JPH10116576A

JPH10116576A - 画像表示用電子放出素子

Info

Publication number: JPH10116576A
Application number: JP28586696A
Authority: JP
Inventors: Morio Hosoya; 守男細谷
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1996-10-09
Filing date: 1996-10-09
Publication date: 1998-05-06

Abstract

(57)【要約】【課題】従来、画像表示用電子放出素子では蛍光体基
板より発光した光が透明なカソード基板を通して後方に
透過するために高い輝度の画面が得られなかったが、こ
の輝度向上を図る。【解決手段】画像表示用電子放出素子のカソード電極
基板自体を光反射性の基板とするか、透明な基板の上面
または下面に光反射性の絶縁性材料を積層することによ
り、基板後方への光の透過がなく輝度の高い画像表示用
電子放出素子が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子技術
を用いた画像表示用電子放出素子に関し、特に、電子放
出素子を有する基板に反射性能を持たせ、蛍光体から基
板後面に放出される光を前面に反射させることにより、
従来構造では損失分となっていた光を利用する輝度向上
技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子放出素子技術を用いた画像表
示用電子放出素子が注目を浴びている。これは、表面伝
導型電子放出素子を基板上にマトリックス状に配列し
て、テレビジョン画像等を表示するものである。これら
の技術は、基板上に素子電極を形成し、素子電極上に通
電により電子放出を行う機能を有する電子放出物質を塗
布してフォーミングを行うことにより電子放出素子を形
成するものである。

【０００３】表面伝導型電子放出素子を基板上に形成
し、画像表示用のマトリックス基板を形成する例として
は、図１のような形態のものが検討されている。図１
は、画像表示用電子放出素子１０から対向基板２０に向
けて電子放出が行われている状態を示す図である。図１
（Ａ）はその断面図、図１（Ｂ）は、その上面図であ
り、図１（Ｂ）の１−１線における断面が、図１（Ａ）
に示されていることになる。図１では、単一の画像表示
用電子放出素子が示されているに過ぎないが、実際の画
像表示用マトリックス基板では、このような素子が、数
十万の単位で縦横に配列していることになる。

【０００４】従来の画像表示用電子放出素子の構造およ
び動作原理を、図１に基づき説明することにする。画像
表用電子放出示素子１０は、ガラス基板１１上に電極１
２，１３を形成し、さらにその上に電子放出膜１４を形
成することにより構成されている。電子放出膜１４は、
カソード電極として機能することになり、たとえば、Ｓ
ｎＯ₂，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＰｂＯなどの金属酸化物、Ａｕ，
Ａｇなどの金属、カーボンその他各種半導体など、表面
伝導型の電子放出現象が知られている材料が使用されて
いる。一方、対向基板２０は、ガラス基板２１上に透明
電極２２および蛍光体層２３を形成したものである。透
明電極２２は、たとえばＩＴＯなどの材料で構成され、
アノード電極として機能することになる。カラー用のフ
ラットパネルの場合は、アノード電極側の蛍光体層２３
は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色の蛍光体に塗り分けて構成される
ことになる。

【０００５】図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す画像表示
用電子放出素子１０におけるガラス基板上に形成された
構成要素の上面図である。電極１２および１３が所定間
隔をおいて向き合っており、その間に電子放出膜１４が
形成されている状態が明瞭に示されている。この電子放
出膜１４はカソード電極として機能することになる。

【０００６】いま、図１（Ａ）のように、各部に配線を
施した場合に生じる現象について考えてみる。この配線
によれば、電極１３には電源３３から正の電圧が印加さ
れ、電極１２には電源３１から負の電圧が印加される。
また、画像表示用電子放出素子１０と対向基板２０との
間にも、電源３２によってカソード／アノー間電圧が印
加される。電極１２，１３によって、電子放出膜１４の
両側に電圧が印加されると、電子放出膜１４の膜表面部
分に、図に矢印で示したような電子放出が起こる。これ
が、表面伝導型の電子放出として知られている現象であ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような電
子放出素子を用いた従来の基板は、蛍光体２３により発
光されカソード基板側に向かった光の大部分が透明なカ
ソード電極基板１１を通過して、後方へ放出されるた
め、発光の効率が良くないという問題があった。そこ
で、本発明では、支持基板自体が光反射性（白色等もし
くは反射率が高い材質）の絶縁体であるか光反射性の支
持基板上面に絶縁性の材料を形成するかもしくは透明絶
縁性支持基板の下面に反射層（金属等の反射率の高い材
質）を積層した新規な電子放出素子構造を着想するに至
ったものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

