JPS63250090A - 薄膜ｅｌパネル - Google Patents
薄膜ｅｌパネルInfo
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- JPS63250090A JPS63250090A JP62085089A JP8508987A JPS63250090A JP S63250090 A JPS63250090 A JP S63250090A JP 62085089 A JP62085089 A JP 62085089A JP 8508987 A JP8508987 A JP 8508987A JP S63250090 A JPS63250090 A JP S63250090A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガラス基板等にＥ Ｌ （Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｌｕｍ１−ｎｅｓｃｅｎｃｅ）材料からなる発光層と電
極及び絶縁層とを薄膜形成した薄膜ＥＬパネルに関する
ものである。
Ｌｕｍ１−ｎｅｓｃｅｎｃｅ）材料からなる発光層と電
極及び絶縁層とを薄膜形成した薄膜ＥＬパネルに関する
ものである。
従来の薄膜ＥＬパネルの一例を第３図に基づいて説明す
る。この薄膜Ｅ Ｌパネル１１は、ガラス基板１２と、
その上に順次薄膜形成された透明電極１３、第１絶縁層
Ｉ４、発光層Ｉ５、第２絶縁層１６及び背面電極１７と
で構成されている。そして、この薄膜Ｅ Ｌパネル１１
の透明電極１３と背面電極１７とに交流電源１８を接続
することにより、両電極１３・１７間に位置する発光層
１５が発光する。
る。この薄膜Ｅ Ｌパネル１１は、ガラス基板１２と、
その上に順次薄膜形成された透明電極１３、第１絶縁層
Ｉ４、発光層Ｉ５、第２絶縁層１６及び背面電極１７と
で構成されている。そして、この薄膜Ｅ Ｌパネル１１
の透明電極１３と背面電極１７とに交流電源１８を接続
することにより、両電極１３・１７間に位置する発光層
１５が発光する。
ここで、第１絶縁層１４及び第２絶縁層１６は、両電極
１３・１７間に印加される高電圧により絶縁破壊が生し
るのを防止するために設けられた絶縁膜である。この絶
縁膜としては、非晶質であり化学的にも安定な窒化シリ
コン［５ｉｌＮ４〕が優れているが、両絶縁層１４・１
６をこの窒化シリコンのみで形成したのでは、両電極１
３・１７との密着性が悪いために絶縁耐圧が低下する。
１３・１７間に印加される高電圧により絶縁破壊が生し
るのを防止するために設けられた絶縁膜である。この絶
縁膜としては、非晶質であり化学的にも安定な窒化シリ
コン［５ｉｌＮ４〕が優れているが、両絶縁層１４・１
６をこの窒化シリコンのみで形成したのでは、両電極１
３・１７との密着性が悪いために絶縁耐圧が低下する。
そこで、従来の薄膜ＥＬパネル１１は、第１絶縁層１４
を窒化シリコン層１４ｂの透明電極１３側に酸化シリコ
ン層１４ａを形成した二層膜とし、第２絶縁層１６を窒
化シリコン層１６ｂの背面電極１７側に酸化アルミニウ
ム層１６ａを形成した二層膜とすることにより、絶縁耐
圧の向上を図っている。
を窒化シリコン層１４ｂの透明電極１３側に酸化シリコ
ン層１４ａを形成した二層膜とし、第２絶縁層１６を窒
化シリコン層１６ｂの背面電極１７側に酸化アルミニウ
ム層１６ａを形成した二層膜とすることにより、絶縁耐
圧の向上を図っている。
ところが、従来の薄膜ＥＩ−パネル１１は、両絶縁層１
４・１６をこのような二層膜としたにもかかわらず、実
際に製造を行うと絶縁破壊を起こすものが多く発生し、
歩留まりが十分に向」ニしないという問題点を有してい
た。これは、発光層の発光効率を高めるために、二層膜
により絶縁耐圧が向上した分だけ絶縁層を薄くしなけれ
ばならないので、絶縁耐圧に余裕が設けられず、絶縁層
の薄膜形成時にピンホール等の欠陥が生じ絶縁耐圧が少
し低下しただけで容易に絶縁破壊を生しるようになるか
らである。
４・１６をこのような二層膜としたにもかかわらず、実
際に製造を行うと絶縁破壊を起こすものが多く発生し、
歩留まりが十分に向」ニしないという問題点を有してい
た。これは、発光層の発光効率を高めるために、二層膜
により絶縁耐圧が向上した分だけ絶縁層を薄くしなけれ
