JPS5820468B2 - 黒化電極構造 - Google Patents
黒化電極構造Info
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- JPS5820468B2 JPS5820468B2 JP53014402A JP1440278A JPS5820468B2 JP S5820468 B2 JPS5820468 B2 JP S5820468B2 JP 53014402 A JP53014402 A JP 53014402A JP 1440278 A JP1440278 A JP 1440278A JP S5820468 B2 JPS5820468 B2 JP S5820468B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流電界の印加に依ってEL (E 1ect
r。
r。
Lum 1nescence )発光を呈する薄膜EL
素子を使用したEL表示パネル等に対して有効な技術と
なる黒化電極構造に関するものである。
素子を使用したEL表示パネル等に対して有効な技術と
なる黒化電極構造に関するものである。
従来、交流動作の薄膜EL素子に関して、発光層に規則
的に高い電界(106V/crIL程度)を印加し、絶
縁耐圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、
0.1〜2.Owt係のMn(あるいはCu g A
l z B r等)をドープしたZnS、Zn5e等の
半導体発光層を¥203.TiO2等の誘電体薄膜でサ
ンドイッチした三層構造ZnS:Mn(XはZn −8
e:Mn)EL素子が開発され、発光緒特性の向上が確
かめられている。
的に高い電界(106V/crIL程度)を印加し、絶
縁耐圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、
0.1〜2.Owt係のMn(あるいはCu g A
l z B r等)をドープしたZnS、Zn5e等の
半導体発光層を¥203.TiO2等の誘電体薄膜でサ
ンドイッチした三層構造ZnS:Mn(XはZn −8
e:Mn)EL素子が開発され、発光緒特性の向上が確
かめられている。
この薄膜EL素子は数KH2の交流電界印加によって高
輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有してい
る。
輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有してい
る。
またこの薄膜EL素子の発光に関しては印加電圧を昇圧
していく過程と高電圧側よシ降圧していく過程で、同じ
印加電圧に対して発光輝度が異なるといったヒステリン
ス特性を有していることが発見され、そしてこのヒステ
リンス特性を有する薄膜EL素子に印加電圧を昇圧する
過程に於いて、光、電界、熱等が付与されると薄膜EL
素子はその強度に対応した発光輝度の状態に励起され、
光、電界、熱等を除去して元の状態に戻しても発光輝度
が高くなった状態に留まるといったメモリー現象が存在
することが知られている。
していく過程と高電圧側よシ降圧していく過程で、同じ
印加電圧に対して発光輝度が異なるといったヒステリン
ス特性を有していることが発見され、そしてこのヒステ
リンス特性を有する薄膜EL素子に印加電圧を昇圧する
過程に於いて、光、電界、熱等が付与されると薄膜EL
素子はその強度に対応した発光輝度の状態に励起され、
光、電界、熱等を除去して元の状態に戻しても発光輝度
が高くなった状態に留まるといったメモリー現象が存在
することが知られている。
そしてこのメモリー現象を有効に活用して薄膜EL素子
をメモリー素子に利用する薄膜EL素子応用技術が現在
産業界で研究開発中である。
をメモリー素子に利用する薄膜EL素子応用技術が現在
産業界で研究開発中である。
薄膜EL素子の1例としてZnS:Mn薄膜EL素子の
基本的構造を第1図に示す。
基本的構造を第1図に示す。
第1図に基いて薄膜EL素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板1上にI n 203 z S n 0
2等の透明電極2、さらにその上に積層して¥203゜
TiO2,Al2O3,Si3N、、5i02等からな
る第1の透電体層3がスパッタあるいは電子ビーム蒸着
法等によシ重畳形成されている。
と、ガラス基板1上にI n 203 z S n 0
2等の透明電極2、さらにその上に積層して¥203゜
TiO2,Al2O3,Si3N、、5i02等からな
る第1の透電体層3がスパッタあるいは電子ビーム蒸着
法等によシ重畳形成されている。
第1の誘電体層3上にはZnS:Mn焼結ペレットを電
子ビーム蒸着することによシ得られるZnS発光層4が
形成されている。
子ビーム蒸着することによシ得られるZnS発光層4が
形成されている。
この時蒸着用のZ n S : Mn 焼結ペレットに
