JPS61224290A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPS61224290A JPS61224290A JP60068325A JP6832585A JPS61224290A JP S61224290 A JPS61224290 A JP S61224290A JP 60068325 A JP60068325 A JP 60068325A JP 6832585 A JP6832585 A JP 6832585A JP S61224290 A JPS61224290 A JP S61224290A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、発光層の上下両主面を絶縁膜でサンドイッチ
した構造を有し、交流電界の印加に応答してＥＬ （Ｅ
ｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ） 発光
するいわゆる三層構造薄膜ＥＬ素子に関するものである
。
した構造を有し、交流電界の印加に応答してＥＬ （Ｅ
ｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ） 発光
するいわゆる三層構造薄膜ＥＬ素子に関するものである
。
く従来の技術とその問題点〉
電界印加に応答してＥＬ発光する発光層を絶縁層で挾持
して成る交流駆動型三層構造薄膜ＥＬ素子のパッシベー
ション対策としては、素子の前面にガラス基板を設けて
ＥＬ出射面とし背面に樹脂材を被覆した構造あるいは背
面のガラス基板を素子搭載用基板に張り付け、素子と背
面ガラス基板との間隙にオイルを封入した構造などが用
いられてきた。樹脂コートの場合は製作が容易である反
面防湿性が不十亦であり、湿気を完全に遮断することが
できないという欠点を有する。一方、オイルシールの場
合は、絵素中に絶縁破壊が生じた際にオイルの存在によ
って破壊点の拡大が抑えられるという大きな利点がある
反面パネル作製工程が複雑かつ多工程となり、構造上も
パネルの厚さが厚くなり、重量も重くなるという欠点が
ある。
して成る交流駆動型三層構造薄膜ＥＬ素子のパッシベー
ション対策としては、素子の前面にガラス基板を設けて
ＥＬ出射面とし背面に樹脂材を被覆した構造あるいは背
面のガラス基板を素子搭載用基板に張り付け、素子と背
面ガラス基板との間隙にオイルを封入した構造などが用
いられてきた。樹脂コートの場合は製作が容易である反
面防湿性が不十亦であり、湿気を完全に遮断することが
できないという欠点を有する。一方、オイルシールの場
合は、絵素中に絶縁破壊が生じた際にオイルの存在によ
って破壊点の拡大が抑えられるという大きな利点がある
反面パネル作製工程が複雑かつ多工程となり、構造上も
パネルの厚さが厚くなり、重量も重くなるという欠点が
ある。
第２図はオイルシールした薄膜ＥＬ素子の１例を示す模
式構成図である。ガラス基板１上に透明電極２が配設さ
れ、この上にＳｉ０２膜３とＳｉ−Ｎ膜４の積層膜が堆
積され更にＺｎＳ：Ｍｎ発光層５とＳ ｉ −Ｎ膜６が
積層されて絶縁膜−発光層−絶縁膜から成る三層構造部
が構成されている。
式構成図である。ガラス基板１上に透明電極２が配設さ
れ、この上にＳｉ０２膜３とＳｉ−Ｎ膜４の積層膜が堆
積され更にＺｎＳ：Ｍｎ発光層５とＳ ｉ −Ｎ膜６が
積層されて絶縁膜−発光層−絶縁膜から成る三層構造部
が構成されている。
Ｓｉ−Ｎ膜６上には背面電極７が形成され、背面電極７
と透明電極２は交流電源９に接続されて薄膜ＥＬ素子が
駆動される。薄膜ＥＬ素子の背面側には皿状背面ガラス
板１０が配設され、ガラス基板１とともに薄膜ＥＬ素子
を内蔵する外囲器を構成している。この外囲器内にはシ
リコーンオイルが封入され、薄膜ＥＬ素子の背面はこの
シリコーンオイルで被覆される。シリコーンオイルは耐
湿性が高く寸たＳｉ −Ｎ膜６に生じた絶縁破壊点をそ
の浸透性により拡大させないように作用する反面、固体
素子に液体が介入することによる実用面での種々の不都
合を招き、捷だパネルとしての厚さも増大する。
と透明電極２は交流電源９に接続されて薄膜ＥＬ素子が
駆動される。薄膜ＥＬ素子の背面側には皿状背面ガラス
板１０が配設され、ガラス基板１とともに薄膜ＥＬ素子
を内蔵する外囲器を構成している。この外囲器内にはシ
リコーンオイルが封入され、薄膜ＥＬ素子の背面はこの
シリコーンオイルで被覆される。シリコーンオイルは耐
湿性が高く寸たＳｉ −Ｎ膜６に生じた絶縁破壊点をそ
