KR20050086306A - 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 구동방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 구동방법에 관한 것으로, 종래 평면형 탄소 나노튜브 전계방출소자 중 언더게이트 구조는 구성이 간단한 대신 구동 전압이 높고 효율이 낮은 문제점이 있으며, 이를 개선한 카운터 전극 코플래너 구조는 관통홀 형성 공정이 더 필요하여 비용 및 수율이 악화되는 문제점이 있었다. 또한, 종래 구조는 게이트 전극과 캐소드 전극 사이에 위치하면서 노출된 표면을 가지는 절연층에 전하가 충방전 되므로 전계 왜곡 및 이상 발광이 발생하여 표시 품질이 악화되는 문제점이 있고, 애노드 전계에 의한 탄소 나노튜브 이상 동작이 발생하기 쉬워 콘트라스트 품질이 낮은 문제점이 있었다. 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 기존의 언더게이트 구조를 기반으로 하면서, 하부 절연체의 노출 면적을 최소화 하도록 넓은 면적을 가지는 보조 전극을 캐소드 전극과 평행하게 형성하여 소자를 구성하고, 소자 구동 시 보조 전극에 양전압을 가해 부족한 전계를 추가적으로 제공함과 아울러 소자를 구동하지 않는 경우 보조 전극에 음전압을 가해 애노드 전계에 의한 탄소 나노튜브의 이상 동작을 방지하도록 함으로써, 번거로운 공정 없이도 낮은 비용으로 휘도 및 효율을 높이고 전계 왜곡 및 이상 발광을 방지할 수 있는 소자를 제조 및 구동시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 구동방법{CARBON NANOTUBE FIELD EMISSION DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF}

본 발명은 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 구동방법에 관한 것으로, 특히 언더 게이트 구조를 가지는 탄소 나노튜브 전계방출소자에 보조 전극을 더 형성하여 휘도를 높이고 전극 사이 유전체에 전하가 충전되는 것을 방지하도록 한 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 구동방법에 관한 것이다.

정보통신 기술의 급속한 발달과 다양화되는 정보의 시각화 요구에 따라 전자 디스플레이의 수요는 더욱 증가하고 있으며, 요구되는 디스플레이 모습 또한 다양해 지고 있다. 그 예로 휴대형 정보기기와 같이 이동성이 강조되는 환경에서는 무게, 부피 및 소비전력이 작은 디스플레이가 요구되며, 대중을 위한 정보 전달매체로 사용되는 경우에는 시야각이 넓은 대화면의 디스플레이 특성이 요구된다. 또한, 이와 같은 요구를 만족시켜 나가기 위해 전자 디스플레이는 대형화, 저가격화, 고성능화, 고정세화, 박형화, 경량화 등의 조건이 필수적이어서, 이러한 요구사항을 만족시키기 위해서는 기존의 CRT를 대체할 수 있는 가볍고 얇은 평판 디스플레이 장치의 개발이 절실히 필요하게 되었다. 이러한 다양한 표시 소자의 요구에 따라 최근에는 전계방출(field emission)을 이용한 소자가 디스플레이 분야에 적용되면서, 크기 및 전력 소모를 감소시키면서도 높은 해상도를 제공할 수 있는 박막 디스플레이의 개발이 활발해지고 있다.

상기 전계방출소자는 현재 개발 혹은 양산중인 평판 디스플레이들(LCD와 PDP, VFD등)의 단점을 모두 극복한 차세대 정보 통신용 평판 디스플레이로 주목을 받고 있다. 전계방출소자 디스플레이는 전극 구조가 간단하고, CRT와 같은 원리로 고속동작이 가능하며, 무한대의 칼라, 무한대의 그레이 스케일, 높은 휘도, 높은 비디오(video rate) 속도 등 디스플레이가 가져야 할 장점들을 고루 갖추고 있다.

전계방출 표시소자는 진공 속의 금속 또는 도체 표면(에미터)상에 고전계가 인가될 때 전자들이 금속 또는 도체로부터 진공 밖으로 나오는 양자역학적 터널링 현상을 이용한 것이다. 이 때 소자는 파울러-노드하임(Fowler-Nordheim) 법칙에 의하여 전류-전압 특성을 나타내게 된다.

