JPS60240097A - Ｅｌパネルとその製造方法 - Google Patents
Ｅｌパネルとその製造方法Info
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- JPS60240097A JPS60240097A JP59095595A JP9559584A JPS60240097A JP S60240097 A JPS60240097 A JP S60240097A JP 59095595 A JP59095595 A JP 59095595A JP 9559584 A JP9559584 A JP 9559584A JP S60240097 A JPS60240097 A JP S60240097A
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- Japan
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- insulating layer
- gas
- panel
- vacuum chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
一産業上の利用分野一
本発明はマトリクス駆動型で二重絶縁膜構造の薄膜ＥＬ
パネノペおよびその製造方法において有益に利用するこ
とができる。
パネノペおよびその製造方法において有益に利用するこ
とができる。
一従来の技術−
第３図は従来の製造方法によるＥＬパネルの側断面図で
あシ、１は透明なガラス基板、２は該ガラス基板１上に
形成した例えばＩｎ２Ｏ２などから成るストライプ状の
透明電極であり、このガラス基板１の基板面１ａにＳｔ
をターゲットとして反応性スパッタ法によｐＡｒガスと
豊富な０２ガスの混合ガス中で８１０２膜３ａを有する
。
あシ、１は透明なガラス基板、２は該ガラス基板１上に
形成した例えばＩｎ２Ｏ２などから成るストライプ状の
透明電極であり、このガラス基板１の基板面１ａにＳｔ
をターゲットとして反応性スパッタ法によｐＡｒガスと
豊富な０２ガスの混合ガス中で８１０２膜３ａを有する
。
次いで、０２ガスを除々に感じると同時にＮ２ガスを注
入しＳｉとＮとＯの化合物薄膜４ａを形成する。
入しＳｉとＮとＯの化合物薄膜４ａを形成する。
続いて、０２ガスを全て排気しＡｒガスと豊富なＮ２ガ
ス中で絶縁性の優れたＳｉ、Ｎｌｌ膜５ａを形成する。
ス中で絶縁性の優れたＳｉ、Ｎｌｌ膜５ａを形成する。
このようにして順次積層した５１０２膜３ａｓ化合物薄
膜４ａ、Ｓｉ、ＮＩＩ膜５ａが第１絶縁層である。
膜４ａ、Ｓｉ、ＮＩＩ膜５ａが第１絶縁層である。
この第１絶縁層上、即ちＳｌ、ＮＩＩ膜５ａ上にＺｎＳ
を母体とし庵を発光中心とした発光層６を形成する。
を母体とし庵を発光中心とした発光層６を形成する。
次に、該発光層６上に前述の各膜の形成順とは逆の順序
で絶縁性の優れたＳｌ、ＮＩＩ膜５ｂ、化合物薄膜４ｂ
及び５Ｉ０２膜３ｂを順次形成する。この３層が第２絶
縁層である。
で絶縁性の優れたＳｌ、ＮＩＩ膜５ｂ、化合物薄膜４ｂ
及び５Ｉ０２膜３ｂを順次形成する。この３層が第２絶
縁層である。
そして、この第２絶縁層上、即ちＳ］０２膜３ｂ上にＡ
ｔよシ成るストライプ状の背面電極γを前記透明電極２
と直角に交差するように形成して配置させている。
ｔよシ成るストライプ状の背面電極γを前記透明電極２
と直角に交差するように形成して配置させている。
この種のＥＬパネルにおいては、例えば複数本の背面電
極７を順次ライン走査してマトリクス表示を行なう時、
小さな電圧変化に対する発光輝度の変化を大きくし々け
れば、換言すると、発光輝度−印加電圧特性（以下Ｂ−
Ｖ特性表称する）曲線の勾配が急勾配でなければ、印加
電圧を下げていっても過度現象により印加電圧はゆるや
かに下がり、その間ＥＬパネルも発光するためにいわゆ
るクロストークが生じてしまう。このために、走査電極
数を多く、即ち表示画素数を多く取れないということが
知られている。
極７を順次ライン走査してマトリクス表示を行なう時、
小さな電圧変化に対する発光輝度の変化を大きくし々け