（１）上記課題を解決するための本発明の要旨の第１
は、画像表示のための電子放出素子であって、カソード
電極基板が、可視光線の反射特性を有する絶縁性の無機
材料からなることを特徴とする画像表示用電子放出素
子、にある。かかる画像表示用電子放出素子であれば、
単一層のカソード電極基板により発光効率の向上を図る
ことができる。

【０００９】（２）上記課題を解決するための本発明の
要旨の第２は、画像表示のための電子放出素子であっ
て、カソード電極基板が、可視光線の反射特性を有する
絶縁性の無機材料層を支持基板上に形成したものである
ことを特徴とする画像表示用電子放出素子、にある。か
かる画像表示用電子放出素子であれば、積層されたカソ
ード電極基板により発光効率の向上を図ることができ
る。

【００１０】（３）上記課題を解決するための本発明の
要旨の第３は、画像表示のための電子放出素子であっ
て、カソード電極基板が、可視光線の反射特性を有する
材料層を絶縁性の透明支持基板下に形成したものである
ことを特徴とする画像表示用電子放出素子、にある。か
かる画像表示用電子放出素子であれば、積層されたカソ
ード電極基板により発光効率の向上を図ることができ
る。

【００１１】（４）上記課題を解決するための本発明の
要旨の第４は、画像表示のための電子放出素子であっ
て、カソード電極基板が、可視光線の反射特性を有する
材料層と当該材料層からのモノマー成分に対するバリア
ー性を有する絶縁性の透明支持基板の積層からなること
を特徴とする画像表示用電子放出素子、にある。かかる
画像表示用電子放出素子であれば、複合された材料で基
板の特性を補いかつ積層されたカソード電極基板により
発光効率の向上を図ることができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】図２は、本発明の画像表示用電子
放出素子の実施形態を示す図である。図２においてカソ
ード電極基板１１の上面には、電子放出素子が形成され
ていて、蛍光を発光する対向基板（不図示）と対面して
いる。矢印Ｌは蛍光体基板からの光を示すもので蛍光体
から発した光の一部はカソード基板とは反対方向に向か
って観察光となるが、一部はカソード基板に向かう。従
来のカソード電極基板は透明であって、カソード基板に
向かった光の大部分が基板後側に透過していた。図２
（Ａ）は支持基板１１自体が反射性の材料であって当該
基板単体でカソード電極基板として使用することができ
る。図２（Ｂ）は支持基板１１自体は反射性の材料では
ないが、当該基板上面に反射性の材料１１ａを積層した
もので蛍光体基板からの光は反射性材料１１ａの表面で
反射される。図２（Ｃ）は支持基板１１自体は反射性の
材料ではないが透明であって、当該基板の下面に反射性
の材料１１ｂを積層したもので蛍光体基板からの光は反
射性材料１１ｂの表面で反射される。図２（Ｄ）は支持
基板自体が反射性の材料であるが、当該基板材料単体で
は絶縁性や真空度の保持の点で問題があるためそれを補
う他の材料１１ｃと積層して使用する場合である。蛍光
体基板からの光は反射性基板１１の表面で反射される。

