JP3202219B2 - Ｅｌ表示装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は薄型ディスプレイ装置に係り、特にEL表示装
置に関する。
置に関する。
（従来の技術） 薄型ディスプレイ装置として、薄膜トランジスタアレ
イとカラーフィルタでTN型液晶を挟んで成る、いわゆる
TFT LCDが知られている。しかし、前記TFT LCDには、応
答速度と視野角の点で次のような不都合が存在する。
イとカラーフィルタでTN型液晶を挟んで成る、いわゆる
TFT LCDが知られている。しかし、前記TFT LCDには、応
答速度と視野角の点で次のような不都合が存在する。
応答速度は室温でネマチック液晶状態を示し、かつ70
℃程度以上の温度までそれを維持する条件から、液晶分
子の大きさがだいだい定まる。また、元来液晶状態を呈
する分子種は、分子間相互作用が大であることから、粘
性を低下させるにも自ずと限界がある。しかして、FTF
LCDの応答速度はほぼ30m secが限界と考えられる。
℃程度以上の温度までそれを維持する条件から、液晶分
子の大きさがだいだい定まる。また、元来液晶状態を呈
する分子種は、分子間相互作用が大であることから、粘
性を低下させるにも自ずと限界がある。しかして、FTF
LCDの応答速度はほぼ30m secが限界と考えられる。
一方、コンピュータ端末表示では、いわゆるマウスを
利用するため、さらに高速応答性が要求される。また、
動画を高精細画像表示する場合、応答速度が速いと画素
ピッチが細かくても画像の空間分解能が損なわれる。こ
のため、より高速化することが、情報端末としても高精
細表示としても必要である。
利用するため、さらに高速応答性が要求される。また、
動画を高精細画像表示する場合、応答速度が速いと画素
ピッチが細かくても画像の空間分解能が損なわれる。こ
のため、より高速化することが、情報端末としても高精
細表示としても必要である。
視野角は複屈折を用いるこのタイプの素子の原理的欠
陥であるといえる。しかし、画面サイズの拡大と共に画
面中心部と周辺部で視野角に無視できない差異を生じ、
画面の中心部と周辺部で画像のコントラストや色調が異
なる結果を生じてしまう。TN型液晶では実用上差使えな
い視野角は、前後、左右各±30゜程度である。このた
め、明視距離30cmでは、対角14インチ以上のサイズで画
面が視野角の範囲に納まらなくなる。すなわち、視野角
の拡大は大画面化にも必要である。
陥であるといえる。しかし、画面サイズの拡大と共に画
面中心部と周辺部で視野角に無視できない差異を生じ、
画面の中心部と周辺部で画像のコントラストや色調が異
なる結果を生じてしまう。TN型液晶では実用上差使えな
い視野角は、前後、左右各±30゜程度である。このた
め、明視距離30cmでは、対角14インチ以上のサイズで画
面が視野角の範囲に納まらなくなる。すなわち、視野角
の拡大は大画面化にも必要である。
（発明が解決しようとする課題） 上記のように、従来のTFT LCDタイプの薄型ディスプ
レイの場合、狭い視野角、遅い応答速度という不具合な
問題がある。これらの問題に対しては、次のような対応
が試みられている。
レイの場合、狭い視野角、遅い応答速度という不具合な
問題がある。これらの問題に対しては、次のような対応
が試みられている。
先ず、視野角を広げるためには自己発光型の表示とす
る必要があり、この自己発光型の表示素子としては、
プラズマ表示素子、蛍光表示管、EL（エレクトロル
ミネッセンス）表示などがある。
る必要があり、この自己発光型の表示素子としては、
プラズマ表示素子、蛍光表示管、EL（エレクトロル
ミネッセンス）表示などがある。
しかして、プラズマ表示素子の場合は、応答速度も速
く、カラー化も可能であるため、素子を微細化して基板
上に厚膜印刷の手法を用いて多数の素子を作り込み、既
に薄型表示素子の体裁を整えつつある。しかし、輝度向
上、高精細化などに、材料および素子構造の点から自ず
と限界があり、実用上満足し得るものは未だ得られてい
ない。
く、カラー化も可能であるため、素子を微細化して基板
上に厚膜印刷の手法を用いて多数の素子を作り込み、既
に薄型表示素子の体裁を整えつつある。しかし、輝度向
上、高精細化などに、材料および素子構造の点から自ず
と限界があり、実用上満足し得るものは未だ得られてい
ない。
また、蛍光表示管の場合、輝度の点では充分ではある
が、やはり素子構造の点から薄型化、カラー化、高精細
化に限界がある。
が、やはり素子構造の点から薄型化、カラー化、高精細
化に限界がある。
本発明は上記事情に対処してなされたもので、良好な
応答速度および視野角を呈するばかりでなく、構造的に
薄型化が可能で、高輝度化やカラー化も達成され、かつ
