入され
   た電子が強電界ドリフト部をドリフトし表面電極を通し
   て放出される電界放射型電子源であって、強電界ドリフ
   ト部は、少なくとも、導電性基板の上記一表面側に形成
   された柱状の半導体結晶と、半導体結晶間に介在するナ
   ノメータオーダの微結晶半導体層と、微結晶半導体層の
   表面に形成され当該微結晶半導体層の結晶粒径よりも小
   さな膜厚の絶縁膜とからなり、表面電極は、厚み方向に
   積層された少なくとも二層の薄膜電極層からなり、最上
   層の薄膜電極層は、放出される電子のエネルギ近傍の状
   態密度が低い性質と、仕事関数がＡｕと同じまたはそれ
   以下である性質との少なくとも一方の性質を有し、最下
   層の薄膜電極層は、強電界ドリフト部との密着性が良い
   性質を有することを特徴とする電界放射型電子源。
2. 【請求項２】 上記最上層の薄膜電極層の膜厚は、当該
   薄膜電極層の成膜時に島状の結晶核が合体して平坦な連
   続膜となる膜厚以上に設定されてなることを特徴とする
   請求項１記載の電界放射型電子源。
3. 【請求項３】 上記最下層の薄膜電極層は、当該薄膜電
   極層上の薄膜電極層から強電界ドリフト部中への拡散を
   防止できる膜厚を有することを特徴とする請求項１記載
   の電界放射型電子源。
4. 【請求項４】 上記最下層の薄膜電極層は、Ａｕよりも
   高い昇華エンタルピーを有することを特徴とする請求項
   １記載の電界放射型電子源。
5. 【請求項５】 上記表面電極の膜厚は、当該表面電極中
   の電子の平均自由行程よりも小さく設定されてなること
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載
   の電界放射型電子源。
6. 【請求項６】 上記柱状の半導体結晶は、柱状の多結晶
   シリコンであり、上記微結晶半導体層は、微結晶シリコ
   ン層であり、上記絶縁膜は、シリコン酸化膜 であること
   を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載
   の電界放射型電子源。
7. 【請求項７】 上記表面電極を構成する薄膜電極層は二
   層であって、最上層の薄膜電極層がＡｕよりなり、最下
   層の薄膜電極層がＣｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｒ
   ｈ、Ｈｆ、Ｉｒおよびそれらの酸化物からなる群より選
   択される材料よりなることを特徴とする請求項１ないし
   請求項６のいずれかに記載の電界放射型電子源。
8. 【請求項８】 上記表面電極は、真空蒸着法あるいはＣ
   ＶＤ法あるいはスパッタ法あるいはイオンプレーティン
   グ法により成膜されてなることを特徴とする請求項７記
   載の電界放射型電子源。
9. 【請求項９】 上記強電界ドリフト部は、上記電子がド
   リフトするドリフト部とドリフト部よりも熱伝導性の良
   い放熱部とからなり、表面電極は、ドリフト部と放熱部
   とのうちドリフト部上のみに形成されてなることを特徴
   とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の電界
   放射型電子源。