【００１３】＜材質に関する実施例＞本発明の画像表示
用電子放出素子のカソード電極基板には、以下に例示の
ものが好適に使用できる。これらの基板は、蛍光体を有
する対向基板に面する側（すなわち、電子放出素子が形
成される面）では必ず絶縁性を有していて、表面伝導に
よる電極配線間のショート（短絡）がない特性をもつこ
とが必要になる。支持基板自体が反射性能をもつもの。このような基板としては、例えば、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ
₃）、チタニア（ＴｉＯ₂）、ジルコニア（Ｚｒ
Ｏ₂）、シリカ（ＳｉＯ₂）、窒化硼素（ＢＮ）、窒化
珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、マイカセラミックス、マイカレッ
クス、マイカガラス等のある程度反射特性を持つ無機材
料の絶縁体板が挙げられる。

【００１４】支持基板上に絶縁性のある反射層を形成
する場合（その１）。無機質の基板であって、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、シリ
カ（ＳｉＯ₂）、青板硝子等のように、パネル内部の真
空とパネル外部の大気との圧力差によって生じる変形を
十分に小さくすることができる構造的強度を持つものが
使用できる。また、このような支持基板上に形成する反
射層には、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、チタニア（ＴｉＯ
₂）、ジルコニア（ＺｒＯ₂）、シリカ（ＳｉＯ₂）、
窒化硼素（ＢＮ）、窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、マイカセ
ラミックス、マイカレックス、マイカガラス等のある程
度反射特性を持つ絶縁性材料が使用できる。

【００１５】支持基板上に絶縁性のある反射層を形成
する場合（その２）。支持基板としては、ポリ４ふっ化エチレン（テフロン）
板等の有機質の基板であって、パネル内部の真空とパネ
ル外部の大気との圧力差によって生じる変形を十分に小
さくすることができる構造的強度を持ち、かつ或る程度
の反射特性をもつものが使用できる。また、このような
支持基板上に形成する反射層には、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ
₃）、チタニア（ＴｉＯ₂）、ジルコニア（Ｚｒ
Ｏ₂）、シリカ（ＳｉＯ₂）、窒化硼素（ＢＮ）、窒化
珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、マイカセラミックス、マイカレッ
クス、マイカガラス等のある程度反射特性を持つ無機材
料の絶縁体であって、かつ基板から染みだすモノマー成
分やイオンのバリアーとなる特性をもつものが使用でき
る。これらは電子放出素子に対して良くない影響を与え
るからである。

【００１６】上記の、においては絶縁性の反射層
は複合された層であってもよい。例えば、Ａｌ、Ｃｕ、
Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の導電性の反射層の上面（電子放出
素子側）にＳｉＯ₂等の絶縁層を積層した構造であって
もよい。このような複合層をアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、
シリカ（ＳｉＯ₂）、青板硝子、ポリ４ふっ化エチレン
（テフロン）板等に積層して使用することができる。

【００１７】透明絶縁体層の下に絶縁性のない反射層
を形成する場合。支持基板としては、パネル内部の真空とパネル外部の大
気との圧力差によって生じる変形を十分に小さくするこ
とができる構造的強度を持ち、かつ透明な材質のものが
使用できる。例えば、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、チタニ
ア（ＴｉＯ₂）、ジルコニア（ＺｒＯ₂）、シリカ（Ｓ
ｉＯ₂）等である。また、このような支持基板下に形成
する反射層には、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の金
属光沢をもつものが使用できる。

【００１８】透明絶縁体層の下に絶縁性の反射層を形
成する場合。支持基板としては、パネル内部の真空とパネル外部の大
気との圧力差によって生じる変形を十分に小さくするこ
とができるある程度の構造的強度を持ち、かつ透明な材
質のものが使用できる。例えば、アルミナ（Ａｌ
₂Ｏ₃）、チタニア（ＴｉＯ₂）、ジルコニア（ＺｒＯ
₂）、シリカ（ＳｉＯ₂）等である。また、このような
支持基板下に形成する反射層には、ポリ４ふっ化エチレ
ン（テフロン）等のシートまたはフィルムで乳白色のも
のが使用できる。