れば、換言すると、発光輝度−印加電圧特性（以下Ｂ−
Ｖ特性表称する）曲線の勾配が急勾配でなければ、印加
電圧を下げていっても過度現象により印加電圧はゆるや
かに下がり、その間ＥＬパネルも発光するためにいわゆ
るクロストークが生じてしまう。このために、走査電極
数を多く、即ち表示画素数を多く取れないということが
知られている。
一発明が解決しようとする問題点−
しかし、前記したような従来の方法で製造されたＥＬパ
ネルでは発光層６の両側を絶縁性に優れたＳ Ｉ ３Ｎ
４膜５ａ、５ｂで挾持した構造となっているため、発光
層６のＳｉ、Ｎｌｌ膜５ａ、５ｂとノ界面に浅いエネル
ギーレベルの界面状態を形成するためＳＩ３Ｎ４ Ｍ５
ａあるいは５ｂからの電子の注入が少なく、緩やかな
アバランシェ現象を示し、Ｂ −Ｖ特性曲線の勾配の急
峻化が図れないという欠点があった。
ネルでは発光層６の両側を絶縁性に優れたＳ Ｉ ３Ｎ
４膜５ａ、５ｂで挾持した構造となっているため、発光
層６のＳｉ、Ｎｌｌ膜５ａ、５ｂとノ界面に浅いエネル
ギーレベルの界面状態を形成するためＳＩ３Ｎ４ Ｍ５
ａあるいは５ｂからの電子の注入が少なく、緩やかな
アバランシェ現象を示し、Ｂ −Ｖ特性曲線の勾配の急
峻化が図れないという欠点があった。
第２図はＥＬパネルのＢ−Ｖ特性を示すが、従来の構造
のＥＬパネルは同図曲線Ｉの如く印加電圧Ｖａよ多発光
を開始し、印加電圧Ｖの増加と共に輝度Ｂも緩やかに増
し、電圧■で輝度はほぼ飽和する。このように、従来の
もののＢ−Ｖ曲線は曲線■のように勾配が緩やかになっ
ている。
のＥＬパネルは同図曲線Ｉの如く印加電圧Ｖａよ多発光
を開始し、印加電圧Ｖの増加と共に輝度Ｂも緩やかに増
し、電圧■で輝度はほぼ飽和する。このように、従来の
もののＢ−Ｖ曲線は曲線■のように勾配が緩やかになっ
ている。
３−
この種の表示パネルの表示方法は表示時には電圧■を印
加し、非表示時は電圧をゼロにするのではなく印加時間
を短かくし表示画素数を増す目的で電圧をＶａｉでしか
下げない。
加し、非表示時は電圧をゼロにするのではなく印加時間
を短かくし表示画素数を増す目的で電圧をＶａｉでしか
下げない。
所が、従来のＥＬパネルは前記したようにＢ−７曲線が
緩やかであるだめ、すなわちＶａと■の差が大きいため
ＶａからＶｂまで昇圧するのに時間がかかり走査電極数
を増せないという欠点があった。
緩やかであるだめ、すなわちＶａと■の差が大きいため
ＶａからＶｂまで昇圧するのに時間がかかり走査電極数
を増せないという欠点があった。
一問題を解決するだめの手段−
前記の問題を解決するために、本発明は発光層の両側と
絶縁性に優れたｓｉ、Ｎ、膜との間に発光層と絶縁層と
の界面に深いエネルギーレベルの界面状態を形成する窒
素欠損状態のＳｔ、Ｎ、膜（以下Ｓ ｌ−、Ｎｕ −ｘ
膜と称する）を追加した構造とし、Ｓ ｉ、Ｎ。
絶縁性に優れたｓｉ、Ｎ、膜との間に発光層と絶縁層と
の界面に深いエネルギーレベルの界面状態を形成する窒
素欠損状態のＳｔ、Ｎ、膜（以下Ｓ ｌ−、Ｎｕ −ｘ
膜と称する）を追加した構造とし、Ｓ ｉ、Ｎ。
−ａと絶縁性に優れだＳ １．Ｎ、膜とＩｎ２Ｏ，など
より成る透明電極およびＭなどよシ成る背面電極の夫れ
それに対する密着性を良くするためのＳ ｒ０２膜とを
反応性スパッタ法によシ同−真空槽内で、しかも供給ガ
スの量を変えるのみで大気に触れさせず４一 連続して形成することとしている。
より成る透明電極およびＭなどよシ成る背面電極の夫れ
それに対する密着性を良くするためのＳ ｒ０２膜とを
反応性スパッタ法によシ同−真空槽内で、しかも供給ガ
スの量を変えるのみで大気に触れさせず４一 連続して形成することとしている。
−作用−
前記手段でも述べだが、Ｓｉ 、Ｎ、−ｘ膜の介在によ
って発光層と絶縁層との界面に深いエネルギーレベルを
形成することができるので、Ｂ−Ｖ特性曲線が急勾配の
ＥＬパネルを製造でき、しかもその第１絶縁層、第２絶
縁層は夫れそれにおいての同一真空槽内で連続して形成
できる。
って発光層と絶縁層との界面に深いエネルギーレベルを
形成することができるので、Ｂ−Ｖ特性曲線が急勾配の
ＥＬパネルを製造でき、しかもその第１絶縁層、第２絶
縁層は夫れそれにおいての同一真空槽内で連続して形成