최근 들어 탄소 나노튜브가 직경에 대한 길이의 비가 크고, 기계적으로 강하며, 화학적으로 상당히 안정하여 비교적 낮은 진공도에서 전자방출특성이 우수한 이유로 인해 이를 이용한 전계방출소자의 중요성이 인식되고 있다. 이와같은 탄소 나노튜브는 작은 직경(약, 1.0∼ 수십[nm])을 갖기 때문에 종래의 마이크로팁형(spindt형) 전계방출 팁에 비해 전계강화효과(field enhancement factor)가 상당히 우수하여 전자방출이 낮은 임계 전계(turn-on field, 약 1∼5[V/㎛])에서 이루어질 수 있게 되므로, 전력손실 및 생산단가를 줄일 수 있는 장점이 있다.

이러한 탄소 나노튜브는 캐소드 전극 상에 페이스트 상태로 스크린 프린팅되어 형성되거나 화학 기상 증착 방법으로 성장시키는 방법으로 형성될 수 있으며, 정밀한 구조에 적용하기 위해서 감광성 페이스트 상태로 사용하여 후면 노광하는 방법을 사용하기도 한다.

종래 전계방출소자의 구조를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래의 다양한 평면형 탄소 나노튜브 전계방출 소자 구조들 중 기본구조인 언더게이트(undergate) 구조와 카운터 전극 코플래너(counter electrode coplanar) 구조를 보인 단면도로서, 상기 카운터 전극 코플래너 구조는 구동 전압을 낮추기 위해 상기 언더게이트 구조를 변형한 구조이다.

먼저, 도 1a의 언더게이트 구조를 보면, 도시된 바와 같이 하판 유리기판(1) 상부에 데이터 전극으로 동작하는 게이트 전극(2) 및 절연층(3)를 차례로 형성하고, 그 상부 전면에 도전성 물질을 형성한 후 패터닝하여 캐소드 전극(5)을 형성한다. 그리고 상기 형성된 캐소드 전극(5)의 상부 일부에 탄소 나노튜브(6)를 형성하는 것으로 하판을 제조를 완료한다.

그 다음, 상판 유리 기판(10) 상에 차례로 애노드 전극(11)과 형광체(12)를 형성하여 상판을 별도로 제조한 후, 상기 형성된 하판 상부에 소정의 간격을 두고 배치한다. 그리고, 도시되지는 않았지만, 상기 상판과 하판 사이에 스페이서와 밀봉부를 형성하여 물리적으로 고정하고 내부를 진공 상태로 만들어 전계 발광소자 구조를 완성한다.

상기 소자를 구동시키기 위하여 상판 애노드 전극(11)에 높은 전압을 인가하고 상기 게이트 전극(2)과 캐소드 전극(5)에 전압을 가하면 상기 탄소 나노튜브(6)로부터 전자가 방출되기 시작하고, 이는 상기 애노드 전극(11)의 고 전계에 의해 가속되어 상판의 형광체(12)에 충돌하여 발광이 실시된다.

상기 구조는 비록 공정은 대단히 용이하지만, 전계 발광 소자를 구동시키기 위해 상이한 층에 위치한 게이트 전극(2)과 캐소드 전극(5)에 전압을 가해야 하므로 구동을 위한 전압이 높아 전력 소비가 큰 문제점이 있으며, 상기 전극 사이에 위치하는 절연층(3)에 전하가 충전되어 전계가 왜곡되는 문제점이 있다.

따라서, 이를 개선하기 위해 도 1b와 같은 보다 복잡한 카운터 전극 코플래너 구조가 사용되기도 한다.

도시된 바와 같이 하판 유리기판(1) 상부에 데이터 전극으로 동작하는 게이트 전극(2) 및 절연층(3)를 형성한 후 절연층(3)에 관통홀을 형성하고, 그 상부 전면에 도전성 물질을 형성한 후 패터닝하여 동일 평면 상에 카운터 전극(4)과 캐소드 전극(5)을 형성한다. 상기 형성된 캐소드 전극(5)의 상부 일부에 탄소 나노튜브(6)를 형성하는 것으로 하판을 제조한다.