【００１９】支持基板自体が反射性の性質を兼ねる
が、絶縁性や真空度の保持の点で単独では問題のある材
質を他の材質と複合して用いる場合。支持基板としては、パネル内部の真空とパネル外部の大
気との圧力差によって生じる変形を十分に小さくするこ
とができるある程度の構造的強度を持ち、かつ透明な材
質のものが使用できる。例えば、ポリ４ふっ化エチレン
（テフロン）等のシートまたは板で乳白色のものが使用
できる。また、このような支持基板上に積層する透明絶
縁体としては、例えば、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、チタ
ニア（ＴｉＯ₂）、ジルコニア（ＺｒＯ₂）、シリカ
（ＳｉＯ₂）等の透明性を有し、基板層から染みだすモ
ノマー成分やイオンをバリアーする特性を有する絶縁性
物質が使用できる。

【００２０】このようなカソード電極基板の作製は、支
持基板上面または下面に薄膜の反射層を形成する場合に
は、各種スパッタリング法や蒸着法あるいはＣＶＤ法が
使用できる。また、上記のように、支持基板とある程
度の厚さのある材料を積層する場合には、熱硬化性の接
着剤を利用したプレス成形等が利用できる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例を図３ないし図８を参
照して説明することとする。（実施例１）図３ないし図４は、本発明の一実施形態で
ある支持基板自体が反射性の基板上に画像表示用電子放
出素子を製造する工程を示す。また、図５は完成した電
子放出素子を示し、図５（Ａ）はその斜視図、図５
（Ｂ）は図５（Ａ）の１−１線における断面図を示して
いる。（１）＜電子放出素子基板の製造に関する実施例＞厚み５ｍｍの清浄な多結晶アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）
基板１００上に、スパッター法により膜厚３μｍのＣｒ
層１１０を堆積した。その上に、ポジ型レジスト剤（東
京応化工業株式会社製「ＯＦＰＲ８００」）をスピンナ
ーにより回転塗布し、オーブンにて８０°Ｃで３０分間
放置し乾燥させレジスト層１２０を得た（図３）。空冷
後、電極形成のためのフォトマスクを用いて所望のパタ
ーンを露光し、レジストの現像、水洗を行い、オーブン
にて１３５°Ｃで３０分間乾燥させた。空冷後、Ｃｒエ
ッチング液（ザ・インクテック株式会社製「ＭＲ−Ｅ
Ｓ」）を用いて、Ｃｒをエッチングし水洗した。基板上
には、厚さ３μｍの電極１１０が得られた（図４）。

【００２２】次に、有機パラジウム化合物を含む有
機溶媒（奥野製薬工業株式会社製「キャタペーストＣＣ
Ｐ」）をスクリーン印刷法で所望の位置に印刷し、１５
分間放置し、電極上に薄膜１４０を形成した。その後、
約２００°Ｃで２０分間焼成し、Ｐｄの微粒子層からな
る電子放出膜１４０を得た（図５）。

【００２３】（２）＜蛍光体基板の製造に関する実施例
＞厚み３ｍｍの清浄な石英ガラス基板上に、スパッタ
ー法により膜厚１μｍのＩＴＯ層を堆積した。この上
に、ＥＢ蒸着法により膜厚２０μｍのＺｎＯ：Ｚｎから
なる蛍光体層を蒸着し、蛍光体基板を作製した。

【００２４】（３）＜画像表示用電子放出素子パネル製
造に関する実施例＞上記実施例１の（２）で作製した蛍光体基板の外周
部にガラスペースト（日本電気硝子株式会社製「ＰＬＳ
−０２０６／１５０」）をＸＹプロッターを使って所望
の形状に塗布する。この基板を１７０°Ｃに保ったオー
ブン中に３０分間放置する。室温に冷却後、蛍光体基板
の所定の位置にあらかじめ開けられた通気孔に合わせて
封入管をガラスペーストで張り合わせ、１７０°Ｃに保
ったオーブン中に３０分間放置する。室温に冷却後、こ
の基板と、上記実施例１の（１）で作製した電子放出素
子基板を貼り合わせ、これを４００°Ｃに保った焼成炉
中に２時間放置し、封着を行いパネル化した。空冷後、
作製したパネルの封入管を真空ポンプと接続し、パネル
内の真空度が１０^-10Ｐａとなるまで真空に引き、ガラ
スを溶融させ密封した。以上の方法により作製した画像
表示用電子放出素子を発光させたところ、従来よりも高
い輝度を持つ発光が確認された。また、作製した画像表
示用電子放出素子に単純マトリックス駆動により画像情
報に対応したパルス信号を入力したところ、明瞭な画像
形成が行われた。