できる。
−実施例−
以下に、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
尚、前記従来例と同じ構成成分に対しては同一の符号を
用いた。
用いた。
第１図は本発明による方法で製造したＥＬパネルの側断
面図であり、透明なガラス基板１上に複数本のストライ
プ状の例えば■ｎ２０．などよシ成る透明電極２を形成
した後、この透明電極２を有する基板面１ａ上にＳｉを
ターゲットとして反応性スパッタ法によシ、先ず第１絶
縁層９ａを構成する各膜を同一真空槽内で連続して形成
する。
面図であり、透明なガラス基板１上に複数本のストライ
プ状の例えば■ｎ２０．などよシ成る透明電極２を形成
した後、この透明電極２を有する基板面１ａ上にＳｉを
ターゲットとして反応性スパッタ法によシ、先ず第１絶
縁層９ａを構成する各膜を同一真空槽内で連続して形成
する。
その方法は、基板面１ａ上にＡｒガスと豊富な０２ガス
の混合ガス雰囲気でＳｉＯ２膜３ａ全３ａする。
の混合ガス雰囲気でＳｉＯ２膜３ａ全３ａする。
この、Ｓ ｒ０２膜３ａは前述の透明電極２及びその後
に形成される絶縁性に優れたＳ １５Ｎ４膜５ａとの密
着性を高めるだめのものであるから、その膜厚は１００
０Ａ以下でよい。
に形成される絶縁性に優れたＳ １５Ｎ４膜５ａとの密
着性を高めるだめのものであるから、その膜厚は１００
０Ａ以下でよい。
次に、このＳ ｒ０２膜３ａ上に除々に０２ガスの量を
減少させ、かつ同時にＮ２ガスを注入増加させなからＳ
ｉとＯとＮの化合物薄膜４ａを形成する。この場合、Ｓ
ｉ０２膜３ａ上に直接Ｓ ｒ ＞Ｎ、、膜５ａを形成
するとＳ ｔ ３Ｎ、膜５ａが剥離する虞れがあるため
、これら膜組成の急激な変化を緩和するために、この化
合物薄膜４ａを設けるものであるからその膜厚は１００
ＯＡ以下であって良いことは勿論であシ、場合によって
はこの化合物薄膜４ａを実質的に取除いても良い。
減少させ、かつ同時にＮ２ガスを注入増加させなからＳ
ｉとＯとＮの化合物薄膜４ａを形成する。この場合、Ｓ
ｉ０２膜３ａ上に直接Ｓ ｒ ＞Ｎ、、膜５ａを形成
するとＳ ｔ ３Ｎ、膜５ａが剥離する虞れがあるため
、これら膜組成の急激な変化を緩和するために、この化
合物薄膜４ａを設けるものであるからその膜厚は１００
ＯＡ以下であって良いことは勿論であシ、場合によって
はこの化合物薄膜４ａを実質的に取除いても良い。
続いて、ついには０２ガスを完全に排除しＡｒガスと豊
富なＮ２ガスの混合ガス雰囲気中で、この化合物薄膜４
ａ上に絶縁性に優れたＳｌ、ＮＩＩ膜４ａを形成する。
富なＮ２ガスの混合ガス雰囲気中で、この化合物薄膜４
ａ上に絶縁性に優れたＳｌ、ＮＩＩ膜４ａを形成する。
この、Ｓｌ、Ｎ１１膜５ａはＥＬパネルの絶縁を行なう
機能を有し、これがため１０００〜３０００Ａ程度の膜
厚とするのが好適である。
機能を有し、これがため１０００〜３０００Ａ程度の膜
厚とするのが好適である。
更に続いて、Ｎ２ガスを大量に排気し真空槽内をＡｒガ
スと少量のＮ２ガスの混合ガス雰囲気とし、窒素欠損状
態のＳｔ、ＮＩＩｘ膜８ａ全８ａする。この、ＳｌうＮ
ｌｌ ｘ膜８ａは化学量論的に安定なＳ ｉＪｑの窒素
が不足した状態であって、電子の発生が多くなるように
し、このＳ ｉ声、、−ｘ膜８ａの上に続いて形成され
る発光層６へ電子をよシ多く注入させるためのものであ
シ、その膜厚は５００〜３０００Ａ程度とするのが好適
である。
スと少量のＮ２ガスの混合ガス雰囲気とし、窒素欠損状
態のＳｔ、ＮＩＩｘ膜８ａ全８ａする。この、ＳｌうＮ
ｌｌ ｘ膜８ａは化学量論的に安定なＳ ｉＪｑの窒素
が不足した状態であって、電子の発生が多くなるように
し、このＳ ｉ声、、−ｘ膜８ａの上に続いて形成され
る発光層６へ電子をよシ多く注入させるためのものであ
シ、その膜厚は５００〜３０００Ａ程度とするのが好適
である。
以上、順次積層形成したＳ＋０２膜３ａｓ化合物薄膜４
ａ、５ｘ５Ｎｑ膜５ ａ、Ｓｔ、ＮＩＩ−ｘ膜８ａが
第１絶縁層９ａである。
ａ、５ｘ５Ｎｑ膜５ ａ、Ｓｔ、ＮＩＩ−ｘ膜８ａが
第１絶縁層９ａである。
この第１絶縁層９ａを構成する６膜の形成に当シ、Ａｒ
ガス、Ｎ２ガス及び０２ガスの量を変える方法は、反応
性スパッタ装置の排気装置によシ真空槽内を常に連続し
て排気しつつ、別個に設けたガス混合器によりＭガス、
Ｎ２ガス及び０２ガスの混合比を変えながら所要のガス
をこの真空槽内へ注入す７− る方法としている。従って、ガラス基板１側の５ｔ０２
膜３ａ、ＳｔとＮ、！：Ｏの化合物薄膜４ａ％Ｓｉ、Ｎ
。
ガス、Ｎ２ガス及び０２ガスの量を変える方法は、反応
性スパッタ装置の排気装置によシ真空槽内を常に連続し
て排気しつつ、別個に設けたガス混合器によりＭガス、
Ｎ２ガス及び０２ガスの混合比を変えながら所要のガス
をこの真空槽内へ注入す７− る方法としている。従って、ガラス基板１側の５ｔ０２
膜３ａ、ＳｔとＮ、！：Ｏの化合物薄膜４ａ％Ｓｉ、Ｎ
。
膜５ａ及びＳｔ、Ｎ、膜８ａを同一真空槽内で大気に触
れること無く連続して順次形成することができる。
れること無く連続して順次形成することができる。
この様にして、第１絶縁層９ａが形成された試料を真空
槽から取出して窒素欠損状態のＳｉ３Ｎ４− Ｘ膜８ａ
上に別の真空槽内での電子ビーム蒸着法で発光層６を形
成する。この発光層６は例えばＺｎＳを母体とし０．３
〜０．７重量％の胤を発光中心としてドープしたもので
、１０ｖ−以上の電界が印加されると横橙色を発光する
が、これに限定されず他の色を発光するものであっても
良い。
槽から取出して窒素欠損状態のＳｉ３Ｎ４− Ｘ膜８ａ
上に別の真空槽内での電子ビーム蒸着法で発光層６を形
成する。この発光層６は例えばＺｎＳを母体とし０．３
〜０．７重量％の胤を発光中心としてドープしたもので
、１０ｖ−以上の電界が印加されると横橙色を発光する
が、これに限定されず他の色を発光するものであっても
良い。
次に、この発光層６上に第２絶縁層を前記と同じスパッ
タ法によシ同−真空槽内で連続して形成する。
タ法によシ同−真空槽内で連続して形成する。
その方法は、前記した第１絶縁層９ａの６膜と対称的配
置となるように、前述とは逆の順序で形成する。
置となるように、前述とは逆の順序で形成する。
先ず、発光層６上にＡｒガスと少量のＮ２ガスの混８−
合ガス雰囲気中で化学定量的に窒素欠損状態の８１５Ｎ
ｌｌ−Ｘ膜８ｂを形成する。
ｌｌ−Ｘ膜８ｂを形成する。
次に、Ｎ２ガスの量を増しＡｒガスと豊富々Ｎ２ガスの
混合ガス雰囲気中で、このＳｉ、ＮＩＩ−Ｘ膜８ｂ上ニ
絶縁性に優れたＳ ｔ 、Ｎ、膜５ｂを形成する。
混合ガス雰囲気中で、このＳｉ、ＮＩＩ−Ｘ膜８ｂ上ニ
絶縁性に優れたＳ ｔ 、Ｎ、膜５ｂを形成する。
更に引続き、除々にＮ２ガスを感じると同時に０２ガス
を注入し、このＳｉ、Ｎｌｌ膜５ｂ上に所要に応じＳｉ
とＮとＯの化合物薄膜４ｂを形成する。
を注入し、このＳｉ、Ｎｌｌ膜５ｂ上に所要に応じＳｉ
とＮとＯの化合物薄膜４ｂを形成する。
そして、最終的にＡｒガスと豊富な０２ガスの雰囲気中
で、この化合物薄膜４ｂ上に、またはこの化合物薄膜４
ｂが形成されていない場合にはＳ ｉ 、Ｎ。
で、この化合物薄膜４ｂ上に、またはこの化合物薄膜４
ｂが形成されていない場合にはＳ ｉ 、Ｎ。
膜５ｂ上に背面電極側の５ｉ０２膜３ｂを形成する。
この、順次積層形成したＳｌ、Ｎ１１−′Ｘ膜８ ｂ
％ ｓｉｘ。
％ ｓｉｘ。
）Ｊｑ−ｘ膜８ ｂｓ Ｓｉ−、へ膜５ｂ、化合物薄膜
４ｂ、５ｉ０２膜３ｂが第２絶縁層９ｂであシ、その６
膜の形成は前記第１絶縁層９ａの形成と同じようにスパ
ッタ法によシ同−真空槽内で形成するので同一条件のも
のが形成できる。ただし、前記したように方法の手順を
逆にして発光層６を介して６膜が対称に配置されている
。
４ｂ、５ｉ０２膜３ｂが第２絶縁層９ｂであシ、その６
膜の形成は前記第１絶縁層９ａの形成と同じようにスパ
ッタ法によシ同−真空槽内で形成するので同一条件のも
のが形成できる。ただし、前記したように方法の手順を
逆にして発光層６を介して６膜が対称に配置されている
。
このようにして得た試料を、真空槽から取出してＳ ＋
０２膜３ｂ上に例えばＡｔ々どよ構成る複数本のストラ
イプ状の背面電極７を前記透明電極２と直角に交差する
ように被着形成し、その後、所要に応じて必要な処理を
行なって第１図に示す様な構造のＥＬパネルを得ている
。
０２膜３ｂ上に例えばＡｔ々どよ構成る複数本のストラ
イプ状の背面電極７を前記透明電極２と直角に交差する
ように被着形成し、その後、所要に応じて必要な処理を
行なって第１図に示す様な構造のＥＬパネルを得ている
。
また、背面電極７の材料であるＡｚとＳ ＋０２膜３ｂ
との密着性を更に増しだい場合はＳ］０２膜３ｂ上にＡ
／、２０．膜を更に形成するか、５１０２膜３ｂの代り
にＡｔ２０．膜を用いても良い。
との密着性を更に増しだい場合はＳ］０２膜３ｂ上にＡ
／、２０．膜を更に形成するか、５１０２膜３ｂの代り
にＡｔ２０．膜を用いても良い。
以上の方法で得た構成のＥＬパネルは、発光層６の両側
に窒素欠損のｓｉ、Ｎ、膜９ａ、８ｂｓ即ち優れた絶縁
性をもつＳｔ、Ｎｌｌ膜から窒素が欠損した状態のもの
を設けてあり、この５Ｉ３Ｎ！ ｘ膜８ａ。
に窒素欠損のｓｉ、Ｎ、膜９ａ、８ｂｓ即ち優れた絶縁
性をもつＳｔ、Ｎｌｌ膜から窒素が欠損した状態のもの
を設けてあり、この５Ｉ３Ｎ！ ｘ膜８ａ。
８ｂは伝導電子を供給するいわゆるドナー準位を形成す
るので、Ｓ １５Ｎｌｌ−’ Ｘ膜８ａ、８ｂと発光層
６との界面に深いレベルでエネルギーレベルの界面状態
が形成され、ＳｌうＮ１１− ｘ膜８ａ又は８ｂから発
光層６への電子の注入がＳｉ、Ｎ、、−ｘ膜８ａと８ｂ
との間の電位差がある値に達すると急激に増す、いわゆ
るアバランシェ現象を示し、Ｂ −Ｖ曲線の勾配も急勾
配と々る。
るので、Ｓ １５Ｎｌｌ−’ Ｘ膜８ａ、８ｂと発光層
６との界面に深いレベルでエネルギーレベルの界面状態
が形成され、ＳｌうＮ１１− ｘ膜８ａ又は８ｂから発
光層６への電子の注入がＳｉ、Ｎ、、−ｘ膜８ａと８ｂ
との間の電位差がある値に達すると急激に増す、いわゆ
るアバランシェ現象を示し、Ｂ −Ｖ曲線の勾配も急勾
配と々る。
次に、ＥＬパネルのＢ−Ｖ特性を示す第２図を加えて説
明していく。尚、曲線■は従来のＢ−Ｖ特性を示し、曲
線■は本発明のＢ −Ｖ特性を示すものである。
明していく。尚、曲線■は従来のＢ−Ｖ特性を示し、曲
線■は本発明のＢ −Ｖ特性を示すものである。
図に示すように、本発明によるＢ−Ｖ特性の曲線■は印
加電圧Ｖ１で発光を開始し電圧Ｖ２で飽和輝度に達して
おシ、いわゆるＢ−Ｖ曲線の勾配は急勾配となり電圧ｖ
１とＶ２の差が小さくなるので、走査電極数、即ち表示
画素数を増すことができクロストークも生じないという
利点がある。
加電圧Ｖ１で発光を開始し電圧Ｖ２で飽和輝度に達して
おシ、いわゆるＢ−Ｖ曲線の勾配は急勾配となり電圧ｖ
１とＶ２の差が小さくなるので、走査電極数、即ち表示
画素数を増すことができクロストークも生じないという
利点がある。
また、低電圧域においても電子の発光層への注入が多い
だめ第２図に示す如〈従来のＥＬパネルの発光開始電圧
Ｖａよシ低い電圧で発光する。もちろん、飽和輝度電圧
ｖ２も従来のＥＬパネルに比べ非常に低電圧化が図れる
。
だめ第２図に示す如〈従来のＥＬパネルの発光開始電圧
Ｖａよシ低い電圧で発光する。もちろん、飽和輝度電圧
ｖ２も従来のＥＬパネルに比べ非常に低電圧化が図れる
。
これらの電圧は発光層６、第１絶縁層９ａ、第２絶縁層
９ｂ、の膜厚によって異なるが、発光層６の膜厚を６０
０ ＯＡ、第１絶縁層９ａ及び第２１１− 絶縁層９ｂの膜厚を３０００λとした時、従来よシおお
よそ５０Ｖの低減が図れた。
９ｂ、の膜厚によって異なるが、発光層６の膜厚を６０
０ ＯＡ、第１絶縁層９ａ及び第２１１− 絶縁層９ｂの膜厚を３０００λとした時、従来よシおお
よそ５０Ｖの低減が図れた。
そして、５Ｉ３Ｎｌｌ ｘ膜８ａ、８ｂの外側には絶縁
性に優れたＳｌ、Ｎ１１膜５ａ、５ｂが形成されている
ので、駆動回路からの電流が流れ込むことがないから、
即ち直流成分はカットされるからＥＬパネルのジュール
熱による破損という不都合は生せず、長寿命のＥＬパネ
ルが得られる。
性に優れたＳｌ、Ｎ１１膜５ａ、５ｂが形成されている
ので、駆動回路からの電流が流れ込むことがないから、
即ち直流成分はカットされるからＥＬパネルのジュール
熱による破損という不都合は生せず、長寿命のＥＬパネ
ルが得られる。
この発明は以上説明したように、第１．第２絶縁層に窒
素欠損のＳｉ−、Ｎｏ ｘ膜を設けて、発光層を該Ｓ１
うＮｑ−ｘ膜で挟むように第１．第２絶縁層を設けたの
で発光層における界面レベルが従来のものより深いレベ
ルにでき、急勾配のＢ−Ｖ特性曲線を有するＥＬパネル
を得ることができるので、表示画素数の増加が図れ、か
つＥＬパネルの長寿命化も行なえる等の効果を有するも
のである。
素欠損のＳｉ−、Ｎｏ ｘ膜を設けて、発光層を該Ｓ１
うＮｑ−ｘ膜で挟むように第１．第２絶縁層を設けたの
で発光層における界面レベルが従来のものより深いレベ
ルにでき、急勾配のＢ−Ｖ特性曲線を有するＥＬパネル
を得ることができるので、表示画素数の増加が図れ、か
つＥＬパネルの長寿命化も行なえる等の効果を有するも
のである。
壕だ、反応性スパッタ法によシ混合ガスの混合比を変え
ることにより第１．第２絶縁層を形成しているので、夫
れそれ別個の同一真空槽内で各層１２− を連続して形成できる効果もあり、第１．第２絶縁層の
各層は容易に同一条件に形成することができる。
ることにより第１．第２絶縁層を形成しているので、夫
れそれ別個の同一真空槽内で各層１２− を連続して形成できる効果もあり、第１．第２絶縁層の
各層は容易に同一条件に形成することができる。
第１図は本発明による方法で製造したＥＬパネルの側断
面図、第２図はＥＬパネルのＢ −Ｖ特性を示すグラフ
、第３図は従来の製造方法によるＥＬパネルの側断面図
である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極 ３ａ、３ｂ・
・・５１０２膜 ４ａ、１４ｂ−・・化合物薄膜 ５ａ
、５ｂ・・・Ｓｉ、Ｎｌｌ膜 ６・・・発光層 ７・・
・背面電極 ８ａ、８ｂ・・・Ｓｓ ３Ｎｌｌ−ｘ膜 特許用 願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 金 倉 喬 二 富 蓼 に 手続補正書（自船 昭和５９年６月２９日 庁長官 志 賀 学 殿 二の表示 和５９年特許願 第０９５５９５号 の名称 ＥＬパネルとその製造方法 をする者 牛との関係 特許出願人 所 東京都港区虎）門１丁目７番１２号称 （０２９）
沖電気工業株式会社 表者 橋 本 南海男 理 人 三の対象 願書 ７、補正の内容 １．願書の特許願の横に「特許法第３８条ただし書の規
定による出願」を加入し、特許法第３８条ただし書の規
定による出願と補正する。 ２、原書の発明の名称の欄と発明者の欄との間に「特許
請求の範囲に記載された発明の数 ２」を加入し本願を
２発明と補正する。 ２− 手続補正書（自発） 昭和５９年８ 月１ 日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願 第 ９５５９５ 号２、発明
の名称 ＥＬパネルとその製造方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号名 称 （
０２９）沖電気工業株式会社代表者 橋 本 南海男 ４、代 理 人 ６、補正の対象 特許請求の範囲の欄１図面 ７、補正の内容 １、特許請求の範囲を以下の通り補正する。 ［１，ガラス基板上に透明電極、第１絶縁層１発光層、
第２絶縁層、背面電極を順次積層して形成したＥＬパネ
ルにおいて、前記発光層が接する第１．第２絶縁層との
肉界面間に窒素欠損状態の５ｉ５Ｎ４膜を夫れそれ設け
たことを特徴とするＥＬパネル。 ２、透明電極を形成した透明基板を真空槽内に配置し、
Ｓｉをターゲットとして反応性スパッタ法によＪ）Ａｒ
ガスと豊富な０２の混合ガス中で５ｉ０２膜を形成し、 成し、 膜面に発光層を形成し、 膜を形成し、 形成することを特徴としたＥＬパネルの製造方法。」 ２、第１図を別紙添付の通シ補正する〇１ニガラス基板 ２：透明電極 ３ａ、３ｂ ： ５ｉ０２膜 ４ａ、４ｈ：化合物薄膜 ５ａ、５ｂ ： ５ｉ５Ｎｌｌ膜 ６；発光層 ７：背面電極 ８ａ、８ｂ ： ５ｉ５Ｎ１．ｌ−Ｘ膜９ａ：第１絶縁
層 ９ｂ：第２絶縁層 手続補正書（睦） 昭和５９年９月３８ 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第 ０９５５９５ 号２、発明の
名称 ＥＬパネルとその製造方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号名 称 （
０２９）沖電気工業株式会社代表者 橋本南海男 ４、代 理 人 ５、補正命令の日付 自 発
面図、第２図はＥＬパネルのＢ −Ｖ特性を示すグラフ
、第３図は従来の製造方法によるＥＬパネルの側断面図
である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極 ３ａ、３ｂ・
・・５１０２膜 ４ａ、１４ｂ−・・化合物薄膜 ５ａ
、５ｂ・・・Ｓｉ、Ｎｌｌ膜 ６・・・発光層 ７・・
・背面電極 ８ａ、８ｂ・・・Ｓｓ ３Ｎｌｌ−ｘ膜 特許用 願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 金 倉 喬 二 富 蓼 に 手続補正書（自船 昭和５９年６月２９日 庁長官 志 賀 学 殿 二の表示 和５９年特許願 第０９５５９５号 の名称 ＥＬパネルとその製造方法 をする者 牛との関係 特許出願人 所 東京都港区虎）門１丁目７番１２号称 （０２９）
沖電気工業株式会社 表者 橋 本 南海男 理 人 三の対象 願書 ７、補正の内容 １．願書の特許願の横に「特許法第３８条ただし書の規
定による出願」を加入し、特許法第３８条ただし書の規
定による出願と補正する。 ２、原書の発明の名称の欄と発明者の欄との間に「特許
請求の範囲に記載された発明の数 ２」を加入し本願を
２発明と補正する。 ２− 手続補正書（自発） 昭和５９年８ 月１ 日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願 第 ９５５９５ 号２、発明
の名称 ＥＬパネルとその製造方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号名 称 （
０２９）沖電気工業株式会社代表者 橋 本 南海男 ４、代 理 人 ６、補正の対象 特許請求の範囲の欄１図面 ７、補正の内容 １、特許請求の範囲を以下の通り補正する。 ［１，ガラス基板上に透明電極、第１絶縁層１発光層、
第２絶縁層、背面電極を順次積層して形成したＥＬパネ
ルにおいて、前記発光層が接する第１．第２絶縁層との
肉界面間に窒素欠損状態の５ｉ５Ｎ４膜を夫れそれ設け
たことを特徴とするＥＬパネル。 ２、透明電極を形成した透明基板を真空槽内に配置し、
Ｓｉをターゲットとして反応性スパッタ法によＪ）Ａｒ
ガスと豊富な０２の混合ガス中で５ｉ０２膜を形成し、 成し、 膜面に発光層を形成し、 膜を形成し、 形成することを特徴としたＥＬパネルの製造方法。」 ２、第１図を別紙添付の通シ補正する〇１ニガラス基板 ２：透明電極 ３ａ、３ｂ ： ５ｉ０２膜 ４ａ、４ｈ：化合物薄膜 ５ａ、５ｂ ： ５ｉ５Ｎｌｌ膜 ６；発光層 ７：背面電極 ８ａ、８ｂ ： ５ｉ５Ｎ１．ｌ−Ｘ膜９ａ：第１絶縁
層 ９ｂ：第２絶縁層 手続補正書（睦） 昭和５９年９月３８ 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第 ０９５５９５ 号２、発明の
名称 ＥＬパネルとその製造方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号名 称 （
０２９）沖電気工業株式会社代表者 橋本南海男 ４、代 理 人 ５、補正命令の日付 自 発
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガラス基板上に透明電極、第１絶縁層２発光層、第
２絶縁層、背面電極を順次積層して形成したＥＬパネル
において、前記発光層が接する第１．第２絶縁層との両
界面間に窒素欠損状態の８１．Ｎｌｌ膜を夫れそれ設け
たことを特徴とするパネル。 ２、透明電極を有したガラス基板を真空槽内に配置しＳ
ｔをターゲットとした反応性スパッタ法によすＡｒガス
、０２ガス、Ｎ２ガスの注入混合比を変えながら窒素欠
損状態の８１３Ｎ＋４膜を有した第１絶縁層を形成した
後、該真空槽から取出して窒素欠損状態のＳｌ、Ｎｌｌ
膜上に発光層を形成し、その後他の真空槽内に発光層を
上にして配置して前記と同様に窒素欠損状態のＳｉ、Ｎ
ｌｌ膜を有する第２絶縁層をｓｉ、Ｎ、膜を発光層に密
着させて形成した後該真空槽から取出して第２絶縁層上
に背面電極を形成することを特徴としたＥＬパネルの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59095595A JPS60240097A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | Ｅｌパネルとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59095595A JPS60240097A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | Ｅｌパネルとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60240097A true JPS60240097A (ja) | 1985-11-28 |
| JPS6343880B2 JPS6343880B2 (ja) | 1988-09-01 |
Family
ID=14141917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59095595A Granted JPS60240097A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | Ｅｌパネルとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60240097A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63994A (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜電場発光素子の製造法 |
| JPS6345797A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | 株式会社日立製作所 | 薄膜発光素子 |
| JPS63250090A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-17 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57124883A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Sharp Kk | Thin film el element |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP59095595A patent/JPS60240097A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57124883A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Sharp Kk | Thin film el element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63994A (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜電場発光素子の製造法 |
| JPS6345797A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | 株式会社日立製作所 | 薄膜発光素子 |
| JPS63250090A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-17 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6343880B2 (ja) | 1988-09-01 |
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