JPH046272B2 - - Google Patents
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- JPH046272B2 JPH046272B2 JP60068325A JP6832585A JPH046272B2 JP H046272 B2 JPH046272 B2 JP H046272B2 JP 60068325 A JP60068325 A JP 60068325A JP 6832585 A JP6832585 A JP 6832585A JP H046272 B2 JPH046272 B2 JP H046272B2
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Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は、発光層の上下両主面を絶縁膜でサン
ドイツチした構造を有し、交流電界の印加に応答
してEL（Electro Luminescence）発光するいわ
ゆる三層構造薄膜EL素子に関するものである。
ドイツチした構造を有し、交流電界の印加に応答
してEL（Electro Luminescence）発光するいわ
ゆる三層構造薄膜EL素子に関するものである。
＜従来の技術とその問題点＞
電界印加に応答してEL発光する発光層を絶縁
層で挾持して成る交流駆動型三層構造薄膜EL素
子のパツシ、ベシヨン対策としては、素子の前面
にガラス基板を設けてEL出射面とし背面に樹脂
材を被覆した構造あるいは背面のガラス基板を素
子搭載用基板に張り付け、素子と背面ガラス基板
との関隙にオイルを封入した構造などが用いられ
てきた。樹脂コートの場合は製作が容易である反
面防湿性が不十分であり、湿気を完全に遮断する
ことができないという欠点を有する。一方、オイ
ルシールの場合は、絵素中に絶縁破壊が生じた際
にオイルの存在によつて破壊点の拡大が抑えられ
るという大きな利点がある反面パネル作製工程が
複雑かつ多工程となり、構造上もパネルの厚さが
厚くなり、重量も重くなるという欠点がある。
層で挾持して成る交流駆動型三層構造薄膜EL素
子のパツシ、ベシヨン対策としては、素子の前面
にガラス基板を設けてEL出射面とし背面に樹脂
材を被覆した構造あるいは背面のガラス基板を素
子搭載用基板に張り付け、素子と背面ガラス基板
との関隙にオイルを封入した構造などが用いられ
てきた。樹脂コートの場合は製作が容易である反
面防湿性が不十分であり、湿気を完全に遮断する
ことができないという欠点を有する。一方、オイ
ルシールの場合は、絵素中に絶縁破壊が生じた際
にオイルの存在によつて破壊点の拡大が抑えられ
るという大きな利点がある反面パネル作製工程が
複雑かつ多工程となり、構造上もパネルの厚さが
厚くなり、重量も重くなるという欠点がある。
第２図はオイルシールした薄膜EL素子の１例
を示す模式構成図である。ガラス基板１上に透明
電極２が配設され、この上にSiO2膜３とSi−Ｎ
膜４の積層膜が堆積され更にZnS：Mn発光層５
とSi−Ｎ膜６が積層されて絶縁膜−発光層−絶縁
膜から成る三層構造部が構成されている。Si−Ｎ
膜６上には背面電極７が形成され、背面電極７と
透明電極２は交流電源９に接続されて薄膜EL素
子が駆動される。薄膜EL素子の背面側には皿状
背面ガラス板１０が配設され、ガラス基板１とと
もに薄膜EL素子を内蔵する外囲器を構成してい
る。この外囲器内にはシリコーンオイルが封入さ
れ、薄膜EL素子の背面はこのシリコーンオイル
で被覆される。シリコーンオイルは耐湿性が高く
またSi−Ｎ膜６に生じた絶縁破壊点をその浸透性
により拡大させないように作用する反面、固体素
子に液体が介入することによる実用面での種々の
不都合を招き、またパネルとしての厚さも増大す
る。
を示す模式構成図である。ガラス基板１上に透明
電極２が配設され、この上にSiO2膜３とSi−Ｎ
膜４の積層膜が堆積され更にZnS：Mn発光層５
とSi−Ｎ膜６が積層されて絶縁膜−発光層−絶縁
膜から成る三層構造部が構成されている。Si−Ｎ
膜６上には背面電極７が形成され、背面電極７と
透明電極２は交流電源９に接続されて薄膜EL素
子が駆動される。薄膜EL素子の背面側には皿状
背面ガラス板１０が配設され、ガラス基板１とと
もに薄膜EL素子を内蔵する外囲器を構成してい
る。この外囲器内にはシリコーンオイルが封入さ
