JPH05182767A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH05182767A JPH05182767A JP4000796A JP79692A JPH05182767A JP H05182767 A JPH05182767 A JP H05182767A JP 4000796 A JP4000796 A JP 4000796A JP 79692 A JP79692 A JP 79692A JP H05182767 A JPH05182767 A JP H05182767A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁耐圧が高く、かつ、Ｌ40の高い薄膜ＥＬ
素子を実現する。 【構成】 第一層絶縁膜３を発光膜５に近い側から順
に、Ｓｉ3 Ｎ4 膜３ｃ、ＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜３ｂ、Ｓ
ｉＯ2 膜３ａを配置した複合絶縁膜とし、第二層絶縁膜
７をＳｉ3 Ｎ4 膜７ｃ、ＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜７ｂ、Ｓ
ｉＯ2 膜７ａを発光膜５を挟んで第一層絶縁膜３と対称
になるように配置した複合絶縁膜とする。また、Ｓｉ3
Ｎ4 膜３ｃ，７ｃと発光膜５との間にＺｎＳ膜４，６を
配置する。ＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜の形成により、ＳｉＯ
2 膜からＳｉ3 Ｎ4 膜までの屈折率とバンドギャップが
連続的に変化する。その結果、複合絶縁膜３，７中での
光の反射が減少し、膜形成時のストレスが緩和され、膜
の付着性が向上する。また、ＺｎＳ膜の電荷注入機能に
より、さらに発光輝度が向上する。
素子を実現する。 【構成】 第一層絶縁膜３を発光膜５に近い側から順
に、Ｓｉ3 Ｎ4 膜３ｃ、ＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜３ｂ、Ｓ
ｉＯ2 膜３ａを配置した複合絶縁膜とし、第二層絶縁膜
７をＳｉ3 Ｎ4 膜７ｃ、ＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜７ｂ、Ｓ
ｉＯ2 膜７ａを発光膜５を挟んで第一層絶縁膜３と対称
になるように配置した複合絶縁膜とする。また、Ｓｉ3
Ｎ4 膜３ｃ，７ｃと発光膜５との間にＺｎＳ膜４，６を
配置する。ＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜の形成により、ＳｉＯ
2 膜からＳｉ3 Ｎ4 膜までの屈折率とバンドギャップが
連続的に変化する。その結果、複合絶縁膜３，７中での
光の反射が減少し、膜形成時のストレスが緩和され、膜
の付着性が向上する。また、ＺｎＳ膜の電荷注入機能に
より、さらに発光輝度が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像表示に使用される
薄膜ＥＬ素子に関するものである。
薄膜ＥＬ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬディスプレイは、超薄型、完全固
体、自発光型、高視認性、高信頼性等のメリットを有す
るフラットディスプレイである。白色ＥＬ、カラーＥＬ
のために発光膜の母体材料として、例えばＣａＳ、Ｓｒ
Ｓ、ＢａＳを用いたＥＬの研究が盛んになりつつある。
図３はこのようなアルカリ土類の硫化物を発光母体材料
として用いた薄膜ＥＬ素子の一般的な構造を示すもので
ある。
体、自発光型、高視認性、高信頼性等のメリットを有す
るフラットディスプレイである。白色ＥＬ、カラーＥＬ
のために発光膜の母体材料として、例えばＣａＳ、Ｓｒ
Ｓ、ＢａＳを用いたＥＬの研究が盛んになりつつある。
図３はこのようなアルカリ土類の硫化物を発光母体材料
として用いた薄膜ＥＬ素子の一般的な構造を示すもので
ある。
【０００３】図３の構造は、発光膜の両側を挟んだ構造
であり、一般に二重絶縁構造と呼ばれる。薄膜は、ガラ
ス基板１１上に透明電極１２、第一層絶縁膜１３、Ｚｎ
Ｓ膜１４、発光膜１５、ＺｎＳ膜１６、第二絶縁膜１
７、背面電極１８の順に構成される。ガラス基板１１上
の透明電極１２は、ストライプ状に形成され、材料とし
てはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等が
用いられる。
であり、一般に二重絶縁構造と呼ばれる。薄膜は、ガラ
ス基板１１上に透明電極１２、第一層絶縁膜１３、Ｚｎ
Ｓ膜１４、発光膜１５、ＺｎＳ膜１６、第二絶縁膜１
７、背面電極１８の順に構成される。ガラス基板１１上
