JP2003308798A - 画像表示装置および画像表示装置の製造方法 - Google Patents
画像表示装置および画像表示装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄型、軽量化が可能であるとともに製造コス
トの低減を図ることが可能な平面型の画像表示装置およ
び画像表示装置の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 真空外囲器１５は、画像表示面１６が設
けられた第１基板１０と、第１基板に隙間を置いて対向
配置されているとともに、複数の電子源１８が設けられ
た第２基板１２と、を備えている。第２基板は、電子源
が設けられた設置面を絶縁層５２で被覆した金属基板５
０により形成されている
トの低減を図ることが可能な平面型の画像表示装置およ
び画像表示装置の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 真空外囲器１５は、画像表示面１６が設
けられた第１基板１０と、第１基板に隙間を置いて対向
配置されているとともに、複数の電子源１８が設けられ
た第２基板１２と、を備えている。第２基板は、電子源
が設けられた設置面を絶縁層５２で被覆した金属基板５
０により形成されている
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平面型の画像表示
装置および画像表示装置の製造方法に関し、特に、対向
配置された基板と、一方の基板の内面に配設された複数
の電子源と、を有した平面型の画像表示装置および画像
表示装置の製造方法に関する。
装置および画像表示装置の製造方法に関し、特に、対向
配置された基板と、一方の基板の内面に配設された複数
の電子源と、を有した平面型の画像表示装置および画像
表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高品位放送用あるいはこれに伴う
高解像度の画像表示装置が望まれており、そのスクリー
ン表示性能については一段と厳しい性能が要望されてい
る。これら要望を達成するためにはスクリーン面の平坦
化、高解像度化が必須であり、同時に軽量、薄型化も図
らねばならない。
高解像度の画像表示装置が望まれており、そのスクリー
ン表示性能については一段と厳しい性能が要望されてい
る。これら要望を達成するためにはスクリーン面の平坦
化、高解像度化が必須であり、同時に軽量、薄型化も図
らねばならない。
【０００３】そこで、陰極線管（以下、ＣＲＴと称す
る）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々
な平面型画像表示装置が開発されている。このような画
像表示装置には、液晶の配向を利用して光の強弱を制御
する液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと称する）、プラ
ズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマデ
ィスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）、蛍光体の
エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）現象を利用した表示
装置、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光
体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ
（以下、ＦＥＤと称する）、ＦＥＤの一種で表面伝導型
電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させる表
面伝導エミッションディスプレイ（以下、ＳＥＤと称す
る）などがある。
る）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々
な平面型画像表示装置が開発されている。このような画
像表示装置には、液晶の配向を利用して光の強弱を制御
する液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと称する）、プラ
ズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマデ
ィスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）、蛍光体の
エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）現象を利用した表示
装置、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光
体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ
（以下、ＦＥＤと称する）、ＦＥＤの一種で表面伝導型