그리고, 상판 및 패널 형성은 전술한 언더게이트 구조와 동일하다.

상기 카운터 전극 코플래너 구조는 전술한 언더 게이트 구조에 비해 구동 전압이 낮고, 효율이 높아지지만, 관통홀 형성 공정과 같은 난이도가 높은 공정을 포함하고 있으므로 수율이 낮고 비용이 높아지는 문제점을 가진다. 그리고, 상기 경우에서도 절연층(3)에 전하가 축적되기 쉬운데, 도시된 캐소드 전극(5)과 카운터 전극(4) 사이의 노출된 절연층(3) 표면을 통해 전하가 충방전되게 된다. 도시된 바와 같이, 상기 절연층(3) 표면이 많이 노출되면 시간에 따라 충전 및 방전현상이 발생하므로 전계를 왜곡시키거나 이상 발광의 원인이 되기도 한다.

또한, 상기 언더 게이트 구조나 카운터 전극 언더 게이트 구조 모두 탄소 나노튜브가 최상층에 노출되어 있으므로 애노드 전계에 의한 이상 발광이 발생하기 쉬워 표시 화면 품질이 악화되는 문제점이 있다.

상기한 바와같이 종래 평면형 탄소 나노튜브 전계방출소자 중 언더게이트 구조는 구성이 간단한 대신 구동 전압이 높고 효율이 낮은 문제점이 있으며, 이를 개선한 카운터 전극 코플래너 구조는 관통홀 형성 공정이 더 필요하여 비용 및 수율이 악화되는 문제점이 있었다. 또한, 종래 구조는 게이트 전극과 캐소드 전극 사이에 위치하면서 노출된 표면을 가지는 절연층에 전하가 충방전 되므로 전계 왜곡 및 이상 발광이 발생하여 표시 품질이 악화되는 문제점이 있고, 애노드 전계에 의한 탄소 나노튜브 이상 동작이 발생하기 쉬워 콘트라스트 품질이 낮은 문제점이 있었다.

상기한 바와같은 종래의 문제점들을 해결하기 위해, 본 발명은 기존의 언더게이트 구조를 기반으로 하면서, 하부 절연체의 노출 면적을 최소화 하도록 넓은 면적을 가지는 보조 전극을 캐소드 전극과 평행하게 형성하여 소자를 구성하고, 소자 구동 시 보조 전극에 전압을 가해 부족한 전계를 추가적으로 제공함과 아울러 소자를 구동하지 않는 경우 보조 전극에 가하는 전압의 전위를 음전위로 변경하여 애노드 전계에 의한 탄소 나노튜브의 이상 발광을 방지하도록 한 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 구동방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기한 바와같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판 상에 차례로 형성된 게이트 전극 및 절연층과; 상기 절연층 상부에 위치하여 상기 게이트 전극과 수직한 방향으로 배치된 캐소드 전극과; 상기 캐소드 전극과 전기적으로 절연되고, 상기 절연층의 노출을 최대한 줄이면서 상기 캐소드 전극과 평행하게 배치된 보조 전극과; 상기 캐소드 전극 상부 일부에 형성된 탄소 나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 캐소드 전극과 평행하며, 하부 절연층의 노출 부분을 최대한 억제하도록 배치된 보조 전극을 구비한 평면형 전계방출소자 구동 방법에 있어서, 소자가 구동되는 중에 상기 보조 전극에 소정의 양전압을 인가하여 방출된 전자를 여기시키는 소자 구동 단계와; 소자가 구동되지 않는 경우 상기 보조 전극에 소정의 음전압을 인가하여 전계방출부의 전자 방출을 억제하는 소자 비구동 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기한 바와같은 본 발명의 실시예들을 첨부한 도면들을 참고하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2 내지 도 3은 본 발명 일 실시예의 구조를 나타낸 단면도 및 상부 평면도로서, 도시한 바와 같이 기존의 언더게이트 구조를 기본으로 스캔 전극(130)과 평행한 보조 전극(140)을 더 형성한 것이다. 그리고, 전계방출의 효율을 높이기 위해 캐소드 전극(130)의 전계 방출 영역 중 경계 부분 양쪽에 탄소 나노튜브(50)를 이중으로 형성한 구조를 예시하고 있다. 하지만, 이러한 탄소 나노튜브(50)의 구체적인 구성으로 본 발명이 제한되지는 않는다.