の透明電極１２は、ストライプ状に形成され、材料とし
てはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等が
用いられる。
【０００４】絶縁膜１３，１７はＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4
等が用いられる。絶縁膜１３，１７の性能を極力引き出
すために、それぞれを複合絶縁膜にすることもある。具
体的には図４に示すように、絶縁膜２３，２７において
は２３ａをＳｉＯ2 等、２３ｂをＳｉ3 Ｎ4 等、これと
対称的になるように２７ａをＳｉＯ2 等、２７ｂをＳｉ
3 Ｎ4 等とする。
等が用いられる。絶縁膜１３，１７の性能を極力引き出
すために、それぞれを複合絶縁膜にすることもある。具
体的には図４に示すように、絶縁膜２３，２７において
は２３ａをＳｉＯ2 等、２３ｂをＳｉ3 Ｎ4 等、これと
対称的になるように２７ａをＳｉＯ2 等、２７ｂをＳｉ
3 Ｎ4 等とする。
【０００５】そして、第一層絶縁膜２３及び第二層絶縁
膜２７と発光膜２５の間にＺｎＳ膜２４，２６を設け
る。このＺｎＳ膜２４，２６は、電荷注入の機能を果た
すことにより、輝度の向上を図るために挿入した膜であ
る。図３の発光膜１５はＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳ等の母
体材料に０．０１〜数ｍｏｌ％程度の希土類を発光中心
材料として混合したものである。白色発光の薄膜ＥＬ素
子の場合には、母体材料ＳｒＳにＣｅ、Ｅｕの発光中心
と、電価補償材料としてＫを添加したＳｒＳ：Ｃｅ、Ｅ
ｕ、Ｋが用いられる。発光膜１５はスパッタ法や、電子
蒸着法などの真空成膜法により形成される。
膜２７と発光膜２５の間にＺｎＳ膜２４，２６を設け
る。このＺｎＳ膜２４，２６は、電荷注入の機能を果た
すことにより、輝度の向上を図るために挿入した膜であ
る。図３の発光膜１５はＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳ等の母
体材料に０．０１〜数ｍｏｌ％程度の希土類を発光中心
材料として混合したものである。白色発光の薄膜ＥＬ素
子の場合には、母体材料ＳｒＳにＣｅ、Ｅｕの発光中心
と、電価補償材料としてＫを添加したＳｒＳ：Ｃｅ、Ｅ
ｕ、Ｋが用いられる。発光膜１５はスパッタ法や、電子
蒸着法などの真空成膜法により形成される。
【０００６】背面電極１８は、透明電極１２と直交する
方向にストライプ状に形成され、Ａｌ等の金属電極が用
いられる。ＥＬ発光は透明電極１２と背面電極１８の間
に２００Ｖ程度の交流電圧を印加することにより、これ
らの電極交差した部分から生じ、ガラス基板１１を通し
て観測される。このような薄膜ＥＬ素子、特に図４に示
した複合絶縁膜を用いた薄膜ＥＬ素子により、現在１Ｋ
Ｈ駆動時に５００ｃｄ／ｍ2 程度の輝度が得られてい
る。
方向にストライプ状に形成され、Ａｌ等の金属電極が用
いられる。ＥＬ発光は透明電極１２と背面電極１８の間
に２００Ｖ程度の交流電圧を印加することにより、これ
らの電極交差した部分から生じ、ガラス基板１１を通し
て観測される。このような薄膜ＥＬ素子、特に図４に示
した複合絶縁膜を用いた薄膜ＥＬ素子により、現在１Ｋ
Ｈ駆動時に５００ｃｄ／ｍ2 程度の輝度が得られてい
る。
【０００７】図５は図４に示した従来の薄膜ＥＬ素子を
１ｋＨｚの正弦波で駆動した時の印加電圧と発光輝度と
の関係を示す特性図である。白色発光の薄膜ＥＬ素子を
マトリクス駆動する時、一般に使われているドライバー
において、ドライバーの駆動電圧のレンジは８０Ｖ以下
という制限があり、多くは４０Ｖが採用されている。そ
のため、白色発光の薄膜ＥＬ素子についての発光輝度は
Ｌ40で評価する方法が用いられる。Ｌ40とは輝度１ｃｄ
／ｍ2 のところの発光開始電圧に対して４０Ｖプラスし
た電圧での輝度として定義されている。また、発光効率
η40は発光輝度がＬ40の時の発光効率である。フルカラ
ー用のＥＬディスプレイを実用化するためにフィルタ付
きでＬ40とη40の高い白色発光の薄膜ＥＬ素子が望まれ
ている。
１ｋＨｚの正弦波で駆動した時の印加電圧と発光輝度と
の関係を示す特性図である。白色発光の薄膜ＥＬ素子を
マトリクス駆動する時、一般に使われているドライバー
において、ドライバーの駆動電圧のレンジは８０Ｖ以下
という制限があり、多くは４０Ｖが採用されている。そ
のため、白色発光の薄膜ＥＬ素子についての発光輝度は
Ｌ40で評価する方法が用いられる。Ｌ40とは輝度１ｃｄ
／ｍ2 のところの発光開始電圧に対して４０Ｖプラスし
た電圧での輝度として定義されている。また、発光効率
η40は発光輝度がＬ40の時の発光効率である。フルカラ