電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させる表
面伝導エミッションディスプレイ（以下、ＳＥＤと称す
る）などがある。
【０００４】例えば、ＳＥＤは、所定の隙間を置いて対
向配置された第１基板および第２基板を有している。通
常、これらの基板は板厚２．６ｍｍ程度のガラス板で形
成され、その周縁部同士が直接あるいは矩形枠状の側壁
を介して互いに接合され真空外囲器を構成している。第
１基板の内面には画像表示面として機能する蛍光体層が
形成され、第２基板の内面には、蛍光体層を励起して発
光させる電子源として複数の電子放出素子が設けられて
いる。
向配置された第１基板および第２基板を有している。通
常、これらの基板は板厚２．６ｍｍ程度のガラス板で形
成され、その周縁部同士が直接あるいは矩形枠状の側壁
を介して互いに接合され真空外囲器を構成している。第
１基板の内面には画像表示面として機能する蛍光体層が
形成され、第２基板の内面には、蛍光体層を励起して発
光させる電子源として複数の電子放出素子が設けられて
いる。
【０００５】また、第１基板および第２基板に加わる大
気圧荷重を支えるために、これら基板の間には支持部材
として複数のスペーサが配設されている。そして、この
ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層にアノ
ード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子
ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突さ
せることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。
気圧荷重を支えるために、これら基板の間には支持部材
として複数のスペーサが配設されている。そして、この
ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層にアノ
ード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子
ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突さ
せることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。
【０００６】このようなＳＥＤでは、電子放出素子の大
きさがマイクロメートルオーダーであり、第１基板と第
２基板との間隔をミリメートルオーダーに設定すること
ができる。このため、現在のテレビやコンピュータのデ
ィスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）と
比較して、画像表示装置の高解像度化、軽量化、薄型化
を達成することが可能となる。
きさがマイクロメートルオーダーであり、第１基板と第
２基板との間隔をミリメートルオーダーに設定すること
ができる。このため、現在のテレビやコンピュータのデ
ィスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）と
比較して、画像表示装置の高解像度化、軽量化、薄型化
を達成することが可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、この
ような平面型画像表示装置では、第１および第２基板と
してガラス板を用いている。しかしながら、ガラス板を
用いた場合、強度上の問題から基板を今以上に薄く形成
することが困難であり、画像表示装置を一層薄型、軽量
にする上で１つの障害となる。また、このガラス基板の
強度問題は、第１基板および第２基板に加わる大気圧荷
重を支えるためにこれら基板の間に支持部材として配置
されたスペーサのピッチ、幅、径、高さばらつき等に多
くの制約を与え、高精細化や低コスト化の阻害要因とな
っている。更に、ガラス板は金属板に比較して加工形成
等が面倒であり、製造コストの軽減を図るためには何ら
かの対策を施す必要がある。また周知の通りガラス板は
割れ易く製造工程中における取扱いが面倒となる。
ような平面型画像表示装置では、第１および第２基板と
してガラス板を用いている。しかしながら、ガラス板を
用いた場合、強度上の問題から基板を今以上に薄く形成
することが困難であり、画像表示装置を一層薄型、軽量
にする上で１つの障害となる。また、このガラス基板の
強度問題は、第１基板および第２基板に加わる大気圧荷
重を支えるためにこれら基板の間に支持部材として配置
されたスペーサのピッチ、幅、径、高さばらつき等に多
くの制約を与え、高精細化や低コスト化の阻害要因とな
っている。更に、ガラス板は金属板に比較して加工形成
等が面倒であり、製造コストの軽減を図るためには何ら
かの対策を施す必要がある。また周知の通りガラス板は
割れ易く製造工程中における取扱いが面倒となる。
【０００８】本発明は、以上の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、薄型、軽量化が可能であるとともに、
将来の更なる高精細化に備え、製造コストの低減を図る