高精細な画像を表示し得るEL表示装置の提供を目的とす
る。
応答速度および視野角を呈するばかりでなく、構造的に
薄型化が可能で、高輝度化やカラー化も達成され、かつ
高精細な画像を表示し得るEL表示装置の提供を目的とす
る。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明に係るEL表示装置は、多結晶シリコンからなる
薄膜トランジスタを含むスイッチング素子をマトリクス
状に形設具備させたガラス基板から構成されるアクティ
ブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板上
に形成され、かつ前記スイッチング素子に電気的に接続
された透光性の画素電極と、該画素電極上に形成された
有機EL系材料からなる発光層と、該画素電極と対向する
ように該発光層上に形成された反射電極とを含む有機EL
素子と、前記薄膜トランジスタを介して前記有機EL素子
を駆動する外部回路とを具備することを特徴とする。
薄膜トランジスタを含むスイッチング素子をマトリクス
状に形設具備させたガラス基板から構成されるアクティ
ブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板上
に形成され、かつ前記スイッチング素子に電気的に接続
された透光性の画素電極と、該画素電極上に形成された
有機EL系材料からなる発光層と、該画素電極と対向する
ように該発光層上に形成された反射電極とを含む有機EL
素子と、前記薄膜トランジスタを介して前記有機EL素子
を駆動する外部回路とを具備することを特徴とする。
（作 用） 本発明に係るEL表示装置においては、マトリクス状に
形設具備させた各スイッチング素子を介して、対応する
EL素子群を時分割的に駆動制御し、各EL素子を選択的に
発光させることによって、所要の表示がなされる。しか
して、前記EL発光層が輝度の高い有機EL材料系で構成さ
れているため、比較的低い印加電圧でも高輝度の発光お
よび高速な応答性や広い視野角を呈する。つまり、コン
トラストなど良好で、薄型・大画面型のEL表示装置とし
て期待される機能を十分に発揮する。
形設具備させた各スイッチング素子を介して、対応する
EL素子群を時分割的に駆動制御し、各EL素子を選択的に
発光させることによって、所要の表示がなされる。しか
して、前記EL発光層が輝度の高い有機EL材料系で構成さ
れているため、比較的低い印加電圧でも高輝度の発光お
よび高速な応答性や広い視野角を呈する。つまり、コン
トラストなど良好で、薄型・大画面型のEL表示装置とし
て期待される機能を十分に発揮する。
（実施例） 以下添附の図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
上記したように、本発明に係るEL表示装置は、スイッ
チング素子をマトリクス状に形設具備させた基板（アク
ティブマトリクス）と、前記基板上に堆積パタンニング
されたEL素子群と、前記スイッチング素子を介してEL素
子群を選択的に駆動する外部回路とを備えた構成を成し
ている。しかして、前記アクティブマトリクス、EL素子
群、このEL素子群の一部を成す対向電極および駆動外部
回路は、それぞれ基本的に次のごとく構成されている。
チング素子をマトリクス状に形設具備させた基板（アク
ティブマトリクス）と、前記基板上に堆積パタンニング
されたEL素子群と、前記スイッチング素子を介してEL素
子群を選択的に駆動する外部回路とを備えた構成を成し
ている。しかして、前記アクティブマトリクス、EL素子
群、このEL素子群の一部を成す対向電極および駆動外部
回路は、それぞれ基本的に次のごとく構成されている。
アクティブマトリクス構成 アクティブマトリクスを構成するスイッチング素子
は、TFT（薄膜トランジスタ）、非線形２端子素子のい
ずれも使用することができるが、10-5A程度の電流をEL
素子に注入する能力を要求される。また、EL素子は電流
駆動型素子であるから、トランジスタを用いる場合、移
動度の大きい材料を用いた方が寸法を小さくできる。こ
の意味でたとえば第１図（ａ）に要部の構成を断面的に
示すように、スイッチング素子としてのTFTを多結晶シ
リコンで構成することが好ましい。第１図（ａ）におい
て、１はガラス基板、２はソース領域2aおよびドレイン
領域2bを有する多結晶シリコンTFT、３はゲート電極、
４はたとえばSiO2などの絶縁層、５は前記多結晶シリコ
ンTFT2のソース領域2aに接続する信号電極母線、６は前
記多結晶シリコンTFT2のドレイン領域2bに接続するたと
えばITOから成る画素電極、７は電荷輸送層、８はEL発
光層、９はたとえばAg,Mgなどから成る背面電極層もし
くは対応電極層である。なお、第１図（ｂ）は、前記第