ー用のＥＬディスプレイを実用化するためにフィルタ付
きでＬ40とη40の高い白色発光の薄膜ＥＬ素子が望まれ
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の薄膜ＥＬ素子では、図５に示したように、１ｋＨｚ
の正弦波で駆動した時、Ｌ40が４５０ｃｄ／ｍ2 であ
り、かつ、絶縁耐圧が低いため、最大輝度は５００ｃｄ
／ｍ2 しか得られない。これは、Ｓｉ3 Ｎ4 膜は下地の
ＳｉＯ2 に付着性が悪いこと及び窒素原子とＳｉ原子と
のコバレント半径（共有結合半径）との差異に起因する
膜形成時のストレスの発生により、絶縁耐圧が十分では
ないため、薄膜ＥＬ素子が高電圧印加時に破壊されるた
めである。
来の薄膜ＥＬ素子では、図５に示したように、１ｋＨｚ
の正弦波で駆動した時、Ｌ40が４５０ｃｄ／ｍ2 であ
り、かつ、絶縁耐圧が低いため、最大輝度は５００ｃｄ
／ｍ2 しか得られない。これは、Ｓｉ3 Ｎ4 膜は下地の
ＳｉＯ2 に付着性が悪いこと及び窒素原子とＳｉ原子と
のコバレント半径（共有結合半径）との差異に起因する
膜形成時のストレスの発生により、絶縁耐圧が十分では
ないため、薄膜ＥＬ素子が高電圧印加時に破壊されるた
めである。
【０００９】本発明は、前記問題点を解決して、絶縁膜
の絶縁耐圧が高く、かつ、Ｌ40の高い薄膜ＥＬ素子を提
供することを目的とする。
の絶縁耐圧が高く、かつ、Ｌ40の高い薄膜ＥＬ素子を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
めに、本発明は、アルカリ土類硫化物を発光材料とし、
かつ、発光膜の両側を絶縁膜で挟んだ薄膜ＥＬ素子にお
いて、絶縁膜を発光膜に近い側から順に、Ｓｉ3 Ｎ
4 膜、ＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜、ＳｉＯ2 膜を配置した複
合絶縁膜とし、かつ、Ｓｉ3 Ｎ4 膜と発光膜との間にＺ
ｎＳ膜を配置したものである。
めに、本発明は、アルカリ土類硫化物を発光材料とし、
かつ、発光膜の両側を絶縁膜で挟んだ薄膜ＥＬ素子にお
いて、絶縁膜を発光膜に近い側から順に、Ｓｉ3 Ｎ
4 膜、ＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜、ＳｉＯ2 膜を配置した複
合絶縁膜とし、かつ、Ｓｉ3 Ｎ4 膜と発光膜との間にＺ
ｎＳ膜を配置したものである。
【００１１】
【作用】本発明によれば、以上のように薄膜ＥＬ素子を
構成したので、ＳｉＯ2 膜の緻密かつ基板表面に付着力
の強い利点と、Ｓｉ3 Ｎ4 膜のＬ40の高い利点を生かす
ことができる。また、ＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜によりＳｉ
Ｏ2 膜からＳｉ3 Ｎ4 膜まで絶縁膜の屈折率とバンドギ
ャップが連続的に変化する。このため、従来のようにＳ
ｉＯ2 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜の界面で光が反射しなくなるた
め、輝度が向上する。
構成したので、ＳｉＯ2 膜の緻密かつ基板表面に付着力
の強い利点と、Ｓｉ3 Ｎ4 膜のＬ40の高い利点を生かす
ことができる。また、ＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜によりＳｉ
Ｏ2 膜からＳｉ3 Ｎ4 膜まで絶縁膜の屈折率とバンドギ
ャップが連続的に変化する。このため、従来のようにＳ
ｉＯ2 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜の界面で光が反射しなくなるた
め、輝度が向上する。
【００１２】さらに、ＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜はＳｉＯ2
膜との付着性が良く、膜形成時のストレスが緩和され
る。そして、発光膜に近い側にＳｉ3 Ｎ4 膜を形成する
ことにより、ＳｉＯ2 膜及びＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜から
発光膜へ酸素が拡散するのを防止することができる。
膜との付着性が良く、膜形成時のストレスが緩和され
る。そして、発光膜に近い側にＳｉ3 Ｎ4 膜を形成する
ことにより、ＳｉＯ2 膜及びＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜から
発光膜へ酸素が拡散するのを防止することができる。
【００１３】また、ＺｎＳ膜はＳｉ3 Ｎ4 膜と接した時
のみ発光膜への有効な電荷注入効果を持つため、発光輝
度が向上する。以上により、薄膜ＥＬ素子の高輝度化が
達成できる。