ことが可能な平面型の画像表示装置および画像表示装置
の製造方法を提供することにある。
で、その目的は、薄型、軽量化が可能であるとともに、
将来の更なる高精細化に備え、製造コストの低減を図る
ことが可能な平面型の画像表示装置および画像表示装置
の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の態様に係る平面型の画像表示装置は、画
像表示面が設けられた第１基板と、前記第１基板に隙間
を置いて対向配置されているとともに、複数の電子源が
設けられた第２基板と、を有し内部が真空に維持された
外囲器を備え、前記第２基板は、少なくとも上記電子源
が設けられた設置面を絶縁層で被覆した金属基板により
形成されていることを特徴としている。
め、この発明の態様に係る平面型の画像表示装置は、画
像表示面が設けられた第１基板と、前記第１基板に隙間
を置いて対向配置されているとともに、複数の電子源が
設けられた第２基板と、を有し内部が真空に維持された
外囲器を備え、前記第２基板は、少なくとも上記電子源
が設けられた設置面を絶縁層で被覆した金属基板により
形成されていることを特徴としている。
【００１０】また、この発明の他の態様に係る画像表示
装置の製造方法は、画像表示面が設けられた第１基板
と、前記第１基板に隙間を置いて対向配置されていると
ともに、複数の電子源が設けられた第２基板と、を有し
内部が真空の外囲器を備えた画像表示装置の製造方法に
おいて、所望の厚さを有した金属基板を用意し、前記金
属基板の少なくとも一方の表面上に絶縁層を形成し、前
記絶縁層上に電子源および電子源を駆動する配線を形成
し、前記第２基板を構成することを特徴としている。
装置の製造方法は、画像表示面が設けられた第１基板
と、前記第１基板に隙間を置いて対向配置されていると
ともに、複数の電子源が設けられた第２基板と、を有し
内部が真空の外囲器を備えた画像表示装置の製造方法に
おいて、所望の厚さを有した金属基板を用意し、前記金
属基板の少なくとも一方の表面上に絶縁層を形成し、前
記絶縁層上に電子源および電子源を駆動する配線を形成
し、前記第２基板を構成することを特徴としている。
【００１１】上記画像表示装置および画像表示装置の製
造方法によれば、金属基板に絶縁材料を被覆してなる複
合材で第２基板を構成することにより、ガラス板等を用
いた場合に比較して、第２基板の機械的強度が大幅に向
上し、第２基板を薄く形成することが可能となる。これ
により、画像表示装置全体の薄型化および軽量化を図る
ことができる。同時に、ガラス板に比較して第２基板の
加工および配線の形成等が容易であり、製造コストの軽
減できるとともに、製造工程中における基板の取扱いが
容易となる。
造方法によれば、金属基板に絶縁材料を被覆してなる複
合材で第２基板を構成することにより、ガラス板等を用
いた場合に比較して、第２基板の機械的強度が大幅に向
上し、第２基板を薄く形成することが可能となる。これ
により、画像表示装置全体の薄型化および軽量化を図る
ことができる。同時に、ガラス板に比較して第２基板の
加工および配線の形成等が容易であり、製造コストの軽
減できるとともに、製造工程中における基板の取扱いが
容易となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下図面を参照しながら、この発
明を、平面型の画像表示装置としてＦＥＤの一種である
ＳＥＤに適用した実施の形態について詳細に説明する。
図１ないし図３に示すように、このＳＥＤは、それぞれ
矩形状の第１基板１０および第２基板１２を備え、これ
らの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間を置いて対向配
置されている。第１基板１０は、透明な絶縁基板として
ガラスにより形成されている。また、第２基板１２は、
後述するように、例えば、板厚０．１〜０．５ｍｍ程度
の金属基板を絶縁材料で被覆してなる複合材で形成さ
れ、第１基板１０よりも僅かに大きな寸法に形成されて
いる。そして、第１基板１０および第２基板１２は、ガ
ラスからなる矩形枠状の側壁１４を介して周縁部同志が
接合され、内部が真空に維持された偏平な矩形状の真空
外囲器１５を構成している。
明を、平面型の画像表示装置としてＦＥＤの一種である
ＳＥＤに適用した実施の形態について詳細に説明する。
図１ないし図３に示すように、このＳＥＤは、それぞれ
矩形状の第１基板１０および第２基板１２を備え、これ
らの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間を置いて対向配
置されている。第１基板１０は、透明な絶縁基板として
ガラスにより形成されている。また、第２基板１２は、
後述するように、例えば、板厚０．１〜０．５ｍｍ程度
の金属基板を絶縁材料で被覆してなる複合材で形成さ
れ、第１基板１０よりも僅かに大きな寸法に形成されて
いる。そして、第１基板１０および第２基板１２は、ガ
ラスからなる矩形枠状の側壁１４を介して周縁部同志が
接合され、内部が真空に維持された偏平な矩形状の真空