【００２５】（実施例２）図６ないし図７は、本発明の
他の実施形態である透明な支持基板上に絶縁性の反射層
を形成した画像表示用電子放出素子を製造する工程を示
す。図８は完成した電子放出素子を示し、図８（Ａ）は
その斜視図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の１−１線におけ
る断面図を示している。（１）＜電子放出素子基板の製造に関する実施例＞厚み３ｍｍの清浄な石英ガラス基板１０２上に、ス
パッター法により膜厚０．５μｍのＣｒ反射層１０４を
堆積し、反射層を作製した。その上にスパッター法によ
り膜厚１．３μｍの透明なＳｉＯ₂層１０６を堆積し絶
縁層を形成した。すなわち、この反射層はＣｒとＳｉＯ
₂が複合して絶縁層を形成している。上記基板上に、ス
パッター法により膜厚３μｍのＣｒ層１１０を堆積し
た。その上に、ポジ型レジスト剤（東京応化工業株式会
社製「ＯＦＰＲ８００」）１２０をスピンナーにより回
転塗布し、オーブンにて８０°Ｃで３０分間放置し乾燥
させた（図６）。空冷後、フォトマスクを用いて所望の
パターンを露光し、レジストの現像、水洗を行い、オー
ブンにて１３５°で３０分間放置する。さらに空冷後、
Ｃｒエッチング液（ザ・インクテック株式会社製「ＭＲ
−ＥＳ」）を用いて、Ｃｒをエッチングし水洗した。基
板上には、厚さ３μｍの電極１１０が得られた（図
７）。次に、有機パラジウム化合物を含む有機溶媒（奥
野製薬工業株式会社製「キャタペーストＣＣＰ」）をス
クリーン印刷法で所望の位置に印刷し、１５分間放置し
電極上に薄膜を形成した。その後、約２００°Ｃで２０
分間焼成し、Ｐｄの微粒子層からなる電子放出層を得た
（図８）。

【００２６】（２）＜蛍光体基板の製造に関する実施例
＞実施例１の（２）と同様に、厚み３ｍｍの清浄な石英ガ
ラス基板上に、スパッター法により膜厚１μｍのＩＴＯ
層を堆積した。この上に、ＥＢ蒸着法により膜厚２０μ
ｍのＺｎＯ：Ｚｎからなる蛍光体層を蒸着し蛍光体基板
を作製した。

【００２７】（３）＜画像表示用電子放出素子パネル製
造に関する実施例＞実施例２の（２）で作製した蛍光体基板の外周部に
ガラスペースト（日本電気硝子株式会社製「ＰＬＳ−０
２０６／１５０」）をＸＹプロッターを使って所望の形
状に塗布する。この基板を１７０°Ｃに保ったオーブン
中に３０分間放置する。室温に冷却後、蛍光体基板の所
定の位置にあらかじめ開けられた通気孔に合わせて封入
管をガラスペーストで張り合わせ、１７０°Ｃに保った
オーブン中に３０分間放置する。室温に冷却後、この基
板と実施例２の（１）で作製した電子放出素子基板を張
り合わせ、これを４００°Ｃに保った焼成炉中に２時間
放置し、封着を行いパネル化した。空冷後、作製したパ
ネルの封入管を真空ポンプと接続し、パネル内の真空度
が１０^-10Ｐａとなるまで真空に引き、ガラスを溶融さ
せ密封する。以上の方法により作製した画像表示用電子
放出素子を発光させたところ、従来よりも高い輝度を持
つ発光が確認された。また、作製した画像表示用電子放
出素子に単純マトリックス駆動により画像情報に対応し
たパルス信号を入力したところ、明瞭な画像形成が行わ
れた。