먼저, 도 2의 단면도를 보면, 하판 유리기판(100) 상부에 데이터 전극으로 동작하는 게이트 전극(110) 및 절연층(120)를 차례로 형성하고, 그 상부 전면에 도전성 물질을 형성한 후 패터닝하여 캐소드 전극(130)을 형성함과 동시에 상기 캐소드 전극(130)과 인접한 위치에 상기 캐소드 전극(130)과 평행한 보조 전극(140)을 형성한다. 물론, 상이한 금속 공정을 통해 별도로 형성될 수 도 있으나 동시에 형성한다면 공정이 간단해 진다. 상기 보조 전극(140)은 도시된 바와 같이 캐소드 전극(130)을 제외한 하부 절연층(120)의 표면의 노출 부위를 최소로 줄일 수 있도록 최대한 넓은 면적으로 형성되는데, 이를 통해 노출된 표면을 통한 상기 절연층(120)의 전하 충방전을 억제할 수 있게 된다. 이렇게 표면 노출이 억제된 절연층(120)에 충방전 되는 전하의 양은 크게 줄어들게 되므로 전계를 왜곡시키거나 이상 발광을 유발할 확률이 극히 낮아지게 되어 전체적인 표시 품질을 높일 수 있게 된다.

또한, 도시된 바와 같이 본 실시예에서는 상기 캐소드 전극(130)의 양측 경계면 상부에 탄소 나노튜브(150)를 쌍으로 형성하고 있기 때문에 경계 효과를 이용하여 효율을 높일 수 있다.

그 외의 도시된 상판 구조는 종래와 동일하며, 여기서는 높은 전압이 걸리는 애노드 전극(200)과 형광체(210) 만을 도시하였다.

도 3은 상기 설명한 구조를 상부에서 본 평면도로서, 도시된 바와 같이 점선으로 나타낸 게이트 전극(110) 즉, 데이터 전극 상부에 상기 데이터 전극과 수직하게 배치된 캐소드 전극(130) 즉, 스캔 전극들이 위치하며, 상기 스캔 전극들(130)과 평행하게 보조 전극(140)이 배치되고, 상기 보조 전극(140)들은 공통 전압 공급이 가능하도록 모두 전기적으로 연결되어 있다. 여기서, 상기 보조 전극(140)의 폭이 상당히 넓어 스캔 전극들(130) 사이의 공간을 대부분 차지하고 있음을 알 수 있다. 이렇게 보조 전극(140)과 스캔 전극들(130) 사이의 이격 거리가 줄어들게 되면 전극간 노출되는 절연층이 줄어들어 절연층의 전하 충방전을 방지할 수 있으며, 구동 전압을 낮출 수 있다.

본 발명에서 보조 전극(140)이 하는 역할은 소자가 구동되는 동안(즉, 스캔 전극이 순차적으로 구동되는 동안) 소정의 양전압을 유지하도록 하여 상기 보조 전극(140)에 의해 발생하는 전계가 전계 방출부에 작용하도록 함으로써 효율을 높이도록 하는 것이다. 즉, 도시된 스캔 전극(130)과 데이터 전극(110)에 전압이 제공되어 탄소 나노튜브(150)로부터 전자가 방출될때, 상기 보조 전극(140)에 소정의 양전압이 인가되어 추가적인 전계가 형성되면, 상기 방출된 전자들을 여기시켜 휘도를 높이게 된다.

상기 보조 전극(140)에는 게이트 전극(110)이나 캐소드 전극(130)과는 별도의 제어 전압이 공급되게 되므로 구동을 위한 전극이 하나 더 증가한 것으로 간주될 수 있으며, 상기 보조 전극(140)에 가해지는 전압과 그로인해 증가되는 전자 방출 효율을 감안하여 소자의 구동 전압을 낮추어 줄 수 있고, 방출되는 전자빔의 집속 정도 역시 조절할 수 있다.