外囲器１５を構成している。
【００１３】尚、この矩形枠状の側壁１４は、絶縁材料
で被覆された金属でも構わない。
で被覆された金属でも構わない。
【００１４】第１基板１０の内面には画像表示面として
蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体ス
クリーン１６は、電子の衝突で赤、青、緑に発光する蛍
光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および黒色着色層１１を並べて構成
されている。これらの蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂはストライプ
状あるいはドット状に形成されている。また、蛍光体ス
クリーン１６上には、アルミニウム等からなるメタルバ
ック１７が形成されている。なお、第１基板１０と蛍光
体スクリーンとの間に、例えばＩＴＯ等からなる透明導
電膜あるいはカラーフィルタ膜を設けてもよい。
蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体ス
クリーン１６は、電子の衝突で赤、青、緑に発光する蛍
光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および黒色着色層１１を並べて構成
されている。これらの蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂはストライプ
状あるいはドット状に形成されている。また、蛍光体ス
クリーン１６上には、アルミニウム等からなるメタルバ
ック１７が形成されている。なお、第１基板１０と蛍光
体スクリーンとの間に、例えばＩＴＯ等からなる透明導
電膜あるいはカラーフィルタ膜を設けてもよい。
【００１５】接合部材として機能する側壁１４は、例え
ば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０により、
第２基板１２の周縁部および第１基板１０の周縁部に封
着され、第１基板および第２基板同志を接合している。
ば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０により、
第２基板１２の周縁部および第１基板１０の周縁部に封
着され、第１基板および第２基板同志を接合している。
【００１６】図２および図３に示すように、ＳＥＤは、
第１基板１０および第２基板１２の間に配設されたスペ
ーサアッセンブリ２２を備えている。本実施の形態にお
いて、スペーサアッセンブリ２２は、板状のグリッド２
４と、グリッドの両面に一体的に立設された複数の柱状
のスペーサと、を備えて構成されている。
第１基板１０および第２基板１２の間に配設されたスペ
ーサアッセンブリ２２を備えている。本実施の形態にお
いて、スペーサアッセンブリ２２は、板状のグリッド２
４と、グリッドの両面に一体的に立設された複数の柱状
のスペーサと、を備えて構成されている。
【００１７】詳細に述べると、グリッド２４は第１基板
１０の内面に対向した第１表面２４ａおよび第２基板１
２の内面に対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基
板と平行に配置されている。このグリッド２４は、例え
ば、鉄または鉄を主体としニッケルおよびクロムの少な
くとも一方を含む合金等により形成されている。
１０の内面に対向した第１表面２４ａおよび第２基板１
２の内面に対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基
板と平行に配置されている。このグリッド２４は、例え
ば、鉄または鉄を主体としニッケルおよびクロムの少な
くとも一方を含む合金等により形成されている。
【００１８】グリッド２４には、エッチング等により多
数の電子ビーム通過孔２６および複数のスペーサ開孔２
８が形成されている。この発明における開孔として機能
する電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１
８に対向して配列されている。また、スペーサ開孔２８
は、それぞれ電子ビーム通過孔間に位置し所定のピッチ
で配列されている。
数の電子ビーム通過孔２６および複数のスペーサ開孔２
８が形成されている。この発明における開孔として機能
する電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１
８に対向して配列されている。また、スペーサ開孔２８
は、それぞれ電子ビーム通過孔間に位置し所定のピッチ
で配列されている。
【００１９】グリッド２４の第１表面２４ａ上には、各
スペーサ開孔２８に重ねて第１スペーサ３０ａが一体的
に立設され、その延出端は、メタルバック１７および蛍
光体スクリーン１６の黒色着色層１１を介して第１基板
１０の内面に当接している。各第１スペーサ３０ａの延
出端は、スペーサの高さバラツキ緩和層３１として機能
するインジウム層を介してメタルバック１７に当接して
いる。ここで、高さ緩和層は、電子ビームの軌道に何ら