ばならないので、絶縁耐圧に余裕が設けられず、絶縁層
の薄膜形成時にピンホール等の欠陥が生じ絶縁耐圧が少
し低下しただけで容易に絶縁破壊を生しるようになるか
らである。
本発明に係る薄膜Ｅ Ｌパネルは、上記問題点を解決す
るために、発光層とその両面に配置された電極との間に
それぞれ絶縁層を形成した薄膜Ｅ Ｌパネルにおいて、
少なくともいずれかの絶縁層を、窒化アルミニウム又は
酸窒化アルミニウムの層の両面を窒化シリコン又は酸窒
化シリコンの層で挟んだ三層膜を含む多層膜としたこと
を特徴としている。
るために、発光層とその両面に配置された電極との間に
それぞれ絶縁層を形成した薄膜Ｅ Ｌパネルにおいて、
少なくともいずれかの絶縁層を、窒化アルミニウム又は
酸窒化アルミニウムの層の両面を窒化シリコン又は酸窒
化シリコンの層で挟んだ三層膜を含む多層膜としたこと
を特徴としている。
窒化アルミニウム（ＡＩＮ）又は酸窒化アルミニウム（
ＡＩＯＮ）の層の両面を、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）
又は酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）の層で挟んだ三層膜を
含む多層膜とするのは、発光層の両面に形成された絶縁
層の両方でもよいが、両電極間の絶縁耐圧が問題となる
ので、いずれか一方の絶縁層だけでも同様の効果を得る
ことができる。
ＡＩＯＮ）の層の両面を、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）
又は酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）の層で挟んだ三層膜を
含む多層膜とするのは、発光層の両面に形成された絶縁
層の両方でもよいが、両電極間の絶縁耐圧が問題となる
ので、いずれか一方の絶縁層だけでも同様の効果を得る
ことができる。
絶縁層をこのような多層膜とすると、いずれかの層で薄
膜形成時にピンホール等の欠陥が生じたとしても、次工
程で形成する上層がこれを補うことができるので、この
欠陥が原因となって絶縁耐圧が低下するというようなこ
とがほとんどなくなる。
膜形成時にピンホール等の欠陥が生じたとしても、次工
程で形成する上層がこれを補うことができるので、この
欠陥が原因となって絶縁耐圧が低下するというようなこ
とがほとんどなくなる。
窒化シリコン又は酸窒化シリコンは、従来の薄膜Ｅ Ｌ
パネルの絶縁層にも使用され、優れた性質を有している
。また、窒化アルミニウム又は酸窒化アルミニウムは、
比誘電率が９〜１２となり窒化シリコン等より高い値を
有しているので、低い印加電圧でも発光層に同じ大きさ
のエネルギを供給することができ、相対的に絶縁耐圧の
向上と同等の効果を得ることができる。そして、窒化シ
リコンと窒化アルミニウム及び酸窒化シリコンと酸窒化
アルミニウムとは、それぞれ同一の成膜工程により連続
的に形成することができる。
パネルの絶縁層にも使用され、優れた性質を有している
。また、窒化アルミニウム又は酸窒化アルミニウムは、
比誘電率が９〜１２となり窒化シリコン等より高い値を
有しているので、低い印加電圧でも発光層に同じ大きさ
のエネルギを供給することができ、相対的に絶縁耐圧の
向上と同等の効果を得ることができる。そして、窒化シ
リコンと窒化アルミニウム及び酸窒化シリコンと酸窒化
アルミニウムとは、それぞれ同一の成膜工程により連続
的に形成することができる。
本発明の一実施例を第１図及び第２図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。
れば、以下の通りである。
本実施例の薄膜ＥＬパネル１は、ガラス基板２と、その
上に順次形成された透明電極３、第１絶縁層４、発光層
５、第２絶縁層６及び背面電極７とで構成されている。
上に順次形成された透明電極３、第１絶縁層４、発光層
５、第２絶縁層６及び背面電極７とで構成されている。
ガラス基板２は、薄膜形成の基板となり、かつ、発光層
５が発した光を透過させる表示面となるものであり、ガ
ラス又はその他の透光性材料からなる。透明電極３は、
このガラス基板２上にスパッタリングによってＩＴＯ等
からなる透明導電膜を薄膜形成し、フォトエツチングに
よりこれを平行に並んだ多数の帯状の電極としたもので