１図（ａ）に図示した構成例を平面的に示したものであ
る。
は、TFT（薄膜トランジスタ）、非線形２端子素子のい
ずれも使用することができるが、10-5A程度の電流をEL
素子に注入する能力を要求される。また、EL素子は電流
駆動型素子であるから、トランジスタを用いる場合、移
動度の大きい材料を用いた方が寸法を小さくできる。こ
の意味でたとえば第１図（ａ）に要部の構成を断面的に
示すように、スイッチング素子としてのTFTを多結晶シ
リコンで構成することが好ましい。第１図（ａ）におい
て、１はガラス基板、２はソース領域2aおよびドレイン
領域2bを有する多結晶シリコンTFT、３はゲート電極、
４はたとえばSiO2などの絶縁層、５は前記多結晶シリコ
ンTFT2のソース領域2aに接続する信号電極母線、６は前
記多結晶シリコンTFT2のドレイン領域2bに接続するたと
えばITOから成る画素電極、７は電荷輸送層、８はEL発
光層、９はたとえばAg,Mgなどから成る背面電極層もし
くは対応電極層である。なお、第１図（ｂ）は、前記第
１図（ａ）に図示した構成例を平面的に示したものであ
る。
さらに、前記アクティブマトリクスを３次元化して集
積することにより、トランジスタサイズを大きくするこ
とができるため、より形成容易な非晶質シリコンを使用
し、第２図に要部の構成を断面的に示すごとく、スイッ
チング素子２としてTFTを形成することも可能である。
第２図において、第１図（ａ）と同一部分は同一の記号
を付して表示した。
積することにより、トランジスタサイズを大きくするこ
とができるため、より形成容易な非晶質シリコンを使用
し、第２図に要部の構成を断面的に示すごとく、スイッ
チング素子２としてTFTを形成することも可能である。
第２図において、第１図（ａ）と同一部分は同一の記号
を付して表示した。
なお、前記ではガラス板１を支持基板とした構成を示
したが、第３図に要部の構成を断面的に示すように、シ
リコンウェハー１′のような半導体結晶上にスイッチン
グ素子２としてのTFT領域群を形設して成るアクティブ
マトリクスも利用可能である。
したが、第３図に要部の構成を断面的に示すように、シ
リコンウェハー１′のような半導体結晶上にスイッチン
グ素子２としてのTFT領域群を形設して成るアクティブ
マトリクスも利用可能である。
その他スイッチング素子２の構成には、たとえばCdT
e、CdS、InSbも大面積に均一に薄膜形成可能な限り利用
することができる。
e、CdS、InSbも大面積に均一に薄膜形成可能な限り利用
することができる。
一方、前記アクティブマトリクスを構成するスイッチ
ング素子２としての非線形２端子素子では、たとえば第
４図（ａ）に断面的に、また第４図（ｂ）に斜視的にそ
れぞれ要部の構造を示すように、Ta/Ta2O5/Cr型のMIM構
造を採用してもよい。第４図（ａ）および（ｂ）におい
て、１はガラス基板、10aは前記ガラス基板１面に形設
された熱酸化Ta2O5層、10bはTa層、10cは陽極酸化Ta2O5
層、４はたとえばポリイミド樹脂層などの絶縁層、６は
前記多結晶シリコンTFT2のドレイン領域2bに接続するた
とえばITOから成る画素電極、７は電荷輸送層、８はEL
発光層、９はたとえばAg,Mgなどから成る背面電極層も
しくは対向電極層である。
ング素子２としての非線形２端子素子では、たとえば第
４図（ａ）に断面的に、また第４図（ｂ）に斜視的にそ
れぞれ要部の構造を示すように、Ta/Ta2O5/Cr型のMIM構
造を採用してもよい。第４図（ａ）および（ｂ）におい
て、１はガラス基板、10aは前記ガラス基板１面に形設
された熱酸化Ta2O5層、10bはTa層、10cは陽極酸化Ta2O5
層、４はたとえばポリイミド樹脂層などの絶縁層、６は
前記多結晶シリコンTFT2のドレイン領域2bに接続するた
とえばITOから成る画素電極、７は電荷輸送層、８はEL
発光層、９はたとえばAg,Mgなどから成る背面電極層も
しくは対向電極層である。
なお、前記各構成例において、画素電極６は透光性の
ITO電極のほか、非透光性の金属電極などであってもよ
い。
ITO電極のほか、非透光性の金属電極などであってもよ
い。
EL素子構成 本発明に係るEL表示装置のアクティブマトリクスで
は、形設具備する多数のEL表示素子が時分割駆動する構
成となっている。しかして、EL発光部は通常1mm角以下
の大きさにパタンニングされている。つまり、EL発光部
は輝度の高い材料である有機蛍光性色素を用いたEL発光
層８に、電荷輸送層７を積層した電荷注入型の構造を採
っている。ここで、有機EL素子11の注入電流と発光輝度
の関係は、大略、第５図に図示するごとくである。
は、形設具備する多数のEL表示素子が時分割駆動する構
成となっている。しかして、EL発光部は通常1mm角以下
