JPS59157996A - El発光素子 - Google Patents
El発光素子Info
- Publication number
- JPS59157996A JPS59157996A JP58031404A JP3140483A JPS59157996A JP S59157996 A JPS59157996 A JP S59157996A JP 58031404 A JP58031404 A JP 58031404A JP 3140483 A JP3140483 A JP 3140483A JP S59157996 A JPS59157996 A JP S59157996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- layers
- layer
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明はEL発光素子に関するものである。
交流電界の印加によって発光するEL発光素子は、第1
図に示すように、一般にはZnSに活性物質としてMn
、希土類のハロゲン化物等を添加した薄膜の発光層1
を上下2層の誘電体層2ではさみころ、これをガラス基
板3上に形成した透明電極4(ネサ膜)等の上に形成し
、さらにその上にA1等による背面電極5を形成し、全
体を防湿のための保護層6でオーバーコートして形成さ
れていた。
図に示すように、一般にはZnSに活性物質としてMn
、希土類のハロゲン化物等を添加した薄膜の発光層1
を上下2層の誘電体層2ではさみころ、これをガラス基
板3上に形成した透明電極4(ネサ膜)等の上に形成し
、さらにその上にA1等による背面電極5を形成し、全
体を防湿のための保護層6でオーバーコートして形成さ
れていた。
このような構造の素子で比較的高い輝度が得られるが、
明るい場所での使用には充分とはいえず、また輝度を上
げるために印加電圧を上げると素子が劣化し寿命が短く
なるという問題があった。。
明るい場所での使用には充分とはいえず、また輝度を上
げるために印加電圧を上げると素子が劣化し寿命が短く
なるという問題があった。。
この発明は高い輝度を得ることができ、また従来に比し
て低い印加電圧での発光を可能にしたEL発光素子を提
供することを目的とする。
て低い印加電圧での発光を可能にしたEL発光素子を提
供することを目的とする。
この発明のEL発光素子は、透光性基板と、この基板上
に設けた透明電極と、この透明電極上に積層した上下2
層の発光層と、これらの発光層の間に介在され発光層を
2層に分割した誘電体層と、上層の発光層上に設けた背
面電極とを備えたものである。
に設けた透明電極と、この透明電極上に積層した上下2
層の発光層と、これらの発光層の間に介在され発光層を
2層に分割した誘電体層と、上層の発光層上に設けた背
面電極とを備えたものである。
第2図はこの発明の一実施例の断面図であり、ガラス基
板3上に透明電極4.第1の発光層7n。
板3上に透明電極4.第1の発光層7n。
誘電体層8.第2の発光層7bおよびAj?等の背面?
lj極5をこの順で積層し、全体を防湿用の保護層6で
被覆する。
lj極5をこの順で積層し、全体を防湿用の保護層6で
被覆する。
前記透明電極4はスパッタリング法やイオンプレーディ
ング法で形成した透明導電膜である・また、前記誘電体
層はY2O3,BgTi03等からなる。
ング法で形成した透明導電膜である・また、前記誘電体
層はY2O3,BgTi03等からなる。
前記発光層7g、7bは互いに独立して形成されている
ので、前記透明電極4と背面電極5とに交流電圧を印加
すると、上下2層の発光層7a。
ので、前記透明電極4と背面電極5とに交流電圧を印加
すると、上下2層の発光層7a。
7bは同時に発光し、その光は透明電極4を経てガラス
基板3面に至る。
基板3面に至る。
このように2層構造の発光層7a、7bを用いることに
より、これらの発光層として半サイクルで1パルスの発
光を行なう交流EL発光層を用いると、半サイクルで2
層7n、7bが同時に発光するため、発光層に印加され
る電圧が第1図に示す従来の発光素子と同じ場合には従
来に比して高い輝度を得ることができるのである。また
、第1図の従来νlの場合には、発光に関与しない電圧
が上下2層の誘電体層2に加わるが、この実施例では誘
電体層8が一層のみであるので、従来例に比して同一輝
度を得るためには低電圧でよいという効果があり、それ
だけ素子の劣化を軽減することができるのである。
より、これらの発光層として半サイクルで1パルスの発
光を行なう交流EL発光層を用いると、半サイクルで2
層7n、7bが同時に発光するため、発光層に印加され
る電圧が第1図に示す従来の発光素子と同じ場合には従
来に比して高い輝度を得ることができるのである。また
、第1図の従来νlの場合には、発光に関与しない電圧
が上下2層の誘電体層2に加わるが、この実施例では誘
電体層8が一層のみであるので、従来例に比して同一輝
度を得るためには低電圧でよいという効果があり、それ
だけ素子の劣化を軽減することができるのである。
実施例
洗浄したガラス基板を400℃に加熱し、そのよ面にA
r 02混合気体中で厚さ約2000人のITO膜
(透明電極)をスパッタリング法により形成した。つい
で、その上面に電子ビーム加熱蒸着により厚さ約400
0〜5000人の第1の発光層を形成した。
r 02混合気体中で厚さ約2000人のITO膜
(透明電極)をスパッタリング法により形成した。つい
で、その上面に電子ビーム加熱蒸着により厚さ約400
0〜5000人の第1の発光層を形成した。
この発光層はZnSとMnとからなる。
第1の発光層の上面に厚さ約5000人の誘電体層を形
成し、さらに前記と同じZnSとMnとからなる厚さ約
4000〜5000人の第2の発光層を形成したのち、
その上面にAI!電極(背面電極)を形成した。
成し、さらに前記と同じZnSとMnとからなる厚さ約
4000〜5000人の第2の発光層を形成したのち、
その上面にAI!電極(背面電極)を形成した。
かくして得られたEL発光素子を第1図に示す従来の発
光素子と比較すると、同じ印加電圧で従来の発光素子に
比して約2倍の明るさが得られた。
光素子と比較すると、同じ印加電圧で従来の発光素子に
比して約2倍の明るさが得られた。
この発明によれば、発光層を誘電体層を介した2層構造
とすることにより、従来の発光素子に比して高′・)輝
度を得ることができ、また低い印加型。
とすることにより、従来の発光素子に比して高′・)輝
度を得ることができ、また低い印加型。
圧での発光を可能にし、素子の劣化を防止することがで
きるという効果がある。
きるという効果がある。
第1図は従来の発光素子の断面図、第2図はこの廃明の
一実施例の断面図である。 l、7a、7b・・・発光層、2,8・・・誘電体層、
3・・・ガラス基板(透光性基板)、4・・・透明電極
、5・・・背面電極 5 ′ 第2図
一実施例の断面図である。 l、7a、7b・・・発光層、2,8・・・誘電体層、
3・・・ガラス基板(透光性基板)、4・・・透明電極
、5・・・背面電極 5 ′ 第2図
Claims (1)
- 透光性基板と、この基板上に設けた透明電極と、この透
明電極上に積層した上下2層の発光層と、これらの発光
層の間に介在され発光層を2層に分割した誘電体層と、
上層の発光層上に設けた背面電極とを備えたEL発光素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58031404A JPS59157996A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | El発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58031404A JPS59157996A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | El発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59157996A true JPS59157996A (ja) | 1984-09-07 |
Family
ID=12330315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58031404A Pending JPS59157996A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | El発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59157996A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60136100U (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-10 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜el素子 |
JPS6198266A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | 帝国繊維株式会社 | 消火栓用バルブにおけるバルブの作動方法およびバルブ構造 |
JPS61109294A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-27 | ゼネラル エレクトリツク カンパニイ | エレクトロルミネツセンス装置 |
JPH01130495A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
-
1983
- 1983-02-25 JP JP58031404A patent/JPS59157996A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60136100U (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-10 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜el素子 |
JPS6198266A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | 帝国繊維株式会社 | 消火栓用バルブにおけるバルブの作動方法およびバルブ構造 |
JPH0515473B2 (ja) * | 1984-10-19 | 1993-03-01 | Teikoku Sen I Co Ltd | |
JPS61109294A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-27 | ゼネラル エレクトリツク カンパニイ | エレクトロルミネツセンス装置 |
JPH01130495A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
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