ある。第１絶縁層４は、酸化シリコン層４ａと窒化アル
ミニウム層４Ｃを窒化シリコン層４ｂ・４ｄで挾んだ三
層膜とで構成されている。酸化シリコン層４ａは、透明
電極３上にスパンクリングによって５ｉｎ２を１００人
〜８００人程度の厚さまで薄膜形成した絶縁膜である。
５が発した光を透過させる表示面となるものであり、ガ
ラス又はその他の透光性材料からなる。透明電極３は、
このガラス基板２上にスパッタリングによってＩＴＯ等
からなる透明導電膜を薄膜形成し、フォトエツチングに
よりこれを平行に並んだ多数の帯状の電極としたもので
ある。第１絶縁層４は、酸化シリコン層４ａと窒化アル
ミニウム層４Ｃを窒化シリコン層４ｂ・４ｄで挾んだ三
層膜とで構成されている。酸化シリコン層４ａは、透明
電極３上にスパンクリングによって５ｉｎ２を１００人
〜８００人程度の厚さまで薄膜形成した絶縁膜である。
また、窒化アルミニウム層４Ｃと窒化シリコン層４ｂ・
４ｄとからなる三層膜は、この酸化シリコン層４ａ上に
スパッタリングによってＡＩＮ及びＳｉ３Ｎ４を１００
０人〜３０００人程度の厚さまで薄膜形成した絶縁膜で
あり、第２図に示すように、アルミニウムＡＩの前後に
シリコンＳｉを配置したターゲットを用いて、窒素ガス
〔Ｎ２〕雰囲気中で反応性スパッタリングを行うことに
より連続的に形成される。発光層５は、第１絶縁層４上
にＺｎＳ：Ｍｎを６０００人〜９０００人程度の厚さま
で形成した薄膜である。第２絶縁層６は、窒化アルミニ
ウム層６Ｃを窒化シリコン層６ｂ・６ｄで挟んだ三層膜
と酸化アルミニウム層６ａとで構成されている。窒化ア
ルミニウム層６Ｃと窒化シリコン層６ｂ・６ｄとからな
る三層膜は、第１絶縁層４上の発光層５を覆うように１
０００人〜２０００人程度の厚さまで薄膜形成した絶縁
膜であり、第１絶縁層４における三層膜の場合と同様の
工程で形成する。酸化アルミニウム層６ａは、この窒化
アルミニウム層６Ｃと窒化シリコン層６ｂ・６ｄとから
なる三層膜」二にスパッタリングによってＡ Ｉ ｚ
Ｏ３を１００人〜６００人程度の厚さまで薄膜形成した
絶縁膜である。背面電極７は、第２絶縁層６上に真空蒸
着によってアルミニウム〔Ａ１〕等からなる導電膜を薄
膜形成し、フォトエツチングによりこれを平行に並んだ
多数の帯状の電極としたものであり、この帯状の電極は
透明電極３における帯状の電極に対して直交するように
配置される。この薄膜ＥＬパネル１は、透明電極３と背
面電極７とに交流電源８を接続し高電圧を印加すること
により、発光Ｎ５におりる両電極３・７の各帯状電極間
に位置する部分を発光させることができる。
４ｄとからなる三層膜は、この酸化シリコン層４ａ上に
スパッタリングによってＡＩＮ及びＳｉ３Ｎ４を１００
０人〜３０００人程度の厚さまで薄膜形成した絶縁膜で
あり、第２図に示すように、アルミニウムＡＩの前後に
シリコンＳｉを配置したターゲットを用いて、窒素ガス
〔Ｎ２〕雰囲気中で反応性スパッタリングを行うことに
より連続的に形成される。発光層５は、第１絶縁層４上
にＺｎＳ：Ｍｎを６０００人〜９０００人程度の厚さま
で形成した薄膜である。第２絶縁層６は、窒化アルミニ
ウム層６Ｃを窒化シリコン層６ｂ・６ｄで挟んだ三層膜
と酸化アルミニウム層６ａとで構成されている。窒化ア
ルミニウム層６Ｃと窒化シリコン層６ｂ・６ｄとからな
る三層膜は、第１絶縁層４上の発光層５を覆うように１
０００人〜２０００人程度の厚さまで薄膜形成した絶縁
膜であり、第１絶縁層４における三層膜の場合と同様の
工程で形成する。酸化アルミニウム層６ａは、この窒化
アルミニウム層６Ｃと窒化シリコン層６ｂ・６ｄとから
なる三層膜」二にスパッタリングによってＡ Ｉ ｚ
Ｏ３を１００人〜６００人程度の厚さまで薄膜形成した
絶縁膜である。背面電極７は、第２絶縁層６上に真空蒸
着によってアルミニウム〔Ａ１〕等からなる導電膜を薄
膜形成し、フォトエツチングによりこれを平行に並んだ
多数の帯状の電極としたものであり、この帯状の電極は
透明電極３における帯状の電極に対して直交するように
配置される。この薄膜ＥＬパネル１は、透明電極３と背
面電極７とに交流電源８を接続し高電圧を印加すること
により、発光Ｎ５におりる両電極３・７の各帯状電極間
に位置する部分を発光させることができる。
」二部のように構成された薄膜Ｂ Ｌパネル１は、第１