실제로, 소자의 구동 전압, 보조 전극에 인가되는 전압등은 상기 보조 전극(140)과 캐소드 전극(130) 사이의 이격 거리에 관련된 것으로, 본 발명에서는 보조 전극(140)이 캐소드 전극들(130) 사이의 영역 중 대부분에 형성되기 때문에 캐소드 전극(130)과의 이격 거리는 비교적 짧아지게 된다. 따라서, 이격 거리가 짧아진 대신 그 상관 관계를 고려하여 보조 전극(140)의 구동 전압이 결정되어야 하며, 이는 에미터인 탄소 나노튜브(150)로부터 방출되는 전자빔의 집속 정도와 전자 여기를 위한 전계 형성 강도를 결정하는 요인이 된다.

도 4는 도 2내지 도 3에 도시한 본 발명 일 실시예를 구동하는 방법을 설명하기 위한 구동 파형도로서, 도시한 바와 같이 보조 전극의 구동은 소자의 구동 상황에 따르게 되는데, 소자가 구동되어 전자가 방출되는 경우 보조 전극은 보조적인 전계를 형성하여 방출되는 전자를 여기시켜 휘도를 높이고, 소자가 구동되지 않아 높은 애노드 전계에 탄소 나노튜브가 영향을 받게 되는 경우 보조 전극에 음전압을 가해 탄소 나노튜브의 전자 방출을 억제하여 이상 발광을 방지하도록 하는 것을 핵심으로 하는 구동 방법이다.

즉, 데이터 전극에 데이터 전압(Vd)이 인가되고 순차적으로 스캔 전극들에 스캔 전극(-Vc) 펄스가 공급되는 소자의 구동 시간 동안(즉, 스캔 펄스들이 인가되는 동안) 보조 전극에는 소정의 양전압(Vf)이 지속적으로 인가되며, 스캔 펄스들이 인가되지 않아 소자가 구동되지 않는 동안에는 상기 보조 전극에 음전압(-Vf)이 인가된다. 당연히, 상기 양전압과 음전압의 크기는 상이할 수 있다.

상기 보조 전극에 소정의 양전압(Vf)이 인가되면 소자 구동을 위한 전압(Vd+Vc)에 의해 발생되는 전계 외에 부가적인 전계가 발생하여 전계 방출의 효율을 높일 수 있으며, 소자가 구동되지 않는 기간 동안 보조 전극에 0V 이하의 전압(-Vf)을 인가하면 애노드와 스캔 전극(캐소드 전극)에 걸리는 전계를 상쇄 시키거나 역전계를 형성할 수 있어 높은 애노드 전압에 의한 이상 발광을 방지할 수 있게 된다. 즉, 이를 통해 표시 영상의 콘트라스트를 향상시키고 휘도를 높일 수 있기 때문에 표시 품질이 개선될 수 있다.

또한, 본 발명에서는 상기 보조 전극이 하부 절연층의 표면 대부분을 가로막고 있어 절연층이 전하를 충방전하는 커패시터로 동작하는 것을 방지하여 전계 왜곡과 그로인한 이상 발광을 충분히 방지할 수 있게 된다.

상기 보조 전극의 구동은 스캔펄스가 인가되는 동안이기 때문에 비교적 쉬운 회로 만으로도 제어가 가능하므로 구동을 위해 많은 노력이 필요하지 않아 비용 상승을 억제할 수 있다. 또한, 소자를 어려운 공정(예를 들어, 관통홀 형성 공정) 없이 쉽게 제조 할 수 있어 수율이 높아지며 비용이 감소하므로, 본 발명을 적용하는 경우 높은 품질을 가지는 소자를 기존의 카운터 전극 코플래너 구조에 비해 저렴하게 제조할 수 있다.