は活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定された
ペレットが使用される。
は活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定された
ペレットが使用される。
ZnS発光層4上には第1の誘電体層3と同様の材質か
ら成る第2の誘電体層5が積層され、更にその上にAI
等から成る背面電極6が蒸着形成されている。
ら成る第2の誘電体層5が積層され、更にその上にAI
等から成る背面電極6が蒸着形成されている。
透明電極2と背面電極6は交流電源7に接続され、薄膜
EL素子が1駆動される。
EL素子が1駆動される。
電極2,6間にAC電圧を印加すると、ZnS発光層4
0両側の誘電体層3,5間に上記AC電圧が誘起される
ことになシ、従ってZnS発光層4内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、直接Mn発光センターを励起し、励起
されたMn発光センターが基底状態に戻る際に黄色の発
光を行なう。
0両側の誘電体層3,5間に上記AC電圧が誘起される
ことになシ、従ってZnS発光層4内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、直接Mn発光センターを励起し、励起
されたMn発光センターが基底状態に戻る際に黄色の発
光を行なう。
即ち高電界で加速された電子がZnS発光層4中の発光
センターであるZnサイトに入ったMn原子の電子を励
起し、基底状態に落ちる時、略々5850人をピークに
幅広い波長領域で、強い発光を呈する。
センターであるZnサイトに入ったMn原子の電子を励
起し、基底状態に落ちる時、略々5850人をピークに
幅広い波長領域で、強い発光を呈する。
上記の如き構造を有する薄膜EL素子はスペース・ファ
クタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンピューターの出力表示
端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画像
、動画像等の表示手段として利用することができる。
クタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンピューターの出力表示
端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画像
、動画像等の表示手段として利用することができる。
第2図に従来より実施されている薄膜ELパネルの1例
を示す。
を示す。
この薄膜ELパネルは第1図に於ける透明電極2゜及び
背面電極6が帯状に成形され、互■に直交する如く複数
本配列されたマトリックス電極構造が採用されておシ、
透明電極2と背面電極6が平面図的に見て交叉した位置
がパネルの1絵素に相当する。
背面電極6が帯状に成形され、互■に直交する如く複数
本配列されたマトリックス電極構造が採用されておシ、
透明電極2と背面電極6が平面図的に見て交叉した位置
がパネルの1絵素に相当する。
第2図に基いて説明すると、ガラス基板1上に平行配列
された透明電極2、第1の誘電体層3、ZnS発光層4
が順次積層され、ZnS発光層4には5i3N、膜5a
とS l 3 N4膜5a上に重畳されたAl2O3膜
5bとから成る篤2の誘電体層が2 。
された透明電極2、第1の誘電体層3、ZnS発光層4
が順次積層され、ZnS発光層4には5i3N、膜5a
とS l 3 N4膜5a上に重畳されたAl2O3膜
5bとから成る篤2の誘電体層が2 。
層構造で積層され、更に上記透明電極2と直交する方向
に平行配列された背面電極6が第2の誘電体層上に設け
られ、薄膜EL素子が構成されている。
に平行配列された背面電極6が第2の誘電体層上に設け
られ、薄膜EL素子が構成されている。
この薄膜EL素子を封止するため、ガラス基板1と背面
ガラス板80周縁部は接着固定され、。
ガラス板80周縁部は接着固定され、。
外囲器が構成されている。
外囲器内には薄膜EL素子が内蔵されるとともにシリコ
ンオイル等の絶縁用液体9が封入されている。
ンオイル等の絶縁用液体9が封入されている。
また透明電極2及び背面電極6のリード端子部10はガ
ラス基板1と背面ガラス板8の接合部を介して外囲器外
部へ延設され、駆動制御用回路(図示せず)と電気的に
接続されている。
ラス基板1と背面ガラス板8の接合部を介して外囲器外
部へ延設され、駆動制御用回路(図示せず)と電気的に
接続されている。
透明電極2及び背面電極6を介して交流電圧を印加する
とガラス基板1の前面よシ絵素単位の発光素子が実行さ
れる。
とガラス基板1の前面よシ絵素単位の発光素子が実行さ
れる。
薄膜ELパネルは従来のブラウン管(CRT)と比較し
て動作電圧が低く、同じ平面型ディスプレイ・デバイス
であるプラズマディスプレイパネル(FDP)と比較す
れば重量や強度面で優れておシ、液晶(LCD)に比べ
て動作可能温度範囲が広く、応答速度が速い等多くの利