影響を与えるものではなく、スペーサの高さばらつきの
緩和効果がある適当な硬度を持つものであれば、金属に
限定されるものではない。もちろん、スペーサ自身で高
さばらつきが抑制されれば、スペーサの高さバラツキ緩
和層３１は不要である。
スペーサ開孔２８に重ねて第１スペーサ３０ａが一体的
に立設され、その延出端は、メタルバック１７および蛍
光体スクリーン１６の黒色着色層１１を介して第１基板
１０の内面に当接している。各第１スペーサ３０ａの延
出端は、スペーサの高さバラツキ緩和層３１として機能
するインジウム層を介してメタルバック１７に当接して
いる。ここで、高さ緩和層は、電子ビームの軌道に何ら
影響を与えるものではなく、スペーサの高さばらつきの
緩和効果がある適当な硬度を持つものであれば、金属に
限定されるものではない。もちろん、スペーサ自身で高
さばらつきが抑制されれば、スペーサの高さバラツキ緩
和層３１は不要である。
【００２０】また、グリッド２４の第２表面２４ｂ上に
は、各スペーサ開孔２８に重ねて第２スペーサ３０ｂが
一体的に立設され、その延出端は、第２基板１２の内面
に当接している。そして、各スペーサ開孔２８、第１お
よび第２スペーサ３０ａ、３０ｂは互いに整列して位置
し、第１および第２スペーサはこのスペーサ開孔２８を
介して互いに一体的に連結されている。第１および第２
スペーサ３０ａ、３０ｂの各々は、グリッド２４側から
延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成
されている。
は、各スペーサ開孔２８に重ねて第２スペーサ３０ｂが
一体的に立設され、その延出端は、第２基板１２の内面
に当接している。そして、各スペーサ開孔２８、第１お
よび第２スペーサ３０ａ、３０ｂは互いに整列して位置
し、第１および第２スペーサはこのスペーサ開孔２８を
介して互いに一体的に連結されている。第１および第２
スペーサ３０ａ、３０ｂの各々は、グリッド２４側から
延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成
されている。
【００２１】そして、第１スペーサ３０ａおよび第２ス
ペーサ３０ｂをスペーサ開孔２８と同軸的に整列して一
体的に設けることにより、第１および第２スペーサはス
ペーサ開孔を通して互いに連結され、グリッド２４を両
面から挟み込んだ状態でグリッド２４と一体的に形成さ
れている。
ペーサ３０ｂをスペーサ開孔２８と同軸的に整列して一
体的に設けることにより、第１および第２スペーサはス
ペーサ開孔を通して互いに連結され、グリッド２４を両
面から挟み込んだ状態でグリッド２４と一体的に形成さ
れている。
【００２２】図２および図３に示すように、上記構成の
スペーサアッセンブリ２２は第１基板１０および第２基
板１２間に配設されている。そして、第１および第２ス
ペーサ３０ａ、３０ｂは、第１基板１０および第２基板
１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用
する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持
している。
スペーサアッセンブリ２２は第１基板１０および第２基
板１２間に配設されている。そして、第１および第２ス
ペーサ３０ａ、３０ｂは、第１基板１０および第２基板
１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用
する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持
している。
【００２３】図２ないし図４に示すように、第２基板１
２の内面には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起
する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数
の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。こ
れらの電子放出素子１８は、画素毎に対応して複数列お
よび複数行に配列されている。各電子放出素子１８は、
図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加す
る一対の素子電極等で構成されている。
２の内面には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起
する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数
の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。こ
れらの電子放出素子１８は、画素毎に対応して複数列お
よび複数行に配列されている。各電子放出素子１８は、
図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加す
る一対の素子電極等で構成されている。
【００２４】また、第２基板１２上には、電子放出素子