絶縁層４及び第２絶縁層６が三層膜を含む多層膜となっ
ているので、いずれかの層で薄膜形成時にピンホール等
の欠陥が生したとしても、次に形成する上層がこれを補
うことができる。従って、この欠陥が原因となって絶縁
耐圧が低下するようなことがな（、絶縁破壊を生しる虞
れがなくなる。また、第１絶縁層４及び第２絶縁層６に
おける三層膜は、反応スパッタリングにより連続的に形
成することができるので、従来の絶縁層とほぼ同様の工
程で各絶縁層４・６を形成することができる。さらに、
この三層膜には、比誘電率の高い窒化アルミニウムの層
４Ｃ・６Ｃが含まれているので、交流電源８の印加電圧
を低減することが可能となる。
絶縁層４及び第２絶縁層６が三層膜を含む多層膜となっ
ているので、いずれかの層で薄膜形成時にピンホール等
の欠陥が生したとしても、次に形成する上層がこれを補
うことができる。従って、この欠陥が原因となって絶縁
耐圧が低下するようなことがな（、絶縁破壊を生しる虞
れがなくなる。また、第１絶縁層４及び第２絶縁層６に
おける三層膜は、反応スパッタリングにより連続的に形
成することができるので、従来の絶縁層とほぼ同様の工
程で各絶縁層４・６を形成することができる。さらに、
この三層膜には、比誘電率の高い窒化アルミニウムの層
４Ｃ・６Ｃが含まれているので、交流電源８の印加電圧
を低減することが可能となる。
なお、本実施例では、窒化アルミニウム層と窒化シリコ
ン層とからなる三層膜を、第１絶縁層４と第２絶縁層６
との両方に設けたが、いずれか一方の絶縁層にだけ設け
た構成であっても同様の効果を得ることができる。また
、この三層膜の形成に際して、雰囲気中の窒素ガスＮ２
に１０％以下の酸素ガス０゜又は−酸化二窒素ガスＮ２
０を混入させて反応性スパッタリングを行うことにより
、窒化アルミニウム層に代わる酸窒化アルミニウム（Ａ
ＩＯＮ）からなる層と、窒化シリコン層に代わる酸窒化
シリコン（ＳｉＯＮ）からなる層とを形成しても同様の
効果を得ることができる。
ン層とからなる三層膜を、第１絶縁層４と第２絶縁層６
との両方に設けたが、いずれか一方の絶縁層にだけ設け
た構成であっても同様の効果を得ることができる。また
、この三層膜の形成に際して、雰囲気中の窒素ガスＮ２
に１０％以下の酸素ガス０゜又は−酸化二窒素ガスＮ２
０を混入させて反応性スパッタリングを行うことにより
、窒化アルミニウム層に代わる酸窒化アルミニウム（Ａ
ＩＯＮ）からなる層と、窒化シリコン層に代わる酸窒化
シリコン（ＳｉＯＮ）からなる層とを形成しても同様の
効果を得ることができる。
本発明に係る薄膜Ｆ、 Ｌパネルは、以上のように、発
光層とその両面に配置された電極との間にそれぞれ絶縁
層を形成した薄膜Ｅ Ｌパネルにおいて、少なくともい
ずれかの絶縁層を、窒化アルミニウム又は酸窒化アルミ
ニウムの層の両面を窒化シリコン又は酸窒化シリコンの
層で挟んだ三層膜を含む多層膜とした構成である。
光層とその両面に配置された電極との間にそれぞれ絶縁
層を形成した薄膜Ｅ Ｌパネルにおいて、少なくともい
ずれかの絶縁層を、窒化アルミニウム又は酸窒化アルミ
ニウムの層の両面を窒化シリコン又は酸窒化シリコンの
層で挟んだ三層膜を含む多層膜とした構成である。
これにより、絶縁層が多層膜となり、薄膜形成時にピン
ホール等の欠陥が発生してもその上層の膜で補うことが
できるので、この欠陥が原因となって絶縁破壊を生じる
ようなことが少なくなり、歩留まりの低下を防止するこ
とができる。また、多層膜の一部を構成する三層膜は、
同一の成膜工程で形成することができるので、絶縁層を
このように多層化しても製造工程を増やす必要がなく、
生産性を低下させるということがない。さらに、三層膜
を構成する絶縁材料自体の性質も、従来のものに比べて
遜色がないばかりでなく、比誘電率の高い窒化アルミニ
ウム等の採用により発光のための印加電圧を下げること
が可能となるので、相対的に絶縁耐圧の向上と同等の効
果を得ることができ、薄膜ＥＬパネルの信軌性をさらに
向」ニさせることができるという効果を奏する。
ホール等の欠陥が発生してもその上層の膜で補うことが
できるので、この欠陥が原因となって絶縁破壊を生じる
ようなことが少なくなり、歩留まりの低下を防止するこ
とができる。また、多層膜の一部を構成する三層膜は、
同一の成膜工程で形成することができるので、絶縁層を