のみ発光膜への有効な電荷注入効果を持つため、発光輝
度が向上する。以上により、薄膜ＥＬ素子の高輝度化が
達成できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例に係る薄
膜ＥＬ素子の構造を示す断面図である。以下、本実施例
の構成及びその製造方法を説明する。本実施例において
は、ガラス基板１上に透明電極２を形成した後、第一層
絶縁膜３を形成する。第一層絶縁膜３は３種類の絶縁膜
を積層した複合膜で、透明電極２側の絶縁膜３ａとして
は、透明電極２とガラス基板１に対して付着力の強いＳ
ｉＯ2 を８０ｎｍの厚みに形成し、その上の絶縁膜３ｂ
はバッファ層であるＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 を５０ｎｍの厚
みに形成し、さらにその上の絶縁膜３ｃはＳｉ 3 Ｎ4 を
１５０ｎｍの厚みに形成する。ここで、ＳｉＯ2 膜３ａ
に接する部分からＳｉ3 Ｎ4 膜３ｃに接する部分に対し
て、Ｘを０から３まで連続的に変化させることにより、
ＳｉＯ2 からＳｉ3 Ｎ4 まで絶縁膜３ｂの屈折率とバン
ドギャップが連続的に変化するように構成する。また、
ＳｉＯ2 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜及びＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜は
すべてスパッタリング法で形成する。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例に係る薄
膜ＥＬ素子の構造を示す断面図である。以下、本実施例
の構成及びその製造方法を説明する。本実施例において
は、ガラス基板１上に透明電極２を形成した後、第一層
絶縁膜３を形成する。第一層絶縁膜３は３種類の絶縁膜
を積層した複合膜で、透明電極２側の絶縁膜３ａとして
は、透明電極２とガラス基板１に対して付着力の強いＳ
ｉＯ2 を８０ｎｍの厚みに形成し、その上の絶縁膜３ｂ
はバッファ層であるＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 を５０ｎｍの厚
みに形成し、さらにその上の絶縁膜３ｃはＳｉ 3 Ｎ4 を
１５０ｎｍの厚みに形成する。ここで、ＳｉＯ2 膜３ａ
に接する部分からＳｉ3 Ｎ4 膜３ｃに接する部分に対し
て、Ｘを０から３まで連続的に変化させることにより、
ＳｉＯ2 からＳｉ3 Ｎ4 まで絶縁膜３ｂの屈折率とバン
ドギャップが連続的に変化するように構成する。また、
ＳｉＯ2 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜及びＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜は
すべてスパッタリング法で形成する。
【００１５】続いて、ＺｎＳ膜４を形成する。さらに、
発光膜５は白色発光のＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕ，Ｋにおい
て、ＳｒＳを母体材料とし、その中にＣｅは青緑の発光
中心として希土類化合物ＣｅＣ１の形で０．１ｍｏｌ
％、Ｅｕは赤の発光中心として希土類化合物ＥｕＳを
０．０３ｍｏｌ％、Ｃｅの電価補償材料ＫとしてＫＣ１
の形で０．０１ｍｏｌ％を混合した粉末を加圧成型した
ペレットを蒸着材料として用い、電子線蒸着法により成
膜した。その上にＺｎＳ膜６を形成する。ここで、Ｚｎ
Ｓ膜４，６はＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ絶縁膜と接した時のみ発光
膜５への有効な電荷注入効果を持つため、発光輝度を向
上させる機能を有する。
発光膜５は白色発光のＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕ，Ｋにおい
て、ＳｒＳを母体材料とし、その中にＣｅは青緑の発光
中心として希土類化合物ＣｅＣ１の形で０．１ｍｏｌ
％、Ｅｕは赤の発光中心として希土類化合物ＥｕＳを
０．０３ｍｏｌ％、Ｃｅの電価補償材料ＫとしてＫＣ１
の形で０．０１ｍｏｌ％を混合した粉末を加圧成型した
ペレットを蒸着材料として用い、電子線蒸着法により成
膜した。その上にＺｎＳ膜６を形成する。ここで、Ｚｎ
Ｓ膜４，６はＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ絶縁膜と接した時のみ発光
膜５への有効な電荷注入効果を持つため、発光輝度を向
上させる機能を有する。
【００１６】第二層絶縁膜７の三種類の絶縁膜７ａ、７
ｂ、７ｃの膜構成は、発光膜５に対して第一層絶縁膜３