点を有している。
て動作電圧が低く、同じ平面型ディスプレイ・デバイス
であるプラズマディスプレイパネル(FDP)と比較す
れば重量や強度面で優れておシ、液晶(LCD)に比べ
て動作可能温度範囲が広く、応答速度が速い等多くの利
点を有している。
また純固体マトリックス型パネルであるため動作寿命が
長く、そのアドレスの正確さとともにコンピューター等
の入出力表示手段として非常に有効なものである。
長く、そのアドレスの正確さとともにコンピューター等
の入出力表示手段として非常に有効なものである。
薄膜ELパネルに使用される誘電体層3,5はZnS発
光層4の有効電界強度を太きぐする必要上、極力比誘電
率が高く、絶縁耐圧の高い材料が望ましい。
光層4の有効電界強度を太きぐする必要上、極力比誘電
率が高く、絶縁耐圧の高い材料が望ましい。
この観点よシすればSi3N4が良質である。
また、薄膜ELパネルに使用される背面電極6として、
製作が容易であシ、誘電体層5との密着性が良好でかつ
高導電性を具備する材料が望ましく、一般にアルミニウ
ム薄膜が採用されている。
製作が容易であシ、誘電体層5との密着性が良好でかつ
高導電性を具備する材料が望ましく、一般にアルミニウ
ム薄膜が採用されている。
しかしながらアルミニウム薄膜は金属の中でも極めて光
反射率が高く(反射率c+o%以上)、このためアルミ
ニウム薄膜を使用した背面電極6は、明るい周囲光の下
では、ガラス基板1を介してELパネル内へ侵入した外
′郎党をその界面で反射させることとなり、表示品位の
低下を招くといった問題点を内包する。
反射率が高く(反射率c+o%以上)、このためアルミ
ニウム薄膜を使用した背面電極6は、明るい周囲光の下
では、ガラス基板1を介してELパネル内へ侵入した外
′郎党をその界面で反射させることとなり、表示品位の
低下を招くといった問題点を内包する。
即ち、薄膜ELパネルを構成する各薄膜層は透明度が極
めて高いものであり、ガラス基板1よシ入射した外部光
は各薄膜層を透過して背面電極6まで達し、背面電極6
で反射され、再び外部へ出射されるため、ZnS発光層
4のEL全発光背面電極6で反射された反射光が相互干
渉を起こし、発光絵素と非発光絵素間のコントラスト比
が低下し、周囲光が極めて明るい場合にはEL全発光反
射光の輝度が同程度となシ、表示能力が大幅に悪化する
。
めて高いものであり、ガラス基板1よシ入射した外部光
は各薄膜層を透過して背面電極6まで達し、背面電極6
で反射され、再び外部へ出射されるため、ZnS発光層
4のEL全発光背面電極6で反射された反射光が相互干
渉を起こし、発光絵素と非発光絵素間のコントラスト比
が低下し、周囲光が極めて明るい場合にはEL全発光反
射光の輝度が同程度となシ、表示能力が大幅に悪化する
。
従って従来よシ上記問題点を解決する有効な技術の開発
が切望されていたが、信頼性、実用性等を考慮すると、
決定的な解決手段は見い出されていないのが現状である
。
が切望されていたが、信頼性、実用性等を考慮すると、
決定的な解決手段は見い出されていないのが現状である
。
反射光を防止するためには背面電極6に非反射性の電極
材料を使用することが考えられるが、しかしながら単体
金属で非反射性と、アルミニウムと同程度の高導電性を
兼備する安価な材料は現在のところ皆無である。
材料を使用することが考えられるが、しかしながら単体
金属で非反射性と、アルミニウムと同程度の高導電性を
兼備する安価な材料は現在のところ皆無である。
本発明は上記問題点に鑑み、薄膜ELパネル等を構成す
る背面電極に要求される製作上の要件及び表示特性面で
の要件を損なうことなく光反射を防止することによシ、
表示品位を向上させることができる新規有用な黒化電極
構造を提供することを目的とする。
る背面電極に要求される製作上の要件及び表示特性面で
の要件を損なうことなく光反射を防止することによシ、
表示品位を向上させることができる新規有用な黒化電極
構造を提供することを目的とする。
以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第3図は本発明の1実施例の説明に供するマトリックス
電極構造薄膜ELパネルの要部構成断面図である。
電極構造薄膜ELパネルの要部構成断面図である。
パイレックス等の耐熱ガラスから成るガラス基板1上に
第2図同様帯状成形された透明電極2が平行配列され、
その上に第1の誘電体層3、ZnS発光層4が積層され
ている。
第2図同様帯状成形された透明電極2が平行配列され、
その上に第1の誘電体層3、ZnS発光層4が積層され
ている。
またZnS発光層4上には5i3N4膜5a、 Al2
O3膜5bから成る2層構造の第2の誘電体層が堆積さ
れている。
O3膜5bから成る2層構造の第2の誘電体層が堆積さ
れている。
第2の誘電体層を構成するA1□03膜5b上にはA1
203−x膜11が多段積層されている。
203−x膜11が多段積層されている。
Al 2−03−x膜11はA1□03の酸素原子が脱