れ、薄膜EL素子の背面はこのシリコーンオイル
で被覆される。シリコーンオイルは耐湿性が高く
またSi−Ｎ膜６に生じた絶縁破壊点をその浸透性
により拡大させないように作用する反面、固体素
子に液体が介入することによる実用面での種々の
不都合を招き、またパネルとしての厚さも増大す
る。
＜問題点を解決するための手段＞
本発明は上記従来の薄膜EL素子におけるパツ
シベーシヨンの問題点を解決すべくなされたもの
であり、三層構造薄膜EL素子のパツシベーシヨ
ン膜としてSi−Ｎ膜とSi−Ｃ（又はＣ）膜を積層
化した複合膜を利用することにより、パツシベー
シヨン工程を簡略化してパネルの量産性を上げ、
またパネルを全固体化することで薄型・軽量化を
達成したことを特徴とする。
シベーシヨンの問題点を解決すべくなされたもの
であり、三層構造薄膜EL素子のパツシベーシヨ
ン膜としてSi−Ｎ膜とSi−Ｃ（又はＣ）膜を積層
化した複合膜を利用することにより、パツシベー
シヨン工程を簡略化してパネルの量産性を上げ、
またパネルを全固体化することで薄型・軽量化を
達成したことを特徴とする。
なお、Si−Ｃ（又はＣ）膜との複合膜を用いる
理由は、Si−Ｎ膜が緻密であることを利用して防
湿性を上げ、Si−Ｃ（又はＣ）膜が熱伝導の良い
ことを利用して放熱性を改善しようとしたもので
ある。
理由は、Si−Ｎ膜が緻密であることを利用して防
湿性を上げ、Si−Ｃ（又はＣ）膜が熱伝導の良い
ことを利用して放熱性を改善しようとしたもので
ある。
＜実施例＞
第１図は本発明のパツシベーシヨン膜を適用し
た三層構造薄膜EL素子の１実施例を示す構成図
である。
た三層構造薄膜EL素子の１実施例を示す構成図
である。
ガラス基板１上に透明電極（ITO膜等）２をス
トライプ状に平行配列した後、この上にスパツタ
リング、真空蒸着等の薄膜生成法でSiO2膜３を
200〜800〓形成し、更にその上にスパツタリング
法でSi−Ｎ膜４を1000〜3000〓重畳形成して第１
絶縁膜とする。次に第１絶縁膜上にZnS：Mn焼
結ペレツトをターゲツトとする電子ビーム蒸着法
により発光層５を6000〜8000〓の厚さに堆積す
る。このZnS発光層５の上にスパツタリング法又
はプラズマCVD法により、第２絶縁膜のSi−Ｎ
膜６を形成することにより発光層５の両主面を絶
縁膜で挾持した三層構造部が作製される。Si−Ｎ
膜６上にAl等からなる背面電極７をストライプ
状に形成することにより、上記透明電極２との間
で直交するマトリツクス電極構造が構成される。
背面電極７と透明電極２は交流電源９に接続され
る。
トライプ状に平行配列した後、この上にスパツタ
リング、真空蒸着等の薄膜生成法でSiO2膜３を
200〜800〓形成し、更にその上にスパツタリング
法でSi−Ｎ膜４を1000〜3000〓重畳形成して第１
絶縁膜とする。次に第１絶縁膜上にZnS：Mn焼
結ペレツトをターゲツトとする電子ビーム蒸着法
により発光層５を6000〜8000〓の厚さに堆積す
る。このZnS発光層５の上にスパツタリング法又
はプラズマCVD法により、第２絶縁膜のSi−Ｎ
膜６を形成することにより発光層５の両主面を絶
縁膜で挾持した三層構造部が作製される。Si−Ｎ
膜６上にAl等からなる背面電極７をストライプ
状に形成することにより、上記透明電極２との間
で直交するマトリツクス電極構造が構成される。
背面電極７と透明電極２は交流電源９に接続され
る。
以上により作製された三層構造薄膜EL素子の
背面側全域にプラズマCVD法あるいはスパツタ
リング法でSi−Ｎ膜とSi−Ｃ又はＣ（単体）膜と
を積層した複合膜８を被覆し薄膜EL素子のパツ
シベーシヨン膜とする。パツシベーシヨン膜の作
製は、例えばシランとアンモニアガスを原料ガス
とし、パラズマCVD法等を用いてアモルフアス
のSi−Ｎ膜を薄膜EL素子の背面方向より堆積さ
せた後、原料ガスを交換して例えばシランとメタ
ン・プロパン等の炭化水素ガスを導入し、同様に
プラズマCVD法等でアモルフアスのSi−Ｃ膜を
Si−Ｎ膜上に堆積させて二層アモルフアス複合膜
８のパツシベーシヨン膜とする。尚、この複合膜
８の構成はSi−Ｎ膜上にアモルフアスのＣ（カー
ボン）膜を堆積させる構成としても良く、またア
モルフアス以外に緻密な微結晶質を用いても良
い。パツシベーシヨン膜の厚さは合計5000〓乃至
1μｍ程度に設定する。
背面側全域にプラズマCVD法あるいはスパツタ