の三種類の絶縁膜３ａ、３ｂ、３ｃの膜構成と対称とな
るように形成する。すなわち、発光膜５側に絶縁膜７ｃ
のＳｉ3 Ｎ4 （１５０ｎｍ）を形成し、続いてバッファ
膜７ｂのＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 （５０ｎｍ）を形成し、次
に背面電極８側に絶縁膜７ａのＳｉＯ2 （８０ｎｍ）を
形成する。
ｂ、７ｃの膜構成は、発光膜５に対して第一層絶縁膜３
の三種類の絶縁膜３ａ、３ｂ、３ｃの膜構成と対称とな
るように形成する。すなわち、発光膜５側に絶縁膜７ｃ
のＳｉ3 Ｎ4 （１５０ｎｍ）を形成し、続いてバッファ
膜７ｂのＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 （５０ｎｍ）を形成し、次
に背面電極８側に絶縁膜７ａのＳｉＯ2 （８０ｎｍ）を
形成する。
【００１７】最後に、背面電極８を、例えばＡｌなどの
金属電極を用いて形成する。図２は本発明の実施例に係
る薄膜ＥＬ素子を１ｋＨｚの正弦波で駆動した時の印加
電圧と発光輝度との関係を示す特性図である。図に示す
ように、１ｋＨｚ正弦波で駆動した時、本実施例の最大
輝度は８００ｃｄ／ｍ2 以上であり、絶縁耐圧の改善に
より、従来のＳｉ3 Ｎ4 膜を用いた薄膜ＥＬ素子の約
１．６倍以上の輝度が得られた。そしてＬ40も６５０ｃ
ｄ／ｍ2 程度であり、従来のＳｉ3 Ｎ4 膜を用いた薄膜
ＥＬ素子の約１．５倍以上の輝度が得られた。
金属電極を用いて形成する。図２は本発明の実施例に係
る薄膜ＥＬ素子を１ｋＨｚの正弦波で駆動した時の印加
電圧と発光輝度との関係を示す特性図である。図に示す
ように、１ｋＨｚ正弦波で駆動した時、本実施例の最大
輝度は８００ｃｄ／ｍ2 以上であり、絶縁耐圧の改善に
より、従来のＳｉ3 Ｎ4 膜を用いた薄膜ＥＬ素子の約
１．６倍以上の輝度が得られた。そしてＬ40も６５０ｃ
ｄ／ｍ2 程度であり、従来のＳｉ3 Ｎ4 膜を用いた薄膜
ＥＬ素子の約１．５倍以上の輝度が得られた。
【００１８】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、アルカリ土類硫化物を発光材料とし、かつ発光
膜の両側を絶縁膜で挟んだ薄膜ＥＬ素子において、Ｓｉ
Ｏ2 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜とその間にＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜
を設けた複合絶縁膜とＺｎＳ膜を積層したので、以下に
記載した効果を奏する。 （１）ＳｉＯ2 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜の間にＳｉX Ｏ3-X Ｎ
X+1 膜を形成したので、ＳｉＯ2 からＳｉ3 Ｎ4 の絶縁
膜の屈折率とバンドギャップが連続的に変化する。
よれば、アルカリ土類硫化物を発光材料とし、かつ発光
膜の両側を絶縁膜で挟んだ薄膜ＥＬ素子において、Ｓｉ
Ｏ2 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜とその間にＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜
を設けた複合絶縁膜とＺｎＳ膜を積層したので、以下に
記載した効果を奏する。 （１）ＳｉＯ2 膜とＳｉ3 Ｎ4 膜の間にＳｉX Ｏ3-X Ｎ
X+1 膜を形成したので、ＳｉＯ2 からＳｉ3 Ｎ4 の絶縁
膜の屈折率とバンドギャップが連続的に変化する。
【００２０】その結果、Ｓｉ3 Ｎ4 膜のＳｉＯ2 膜に対
する付着性が改善されると共に、ストレスも緩和され、
かつ、絶縁膜界面での欠陥を減らすことができる。ま
た、発光膜からの光は絶縁膜界面での反射が少なくな
り、輝度が向上する。さらに絶縁耐圧が向上する。 （２）発光膜に近い側にＳｉ3 Ｎ4 膜を形成したので、
ＳｉＯ2 膜及びＳｉX Ｏ 3-X ＮX+1 膜から発光膜への酸
素の拡散を防止することができる。 （３）発光膜とＳｉ3 Ｎ4 膜との間にＺｎＳ膜を形成し
たので、さらに発光輝度が向上する。 （４）以上により、薄膜ＥＬ素子の高輝度化と絶縁耐圧
の改善を達成することができる。
する付着性が改善されると共に、ストレスも緩和され、
かつ、絶縁膜界面での欠陥を減らすことができる。ま
た、発光膜からの光は絶縁膜界面での反射が少なくな
り、輝度が向上する。さらに絶縁耐圧が向上する。 （２）発光膜に近い側にＳｉ3 Ｎ4 膜を形成したので、
ＳｉＯ2 膜及びＳｉX Ｏ 3-X ＮX+1 膜から発光膜への酸
素の拡散を防止することができる。 （３）発光膜とＳｉ3 Ｎ4 膜との間にＺｎＳ膜を形成し