このように多層化しても製造工程を増やす必要がなく、
生産性を低下させるということがない。さらに、三層膜
を構成する絶縁材料自体の性質も、従来のものに比べて
遜色がないばかりでなく、比誘電率の高い窒化アルミニ
ウム等の採用により発光のための印加電圧を下げること
が可能となるので、相対的に絶縁耐圧の向上と同等の効
果を得ることができ、薄膜ＥＬパネルの信軌性をさらに
向」ニさせることができるという効果を奏する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示すものであっ
て、第１図は薄膜Ｅ Ｌパネルの縦断面正面図、第２図
はスパッタリング工程におけるターゲットの配置を示す
説明図、第３図は従来例を示す薄膜ＥＬパネルの縦断面
正面図である。 ■は薄膜ＥＬパネル、３は透明電極（電極）、４は第１
絶縁Ｎ（絶縁層）、４ｂ・４ｄ・６ｂ・６ｄは窒化シリ
コン層、４Ｃ・６Ｃは窒化アルミニウム層、５は発光層
、６は第２絶縁層（絶縁層）、７は背面電極（電極）で
ある。
て、第１図は薄膜Ｅ Ｌパネルの縦断面正面図、第２図
はスパッタリング工程におけるターゲットの配置を示す
説明図、第３図は従来例を示す薄膜ＥＬパネルの縦断面
正面図である。 ■は薄膜ＥＬパネル、３は透明電極（電極）、４は第１
絶縁Ｎ（絶縁層）、４ｂ・４ｄ・６ｂ・６ｄは窒化シリ
コン層、４Ｃ・６Ｃは窒化アルミニウム層、５は発光層
、６は第２絶縁層（絶縁層）、７は背面電極（電極）で
ある。
Claims (1)
- １．発光層とその両面に配置された電極との間にそれぞ
れ絶縁層を形成した薄膜ＥＬパネルにおいて、 少なくともいずれかの絶縁層を、窒化アルミニウム又は
酸窒化アルミニウムの層の両面を窒化シリコン又は酸窒
化シリコンの層で挟んだ三層膜を含む多層膜としたこと
を特徴とする薄膜ＥＬパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085089A JPS63250090A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 薄膜ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085089A JPS63250090A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 薄膜ｅｌパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250090A true JPS63250090A (ja) | 1988-10-17 |
Family
ID=13848876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62085089A Pending JPS63250090A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 薄膜ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63250090A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005006304A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Agilent Technol Inc | 薄膜バルク音響共鳴器における圧電結合係数の制御して製造される装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5012989A (ja) * | 1973-06-05 | 1975-02-10 | ||
| JPS60240097A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-28 | 沖電気工業株式会社 | Ｅｌパネルとその製造方法 |
-
1987
- 1987-04-07 JP JP62085089A patent/JPS63250090A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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