リング法でSi−Ｎ膜とSi−Ｃ又はＣ（単体）膜と
を積層した複合膜８を被覆し薄膜EL素子のパツ
シベーシヨン膜とする。パツシベーシヨン膜の作
製は、例えばシランとアンモニアガスを原料ガス
とし、パラズマCVD法等を用いてアモルフアス
のSi−Ｎ膜を薄膜EL素子の背面方向より堆積さ
せた後、原料ガスを交換して例えばシランとメタ
ン・プロパン等の炭化水素ガスを導入し、同様に
プラズマCVD法等でアモルフアスのSi−Ｃ膜を
Si−Ｎ膜上に堆積させて二層アモルフアス複合膜
８のパツシベーシヨン膜とする。尚、この複合膜
８の構成はSi−Ｎ膜上にアモルフアスのＣ（カー
ボン）膜を堆積させる構成としても良く、またア
モルフアス以外に緻密な微結晶質を用いても良
い。パツシベーシヨン膜の厚さは合計5000〓乃至
1μｍ程度に設定する。
複合膜８のSi−Ｎ膜は薄膜EL素子内へ湿気が
侵入するのを防止する。発光層５上にも第２絶縁
膜としてSi−Ｎ膜６が被覆されているが、このSi
−Ｎ膜６を厚くすると電極２，７間で発光層５に
印加される実効電界強度が低くなるため、第２絶
縁膜のSi−Ｎ膜６は必要以上に厚くすることがで
きない。従つて、充分な防湿効果を得るためには
パツシベーシヨン膜としてのSi−Ｎ膜で補強する
ことが必要となる。また第１絶縁膜の接合部及び
第１絶縁膜と透明電極２の接合部においても湿気
の侵入する危惧が生じるが、パツシベーシヨン膜
はこの部分も完全に被覆している。以上により、
発光層５への防湿効果は充分に達成される。
侵入するのを防止する。発光層５上にも第２絶縁
膜としてSi−Ｎ膜６が被覆されているが、このSi
−Ｎ膜６を厚くすると電極２，７間で発光層５に
印加される実効電界強度が低くなるため、第２絶
縁膜のSi−Ｎ膜６は必要以上に厚くすることがで
きない。従つて、充分な防湿効果を得るためには
パツシベーシヨン膜としてのSi−Ｎ膜で補強する
ことが必要となる。また第１絶縁膜の接合部及び
第１絶縁膜と透明電極２の接合部においても湿気
の侵入する危惧が生じるが、パツシベーシヨン膜
はこの部分も完全に被覆している。以上により、
発光層５への防湿効果は充分に達成される。
次に複合膜８のSi−Ｃ膜（又はＣ膜）はSi−Ｎ
膜より硬い膜であり、素子表面の機械的強度を得
るとともにその良熱伝導性を利用して薄膜EL素
子の放熱効果を得るために用いている。薄膜EL
素子は高電界が印加されて発光駆動されるもので
あり、素子内部で相当な発熱が生じる。Si−Ｃ膜
（又はＣ膜）はこの発熱を空気中へ放散して薄膜
EL素子の熱損傷を防止する上で非常に有効な効
果を奏するものである。
膜より硬い膜であり、素子表面の機械的強度を得
るとともにその良熱伝導性を利用して薄膜EL素
子の放熱効果を得るために用いている。薄膜EL
素子は高電界が印加されて発光駆動されるもので
あり、素子内部で相当な発熱が生じる。Si−Ｃ膜
（又はＣ膜）はこの発熱を空気中へ放散して薄膜
EL素子の熱損傷を防止する上で非常に有効な効
果を奏するものである。
以上の如く、パツシベーシヨン膜としてSi−Ｎ
膜とSi−Ｃ膜（又はＣ膜）を用いることにより従
来のオイルシール構造と同様の効果を全固体薄膜
EL素子で得ることができる。
膜とSi−Ｃ膜（又はＣ膜）を用いることにより従
来のオイルシール構造と同様の効果を全固体薄膜
EL素子で得ることができる。
＜発明の効果＞
本発明によるパツシベーシヨン膜を適用した３
層構造薄膜EL素子は、従来のものに比べ、次の
様な効果がある。
層構造薄膜EL素子は、従来のものに比べ、次の
様な効果がある。
(1) オイルシールタイプのものに比べ、大幅に工
程を簡略化でき、量産性が向上する。又、絶縁
膜を形成する装置と同一の装置で、本発明のパ
ツシベーシヨン膜も形成することができ製作が
容易となる。
程を簡略化でき、量産性が向上する。又、絶縁
膜を形成する装置と同一の装置で、本発明のパ
ツシベーシヨン膜も形成することができ製作が
容易となる。
(2) パツシベーシヨンが薄膜で行なえる為、EL
デイスプレイパネルが軽量かつ薄型になる。
デイスプレイパネルが軽量かつ薄型になる。
(3) パツシベーシヨンを複合膜にして防湿性、及
び放熱性の向上を図つた為、素子の長寿命化が
期待できる。
び放熱性の向上を図つた為、素子の長寿命化が
期待できる。
第１図は本発明のパツシベーシヨン膜を適用し
た３層構造薄膜EL素子の１実施例を示す模式断
面図である。第２図は従来のオイルシールタイプ
の３層構造薄膜EL素子の構造を示す断面図であ
る。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……
SiO2膜、４……Si−Ｎ膜、５……発光層、６…
…Si−Ｎ膜、７……背面電極、８……複合膜。
た３層構造薄膜EL素子の１実施例を示す模式断
面図である。第２図は従来のオイルシールタイプ
の３層構造薄膜EL素子の構造を示す断面図であ
る。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……
SiO2膜、４……Si−Ｎ膜、５……発光層、６…
…Si−Ｎ膜、７……背面電極、８……複合膜。
Claims (1)
- １ 電界印加に応答してEL発光を呈する薄膜発
光層を絶縁層で被覆して成る三層構造部をSi−Ｎ
膜とSi−Ｃ膜とをこの順で積層した複合膜で密閉
してなることを特徴とする薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60068325A JPS61224290A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60068325A JPS61224290A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224290A JPS61224290A (ja) | 1986-10-04 |
| JPH046272B2 true JPH046272B2 (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=13370557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60068325A Granted JPS61224290A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61224290A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW516244B (en) | 1999-09-17 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for manufacturing the same |
| JP4600857B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2010-12-22 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子 |
| JP4225030B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2009-02-18 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US8193705B2 (en) * | 2005-11-02 | 2012-06-05 | Ifire Ip Corporation | Laminated conformal seal for electroluminescent displays |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855634A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Nobuhiro Kojima | 建築物の通気方法および装置 |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP60068325A patent/JPS61224290A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855634A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Nobuhiro Kojima | 建築物の通気方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61224290A (ja) | 1986-10-04 |
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