落したものでアルミニウムに近似した特性を呈する酸化
アルミナである。
落したものでアルミニウムに近似した特性を呈する酸化
アルミナである。
即ち、A12o3 x膜11はアルミニウムと同様の金
属的性質を具有し、電気に対して良導電性である。
属的性質を具有し、電気に対して良導電性である。
A1□03−X膜11の形成はAl2O3膜5b上に数
回の分割蒸着によって多層膜を積層することにより行な
う。
回の分割蒸着によって多層膜を積層することにより行な
う。
本実施例はこの多層膜を3層構造とした。
即ち、Al2O3膜5b上に150℃の温度で膜厚10
λ〜50λ程度の第1段層を真空蒸着し、酸素リークし
た後、その表面を酸化させる。
λ〜50λ程度の第1段層を真空蒸着し、酸素リークし
た後、その表面を酸化させる。
次に第1段層上に第2段層を同様にして真空蒸着するが
膜厚は第1段層よシも厚くする。
膜厚は第1段層よシも厚くする。
更に酸素リーク工程を経て第3段層を第2段層上に同様
に真空蒸着する。
に真空蒸着する。
多層膜の構造を各層とも10人〜250人程度の膜厚で
2〜5層とすることにより、反射率は14〜28優に低
減する。
2〜5層とすることにより、反射率は14〜28優に低
減する。
更に反射率を下げる場合は多層膜の積層数を多くする。
上記多層膜から成るAl2O3x膜11上にAl金属層
を150℃以上の温度で膜厚1000〜10000人に
制御しながら蒸着して背面電極13とする。
を150℃以上の温度で膜厚1000〜10000人に
制御しながら蒸着して背面電極13とする。
背面電極13はA1□03膜5b上に全面積層されたA
l2O3x膜11及びAl金属層を所定のパターン形状
に従ってエツチングすることにより帯状に平行配列され
る。
l2O3x膜11及びAl金属層を所定のパターン形状
に従ってエツチングすることにより帯状に平行配列され
る。
この時、同時にAl2O3x膜11もエツチング加工さ
れるがN1203膜5bはエツチングされないで残存す
る。
れるがN1203膜5bはエツチングされないで残存す
る。
多層膜から成るAl2O3膜11の介在によ虱ELパネ
ル内に侵入した光は、このA1□03−X膜11で吸収
され、従って背面電極13よシ反射される反射光は大幅
に減少する。
ル内に侵入した光は、このA1□03−X膜11で吸収
され、従って背面電極13よシ反射される反射光は大幅
に減少する。
このため、ガラス基板1側より肉眼観察した場合、背面
電極13は黒色化された背景となる。
電極13は黒色化された背景となる。
背面電極130反射率低下機構の詳細については現在ま
だ未解明な点が残されているが、10λ〜250人の多
層構造の薄膜では、分割蒸着工程で連続する均一な膜が
主成されず、島状のA1203−x膜11が界面を有す
る不連続な膜となシ、更に界面が酸素リークによシ酸化
されるため、この界面がサーメット状の膜で構成され、
光吸収効果が発生するものと考えられる。
だ未解明な点が残されているが、10λ〜250人の多
層構造の薄膜では、分割蒸着工程で連続する均一な膜が
主成されず、島状のA1203−x膜11が界面を有す
る不連続な膜となシ、更に界面が酸素リークによシ酸化
されるため、この界面がサーメット状の膜で構成され、
光吸収効果が発生するものと考えられる。
光吸収効果と併行して背面電極13は黒化電極となる。
尚、上記積層構造はAIとAl 2−03−Xとの混合
ではなく、各層は各々単一材質であり、Al金属層の蒸
着によって、Al2O3膜5bとの密着性及び電極とし
ての信頼性は従来の背面電極よ)劣ることはない。
ではなく、各層は各々単一材質であり、Al金属層の蒸
着によって、Al2O3膜5bとの密着性及び電極とし
ての信頼性は従来の背面電極よ)劣ることはない。
上記構成から成る薄膜EL素子はガラス基板1上に載置
された皿状の背面ガラス板8で構成される外囲器内にン
リコンオイル等の絶縁用液体9とともに封入されている
。
された皿状の背面ガラス板8で構成される外囲器内にン
リコンオイル等の絶縁用液体9とともに封入されている
。
また透明電極2、背面電極13はその端部がリン青銅板
、銅−べIJ IJウム合金板等から成るリード端子1
0の片端と接続され、リード端子10を介して給電され
る。
、銅−べIJ IJウム合金板等から成るリード端子1
0の片端と接続され、リード端子10を介して給電され
る。
リード端子10の他端は外囲器外部で第1の回路基板1
4と電気的及び機械的に接続され、薄膜EL素子を内蔵
した外囲器はこのリード端子10によシ第1の回路基板
14に対し一定距離を隔てた浮遊状態で弾性的に支承さ
れている。
4と電気的及び機械的に接続され、薄膜EL素子を内蔵
した外囲器はこのリード端子10によシ第1の回路基板
14に対し一定距離を隔てた浮遊状態で弾性的に支承さ
れている。
第1の回路基板14の外囲器設置側主面上には黒色ビニ
ール等か成る背景膜15が被覆され、薄膜EL素子に対
する表示用背景色が構成されている。
ール等か成る背景膜15が被覆され、薄膜EL素子に対
する表示用背景色が構成されている。
壕だ、この背・素膜15は背面電極130間隙を透過し
た光を吸収する作用をする。
た光を吸収する作用をする。
第1の回路基板14の他面側にはIC,LSI等の電子
部品16が基板14面に取り付けられた部品コネクター
16′を介してD I P (Dual In L i
ne package )法によシ搭載され、薄膜EL
素子の駆動回路が構成されている。
部品16が基板14面に取り付けられた部品コネクター
16′を介してD I P (Dual In L i
ne package )法によシ搭載され、薄膜EL
素子の駆動回路が構成されている。
第1の回路基板14と平行に対向配置された第2の回路
基板17上には同様に各種の電子部品16が搭載され、
駆動回路、制御回路、その他の回路が構成されている。
基板17上には同様に各種の電子部品16が搭載され、
駆動回路、制御回路、その他の回路が構成されている。
第1の回路基板14と第2の。回路基板17との電気的
接続は基板周縁の互いに対向する主面上に設けられたコ
ネクタ一端子18゜19を機械的に嵌合することによっ
て行なわれる。
接続は基板周縁の互いに対向する主面上に設けられたコ
ネクタ一端子18゜19を機械的に嵌合することによっ
て行なわれる。
回路基板は2層以上の多層基板とすることも当然に可能
である。
である。
各回路基板間の機械的接続は基板。隅部に設けられたビ
ス孔に取付ビス20を挿入固定することにより行なわれ
、各回路基板は一体的に連結される。
ス孔に取付ビス20を挿入固定することにより行なわれ
、各回路基板は一体的に連結される。
以上によシ回路基板上に搭載され、回路基板と一体化さ
れた薄膜ELパネルが構成されている。
れた薄膜ELパネルが構成されている。
。情報処理用としてこの薄膜ELパネルを使用する場合
、駆動回路は走査用駆動回路、データー用駆動回路及び
ゲート回路が必要となるが各駆動回路をそれぞれ各別に
分類して各回路基板に搭載すれば回路構成の簡素化、整
列化を計ることができシる。
、駆動回路は走査用駆動回路、データー用駆動回路及び
ゲート回路が必要となるが各駆動回路をそれぞれ各別に
分類して各回路基板に搭載すれば回路構成の簡素化、整
列化を計ることができシる。
制御回路、駆動回路等を介してリード端子10よシ透明
電極2及び背面電極13に電圧を印加するとガラス基板
1よjl)ZnS発光層4のEL発光に基く絵素単位の
表示が実行される。
電極2及び背面電極13に電圧を印加するとガラス基板
1よjl)ZnS発光層4のEL発光に基く絵素単位の
表示が実行される。
この時ガラスジ基板1よシ素子内部へ侵入した外部光は
背面電極13に到達する前に誘電体層5bと背面電極1
3間に介在する光吸収用のAl2O3x膜11で吸収さ
れるため、反射光としてガラス基板1より外部へ出射さ
れることがなく、良好な表示品位が維、′持される。
背面電極13に到達する前に誘電体層5bと背面電極1
3間に介在する光吸収用のAl2O3x膜11で吸収さ
れるため、反射光としてガラス基板1より外部へ出射さ
れることがなく、良好な表示品位が維、′持される。
以上詳説した如く、本発明によれば、誘電体層から背面
電極に到るまでの各積層部の密着性が良好で製作も容易
であり、背面電極に要求される諸要件を損なうことなく
、外部光の反射を有効に防止することができる。
電極に到るまでの各積層部の密着性が良好で製作も容易
であり、背面電極に要求される諸要件を損なうことなく
、外部光の反射を有効に防止することができる。
このためコントラスト比が高くなシ、周囲光に影響され
ることなく表示品位の高い表示状態を持続させることが
可能となる。
ることなく表示品位の高い表示状態を持続させることが
可能となる。
また、本発明の構造は表示に対する背景色を提供する手
段ともなり、表示型態の見栄えを良好にする効果も合わ
せもつものである。
段ともなり、表示型態の見栄えを良好にする効果も合わ
せもつものである。
尚、上記実施例は、マトリックス型電極構造の黄色薄膜
ELパネルについて説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、セグメント型電極構造、その他につ
いても、また緑色、赤色等の薄膜ELパネルについても
当然に適用可能であシ発光層、電極層等を多段形成した
多色薄膜ELパネルその他の表示装置(例えば液晶表示
装置、EC表示装置、発光ダイオード表示装置、螢光管
等)にも応用できる。
ELパネルについて説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、セグメント型電極構造、その他につ
いても、また緑色、赤色等の薄膜ELパネルについても
当然に適用可能であシ発光層、電極層等を多段形成した
多色薄膜ELパネルその他の表示装置(例えば液晶表示
装置、EC表示装置、発光ダイオード表示装置、螢光管
等)にも応用できる。
第1図は従来の薄膜EL素子の基本的構造を示す断面構
成図である。 第2図は従来の薄膜ELパネルの1例を示す要部断面構