도 5는 본 발명 다른 실시예의 보조 전극 구동 파형도로서, 도시한 바와 같이 보조 전극의 구동을 데이터 전극의 데이터 신호 제공 시점에 맞추어 펄스로 제공하도록 한 경우이다.

스캔 전극이 순차적으로 동작하는 소자의 구동 시간 동안은 소정의 양전압(Vf)과 접지 전압(0V) 사이의 펄스 전압을 인가하는 것으로 도시되어 있으나 접지 전압 대신 음전압(-Vf)을 인가할 수도 있다. 하지만, 접지 전압을 인가하는 경우 지속적으로 양전압(Vf)을 인가하지 않아도 되므로 소비 전력을 줄일 수 있다. 이 경우에 있어서도 펄스 파형을 제공하기 위한 구동 신호로 데이터 전극의 데이터 신호나 스캔 전극의 구동 신호를 이용하면 간단한 회로 구성을 통해 낮은 비용으로 구현 가능하다.

상기한 바와 같은 본 발명 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 구동방법은 기존의 언더게이트 구조를 기반으로 하면서, 하부 절연체의 노출 면적을 최소화 하도록 넓은 면적을 가지는 보조 전극을 캐소드 전극과 평행하게 형성하여 소자를 구성하고, 소자 구동 시 보조 전극에 양전압을 가해 부족한 전계를 추가적으로 제공함과 아울러 소자를 구동하지 않는 경우 보조 전극에 음전압을 가해 애노드 전계에 의한 탄소 나노튜브의 이상 동작을 방지하도록 함으로써, 번거로운 공정 없이도 낮은 비용으로 휘도 및 효율을 높이고 전계 왜곡 및 이상 발광을 방지할 수 있는 소자를 제조 및 구동시킬 수 있는 효과가 있다.

도 1은 종래 평면형 전계방출 소자의 대표적인 구조들을 나타낸 단면도.

도 2는 본 발명 일 실시예의 전극 구조를 나타낸 단면도.

도 3은 본 발명 일 실시예의 전극 구조를 나타낸 평면도.

도 4는 본 발명 일 실시예의 구동 방식을 설명하기 위한 구동 파형도.

도 5는 본 발명 다른 실시예의 보조 전극 구동 파형도.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명***

100: 하판 유리기판 110: 게이트 전극

120: 절연층 130: 캐소드 전극

140: 보조 전극 150: 탄소 나노튜브

200: 애노드 전극 210: 형광체

Claims (5)

1. 기판 상에 차례로 형성된 게이트 전극 및 절연층과; 상기 절연층 상부에 위치하여 상기 게이트 전극과 수직한 방향으로 배치된 캐소드 전극과; 상기 캐소드 전극과 전기적으로 절연되고, 상기 절연층의 노출을 최대한 줄이면서 상기 캐소드 전극과 평행하게 배치된 보조 전극과; 상기 캐소드 전극 상부 일부에 형성된 탄소 나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자.
2. 제 1항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브는 게이트 전극과 교차되는 캐소드 전극의 상부 영역 중 상기 보조 전극 방향의 경계부 양측 상단에 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자.
3. 제 1항에 있어서, 상기 보조 전극은 적어도 일측에서 전기적으로 모두 연결되는 단일 전극 구성으로 형성된 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자.
4. 캐소드 전극과 평행하며, 하부 절연층의 노출 부분을 최대한 억제하도록 배치된 보조 전극을 구비한 평면형 전계방출소자 구동 방법에 있어서, 소자가 구동되는 중에 상기 보조 전극에 소정의 양전압을 인가하여 방출된 전자를 여기시키는 소자 구동 단계와; 소자가 구동되지 않는 경우 상기 보조 전극에 소정의 음전압을 인가하여 전계방출부의 전자 방출을 억제하는 소자 비구동 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자 구동 방법.
5. 제 4항에 있어서, 상기 소자 구동 단계에서 상기 보조 전극에 인가되는 양전압은 데이터 전극에 데이터 전위가 인가되는 기간 동안만 선택적으로 제공되며, 데이터 전위가 인가되지 않는 기간 동안에는 접지 혹은 음전압이 제공되는 펄스 형태인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자 구동 방법.