【００２８】

【発明の効果】本発明の画像表示用電子放出素子によれ
ば、カソード電極基板が光反射性にされているので、ア
ノード側蛍光体から一部カソード基板側に発光される光
を前面の観察側に反射するので画面の輝度の向上を図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の画像表示用電子放出素子１０から対向
基板２０に向けて電子放出が行われている状態を示す図
である。

【図２】本発明の画像表示用電子放出素子のカソード
電極基板の実施形態を示す図である。

【図３】本発明の画像表示用電子放出素子の一実施形
態の製造工程を示す図である。

【図４】本発明の画像表示用電子放出素子の一実施形
態の製造工程を示す図である。

【図５】本発明の画像表示用電子放出素子の一実施形
態を示す図である。

【図６】本発明の画像表示用電子放出素子の他の実施
形態の製造工程を示す図である。

【図７】本発明の画像表示用電子放出素子の他の実施
形態の製造工程を示す図である。

【図８】本発明の画像表示用電子放出素子の他の実施
形態を示す図である。

【符号の説明】

１０画像表示用電子放出素子１１カソード電極基板または支持基板１１ａ反射性基板１１ｂ透明基板１１ｃ反射層１２，１３電極１４電子放出膜２０対向基板２１ガラス基板２２透明電極２３蛍光体層３１，３２，３３電源１００反射性基板１０２石英ガラス基板１０４Ｃｒ反射層１０６ＳｉＯ₂絶縁層１１０電極層１２０レジスト層１４０電子放出膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画像表示のための電子放出素子であっ
て、カソード電極基板が、可視光線の反射特性を有する
絶縁性の無機材料からなることを特徴とする画像表示用
電子放出素子。
【請求項２】無機材料が、Ａｌ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，Ｚ
ｒＯ₂，ＳｉＯ₂，ＢＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，マイカセラミッ
クス，マイカレックス，マイカガラスから選ばれた材料
であることを特徴とする請求項１記載の画像表示用電子
放出素子。
【請求項３】画像表示のための電子放出素子であっ
て、カソード電極基板が、可視光線の反射特性を有する
絶縁性の無機材料層を支持基板上に形成したものである
ことを特徴とする画像表示用電子放出素子。
【請求項４】無機材料層が、Ａｌ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，
ＺｒＯ₂，ＳｉＯ₂，ＢＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，マイカセラミ
ックス，マイカレックス，マイカガラスから選ばれた材
料であることを特徴とする請求項３記載の画像表示用電
子放出素子。
【請求項５】支持基板が、青板ガラス，ポリ４ふっ化
エチレン板，Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂から選ばれた材料で
あることを特徴とする請求項３記載の画像表示用電子放
出素子。
【請求項６】画像表示のための電子放出素子であっ
て、カソード電極基板が、可視光線の反射特性を有する
材料層を絶縁性の透明支持基板下に形成したものである
ことを特徴とする画像表示用電子放出素子。
【請求項７】反射特性を有する材料層が、Ａｌ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ａｕ，ポリ４ふっ化エチレンから選ば
れた材料であることを特徴とする請求項６記載の画像表
示用電子放出素子。
【請求項８】絶縁性の透明支持基板が、Ａｌ₂Ｏ₃，
ＴｉＯ₂，ＺｒＯ₂，ＳｉＯ₂から選ばれた材料である
ことを特徴とする請求項６記載の画像表示用電子放出素
子。
【請求項９】画像表示のための電子放出素子であっ
て、カソード電極基板が、可視光線の反射特性を有する
材料層と当該材料層からのモノマー成分に対するバリア
ー性を有する絶縁性の透明支持基板の積層からなること
を特徴とする画像表示用電子放出素子。
【請求項１０】絶縁性の透明支持基板が、Ａｌ
₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，ＺｒＯ₂，ＳｉＯ₂から選ばれた材
料であることを特徴とする請求項９記載の画像表示用電
子放出素子。
【請求項１１】反射特性を有する材料層が、ポリ４ふ
っ化エチレン板であることを特徴とする請求項９記載の
画像表示用電子放出素子。