の大きさにパタンニングされている。つまり、EL発光部
は輝度の高い材料である有機蛍光性色素を用いたEL発光
層８に、電荷輸送層７を積層した電荷注入型の構造を採
っている。ここで、有機EL素子11の注入電流と発光輝度
の関係は、大略、第５図に図示するごとくである。
なお、前記発光画素（EL素子）11の寸法を0.3mm×0.3
mmとすると、1000Cd/m2の輝度を得るためには10-5Aの電
流を注入する必要がある。また、前記パタンニングは、
たとえば有機蛍光色素のマスク蒸着、あるいは有機蛍光
色素のべた蒸着膜をフォトレジストによるリフトオフ方
でパタンニングする方法などなし得る。さらには、適当
なバインダー樹脂に相溶させた有機蛍光色素溶液をオフ
セット印刷法、スクリーン印刷法などで、基板上にパタ
ン印刷する方法を用いることが可能である。
mmとすると、1000Cd/m2の輝度を得るためには10-5Aの電
流を注入する必要がある。また、前記パタンニングは、
たとえば有機蛍光色素のマスク蒸着、あるいは有機蛍光
色素のべた蒸着膜をフォトレジストによるリフトオフ方
でパタンニングする方法などなし得る。さらには、適当
なバインダー樹脂に相溶させた有機蛍光色素溶液をオフ
セット印刷法、スクリーン印刷法などで、基板上にパタ
ン印刷する方法を用いることが可能である。
対抗電極（背面電極） ガラス基板１面上に形成したアクティブマトリクスの
上に、さらにマトリックス状に配設されたEL発光層８の
発光をガラス基板１ごしに目視する場合は、対向電極
（背面電極）９は非透光性の電極であってもよい。反射
率を低くする場合には、薄い金（Au）層を介在させた炭
素電極、あるいは金、白金、ニッケルなどの金属粒子を
分散させた炭素ペーストを塗布した膜が使用される。ま
た、反射率を高くして発光利用効率を上げるためには、
金、白金、ニッケルなどの蒸着膜、スパッタ膜、あるい
はこれら金属のペーストを塗布した膜が用いられる。
上に、さらにマトリックス状に配設されたEL発光層８の
発光をガラス基板１ごしに目視する場合は、対向電極
（背面電極）９は非透光性の電極であってもよい。反射
率を低くする場合には、薄い金（Au）層を介在させた炭
素電極、あるいは金、白金、ニッケルなどの金属粒子を
分散させた炭素ペーストを塗布した膜が使用される。ま
た、反射率を高くして発光利用効率を上げるためには、
金、白金、ニッケルなどの蒸着膜、スパッタ膜、あるい
はこれら金属のペーストを塗布した膜が用いられる。
一方、EL発光層８からの光をガラス基板１を介在せず
に直接目視する場合、透光性の対抗電極９としては、IT
O、金、ニッケル、白金などの低温薄膜形成した電極、
あるいはポリイソシアナフテンなどの透明有機導電性高
分子の電極が用いられる。
に直接目視する場合、透光性の対抗電極９としては、IT
O、金、ニッケル、白金などの低温薄膜形成した電極、
あるいはポリイソシアナフテンなどの透明有機導電性高
分子の電極が用いられる。
駆動外部回路構成 駆動方式としては、TFT LCDテレビと同様な線順次駆
動を採り得る。この場合、走査線の駆動パルス幅が狭い
ので、点順次型のCRT型テレビと同様の網膜上の残像利
用により連続発光感を与えることが好ましく、また発光
強度が大である場合には、TVと同様の点順次駆動も可能
である。発光強度が不足して画面にちらつき（フリッ
カ）が見られる場合には、発光強度を補うか、あるいは
発光時間を延長させる手段を併用すればよい。
動を採り得る。この場合、走査線の駆動パルス幅が狭い
ので、点順次型のCRT型テレビと同様の網膜上の残像利
用により連続発光感を与えることが好ましく、また発光
強度が大である場合には、TVと同様の点順次駆動も可能
である。発光強度が不足して画面にちらつき（フリッ
カ）が見られる場合には、発光強度を補うか、あるいは
発光時間を延長させる手段を併用すればよい。
すなわち、第６図に要部構成を断面的に示すように、
たとえば第１図に図示したELパネルのガラス基板１面
に、光増強用のチャンネルプレート12を配設し、EL発光
を増強する。ここで、第７図に要部構成を断面的に示す
ように、チャンネルプレート12の蛍光面の発光色を白色
にし、かつチャンネルプレート12とELパネルの画素、換
言するとEL素子11群を位置合わせし、さらにカラーフィ
ルタ13を重畳することにより、カラー化も可能となる。
たとえば第１図に図示したELパネルのガラス基板１面
に、光増強用のチャンネルプレート12を配設し、EL発光
を増強する。ここで、第７図に要部構成を断面的に示す
ように、チャンネルプレート12の蛍光面の発光色を白色
にし、かつチャンネルプレート12とELパネルの画素、換
言するとEL素子11群を位置合わせし、さらにカラーフィ
ルタ13を重畳することにより、カラー化も可能となる。
