JPS61211997A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPS61211997A JPS61211997A JP60052555A JP5255585A JPS61211997A JP S61211997 A JPS61211997 A JP S61211997A JP 60052555 A JP60052555 A JP 60052555A JP 5255585 A JP5255585 A JP 5255585A JP S61211997 A JPS61211997 A JP S61211997A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- island
- absorber
- thin film
- transparent
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、交流電界の印加によってＥＬ（エレクトロ・
ルミネッセンス）発光を生ずる薄膜ＥＬ素子に関するも
のである。
ルミネッセンス）発光を生ずる薄膜ＥＬ素子に関するも
のである。
従来の薄膜ＥＬ素子としては、例えば特許類昭和５８年
第１９１２８号に記載されているものがある。
第１９１２８号に記載されているものがある。
第２図は、上記の薄膜ＥＬ素子の断面図である。
第２図において、ガラス基板１の上にＩｎ、Ｏ，・やＳ
ｎＯ２等の透明導電膜２、Ｙ、Ｏ，やＳｉ、Ｎ４等の第
１誘電体膜３．Ｍｎを微量含んだＺｎＳからなる発光膜
４及び上記第１誘電体膜３と同様の材質からなる第２誘
電体膜５が電子ビーム蒸着或はスパッタリングによって
順次積層され、これらの２〜５によって透明多層膜ｌＯ
Ｏが形成されている。
ｎＯ２等の透明導電膜２、Ｙ、Ｏ，やＳｉ、Ｎ４等の第
１誘電体膜３．Ｍｎを微量含んだＺｎＳからなる発光膜
４及び上記第１誘電体膜３と同様の材質からなる第２誘
電体膜５が電子ビーム蒸着或はスパッタリングによって
順次積層され、これらの２〜５によって透明多層膜ｌＯ
Ｏが形成されている。
なお、上記各部分の膜厚は、誘電体膜が５０００人程度
１発光膜が６０００人程度１ある。
１発光膜が６０００人程度１ある。
さらに、第２誘電体膜５の上に質量膜厚が５０〜３００
人のＭＯ［からなる島状吸収体＠６が電子ビーム蒸着或
はスパッタリングによって形成されている。
人のＭＯ［からなる島状吸収体＠６が電子ビーム蒸着或
はスパッタリングによって形成されている。
なお、この島状吸収体膜６は、島状構造をもつ他の金属
膜や半導体膜、例えばＴａ、Ｃｒ、Ｓｉ等で代替するこ
とも可能である。
膜や半導体膜、例えばＴａ、Ｃｒ、Ｓｉ等で代替するこ
とも可能である。
さらに、島状吸収体膜６の上に５００人程１の膜厚をも
ったＡｌｌ、Ｏ，等の透明な誘電体膜７を形成し。
ったＡｌｌ、Ｏ，等の透明な誘電体膜７を形成し。
その上にＡｌ１等の金属膜８を蒸着或はスパッタリング
によって順次積層する。この６〜８が黒色化背面電極２
００を形成している。
によって順次積層する。この６〜８が黒色化背面電極２
００を形成している。
透明導電膜２と黒色化背面電極２００とは、通常のフォ
トリングラフィによって適当な形状にパターン化されて
いる。
トリングラフィによって適当な形状にパターン化されて
いる。
上記の素子において、透明導電膜２と黒色化背面電極２
００との間に交流電圧を印加し、発光膜４内の電界が１
〜２ Ｘ １０ＬＶ ７０ｍに達すると、上記２つの電
極に挟まれた部分が発光し、前記のパターン化された形
状を発光表示する。
００との間に交流電圧を印加し、発光膜４内の電界が１
〜２ Ｘ １０ＬＶ ７０ｍに達すると、上記２つの電
極に挟まれた部分が発光し、前記のパターン化された形
状を発光表示する。
従って、第１及び第２の誘電体膜としては、誘電率の大
きな物質を用いることが望ましい。
きな物質を用いることが望ましい。
なお、第２図の素子においては、前記のごとく黒色化背
面電極２００を用いているので、透明多層膜１００を通
って侵入した外来光が島状吸収体膜６及び透明誘電体膜
７によって吸収されるため、背面電極としてＡ（１等の
高反射率の金属を用いた素子に比べて、明るい環境下に
おけるコントラストが大幅に改善されている。
面電極２００を用いているので、透明多層膜１００を通
って侵入した外来光が島状吸収体膜６及び透明誘電体膜
７によって吸収されるため、背面電極としてＡ（１等の
高反射率の金属を用いた素子に比べて、明るい環境下に
おけるコントラストが大幅に改善されている。
即ち、前記黒色化背面電極の拡散反射率は、通常のＡｎ
膜の約１７１００と極めて低いので、素子の寿命を考慮
した実用輝度２００ｎｉｔで点灯した場合。
膜の約１７１００と極めて低いので、素子の寿命を考慮
した実用輝度２００ｎｉｔで点灯した場合。
数万ルクスの外来光があっても十分な視認性（コントラ
スト０．５以上）を確保することが出来る。
スト０．５以上）を確保することが出来る。
上記のように黒色化背面電極を用いた薄膜ＥＬ素子にお
いては１通常の金属電極を用いたものに較べて視認性を
大幅に向上させることが出来る。
いては１通常の金属電極を用いたものに較べて視認性を
大幅に向上させることが出来る。
しかし、更に高照度の条件、例えば真昼間の太陽光直下
（約１３０，０００ルツクス）のような場所においては
、視認性を確保することは困難であった。
（約１３０，０００ルツクス）のような場所においては
、視認性を確保することは困難であった。
そのような場所において視認性を確保する場合には、よ
り高輝度の発光をさせることが必要であり、そのような
動作を行なわせると素子の寿命を縮めるという問題が生
ずる。
り高輝度の発光をさせることが必要であり、そのような
動作を行なわせると素子の寿命を縮めるという問題が生
ずる。
本発明は、上記のごとき従来技術の問題を解決すること
を目的とするものである。
を目的とするものである。
上記の目的を達成するため本発明においては、背面電極
を発光層に近い方から順に少なくとも島状吸収体膜、透
明誘電体膜、島状吸収体膜及び金属膜の積層構造からな
る多層薄膜で形成することによって、高照度の場所にお
いても充分な視認性を確保することが出来るように構成
している。
を発光層に近い方から順に少なくとも島状吸収体膜、透
明誘電体膜、島状吸収体膜及び金属膜の積層構造からな
る多層薄膜で形成することによって、高照度の場所にお
いても充分な視認性を確保することが出来るように構成
している。
第１図は、本発明の一実施例の断面図であり、前記第２
図と同符号は同一物を示す。
図と同符号は同一物を示す。
第１図の素子は、前記第２図の素子の透明誘電体膜７と
金属膜８との間に島状吸収体膜９を設けたものである。
金属膜８との間に島状吸収体膜９を設けたものである。
この島状吸収体膜９は、島状吸収体膜６と同様にＭｏ、
Ｔａ、Ｃｒ等の金属を用い、質量膜厚が５０〜５００人
の範囲で透明誘電体膜７の上に真空蒸着技術を用いて形
成する。
Ｔａ、Ｃｒ等の金属を用い、質量膜厚が５０〜５００人
の範囲で透明誘電体膜７の上に真空蒸着技術を用いて形
成する。
そして、その上にＭ等を約２０００人魚着して金属膜８
とする。
とする。
即ち、この実施例における黒色化背面電極３００は、島
状吸収体膜６．透明誘電体膜７、島状吸収体膜９．金属
膜８の積層構造からなる多層薄膜で形成されていること
になる。
状吸収体膜６．透明誘電体膜７、島状吸収体膜９．金属
膜８の積層構造からなる多層薄膜で形成されていること
になる。
次に１作用を説明する。
前記第２図の素子における最も低い拡散反射率は１例え
ば島状吸収体膜６がＭｏである場合（島状吸収体膜６の
膜厚が約１８０人、透明誘電体膜７の膜厚が約５００人
、金属膜８の膜厚が約２０００人）で３ Ｘ １０−”
ｎｉｔ／Ｌｕｘであるが、第１図の実施例において、膜
厚２００人のＭｏの島状吸収体膜９を設けた場合には、
拡散反射率を上記の約１／２以下に低減することが出来
る。
ば島状吸収体膜６がＭｏである場合（島状吸収体膜６の
膜厚が約１８０人、透明誘電体膜７の膜厚が約５００人
、金属膜８の膜厚が約２０００人）で３ Ｘ １０−”
ｎｉｔ／Ｌｕｘであるが、第１図の実施例において、膜
厚２００人のＭｏの島状吸収体膜９を設けた場合には、
拡散反射率を上記の約１／２以下に低減することが出来
る。
そして、真昼間の屋外のように照度１３０，０００ルク
スの下において薄膜ＥＩＪ子を実用輝度２００ｎｉｔで
点灯させたときのコントラストは、第２図の素子が０．
３４であるのに対して、第１図の実施例における素子は
０．５１となり、大幅に改善されている。
スの下において薄膜ＥＩＪ子を実用輝度２００ｎｉｔで
点灯させたときのコントラストは、第２図の素子が０．
３４であるのに対して、第１図の実施例における素子は
０．５１となり、大幅に改善されている。
なお、島状吸収体膜９を配設することによって反射率が
低減する理由は、（１）Ｍに対してＭ。
低減する理由は、（１）Ｍに対してＭ。
の反射率が大幅に低いため透明誘電体膜７の上部におけ
る光吸収効果が増大すること、及び（２）金属膜８と島
状吸収体膜６との間の繰返し反射による光干渉吸収作用
が島状吸収体膜９によってより一層促進されること等の
効果が複合的に作用しているものと考えられる。
る光吸収効果が増大すること、及び（２）金属膜８と島
状吸収体膜６との間の繰返し反射による光干渉吸収作用
が島状吸収体膜９によってより一層促進されること等の
効果が複合的に作用しているものと考えられる。
なお、第１図の実施例においては、金属膜にＡ１１゜島
状吸収体膜９にＭＯ，Ｃｒ、Ｔａ等を用いた場合を例示
したが、金属膜の下に島状吸収体膜の多層構造が出来れ
ば良いのであるから、その他の材料を用いることも可能
である。
状吸収体膜９にＭＯ，Ｃｒ、Ｔａ等を用いた場合を例示
したが、金属膜の下に島状吸収体膜の多層構造が出来れ
ば良いのであるから、その他の材料を用いることも可能
である。
以上説明したごとく本発明においては、背面電極を島状
吸収体膜、透明誘電体膜、島状吸収体膜及び金属膜の積
層構造からなる多層薄膜で形成したことにより、高照度
下における視認性を大幅に向上させることが出来、真昼
間の太陽光の下のような非常に明るい場所においても、
充分な視認性を確保することが出来るという効果がある
。
吸収体膜、透明誘電体膜、島状吸収体膜及び金属膜の積
層構造からなる多層薄膜で形成したことにより、高照度
下における視認性を大幅に向上させることが出来、真昼
間の太陽光の下のような非常に明るい場所においても、
充分な視認性を確保することが出来るという効果がある
。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来装置
の一例の断面図である。 符号の説明 １・・・ガラス基板 ２・・・透明導電膜３・・
・第１誘電体膜 ４・・・発光膜５・・・第２ｖｔ
重体膜 ６・・・島状吸収体膜７・・・透明誘電体
膜 ８・・・金属膜９・・・島状吸収体膜 １
００・・・透明多層膜３００・・・黒色化背面電極
の一例の断面図である。 符号の説明 １・・・ガラス基板 ２・・・透明導電膜３・・
・第１誘電体膜 ４・・・発光膜５・・・第２ｖｔ
重体膜 ６・・・島状吸収体膜７・・・透明誘電体
膜 ８・・・金属膜９・・・島状吸収体膜 １
００・・・透明多層膜３００・・・黒色化背面電極
Claims (1)
- 表示側に配設された透明導電膜からなる前面電極と背
面側に配設された背面電極との間に透明な発光層を形成
してなる薄膜ＥＬ素子において、上記背面電極を、上記
発光層に近い方から順に少なくとも島状吸収体膜、透明
誘電体膜、島状吸収体膜及び金属膜の積層構造からなる
多層薄膜で形成したことを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60052555A JPS61211997A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60052555A JPS61211997A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61211997A true JPS61211997A (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=12918056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60052555A Pending JPS61211997A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61211997A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5820996A (en) * | 1996-01-31 | 1998-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device and method of manufacturing same |
| US6198215B1 (en) | 1997-03-28 | 2001-03-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Anti-light-reflective film, method for manufacturing the same, and EL device |
-
1985
- 1985-03-18 JP JP60052555A patent/JPS61211997A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5820996A (en) * | 1996-01-31 | 1998-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device and method of manufacturing same |
| US6198215B1 (en) | 1997-03-28 | 2001-03-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Anti-light-reflective film, method for manufacturing the same, and EL device |
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