の浸透性により拡大させないように作用する反面、固体
素子に液体が介入することによる実用面での種々の不都
合を招き、捷だパネルとしての厚さも増大する。
〈問題点を解決するだめの手段〉
本発明は上記従来の薄膜ＥＬ素子におけるノくツシベー
ションの問題点を解決すべくなされたものであり、三層
構造薄膜ＥＬ素子のパッシベーション膜としてＳｉ−Ｎ
膜とＳｉ−Ｃ（又はＣ）膜を積層化した複合膜を利用す
ることにより、ノ％ツシベーション工程を簡略化してノ
くネルの量産性を上げ、またパネルを全固体化すること
で薄型・軽量化を達成したことを特徴とする。
ションの問題点を解決すべくなされたものであり、三層
構造薄膜ＥＬ素子のパッシベーション膜としてＳｉ−Ｎ
膜とＳｉ−Ｃ（又はＣ）膜を積層化した複合膜を利用す
ることにより、ノ％ツシベーション工程を簡略化してノ
くネルの量産性を上げ、またパネルを全固体化すること
で薄型・軽量化を達成したことを特徴とする。
なお、Ｓｉ−Ｃ（又はＣ）膜との複合膜を用いる理由は
、Ｓｉ−Ｎ膜が緻密であることを利用して防湿性を上げ
、Ｓｉ−Ｃ（又はＣ）膜が熱伝導の良いことを利用して
放熱性を改善しようとしたものである。
、Ｓｉ−Ｎ膜が緻密であることを利用して防湿性を上げ
、Ｓｉ−Ｃ（又はＣ）膜が熱伝導の良いことを利用して
放熱性を改善しようとしたものである。
〈実施例〉
第１図は本発明のパッシベーション膜を適用した三層構
造薄膜ＥＬ素子の１実施例を示す構成図である。
造薄膜ＥＬ素子の１実施例を示す構成図である。
ガラス基板１上に透明電極（ＩＴＯ膜等）２をストライ
プ状に平行配列した後、この上にスバ・ンタリング、真
空蒸着等の薄膜生成法でＳ ｉ ０２膜３を２００〜８
００Ｘ形成し、更にその上にスパッタリング法でＳｉ−
Ｎ膜４を１．０００〜ａｏｏｏＸ重畳形成して第１絶縁
膜とする。次に第１絶縁膜上にＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレッ
トをターゲットとする電子ビーム蒸着法により発光層５
を６、０００〜ａｏｏｏＸの厚さに堆積する。このＺｎ
Ｓ 発光層５の上にスパッタリング法又はプラズマＣＶ
Ｄ法により、第２絶縁膜のＳｉ−Ｎ膜６を形成すること
により発光層５の両生面を絶縁膜で挾持した三層構造部
が作製される。Ｓｉ−Ｎ膜６上にＡＪ等からなる背面電
極７をストライプ状に形成することにより、上記透明電
極２との間で直交するマトリックス電極構造が構成され
る。背面電極７と透明電極２は交流電源９に接続される
。
プ状に平行配列した後、この上にスバ・ンタリング、真
空蒸着等の薄膜生成法でＳ ｉ ０２膜３を２００〜８
００Ｘ形成し、更にその上にスパッタリング法でＳｉ−
Ｎ膜４を１．０００〜ａｏｏｏＸ重畳形成して第１絶縁
膜とする。次に第１絶縁膜上にＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレッ
トをターゲットとする電子ビーム蒸着法により発光層５
を６、０００〜ａｏｏｏＸの厚さに堆積する。このＺｎ
Ｓ 発光層５の上にスパッタリング法又はプラズマＣＶ
Ｄ法により、第２絶縁膜のＳｉ−Ｎ膜６を形成すること
により発光層５の両生面を絶縁膜で挾持した三層構造部
が作製される。Ｓｉ−Ｎ膜６上にＡＪ等からなる背面電
極７をストライプ状に形成することにより、上記透明電
極２との間で直交するマトリックス電極構造が構成され
る。背面電極７と透明電極２は交流電源９に接続される
。
以上により作製された三層構造薄膜ＥＬ素子の背面側全
域にプラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法でＳｉ
−Ｎ膜とＳ ｉ −Ｃ又はＣ（単体）膜とを積層した複
合膜８を被覆し薄膜ＥＬ素子のパッシベーション膜とす
る。パッシベーション膜の作製は、例えばシランとアン
モニアガスを原料ガスとし、プラズマＣＶＤ法等を用い
てアモルファスのＳｉ−Ｎ膜を薄膜ＥＬ素子の背面方向
より堆積させた後、原料ガスを交換して例えばシランと
メタン・プロパン等の炭化水素ガスを導入し、同様にプ
ラズマＣＶＤ法等でアモルファスのＳｉ−Ｃ膜をＳｉ−
Ｎ膜上に堆積させて二層アモルファス複合膜８のパッシ
ベーション膜とする。尚、良く、またアモルファス以外
に緻密な微結晶質を用いても良い。パッシベーション膜
の厚さは合計５０００Ｘ乃至ＩＡｍ程度に設定する。
域にプラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法でＳｉ
−Ｎ膜とＳ ｉ −Ｃ又はＣ（単体）膜とを積層した複
合膜８を被覆し薄膜ＥＬ素子のパッシベーション膜とす
る。パッシベーション膜の作製は、例えばシランとアン
モニアガスを原料ガスとし、プラズマＣＶＤ法等を用い
てアモルファスのＳｉ−Ｎ膜を薄膜ＥＬ素子の背面方向
より堆積させた後、原料ガスを交換して例えばシランと
メタン・プロパン等の炭化水素ガスを導入し、同様にプ
ラズマＣＶＤ法等でアモルファスのＳｉ−Ｃ膜をＳｉ−
Ｎ膜上に堆積させて二層アモルファス複合膜８のパッシ
ベーション膜とする。尚、良く、またアモルファス以外
に緻密な微結晶質を用いても良い。パッシベーション膜
の厚さは合計５０００Ｘ乃至ＩＡｍ程度に設定する。
複合膜８のＳｉ−Ｎ膜は薄膜ＥＬ素子内へ湿気が侵入す
るのを防止する。発光層５上にも第２絶縁膜としてＳｉ
−Ｎ膜６が被覆されているが、この５ｔ−Ｎ膜６を厚く
すると電極２，７間で発光層５に印加される実効電界強
度が低くなるため、第２絶縁膜の５ｔ−Ｎ膜６は必要以
上に厚くすることができない。従って、充分な防湿効果
を得るためにはパッシベーション膜としてのＳｉ−Ｎ膜
で補強することが必要となる。また第１絶縁膜の接合部
及び第１絶縁膜と透明電極２の接合部においても湿気の
侵入する危惧が生じるが、パッシベーション膜はこの部
分も完全に被覆している。以上により、発光層５への防
湿効果は充分に達成される。
るのを防止する。発光層５上にも第２絶縁膜としてＳｉ
−Ｎ膜６が被覆されているが、この５ｔ−Ｎ膜６を厚く
すると電極２，７間で発光層５に印加される実効電界強
度が低くなるため、第２絶縁膜の５ｔ−Ｎ膜６は必要以
上に厚くすることができない。従って、充分な防湿効果
を得るためにはパッシベーション膜としてのＳｉ−Ｎ膜
で補強することが必要となる。また第１絶縁膜の接合部
及び第１絶縁膜と透明電極２の接合部においても湿気の
侵入する危惧が生じるが、パッシベーション膜はこの部
分も完全に被覆している。以上により、発光層５への防
湿効果は充分に達成される。
次に複合膜８のＳｉ−Ｃ膜（又はＣ膜）はＳｉ−Ｎ膜よ
り硬い膜でムリ、素子表面の機械的強度ＥＬ素子の放熱
効果を得るために用いている。薄膜ＥＬ素子は高電界が
印加されて発光駆動されるものであり、素子内部で相当
な発熱が生じる。
り硬い膜でムリ、素子表面の機械的強度ＥＬ素子の放熱
効果を得るために用いている。薄膜ＥＬ素子は高電界が
印加されて発光駆動されるものであり、素子内部で相当
な発熱が生じる。
Ｓｉ−Ｃ膜（又はＣ膜）はこの発熱を空気中へ放散して
薄膜ＥＬ素子の熱損傷を防止する上で非常に有効な効果
を奏するものである。
薄膜ＥＬ素子の熱損傷を防止する上で非常に有効な効果
を奏するものである。
以」二の如く、パッシベーション膜とＬｉＳｉ −Ｎ膜
とＳｉ−Ｃ膜（又はＣ膜）を用することにより従来のオ
イルシール構造と同様の効果を全固体薄膜ＥＬ素子で得
ることができる。
とＳｉ−Ｃ膜（又はＣ膜）を用することにより従来のオ
イルシール構造と同様の効果を全固体薄膜ＥＬ素子で得
ることができる。
〈発明の効果〉
本発明によるパッシベーション膜を適用した３層構造薄
膜ＥＬ素子は、従来のものに比べ、次の様な効果がある
。
膜ＥＬ素子は、従来のものに比べ、次の様な効果がある
。
（１１オイルシールタイプのものに比べ、大＠に工程を
簡略化でき、量産性が向上する。又、絶縁膜を形成する
装置と同一の装置で、本発明のパッシベーション膜も形
成することができ製作が容易となる。
簡略化でき、量産性が向上する。又、絶縁膜を形成する
装置と同一の装置で、本発明のパッシベーション膜も形
成することができ製作が容易となる。
（２）パッシベーションが薄膜で行なえる為、ＥＬディ
スプレイパネルが軽量かつ薄型になる。
スプレイパネルが軽量かつ薄型になる。
（３）パッシベーションを複合膜にして防湿性、及び放
熱性の向上を図った為、素子の長寿命化が期待できる。
熱性の向上を図った為、素子の長寿命化が期待できる。
第１図は本発明のパッシベーション膜を適用した３層構
造薄膜ＥＬ素子の１実施例を示す模式断面図である。 第２図は従来のオイルシールタイプの３層構造薄膜ＥＬ
素子の構造を示す断面図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極、 ３・・・
ＳｉＯ２膜、 ４・・・Ｓｉ−Ｎ膜、５・・・発光層、
６・・・Ｓｉ−Ｎ膜、７・・背面電極、 ８・・・複合
膜。
造薄膜ＥＬ素子の１実施例を示す模式断面図である。 第２図は従来のオイルシールタイプの３層構造薄膜ＥＬ