また、発光を持続させる他の手段としては、たとえば
第１図に図示した構成において、EL発光層８にたとえば
1,4−ジブロモナフタレンのような遅延発光材料を添加
し、選択パルスの通過後も一定時間、発光が継続するよ
うな構成としてもよい。この場合遅延発光材料の選択は
EL発光層８を構成するEL材料に依存するが、遅延発光波
長は必ずしも選択パルス印加時のEL発光波長と一致して
いなくともよい。視感波長はEL発光と遅延発光の網膜上
での混合により決まる。したがって、EL発光と遅延発光
の波長設定により、視感波長の所定色に選択可能であ
る。
第１図に図示した構成において、EL発光層８にたとえば
1,4−ジブロモナフタレンのような遅延発光材料を添加
し、選択パルスの通過後も一定時間、発光が継続するよ
うな構成としてもよい。この場合遅延発光材料の選択は
EL発光層８を構成するEL材料に依存するが、遅延発光波
長は必ずしも選択パルス印加時のEL発光波長と一致して
いなくともよい。視感波長はEL発光と遅延発光の網膜上
での混合により決まる。したがって、EL発光と遅延発光
の波長設定により、視感波長の所定色に選択可能であ
る。
さらに、発光を持続させる他の手段は、第８図に要部
の構成を断面的に示すように、ELパネルの上に遅延発光
パネル（フォトパルスストレッチャ）を重畳することで
ある。この場合、ELパネルからのパルス状発光がフォト
パルスストレッチャ14に照射されると、フォトパルスス
トレッチャ14を構成する遅延発光材料を準安定状態に励
起する。しかして、前記準安定状態は熱励起により基底
状態に発光遷移し、また熱励起過程では遅延が生じ、遅
延発光が起こる。このようなことから、２種類以上の発
光体層をモザイク状にパタンニングして構成した遅延発
光パネル14を、ELパネルの画素（EL素子11群）と位置合
わせして重畳することにより、カラー化も可能となる。
の構成を断面的に示すように、ELパネルの上に遅延発光
パネル（フォトパルスストレッチャ）を重畳することで
ある。この場合、ELパネルからのパルス状発光がフォト
パルスストレッチャ14に照射されると、フォトパルスス
トレッチャ14を構成する遅延発光材料を準安定状態に励
起する。しかして、前記準安定状態は熱励起により基底
状態に発光遷移し、また熱励起過程では遅延が生じ、遅
延発光が起こる。このようなことから、２種類以上の発
光体層をモザイク状にパタンニングして構成した遅延発
光パネル14を、ELパネルの画素（EL素子11群）と位置合
わせして重畳することにより、カラー化も可能となる。
さらにまた、線順次駆動方式によった場合は、TFT LC
Dを使用し得るので、ゲートドライバICをそのまま使用
可能となる。しかも、有機EL材料を用いることにより、
駆動電圧は10V程度になり、信号電源もTFT LCDで使用さ
れる信号線ドライバをそのまま、あるいは電流ブースタ
ーを付加することにより使用可能である。
Dを使用し得るので、ゲートドライバICをそのまま使用
可能となる。しかも、有機EL材料を用いることにより、
駆動電圧は10V程度になり、信号電源もTFT LCDで使用さ
れる信号線ドライバをそのまま、あるいは電流ブースタ
ーを付加することにより使用可能である。
上記のように構成された本発明に係るEL表示装置は、
広い視野角を呈するが、これをさらに向上・改善するた
め、EL発光面を拡散面、あるいは指向性透過集光面にし
てもよい。たとえばELパネルのガラス基板１面を粗面化
して、EL発光を拡散させ、視野角を拡大させるとか、あ
るいは第９図に要部の構成を断面的に示すごとくELバネ
ルのガラス基板１面にレンチキュラレンズ15を蝕刻もし
くは樹脂の塗布成型により設け、特定視野方向への集光
や均一散光を行わせることで、視野角の限定、あるいは
拡大が可能となる。
広い視野角を呈するが、これをさらに向上・改善するた
め、EL発光面を拡散面、あるいは指向性透過集光面にし
てもよい。たとえばELパネルのガラス基板１面を粗面化
して、EL発光を拡散させ、視野角を拡大させるとか、あ
るいは第９図に要部の構成を断面的に示すごとくELバネ
ルのガラス基板１面にレンチキュラレンズ15を蝕刻もし
くは樹脂の塗布成型により設け、特定視野方向への集光
や均一散光を行わせることで、視野角の限定、あるいは
拡大が可能となる。
［発明の効果］ 上記説明から分るように、本発明によれば繁雑な構成
ないし製造手段など要せずに、高輝度、高分解能および
高速応答性でかつ視野角の広いEL表示装置の提供が可能
となる。すなわち、薄型化大型化の特徴を十分に活し
た、しかも実用上要求される表示機能（高輝度、高分解
能および高速応答性など）を備えるとともに、カラー表
示も可能なEL表示装置を実現することができる。
ないし製造手段など要せずに、高輝度、高分解能および