たので、さらに発光輝度が向上する。 （４）以上により、薄膜ＥＬ素子の高輝度化と絶縁耐圧
の改善を達成することができる。
【図１】本発明の実施例に係る薄膜ＥＬ素子の構造を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る薄膜ＥＬ素子の印加電圧
と発光輝度との関係を示す特性図である。
と発光輝度との関係を示す特性図である。
【図３】従来の薄膜ＥＬ素子の一般的構造を示す断面図
である。
である。
【図４】従来の二重絶縁膜を用いた薄膜ＥＬ素子の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】従来の薄膜ＥＬ素子の印加電圧と発光輝度との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 第一層絶縁膜 ３ａ ＳｉＯ2 膜 ３ｂ ＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜 ３ｃ Ｓｉ3 Ｎ4 膜 ４ ＺｎＳ膜 ５ 発光膜 ６ ＺｎＳ膜 ７ 第二層絶縁膜 ７ａ ＳｉＯ2 膜 ７ｂ ＳｉX Ｏ3-X ＮX+1 膜 ７ｃ Ｓｉ3 Ｎ4 膜 ８ 背面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂本 勝昭 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 アルカリ土類硫化物を発光材料とし、か
つ、発光膜の両側を絶縁膜で挟んだ薄膜ＥＬ素子におい
て、（ａ）該絶縁膜を該発光膜に近い側から順に、Ｓｉ
3 Ｎ4 膜、ＳｉX Ｏ3-X ＮX+ 1 膜、ＳｉＯ2 膜を配置し
た複合絶縁膜とし、（ｂ）かつ、前記Ｓｉ3 Ｎ4 膜と前
記発光膜との間にＺｎＳ膜を配置したことを特徴とする
薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4000796A JPH05182767A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4000796A JPH05182767A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182767A true JPH05182767A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=11483644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4000796A Withdrawn JPH05182767A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05182767A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104576706A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 底发射型有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 |
| US9722003B2 (en) | 2015-01-27 | 2017-08-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Bottom emission organic electroluminescence display device, preparation method thereof, and display apparatus |
-
1992
- 1992-01-07 JP JP4000796A patent/JPH05182767A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104576706A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 底发射型有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 |
| US9722003B2 (en) | 2015-01-27 | 2017-08-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Bottom emission organic electroluminescence display device, preparation method thereof, and display apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |