JPH05182768A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH05182768A JPH05182768A JP4000797A JP79792A JPH05182768A JP H05182768 A JPH05182768 A JP H05182768A JP 4000797 A JP4000797 A JP 4000797A JP 79792 A JP79792 A JP 79792A JP H05182768 A JPH05182768 A JP H05182768A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁耐圧が高く、かつ、Ｌ40の高い薄膜ＥＬ
素子を実現する。 【構成】 第一層絶縁膜３を発光膜５に近い側から順
に、Ｓｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜３ｂとＳｉＯ2 膜３ａを配置した
複合絶縁膜とし、第二層絶縁膜７をＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜７
ｂとＳｉＯ2 膜７ａを発光膜５を挟んで第一層絶縁膜３
と対称になるように配置した複合絶縁膜とする。また、
Ｓｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜３ｂ，７ｂと発光膜５との間にＺｎＳ
膜４，６を配置する。緻密なＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を形成す
ることにより、膜形成時のストレスを緩和し、さらに欠
陥やダングリングボンド等を低減して絶縁耐圧の高い絶
縁膜を形成することができる。また、ＺｎＳ膜の電荷注
入機能により、さらに発光輝度が向上する。
素子を実現する。 【構成】 第一層絶縁膜３を発光膜５に近い側から順
に、Ｓｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜３ｂとＳｉＯ2 膜３ａを配置した
複合絶縁膜とし、第二層絶縁膜７をＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜７
ｂとＳｉＯ2 膜７ａを発光膜５を挟んで第一層絶縁膜３
と対称になるように配置した複合絶縁膜とする。また、
Ｓｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜３ｂ，７ｂと発光膜５との間にＺｎＳ
膜４，６を配置する。緻密なＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を形成す
ることにより、膜形成時のストレスを緩和し、さらに欠
陥やダングリングボンド等を低減して絶縁耐圧の高い絶
縁膜を形成することができる。また、ＺｎＳ膜の電荷注
入機能により、さらに発光輝度が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像表示に使用される
薄膜ＥＬ素子に関するものである。
薄膜ＥＬ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬディスプレイは、超薄型、完全固
体、自発光型、高視認性、高信頼性等のメリットを有す
るフラットディスプレイである。白色ＥＬ、カラーＥＬ
のために発光膜の母体材料として、例えばＣａＳ、Ｓｒ
Ｓ、ＢａＳを用いたＥＬの研究が盛んになりつつある。
図３はこのようなアルカリ土類の硫化物を発光母体材料
として用いた薄膜ＥＬ素子の一般的な構造を示すもので
ある。
体、自発光型、高視認性、高信頼性等のメリットを有す
るフラットディスプレイである。白色ＥＬ、カラーＥＬ
のために発光膜の母体材料として、例えばＣａＳ、Ｓｒ
Ｓ、ＢａＳを用いたＥＬの研究が盛んになりつつある。
図３はこのようなアルカリ土類の硫化物を発光母体材料
として用いた薄膜ＥＬ素子の一般的な構造を示すもので
ある。
【０００３】図３の構造は、発光膜の両側を絶縁膜で挟
んだ構造であり、一般に二重絶縁構造と呼ばれる。ＥＬ
薄膜は、ガラス基板１１上に透明電極１２、第一層絶縁
膜１３、ＺｎＳ膜１４、発光膜１５、ＺｎＳ膜１６、第
二層絶縁膜１７、背面電極１８の順に積層される。ガラ
ス基板１１上の透明電極１２はストライプ状に形成さ
れ、材料としてはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）等が用いられる。
んだ構造であり、一般に二重絶縁構造と呼ばれる。ＥＬ
薄膜は、ガラス基板１１上に透明電極１２、第一層絶縁
膜１３、ＺｎＳ膜１４、発光膜１５、ＺｎＳ膜１６、第
二層絶縁膜１７、背面電極１８の順に積層される。ガラ
ス基板１１上の透明電極１２はストライプ状に形成さ
れ、材料としてはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）等が用いられる。
【０００４】絶縁膜１３，１７にはＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ
4 等が用いられる。絶縁膜１３，１７の性能を極力引き
出すために、それぞれを複合絶縁膜にすることもある。
具体的には図４に示すように、絶縁膜２３，２７におい
ては２３ａをＳｉＯ2 等、２３ｂをＳｉ3 Ｎ4 等、これ
と対称的になるように２７ａをＳｉＯ2 等、２７ｂをＳ
ｉ3 Ｎ4 等とする。
4 等が用いられる。絶縁膜１３，１７の性能を極力引き
出すために、それぞれを複合絶縁膜にすることもある。
具体的には図４に示すように、絶縁膜２３，２７におい
ては２３ａをＳｉＯ2 等、２３ｂをＳｉ3 Ｎ4 等、これ
と対称的になるように２７ａをＳｉＯ2 等、２７ｂをＳ
ｉ3 Ｎ4 等とする。
【０００５】そして、第一層絶縁膜２３及び第二層絶縁
膜２７と発光膜２５の間にＺｎＳ膜２４，２６が設けら
れる。このＺｎＳ膜２４，２６は、電荷注入の機能を果
たすことにより、輝度の向上を図るために挿入した膜で
ある。図３の発光膜１５はＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳ等の
母体材料に０．０１〜数ｍｏｌ％程度の希土類を発光中
心材料として混合したものである。白色発光の薄膜ＥＬ
素子の場合には、母体材料ＳｒＳにＣｅ、Ｅｕの発光中
心と、電価補償材料としてＫを添加したＳｒＳ：Ｃｅ、
Ｅｕ、Ｋが用いられる。発光膜１５はスパッタ法や、電
子線蒸着法などの真空成膜法により形成される。
膜２７と発光膜２５の間にＺｎＳ膜２４，２６が設けら
れる。このＺｎＳ膜２４，２６は、電荷注入の機能を果
たすことにより、輝度の向上を図るために挿入した膜で
ある。図３の発光膜１５はＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳ等の
母体材料に０．０１〜数ｍｏｌ％程度の希土類を発光中
心材料として混合したものである。白色発光の薄膜ＥＬ
素子の場合には、母体材料ＳｒＳにＣｅ、Ｅｕの発光中
心と、電価補償材料としてＫを添加したＳｒＳ：Ｃｅ、
Ｅｕ、Ｋが用いられる。発光膜１５はスパッタ法や、電
子線蒸着法などの真空成膜法により形成される。
【０００６】背面電極１８は、透明電極１２と直交する
方向にストライプ状に形成され、Ａｌ等の金属電極が用
いられる。ＥＬ発光は透明電極１２と背面電極１８に２
００Ｖ程度の交流電圧を印加することにより、これらの
電極の交差した部分から生じ、ガラス基板１１を通して
観測される。このような薄膜ＥＬ素子、特に図４に示し
た複合絶縁膜を用いた薄膜ＥＬ素子により、現在、１ｋ
Ｈｚ駆動時に５００ｃｄ／ｍ2 程度の輝度が得られてい
る。
方向にストライプ状に形成され、Ａｌ等の金属電極が用
いられる。ＥＬ発光は透明電極１２と背面電極１８に２
００Ｖ程度の交流電圧を印加することにより、これらの
電極の交差した部分から生じ、ガラス基板１１を通して
観測される。このような薄膜ＥＬ素子、特に図４に示し
た複合絶縁膜を用いた薄膜ＥＬ素子により、現在、１ｋ
Ｈｚ駆動時に５００ｃｄ／ｍ2 程度の輝度が得られてい
る。
【０００７】図５は図４に示した従来の薄膜ＥＬ素子を
１ｋＨｚの正弦波で駆動した時の印加電圧と発光輝度と
の関係を示す特性図である。白色発光の薄膜ＥＬ素子を
マトリクス駆動する時、一般に使われているドライバー
において、ドライバーの駆動電圧のレンジは８０Ｖ以下
という制限があり、多くは４０Ｖが採用されている。そ
のため、白色発光の薄膜ＥＬ素子についての発光輝度は
Ｌ40で評価する方法が用いられる。Ｌ40とは発光輝度１
ｃｄ／ｍ2 のところの発光開始電圧に対して４０Ｖプラ
スした時の発光輝度として定義されている。また、発光
効率η40は発光輝度がＬ40の時の発光効率である。フル
カラー用のＥＬディスプレイを実用化するためにフィル
タ付きでＬ40とη40の高い白色発光の薄膜ＥＬ素子が望
まれている。
１ｋＨｚの正弦波で駆動した時の印加電圧と発光輝度と
の関係を示す特性図である。白色発光の薄膜ＥＬ素子を
マトリクス駆動する時、一般に使われているドライバー
において、ドライバーの駆動電圧のレンジは８０Ｖ以下
という制限があり、多くは４０Ｖが採用されている。そ
のため、白色発光の薄膜ＥＬ素子についての発光輝度は
Ｌ40で評価する方法が用いられる。Ｌ40とは発光輝度１
ｃｄ／ｍ2 のところの発光開始電圧に対して４０Ｖプラ
スした時の発光輝度として定義されている。また、発光
効率η40は発光輝度がＬ40の時の発光効率である。フル
カラー用のＥＬディスプレイを実用化するためにフィル
タ付きでＬ40とη40の高い白色発光の薄膜ＥＬ素子が望
まれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の薄膜ＥＬ素子では、図５に示したように、１ｋＨｚ
の正弦波で駆動した時、Ｌ40が４５０ｃｄ／ｍ2 であ
り、かつ、絶縁耐圧が低いため、最大輝度は５００ｃｄ
／ｍ2 しか得られない。この絶縁耐圧の低い原因は、薄
膜ＥＬ素子を構成する絶縁膜自体の膜質の不完全性によ
るものと考えられる。例えば、窒素原子のコヴァレント
半径（共有結合半径）はＳｉ原子のコヴァレント半径と
比べ短いため、Ｓｉ3 Ｎ4 膜を形成する時に緻密な膜の
形成ができず、アモルファスのネットワックでストレス
を発生する。そして、このストレスの発生によりＳｉ3
Ｎ4 膜に欠陥が発生したり、下地となるＳｉＯ2 膜から
剥がれたりすることがある。
来の薄膜ＥＬ素子では、図５に示したように、１ｋＨｚ
の正弦波で駆動した時、Ｌ40が４５０ｃｄ／ｍ2 であ
り、かつ、絶縁耐圧が低いため、最大輝度は５００ｃｄ
／ｍ2 しか得られない。この絶縁耐圧の低い原因は、薄
膜ＥＬ素子を構成する絶縁膜自体の膜質の不完全性によ
るものと考えられる。例えば、窒素原子のコヴァレント
半径（共有結合半径）はＳｉ原子のコヴァレント半径と
比べ短いため、Ｓｉ3 Ｎ4 膜を形成する時に緻密な膜の
形成ができず、アモルファスのネットワックでストレス
を発生する。そして、このストレスの発生によりＳｉ3
Ｎ4 膜に欠陥が発生したり、下地となるＳｉＯ2 膜から
剥がれたりすることがある。
【０００９】このようなＳｉ3 Ｎ4 膜の緻密程度の低さ
及びストレスの発生による欠陥及びＳｉ3 Ｎ4 膜の剥が
れ等の存在により、薄膜ＥＬ素子を駆動する際、高電界
での絶縁耐圧が十分ではなくなり、薄膜ＥＬ素子の破壊
の原因となる。本発明は、前記問題点を解決して、絶縁
膜の絶縁耐圧が高く、かつ、Ｌ40の高い薄膜ＥＬ素子を
提供することを目的とする。
及びストレスの発生による欠陥及びＳｉ3 Ｎ4 膜の剥が
れ等の存在により、薄膜ＥＬ素子を駆動する際、高電界
での絶縁耐圧が十分ではなくなり、薄膜ＥＬ素子の破壊
の原因となる。本発明は、前記問題点を解決して、絶縁
膜の絶縁耐圧が高く、かつ、Ｌ40の高い薄膜ＥＬ素子を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
めに、本発明は、アルカリ土類硫化物を発光材料とし、
かつ、発光膜の両側を絶縁膜で挟んだ薄膜ＥＬ素子にお
いて、絶縁膜をＳｉＯ 2 膜とＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を発光膜
に対して対称的に積層した複合絶縁膜で構成したもので
ある。
めに、本発明は、アルカリ土類硫化物を発光材料とし、
かつ、発光膜の両側を絶縁膜で挟んだ薄膜ＥＬ素子にお
いて、絶縁膜をＳｉＯ 2 膜とＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を発光膜
に対して対称的に積層した複合絶縁膜で構成したもので
ある。
【００１１】緻密な膜であるＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜は、例え
ば、プラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤ）法を用いて、Ｓｉ3 Ｎ
4 を形成する際、水素を導入することにより形成する。
また、本発明は、アルカリ土類硫化物を発光材料とし、
かつ、発光膜の両側を絶縁膜で挟んだ薄膜ＥＬ素子にお
いて、絶縁膜をＳｉＯ2 膜とＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を発光膜
に対して対称的に積層した複合絶縁膜で構成し、かつ、
発光膜とＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜との間にＺｎＳ膜を形成した
ものである。
ば、プラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤ）法を用いて、Ｓｉ3 Ｎ
4 を形成する際、水素を導入することにより形成する。
また、本発明は、アルカリ土類硫化物を発光材料とし、
かつ、発光膜の両側を絶縁膜で挟んだ薄膜ＥＬ素子にお
いて、絶縁膜をＳｉＯ2 膜とＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を発光膜
に対して対称的に積層した複合絶縁膜で構成し、かつ、
発光膜とＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜との間にＺｎＳ膜を形成した
ものである。
【００１２】
【作用】本発明によれば、以上のように薄膜ＥＬ素子を
構成したので、ＳｉＯ2 膜の緻密かつ基板表面に付着力
の強い利点と、Ｓｉ3 Ｎ4 膜のＬ40の高い利点を生かす
と同時に絶縁耐圧の高いＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を得ることが
できる。この結果、薄膜ＥＬ素子の高輝度化が達成でき
る。
構成したので、ＳｉＯ2 膜の緻密かつ基板表面に付着力
の強い利点と、Ｓｉ3 Ｎ4 膜のＬ40の高い利点を生かす
と同時に絶縁耐圧の高いＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を得ることが
できる。この結果、薄膜ＥＬ素子の高輝度化が達成でき
る。
【００１３】これは、水素原子と窒素原子間でボンドを
結合し、緻密なＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を形成することによ
り、膜のストレスを緩和し、さらに欠陥やダングリング
ボンド等を低減して絶縁耐圧の高い絶縁膜を形成するこ
とができるためである。また、ＺｎＳ膜はＳｉ3 Ｎ4 ：
Ｈ膜と接した時のみ発光膜への有効な電荷注入効果を持
つため、発光輝度が向上する。
結合し、緻密なＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を形成することによ
り、膜のストレスを緩和し、さらに欠陥やダングリング
ボンド等を低減して絶縁耐圧の高い絶縁膜を形成するこ
とができるためである。また、ＺｎＳ膜はＳｉ3 Ｎ4 ：
Ｈ膜と接した時のみ発光膜への有効な電荷注入効果を持
つため、発光輝度が向上する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例に係る薄
膜ＥＬ素子の構造を示す断面図である。以下、本実施例
の構成及びその製造方法を説明する。本実施例において
は、ガラス基板１上に透明電極２を形成した後、第一層
絶縁膜３を形成する。第一層絶縁膜３は二種類の絶縁膜
を積層した複合絶縁膜で、透明電極２側の絶縁膜３ａと
しては、透明電極２とガラス基板１に対して付着力の強
いＳｉＯ2 を８０ｎｍの厚みに形成し、その上の絶縁膜
３ｂはＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈを１５０ｎｍの厚みに形成する。
本実施例では、ＳｉＯ2 膜はスパッタリング法で形成
し、さらにＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜はＰＣＶＤ法で水素を導入
しながら形成する。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例に係る薄
膜ＥＬ素子の構造を示す断面図である。以下、本実施例
の構成及びその製造方法を説明する。本実施例において
は、ガラス基板１上に透明電極２を形成した後、第一層
絶縁膜３を形成する。第一層絶縁膜３は二種類の絶縁膜
を積層した複合絶縁膜で、透明電極２側の絶縁膜３ａと
しては、透明電極２とガラス基板１に対して付着力の強
いＳｉＯ2 を８０ｎｍの厚みに形成し、その上の絶縁膜
３ｂはＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈを１５０ｎｍの厚みに形成する。
本実施例では、ＳｉＯ2 膜はスパッタリング法で形成
し、さらにＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜はＰＣＶＤ法で水素を導入
しながら形成する。
【００１５】続いて、ＺｎＳ膜４を形成する。さらに発
光膜５は白色発光ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕ，ｋにおいて、Ｓ
ｒＳを母体材料とし、その中にＣｅは青緑の発光中心と
して希土類化合物ＣｅＣ１の形で０．１ｍｏｌ％、Ｅｕ
は赤の発光中心として希土類化合物ＥｕＳを０．０３ｍ
ｏｌ％、Ｃｅの電価補償材料ＫとしてＫＣ１の形で０．
０１ｍｏｌ％を混合した粉末を加圧成型したペレットを
蒸着材料として用い、電子線蒸着法により成膜した。そ
の上にＺｎＳ膜６を形成する。ここで、ＺｎＳ膜４，６
はＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ絶縁膜と接した時のみ発光膜５への有
効な電荷注入効果を持つため、発光輝度を向上させる機
能を有する。
光膜５は白色発光ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕ，ｋにおいて、Ｓ
ｒＳを母体材料とし、その中にＣｅは青緑の発光中心と
して希土類化合物ＣｅＣ１の形で０．１ｍｏｌ％、Ｅｕ
は赤の発光中心として希土類化合物ＥｕＳを０．０３ｍ
ｏｌ％、Ｃｅの電価補償材料ＫとしてＫＣ１の形で０．
０１ｍｏｌ％を混合した粉末を加圧成型したペレットを
蒸着材料として用い、電子線蒸着法により成膜した。そ
の上にＺｎＳ膜６を形成する。ここで、ＺｎＳ膜４，６
はＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ絶縁膜と接した時のみ発光膜５への有
効な電荷注入効果を持つため、発光輝度を向上させる機
能を有する。
【００１６】第二層絶縁膜７の２種類の絶縁膜７ａ、７
ｂの膜構成は、発光膜５に対して第一層絶縁膜３の二種
類の絶縁膜３ａ、３ｂの膜構成と対称となるように形成
する。すなわち、発光膜５側に絶縁膜７ｂのＳｉ
3 Ｎ4 ：Ｈ（１５０ｎｍ）を形成し、背面電極８側に絶
縁膜７ａのＳｉＯ2 （８０ｎｍ）を形成する。次に、背
面電極８を、例えば、Ａｌ等の金属電極により形成す
る。
ｂの膜構成は、発光膜５に対して第一層絶縁膜３の二種
類の絶縁膜３ａ、３ｂの膜構成と対称となるように形成
する。すなわち、発光膜５側に絶縁膜７ｂのＳｉ
3 Ｎ4 ：Ｈ（１５０ｎｍ）を形成し、背面電極８側に絶
縁膜７ａのＳｉＯ2 （８０ｎｍ）を形成する。次に、背
面電極８を、例えば、Ａｌ等の金属電極により形成す
る。
【００１７】図２は本発明の実施例に係る薄膜ＥＬ素子
を１ｋＨｚの正弦波で駆動した時の印加電圧と発光輝度
との関係を示す特性図である。図に示すように、１ｋＨ
ｚ正弦波で駆動した時、本実施例の最大輝度は７００ｃ
ｄ／ｍ2 以上であり、絶縁耐圧の改善により、従来のＳ
ｉ3 Ｎ4 膜を用いた薄膜ＥＬ素子の約１．４倍以上の発
光輝度が得られた。そしてＬ40も６２０ｃｄ／ｍ2 程度
であり、従来のＳｉ3 Ｎ4 膜を用いた薄膜ＥＬ素子の約
１．４倍以上の発光輝度が得られた。
を１ｋＨｚの正弦波で駆動した時の印加電圧と発光輝度
との関係を示す特性図である。図に示すように、１ｋＨ
ｚ正弦波で駆動した時、本実施例の最大輝度は７００ｃ
ｄ／ｍ2 以上であり、絶縁耐圧の改善により、従来のＳ
ｉ3 Ｎ4 膜を用いた薄膜ＥＬ素子の約１．４倍以上の発
光輝度が得られた。そしてＬ40も６２０ｃｄ／ｍ2 程度
であり、従来のＳｉ3 Ｎ4 膜を用いた薄膜ＥＬ素子の約
１．４倍以上の発光輝度が得られた。
【００１８】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、アルカリ土類硫化物を発光材料とし、かつ発光
膜の両側を絶縁膜で挟んだ薄膜ＥＬ素子において、絶縁
膜をＳｉＯ2 膜とＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を発光膜に対して対
称的に積層した複合絶縁膜で構成したので、ストレスが
緩和され、欠陥及びダングリングボンド等を低減した緻
密な絶縁膜を形成することができる。そして、このよう
な緻密なＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を発光膜の両側に設けた絶縁
膜によって、白色ＥＬ素子の高輝度化と絶縁耐圧の改善
を達成することができる。
よれば、アルカリ土類硫化物を発光材料とし、かつ発光
膜の両側を絶縁膜で挟んだ薄膜ＥＬ素子において、絶縁
膜をＳｉＯ2 膜とＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を発光膜に対して対
称的に積層した複合絶縁膜で構成したので、ストレスが
緩和され、欠陥及びダングリングボンド等を低減した緻
密な絶縁膜を形成することができる。そして、このよう
な緻密なＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を発光膜の両側に設けた絶縁
膜によって、白色ＥＬ素子の高輝度化と絶縁耐圧の改善
を達成することができる。
【００２０】さらに、発光膜とＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜との間
にＺｎＳ膜を入れることにより、発光輝度が向上する。
にＺｎＳ膜を入れることにより、発光輝度が向上する。
【図１】本発明の実施例に係る薄膜ＥＬ素子の構造を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る薄膜ＥＬ素子の印加電圧
と発光輝度との関係を示す特性図である。
と発光輝度との関係を示す特性図である。
【図３】従来の薄膜ＥＬ素子の一般的構造を示す断面図
である。
である。
【図４】従来の二重絶縁膜を用いた薄膜ＥＬ素子の一般
的構造を示す断面図である。
的構造を示す断面図である。
【図５】従来の薄膜ＥＬ素子の印加電圧と発光輝度との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 第一層絶縁膜 ３ａ ＳｉＯ2 膜 ３ｂ Ｓｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜 ４，６ ＺｎＳ膜 ５ 発光膜 ７ 第二層絶縁膜 ７ａ ＳｉＯ2 膜 ７ｂ Ｓｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜 ８ 背面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 達志 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 アルカリ土類硫化物を発光材料とし、か
つ、発光膜の両側を絶縁膜で挟んだ薄膜ＥＬ素子におい
て、該絶縁膜をＳｉＯ2 膜とＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜を該発光
膜に対して対称的に積層した複合絶縁膜で構成したこと
を特徴とする薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項２】 発光膜とＳｉ3 Ｎ4 ：Ｈ膜との間にＺｎ
Ｓ膜を形成したことを特徴とする請求項１記載の薄膜Ｅ
Ｌ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4000797A JPH05182768A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4000797A JPH05182768A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182768A true JPH05182768A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=11483673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4000797A Withdrawn JPH05182768A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05182768A (ja) |
-
1992
- 1992-01-07 JP JP4000797A patent/JPH05182768A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |