JPH0334292A - 薄膜ｅｌ素子を用いたドットマトリクスディスプレイ - Google Patents
薄膜ｅｌ素子を用いたドットマトリクスディスプレイInfo
- Publication number
- JPH0334292A JPH0334292A JP1167963A JP16796389A JPH0334292A JP H0334292 A JPH0334292 A JP H0334292A JP 1167963 A JP1167963 A JP 1167963A JP 16796389 A JP16796389 A JP 16796389A JP H0334292 A JPH0334292 A JP H0334292A
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- electrodes
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ｉ′ｉｌ′ｉ薄膜ＥＬ素子たドツトマトリク
スディスプレイに係り、特に大型スクリーン、イルミネ
ーション等に用いられる薄膜ＥＬ素子を用いたドツトマ
トリクスディスプレイに関する。
スディスプレイに係り、特に大型スクリーン、イルミネ
ーション等に用いられる薄膜ＥＬ素子を用いたドツトマ
トリクスディスプレイに関する。
［従来の技術］
薄膜ＥＬ素子を用いた従来のドツトマトリクスディスプ
レイについて第４図および第５図にその１例を示したが
、ガラス基板１上に光を取り出す側の電極としてＩＴＯ
を用いた透明電極９を形成し、その上にＴａ２０５から
なる第１絶１ｔｆｆｉ４と、ＺｎＳ：Ｍｎからなる発光
層５と、Ｔａ２０５からなる第２絶８ＮＢとを成膜した
上、Ａ４の背面電極７を形成し、前記透明電極９と背面
電極７とに電圧を印加して発光させている。
レイについて第４図および第５図にその１例を示したが
、ガラス基板１上に光を取り出す側の電極としてＩＴＯ
を用いた透明電極９を形成し、その上にＴａ２０５から
なる第１絶１ｔｆｆｉ４と、ＺｎＳ：Ｍｎからなる発光
層５と、Ｔａ２０５からなる第２絶８ＮＢとを成膜した
上、Ａ４の背面電極７を形成し、前記透明電極９と背面
電極７とに電圧を印加して発光させている。
ＩＴＯは透明で導電性のある薄膜で液晶表示装置等に欠
くことのできないものであるが、金属と比較すると比抵
抗が極めて大きい。また電気抵抗は膜厚に反比例して増
大するため下記の問題点があった。
くことのできないものであるが、金属と比較すると比抵
抗が極めて大きい。また電気抵抗は膜厚に反比例して増
大するため下記の問題点があった。
（１）薄膜ＥＬ素子内の電圧降下が大きくなり、画素に
印加される電圧が降下して輝度が低下する。
印加される電圧が降下して輝度が低下する。
（２）画素を駆動するときの回路定数（ＣＲ時定数）が
大きくなる。ドツトマトリクスディスプレイはパルス波
を用いて駆動するが、ＣＲ時定数が大きくなるとパルス
波が立ち上がりにくくなり、画素に印加される電圧が低
くなる。
大きくなる。ドツトマトリクスディスプレイはパルス波
を用いて駆動するが、ＣＲ時定数が大きくなるとパルス
波が立ち上がりにくくなり、画素に印加される電圧が低
くなる。
従って大面積、高精細のドツトマトリクスディスプレイ
を製作するには、透明電極の膜厚を厚くしなければなら
ず、従来製品では２０００Å前後に成膜している。なお
上記の例において第１Ｐ！、１．ｔＮ４、発光層５、第
２絶縁Ｎ６の膜厚はいずれも６０００Å、背面１極７の
膜厚は３０００Åである。
を製作するには、透明電極の膜厚を厚くしなければなら
ず、従来製品では２０００Å前後に成膜している。なお
上記の例において第１Ｐ！、１．ｔＮ４、発光層５、第
２絶縁Ｎ６の膜厚はいずれも６０００Å、背面１極７の
膜厚は３０００Åである。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら透明電極を厚く形成すると、透明電極上に
形成された発光層の部分は透明電極のエツジ部のために
部分的に膜厚が減少し、ＥＬ画素の耐電圧が低下して画
素が焼き切れる場合がある。
形成された発光層の部分は透明電極のエツジ部のために
部分的に膜厚が減少し、ＥＬ画素の耐電圧が低下して画
素が焼き切れる場合がある。
従って従来技術をそのまま適用するだけでは大面積、高
精細の薄膜ＥＬ素子を用いたドツトマトリクスディスプ
レイを製作することが困難であるという問題点がある。
精細の薄膜ＥＬ素子を用いたドツトマトリクスディスプ
レイを製作することが困難であるという問題点がある。
本発明は上記従来の問題点に着目し、画素に印加される
電圧および画素の耐電圧が降下しないような、大面積、
高精細の薄膜ＥＬ素子を用いたドツトマトリクスディス
プレイを提供することを目的とする。
電圧および画素の耐電圧が降下しないような、大面積、
高精細の薄膜ＥＬ素子を用いたドツトマトリクスディス
プレイを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために本発明に係る薄膜ＥＬ素子を
用いたドツトマトリクスディスプレイは、一対の電極で
各画素の発光部を挟むことによって構成された薄膜ＥＬ
素子を用いたドツトマトリクスディスプレイにおいて、
画素からの発光を取り出す側の電極の材料に金属を用い
、かつ前記金属の電極の各画素上に光を透過させるスリ
ットを設ける構成とした。
用いたドツトマトリクスディスプレイは、一対の電極で
各画素の発光部を挟むことによって構成された薄膜ＥＬ
素子を用いたドツトマトリクスディスプレイにおいて、
画素からの発光を取り出す側の電極の材料に金属を用い
、かつ前記金属の電極の各画素上に光を透過させるスリ
ットを設ける構成とした。
［作用］
上記構成によれば、画素からの発光を取り出す側の電極
の材料に金属を用い、かつ前記金属の電極の各画素上に