素子の構造を示す断面図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極、 ３・・・
ＳｉＯ２膜、 ４・・・Ｓｉ−Ｎ膜、５・・・発光層、
６・・・Ｓｉ−Ｎ膜、７・・背面電極、 ８・・・複合
膜。
Claims (1)
- １．電界印加に応答してＥＬ発光を呈する薄膜発光層
を絶縁膜で被覆して成る三層構造部をＳｉ−Ｎ膜とＳｉ
−Ｃ膜とから成る複合膜で密閉したことを特徴とする薄
膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60068325A JPS61224290A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60068325A JPS61224290A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224290A true JPS61224290A (ja) | 1986-10-04 |
| JPH046272B2 JPH046272B2 (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=13370557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60068325A Granted JPS61224290A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61224290A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134268A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子を用いた有機ｅｌディスプレイパネル |
| JP2004152590A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014123579A (ja) * | 2005-11-02 | 2014-07-03 | Ifire Ip Corp | 電界発光ディスプレイ |
| JP2016066617A (ja) * | 1999-09-17 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855634A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Nobuhiro Kojima | 建築物の通気方法および装置 |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP60068325A patent/JPS61224290A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855634A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Nobuhiro Kojima | 建築物の通気方法および装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016066617A (ja) * | 1999-09-17 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US9735218B2 (en) | 1999-09-17 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and method for manufacturing the same |
| JP2002134268A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子を用いた有機ｅｌディスプレイパネル |
| JP2004152590A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014123579A (ja) * | 2005-11-02 | 2014-07-03 | Ifire Ip Corp | 電界発光ディスプレイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH046272B2 (ja) | 1992-02-05 |
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