高速応答性でかつ視野角の広いEL表示装置の提供が可能
となる。すなわち、薄型化大型化の特徴を十分に活し
た、しかも実用上要求される表示機能（高輝度、高分解
能および高速応答性など）を備えるとともに、カラー表
示も可能なEL表示装置を実現することができる。
第１図（ａ）は本発明に係るEL表示装置の要部構成例を
示す断面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に図示したEL
表示装置の要部構成例を示す平面図、第２図、第３図お
よび第４図（ａ）は本発明に係るEL表示装置の他の異な
る要部構成例を示す断面図、第４図（ｂ）は第４図
（ａ）に図示したEL表示装置の要部構成を示す斜視図、
第５図は本発明に係るEL表示装置のEL発光層を成す有機
EL層に対する注入電流と発光輝度との関係を例示する曲
線図、第６図、第７図、第８図および第９図は本発明に
係るEL表示装置のさらに他の異なる要部構成例を示す断
面図である。 １……ガラス基板 １′……Siウェハー ２……多結晶Si TFT 2a……ソース領域 2b……ドレイン領域 ３……ゲート電極 ４……絶縁層（SiO2,SiNX,ポリイミドなど） ５……信号電極母線 ６……画素電極（ITO,AgMgなど） ７……電荷輸送層 ８……EL発光層 ９……背面（対向）電極層 10a……熱酸化Ta2O5層 10b……Ta層 10c……陽極酸化Ta2O5層 11……EL素子 12……チャンネルプレート 13……カラーフィルター 14……フォトパルスストレッチャ 15……レンチキュラレンズ
示す断面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に図示したEL
表示装置の要部構成例を示す平面図、第２図、第３図お
よび第４図（ａ）は本発明に係るEL表示装置の他の異な
る要部構成例を示す断面図、第４図（ｂ）は第４図
（ａ）に図示したEL表示装置の要部構成を示す斜視図、
第５図は本発明に係るEL表示装置のEL発光層を成す有機
EL層に対する注入電流と発光輝度との関係を例示する曲
線図、第６図、第７図、第８図および第９図は本発明に
係るEL表示装置のさらに他の異なる要部構成例を示す断
面図である。 １……ガラス基板 １′……Siウェハー ２……多結晶Si TFT 2a……ソース領域 2b……ドレイン領域 ３……ゲート電極 ４……絶縁層（SiO2,SiNX,ポリイミドなど） ５……信号電極母線 ６……画素電極（ITO,AgMgなど） ７……電荷輸送層 ８……EL発光層 ９……背面（対向）電極層 10a……熱酸化Ta2O5層 10b……Ta層 10c……陽極酸化Ta2O5層 11……EL素子 12……チャンネルプレート 13……カラーフィルター 14……フォトパルスストレッチャ 15……レンチキュラレンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−148687（ＪＰ，Ａ) ”有機薄膜ＥＬ素子”，平成元年 電 気・情報関連学会連合大会講演論文集 （分冊２），平成元年８月25日，ｐ. 123−125 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G09F 9/30 - 9/46 H05B 33/00 - 33/28
Claims (8)
- 【請求項１】多結晶シリコンからなる薄膜トランジスタ
を含むスイッチング素子をマトリクス状に形設具備させ
たガラス基板から構成されるアクティブマトリクス基板
と、 前記アクティブマトリクス基板上に形成され、かつ前記
スイッチング素子に電気的に接続された透光性の画素電
極と、該画素電極上に形成された有機EL系材料からなる
発光層と、該画素電極と対向するように該発光層上に形
成された反射電極とを含む有機EL素子と、 前記薄膜トランジスタを介して前記有機EL素子を駆動す
る外部回路と を具備することを特徴とするEL表示装置。 - 【請求項２】前記有機EL素子が、前記画素電極と前記発
光層との間に配置される電荷輸送層をさらに含むことを
特徴とする請求項１記載のEL表示装置。 - 【請求項３】前記反射電極が、Ag又はMgのいずれかを含
むことを特徴とする請求項１記載のEL表示装置。 - 【請求項４】前記発光層が、マスク蒸着によりパタンニ
ングされてなることを特徴とする請求項１記載のEL表示
装置。 - 【請求項５】前記発光層が、印刷によりパタンニングさ
れてなることを特徴とする請求項１記載のEL表示装置。 - 【請求項６】前記ガラス基板の前記発光層が配置された
面と対向する面上に配置されたカラーフィルタをさらに
具備することを特徴とする請求項１記載のEL表示装置。 - 【請求項７】前記スイッチング素子が、前記画素電極に