１８に電圧を印加する多数本の内部配線がマトリック状
に設けられている。すなわち、図３および図４に示すよ
うに、第２基板１２の内面上には、互いに平行に延びた
多数の走査配線（Ｘ配線）３４、および走査配線と直交
する方向に延びた多数の信号配線（Ｙ配線）３６が形成
されている。走査配線３４は４８０本、信号配線３６は
６４０×３本設けられ、配線ピッチはそれぞれ９００μ
ｍ、３００μｍとなっている。
１８に電圧を印加する多数本の内部配線がマトリック状
に設けられている。すなわち、図３および図４に示すよ
うに、第２基板１２の内面上には、互いに平行に延びた
多数の走査配線（Ｘ配線）３４、および走査配線と直交
する方向に延びた多数の信号配線（Ｙ配線）３６が形成
されている。走査配線３４は４８０本、信号配線３６は
６４０×３本設けられ、配線ピッチはそれぞれ９００μ
ｍ、３００μｍとなっている。
【００２５】また、各走査配線３４の右端は走査線駆動
回路３８に接続され、各信号配線３６の上端は信号線駆
動回路４０に接続されている。走査線駆動回路３８は、
電子放出素子１８を駆動制御するための駆動電圧を走査
配線３４に供給し、信号線駆動回路４０は、表示信号電
圧を信号配線３６に供給する。
回路３８に接続され、各信号配線３６の上端は信号線駆
動回路４０に接続されている。走査線駆動回路３８は、
電子放出素子１８を駆動制御するための駆動電圧を走査
配線３４に供給し、信号線駆動回路４０は、表示信号電
圧を信号配線３６に供給する。
【００２６】図４に２点鎖線で示す表示領域４２におい
て、走査配線３４と信号配線３６との各交差部に電子放
出素子１８が接続され、画素を形成している。電子放出
素子１８は、各走査配線３４に沿って６４０×３個、各
信号配線３６に沿って４８０個設けられている。
て、走査配線３４と信号配線３６との各交差部に電子放
出素子１８が接続され、画素を形成している。電子放出
素子１８は、各走査配線３４に沿って６４０×３個、各
信号配線３６に沿って４８０個設けられている。
【００２７】図２に示すように、ＳＥＤは、グリッド２
４および第１基板１０のメタルバック１７にアノード電
圧を印加する電圧供給部５１を備えている。この電圧供
給部５１は、グリッド２４およびメタルバック１７にそ
れぞれ接続され、例えば、グリッド２４に１２ｋＶ、メ
タルバック１７に１０ｋＶの電圧を印加する。このＳＥ
Ｄにおいて、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１
６およびメタルバック１７にアノード電圧が印加され、
電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード
電圧により加速して蛍光体スクリーン１６へ衝突させ
る。これにより、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層が励
起されて発光し、画像を表示する。
４および第１基板１０のメタルバック１７にアノード電
圧を印加する電圧供給部５１を備えている。この電圧供
給部５１は、グリッド２４およびメタルバック１７にそ
れぞれ接続され、例えば、グリッド２４に１２ｋＶ、メ
タルバック１７に１０ｋＶの電圧を印加する。このＳＥ
Ｄにおいて、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１
６およびメタルバック１７にアノード電圧が印加され、
電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード
電圧により加速して蛍光体スクリーン１６へ衝突させ
る。これにより、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層が励
起されて発光し、画像を表示する。
【００２８】一方、前述したように、ＳＥＤの第２基板
１２は、金属基板を絶縁材料で被覆してなる複合材から
形成されている。図３から良く分かるように、第２基板
１２は、例えば、板厚０．１〜０．５ｍｍの金属基板５
０と、この金属基板の少なくとも第１基板と対向する表
面、すなわち、電子放出素子１８が設けられた設置面５
０ａ、に被覆形成された絶縁層５２とを備えている。こ
の金属基板５０は、前述したグリッド２４と同一の材
料、例えば、鉄または鉄を主体としニッケルおよびクロ
ムの少なくとも一方を含む合金等により形成されてい
る。また、絶縁層５２は、液相析出法、大気開放型化学
気相析出法、蒸着法、スプレーコーティング法のいずれ
かにより形成されている。
１２は、金属基板を絶縁材料で被覆してなる複合材から
形成されている。図３から良く分かるように、第２基板
１２は、例えば、板厚０．１〜０．５ｍｍの金属基板５
０と、この金属基板の少なくとも第１基板と対向する表
面、すなわち、電子放出素子１８が設けられた設置面５
０ａ、に被覆形成された絶縁層５２とを備えている。こ
の金属基板５０は、前述したグリッド２４と同一の材
料、例えば、鉄または鉄を主体としニッケルおよびクロ
ムの少なくとも一方を含む合金等により形成されてい
る。また、絶縁層５２は、液相析出法、大気開放型化学
気相析出法、蒸着法、スプレーコーティング法のいずれ
かにより形成されている。
【００２９】金属基板５０の設置面５０ａには、Ｙ方向
に沿って互いに平行に延びた多数の溝５４が形成され、
絶縁層５２はこれらの溝に重ねて形成されている。ま
た、電子放出素子１８、走査配線３４、および信号配線
３６は、絶縁層５２上に設けられている。本実施の形態
において、信号配線３６は、それぞれ溝５４内に位置し
た状態で絶縁層５２上に形成されている。そして、第２
基板１２の金属基板５０は図示しないグランドに接続さ
れ、電気的に接地されている。
に沿って互いに平行に延びた多数の溝５４が形成され、
絶縁層５２はこれらの溝に重ねて形成されている。ま
た、電子放出素子１８、走査配線３４、および信号配線
３６は、絶縁層５２上に設けられている。本実施の形態
において、信号配線３６は、それぞれ溝５４内に位置し
た状態で絶縁層５２上に形成されている。そして、第２
基板１２の金属基板５０は図示しないグランドに接続さ
れ、電気的に接地されている。
【００３０】上記構成の第２基板１２は以下の工程によ
り製造される。まず、図５（ａ）に示すように、Ｆｅ−
５０％Ｎｉ（不可避不純物を含む）を０．２５ｍｍの厚
さまで圧延して所定寸法の金属板を形成し、その一方の
表面（設置面５０ａ）に深さ０．１ｍｍ、幅０．１５ｍ
ｍ、ピッチ０．６１５ｍｍのハーフエッチングの溝５４
をフォトエッチング法で形成する。その後、レベリング
しながら金属板を所定のサイズにカットし、金属基板５
０を得る。
り製造される。まず、図５（ａ）に示すように、Ｆｅ−
５０％Ｎｉ（不可避不純物を含む）を０．２５ｍｍの厚
さまで圧延して所定寸法の金属板を形成し、その一方の
表面（設置面５０ａ）に深さ０．１ｍｍ、幅０．１５ｍ
ｍ、ピッチ０．６１５ｍｍのハーフエッチングの溝５４
をフォトエッチング法で形成する。その後、レベリング
しながら金属板を所定のサイズにカットし、金属基板５
０を得る。
【００３１】続いて、図５（ｂ）に示すように、金属基
板５０を酸化雰囲気中で酸化処理し、金属基板の設置面
５０ａにＦｅ３Ｏ４およびＦｅ２ＮｉＯ４からなる酸化
膜を形成する。次に、超微粒子タイプ２流体ノズルを用
いて、金属基板５０の酸化膜上にＬｉ系ホウ珪酸アルカ
リガラスを含む液を塗布し、乾燥および焼成することに
より絶縁層５２を形成する。更に、シリコンのアルコキ
シド溶液にデッピングし、引き上げ、焼成を行い、Ｌｉ
系ホウ珪酸アルカリガラスからなる絶縁層５２上にＳｉ
Ｏ２膜を形成し、絶縁層の一部とする。
板５０を酸化雰囲気中で酸化処理し、金属基板の設置面
５０ａにＦｅ３Ｏ４およびＦｅ２ＮｉＯ４からなる酸化
膜を形成する。次に、超微粒子タイプ２流体ノズルを用
いて、金属基板５０の酸化膜上にＬｉ系ホウ珪酸アルカ
リガラスを含む液を塗布し、乾燥および焼成することに
より絶縁層５２を形成する。更に、シリコンのアルコキ
シド溶液にデッピングし、引き上げ、焼成を行い、Ｌｉ
系ホウ珪酸アルカリガラスからなる絶縁層５２上にＳｉ
Ｏ２膜を形成し、絶縁層の一部とする。
【００３２】続いて、図５（ｃ）に示すように、ＳｉＯ
２膜および絶縁層５２を介して各溝５４に、Ａｇを含む
導電ペーストを充填し、乾燥、焼成することにより信号
配線３６とした。その後、既存のプロセスにより、Ｓｉ
Ｏ２膜を含む絶縁層５２上に残りの配線、電子放出素子
１８を形成し、第２基板１２を得た。
２膜および絶縁層５２を介して各溝５４に、Ａｇを含む
導電ペーストを充填し、乾燥、焼成することにより信号
配線３６とした。その後、既存のプロセスにより、Ｓｉ
Ｏ２膜を含む絶縁層５２上に残りの配線、電子放出素子
１８を形成し、第２基板１２を得た。
【００３３】以上のように構成されたＳＥＤによれば、
第２基板１２を金属基板５０およびその表面に被覆形成
された絶縁層５２で構成することにより、ガラス板を用
いた場合に比較して第２基板の機械的強度を大幅に上げ
ることができる。そのため、ガラス板を用いる場合に比
較して、第２基板１２の板厚をほぼ１／１０以下にする
ことが可能となり、ＳＥＤ全体の薄型化および軽量化を
図ることができる。同時に、第２基板１２は、ガラス板
に比較して加工および配線の形成等が容易であり、製造
コストの軽減を図ることができ、更に、割れ難く製造工
程中における取扱いが容易となる。
第２基板１２を金属基板５０およびその表面に被覆形成
された絶縁層５２で構成することにより、ガラス板を用
いた場合に比較して第２基板の機械的強度を大幅に上げ
ることができる。そのため、ガラス板を用いる場合に比
較して、第２基板１２の板厚をほぼ１／１０以下にする
ことが可能となり、ＳＥＤ全体の薄型化および軽量化を
図ることができる。同時に、第２基板１２は、ガラス板
に比較して加工および配線の形成等が容易であり、製造
コストの軽減を図ることができ、更に、割れ難く製造工
程中における取扱いが容易となる。
【００３４】また、上述した実施の形態では、第２基板
１２の設置面５０ａに溝５４を形成し、これらの溝内に
絶縁層５２を介して信号配線３６を設けることにより、
第２基板１２の一層の薄型化を図ることが可能となる。
なお、溝５４を設けることなく、絶縁層５２上に信号配