光を透過させるスリットを設けたので、各画素の発光は
前記スリットを透過して透明電極を用いた場合と同様に
表示させることができる。また金属電極の使用により、
透明電極の比抵抗による電圧降下と、ＣＲ時定数が大き
いことによる画素への印加電圧降下の問題を解決するこ
とができる。更に電極膜厚は透明電極に比べて薄くする
ことができるので、電極のエツジ部による発光層の膜厚
減少が防止され、制電圧降下による画素焼き切れを防止
することができる。
の材料に金属を用い、かつ前記金属の電極の各画素上に
光を透過させるスリットを設けたので、各画素の発光は
前記スリットを透過して透明電極を用いた場合と同様に
表示させることができる。また金属電極の使用により、
透明電極の比抵抗による電圧降下と、ＣＲ時定数が大き
いことによる画素への印加電圧降下の問題を解決するこ
とができる。更に電極膜厚は透明電極に比べて薄くする
ことができるので、電極のエツジ部による発光層の膜厚
減少が防止され、制電圧降下による画素焼き切れを防止
することができる。
［実施例］
以下に本発明に係るＲ ＩＩＩ Ｅ Ｌ素子を用いたド
ツトマトリクスディスプレイの実施例について、図面を
参明して詳細に説明する。
ツトマトリクスディスプレイの実施例について、図面を
参明して詳細に説明する。
第１図、第２図において、ガラス基板１の上に、フォト
リソグラフィによって形成された帯状で、幅の中央部に
スリット２を有する厚さ１０００入のＡ（からなる電極
３が等間隔に配設され、その上にＴａ２０５の第１絶縁
層４が厚さ６０００λに形成されている。その上にＺｎ
Ｓ：Ｍｎからなる発光Ｎ５が厚さ６０００Åに成膜され
、更にその上に厚さ６０００大のＴａ２０５の第２絶縁
層６と、前記電極３と直交して画素を形成する帯状のＡ
ｅからなる背面電極７が厚さ３０００Åで形成されてい
る。
リソグラフィによって形成された帯状で、幅の中央部に
スリット２を有する厚さ１０００入のＡ（からなる電極
３が等間隔に配設され、その上にＴａ２０５の第１絶縁
層４が厚さ６０００λに形成されている。その上にＺｎ
Ｓ：Ｍｎからなる発光Ｎ５が厚さ６０００Åに成膜され
、更にその上に厚さ６０００大のＴａ２０５の第２絶縁
層６と、前記電極３と直交して画素を形成する帯状のＡ
ｅからなる背面電極７が厚さ３０００Åで形成されてい
る。
第３図は本発明の第２実施例で、電極３にはスリットに
代えて各画素上にそれぞれ光を透過させる穴８が設けら
れている。
代えて各画素上にそれぞれ光を透過させる穴８が設けら
れている。
このように本実施例では従来用いられていた透明電極を
比抵抗の小さい金属に置き換え、金属電極の薄膜に設け
たスリットまたは穴から光を透過させるようにした。
比抵抗の小さい金属に置き換え、金属電極の薄膜に設け
たスリットまたは穴から光を透過させるようにした。
本実施例においては電極に１を用い、絶縁層にＴａ２０
５を、また発光層にＺｎＳ：Ｍｎをそれぞれ用いたがこ
れに限るものではなく、各層の膜厚も上記数値に限定さ
れない。
５を、また発光層にＺｎＳ：Ｍｎをそれぞれ用いたがこ
れに限るものではなく、各層の膜厚も上記数値に限定さ
れない。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、各画素上にスリッ
トまたは穴を設けた金属電極を用いて光を透過させるよ
うにしたので、各画素の発光は透明電極を用いた場合と
同様に表示させることができるとともに、透明電極の比
抵抗による電圧降下と、ＣＲ時定数が大きいことによる
画素への印加電圧降下の問題を解決することができる。
トまたは穴を設けた金属電極を用いて光を透過させるよ
うにしたので、各画素の発光は透明電極を用いた場合と
同様に表示させることができるとともに、透明電極の比
抵抗による電圧降下と、ＣＲ時定数が大きいことによる
画素への印加電圧降下の問題を解決することができる。
更に透明電極よりも膜厚を薄くすることができるので、
電極のエツジ部による発光層の膜厚減少が防止され、耐
電圧降下による画素焼き切れの問題を解決して耐久性に
優れた薄膜ＥＬ素子を得ることができる。
電極のエツジ部による発光層の膜厚減少が防止され、耐
電圧降下による画素焼き切れの問題を解決して耐久性に
優れた薄膜ＥＬ素子を得ることができる。
第１図は実施例に係る薄膜ＥＬ素子を用いたドツトマト
リクスディスプレイの部分断面構造図、第２図は第１図
のＺから見た部分平面構造図、第３図は第２実施例のド
ツトマトリクスディスプレイをガラス基板側から見た部
分平面構造図、第４図は従来の技術による薄膜ＥＬ素子
を用いたドツトマトリクスディスプレイの一部省略断面
構造図、第５図は第４図のＺから見た部分平面構造図で
ある。 ２・・・・・・スリット ３・・・・・・電極
リクスディスプレイの部分断面構造図、第２図は第１図
のＺから見た部分平面構造図、第３図は第２実施例のド
ツトマトリクスディスプレイをガラス基板側から見た部
分平面構造図、第４図は従来の技術による薄膜ＥＬ素子
を用いたドツトマトリクスディスプレイの一部省略断面
構造図、第５図は第４図のＺから見た部分平面構造図で
ある。 ２・・・・・・スリット ３・・・・・・電極
Claims (1)
- 一対の電極で各画素の発光部を挟むことによって構成さ
れた薄膜ＥＬ素子を用いたドットマトリクスディスプレ
イにおいて、画素からの発光を取り出す側の電極３の材
料に金属を用い、かつ前記金属の電極３の各画素上に光
を透過させるスリット２を設けたことを特徴とする薄膜
ＥＬ素子を用いたドットマトリクスディスプレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1167963A JPH0334292A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 薄膜ｅｌ素子を用いたドットマトリクスディスプレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1167963A JPH0334292A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 薄膜ｅｌ素子を用いたドットマトリクスディスプレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334292A true JPH0334292A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15859285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1167963A Pending JPH0334292A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 薄膜ｅｌ素子を用いたドットマトリクスディスプレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334292A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11251059A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Sanyo Electric Co Ltd | カラー表示装置 |
| JP2001319789A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US6630784B2 (en) | 1998-02-27 | 2003-10-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display apparatus having an opaque anode electrode and manufacturing method thereof |
| US8774979B2 (en) | 2009-09-08 | 2014-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Executive monitoring and control system for smart grid and micro grid |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1167963A patent/JPH0334292A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11251059A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Sanyo Electric Co Ltd | カラー表示装置 |
| US6392340B2 (en) | 1998-02-27 | 2002-05-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Color display apparatus having electroluminescence elements |
| US6580214B2 (en) | 1998-02-27 | 2003-06-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Color display apparatus having electroluminescence elements |
| US6630784B2 (en) | 1998-02-27 | 2003-10-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display apparatus having an opaque anode electrode and manufacturing method thereof |
| US6951495B2 (en) | 1998-02-27 | 2005-10-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Display apparatus having electroluminescence elements |
| KR100613322B1 (ko) * | 1998-02-27 | 2006-08-21 | 산요덴키가부시키가이샤 | 컬러 표시 장치 |
| KR100661439B1 (ko) * | 1998-02-27 | 2006-12-27 | 산요덴키가부시키가이샤 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2001319789A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| JP4601843B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2010-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US8774979B2 (en) | 2009-09-08 | 2014-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Executive monitoring and control system for smart grid and micro grid |
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