対し少なくとも10-5A以上の電流供給能力を有すること
を特徴とする請求項１記載のEL表示装置。 - 【請求項８】前記薄膜トランジスタが、前記ガラス基板
上に配置されたソース及びドレイン領域を有する多結晶
シリコン層と、該多結晶シリコン層上に絶縁膜を介して
配置されたゲート電極とを備えたことを特徴とする請求
項１記載のEL表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24853390A JP3202219B2 (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | Ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24853390A JP3202219B2 (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | Ｅｌ表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04125683A JPH04125683A (ja) | 1992-04-27 |
| JP3202219B2 true JP3202219B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=17179603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24853390A Expired - Lifetime JP3202219B2 (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | Ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3202219B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
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|---|---|---|---|---|
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| US6853083B1 (en) | 1995-03-24 | 2005-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transfer, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same |
| JP2001125510A (ja) * | 1995-11-17 | 2001-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス型ｅｌ表示装置 |
| US6800875B1 (en) | 1995-11-17 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer |
| JP2001109402A (ja) * | 1995-11-17 | 2001-04-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| TW309633B (ja) | 1995-12-14 | 1997-07-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
| JPH1050478A (ja) * | 1996-04-19 | 1998-02-20 | Toray Ind Inc | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| US6433355B1 (en) | 1996-06-05 | 2002-08-13 | International Business Machines Corporation | Non-degenerate wide bandgap semiconductors as injection layers and/or contact electrodes for organic electroluminescent devices |
| JP3858810B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2006-12-20 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| JPH10199674A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-07-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法、有機エレクトロルミネッセンス装置及び表示装置 |