成図である。 第3図は本発明の1実施例の説明に供する薄膜ELパネ
ルの要部断面構成図である。 2・・・・・・透明電極、4・・・・・・ZnS発光層
、5a・・・・・・S i 3 N4膜、5b・・・・
・・Al2O3x膜、11・・・、・・・A12o3−
X膜、13・・・・・・背面電極。
成図である。 第2図は従来の薄膜ELパネルの1例を示す要部断面構
成図である。 第3図は本発明の1実施例の説明に供する薄膜ELパネ
ルの要部断面構成図である。 2・・・・・・透明電極、4・・・・・・ZnS発光層
、5a・・・・・・S i 3 N4膜、5b・・・・
・・Al2O3x膜、11・・・、・・・A12o3−
X膜、13・・・・・・背面電極。
Claims (1)
- 1 電圧印加によシ発光パターンを生起する透明薄膜の
積層部上に配置された金属製の背面電極を具備して成る
表示装置に於いて、前記透明薄膜の積層部と前記背面電
極の間に金属性を有する不完全酸化アルミニウム薄膜を
多段積層させ、該不完全酸化アルミニウム薄膜の積層体
で前記背面電極に照射される光を吸収する光吸収機能を
構成したことを特徴とする黒化電極構造。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53014402A JPS5820468B2 (ja) | 1978-02-09 | 1978-02-09 | 黒化電極構造 |
US06/008,186 US4287449A (en) | 1978-02-03 | 1979-01-31 | Light-absorption film for rear electrodes of electroluminescent display panel |
DE2903866A DE2903866C2 (de) | 1978-02-03 | 1979-02-01 | Anzeigevorrichtung |
GB7903791A GB2017138B (en) | 1978-02-03 | 1979-02-02 | Light absortion film for rear elecrodes of electroluminescent display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53014402A JPS5820468B2 (ja) | 1978-02-09 | 1978-02-09 | 黒化電極構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54107292A JPS54107292A (en) | 1979-08-22 |
JPS5820468B2 true JPS5820468B2 (ja) | 1983-04-23 |
Family
ID=11860044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53014402A Expired JPS5820468B2 (ja) | 1978-02-03 | 1978-02-09 | 黒化電極構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5820468B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0788297A1 (en) | 1996-01-31 | 1997-08-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device and method of manifacturing same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE183873T1 (de) * | 1992-12-14 | 1999-09-15 | United Technologies Corp | Im sonnenlicht sichtbare elektrolumineszente dünn-schicht-vorrichtung mit geschwärzter metallelektrode |
-
1978
- 1978-02-09 JP JP53014402A patent/JPS5820468B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0788297A1 (en) | 1996-01-31 | 1997-08-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device and method of manifacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54107292A (en) | 1979-08-22 |
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