| JP3268993B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2002-03-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| US6462722B1 (en) | 1997-02-17 | 2002-10-08 | Seiko Epson Corporation | Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same |
| KR100509240B1 (ko) | 1997-02-17 | 2005-08-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 표시 장치 |
| JP2004047494A (ja) * | 1997-02-17 | 2004-02-12 | Seiko Epson Corp | 発光表示装置 |
| JP3268998B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2002-03-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| JP3830238B2 (ja) | 1997-08-29 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型装置 |
| US7697052B1 (en) | 1999-02-17 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic view finder utilizing an organic electroluminescence display |
| US7821065B2 (en) | 1999-03-02 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same |
| JP4877675B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2012-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置の作製方法 |
| JP4530450B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2010-08-25 | 三洋電機株式会社 | Ｅｌ表示装置 |
| JP2001175198A (ja) | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP3757797B2 (ja) | 2001-01-09 | 2006-03-22 | 株式会社日立製作所 | 有機ｌｅｄディスプレイおよびその駆動方法 |
| JP2002215097A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Sony Corp | 電子ディスプレイとその駆動方法 |
| EP1667089A4 (en) * | 2003-08-19 | 2009-04-08 | Fuji Electric Holdings | DISPLAY AND METHOD OF ATTACK |
| JP2005222074A (ja) * | 2005-03-22 | 2005-08-18 | Hitachi Ltd | 画像表示装置 |
| JP6159965B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2017-07-12 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示パネル、表示装置ならびに電子機器 |
-
1990
- 1990-09-18 JP JP24853390A patent/JP3202219B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| "有機薄膜ＥＬ素子"，平成元年 電気・情報関連学会連合大会講演論文集（分冊２），平成元年８月２５日，ｐ．１２３−１２５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04125683A (ja) | 1992-04-27 |
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