線３６を形成することも可能である。
１２の設置面５０ａに溝５４を形成し、これらの溝内に
絶縁層５２を介して信号配線３６を設けることにより、
第２基板１２の一層の薄型化を図ることが可能となる。
なお、溝５４を設けることなく、絶縁層５２上に信号配
線３６を形成することも可能である。
【００３５】第２基板１２において、絶縁層５２は金属
基板５０の設置面５０ａ側のみに設ける構成としたが、
図６に示すように、金属基板５０の外面全体を絶縁層５
２で被覆する構成としてもよい。
基板５０の設置面５０ａ側のみに設ける構成としたが、
図６に示すように、金属基板５０の外面全体を絶縁層５
２で被覆する構成としてもよい。
【００３６】この場合、第２基板１２は以下の工程によ
り製造することができる。まず、Ｆｅ−５０％Ｎｉ（不
可避不純物を含む）を０．２５ｍｍの厚さまで圧延し、
レベリングしながら所定のサイズにカットして金属基板
５０を形成する。その後、金属基板５０を化成処理し、
ＯＨ基を有する黒化膜を金属基板表面に形成する。
り製造することができる。まず、Ｆｅ−５０％Ｎｉ（不
可避不純物を含む）を０．２５ｍｍの厚さまで圧延し、
レベリングしながら所定のサイズにカットして金属基板
５０を形成する。その後、金属基板５０を化成処理し、
ＯＨ基を有する黒化膜を金属基板表面に形成する。
【００３７】続いて、二酸化珪素が過飽和状態になった
２５℃のケイフッ化水素酸に、金属基板５０を浸漬し、
金属基板の表面にＳｉＯ２からなる絶縁層５２を形成す
る。更に、４００℃以上の大気中で熱処理しＳｉＯ２か
らなる絶縁層５２の緻密化処理を行なう。この緻密化処
理は省略することもできる。その後、絶縁層５２上に既
存のプロセスで配線および電子放出素子を形成し、第２
基板１２を得る。このように構成された第２基板１２を
用いた場合でも上述した第１の実施の形態と同様の作用
効果を得ることができる。
２５℃のケイフッ化水素酸に、金属基板５０を浸漬し、
金属基板の表面にＳｉＯ２からなる絶縁層５２を形成す
る。更に、４００℃以上の大気中で熱処理しＳｉＯ２か
らなる絶縁層５２の緻密化処理を行なう。この緻密化処
理は省略することもできる。その後、絶縁層５２上に既
存のプロセスで配線および電子放出素子を形成し、第２
基板１２を得る。このように構成された第２基板１２を
用いた場合でも上述した第１の実施の形態と同様の作用
効果を得ることができる。
【００３８】また、図７に示すように、第２基板１２
は、裏面に形成された裏面配線を有する構成としてもよ
い。詳細には、第２基板１２は金属基板５０と金属基板
の設置面５０ａおよび裏面５０ｂを覆った絶縁層５２と
を有している。設置面５０ａ上には、上述した実施の形
態と同様に、多数の走査配線３４、信号配線３６、およ
び電子放出素子１８が形成され、裏面５０ｂ側には、多
数本の裏面配線５６が形成されている。本実施の形態お
いて、裏面配線５６は走査配線３４と平行な方向に延び
ている。
は、裏面に形成された裏面配線を有する構成としてもよ
い。詳細には、第２基板１２は金属基板５０と金属基板
の設置面５０ａおよび裏面５０ｂを覆った絶縁層５２と
を有している。設置面５０ａ上には、上述した実施の形
態と同様に、多数の走査配線３４、信号配線３６、およ
び電子放出素子１８が形成され、裏面５０ｂ側には、多
数本の裏面配線５６が形成されている。本実施の形態お
いて、裏面配線５６は走査配線３４と平行な方向に延び
ている。
【００３９】第２基板１２の一端部には多数の貫通孔６
０が所定のピッチで形成され、各貫通孔には導電体が充
填され導電部６２を形成している。そして、各裏面配線
５６は、対応する導電部６２を介して走査配線３４に電
気的に接続されている。
０が所定のピッチで形成され、各貫通孔には導電体が充
填され導電部６２を形成している。そして、各裏面配線
５６は、対応する導電部６２を介して走査配線３４に電
気的に接続されている。
【００４０】このような構成の第２基板１２は以下の工
程により製造される。まず、アルミキルド鋼を０．１２
ｍｍの厚さまで圧延し、圧延された金属板に径０．１ｍ
ｍの貫通孔６０をピッチ０．６１５ｍｍでフォトエッチ
ング法により形成する。その後、レベリングしながら金
属板を所定のサイズにカットし、金属基板５０を得る。
程により製造される。まず、アルミキルド鋼を０．１２
ｍｍの厚さまで圧延し、圧延された金属板に径０．１ｍ
ｍの貫通孔６０をピッチ０．６１５ｍｍでフォトエッチ
ング法により形成する。その後、レベリングしながら金
属板を所定のサイズにカットし、金属基板５０を得る。
【００４１】続いて、金属基板５０を酸化雰囲気中で酸
化処理し、金属基板の設置面５０ａおよび裏面５０ｂに
Ｆｅ３Ｏ４およびＦｅ２ＮｉＯ４の少なくとも一方から
なる酸化膜を形成する。次に、微粒子タイプ２流体ノズ
ルを用いて、金属基板５０の酸化膜上にＬｉ系ホウ珪酸
アルカリガラスを含む液を塗布し、乾燥および焼成する
ことにより金属基板５０の設置面５０ａ、裏面５０ｂ、
および各貫通孔６０の内面に絶縁層５２を形成する。更
に、金属板５０をシリコンのアルコキシド溶液にデッピ
ングし、引き上げ、焼成を行い、Ｌｉ系ホウ珪酸アルカ
リガラスからなる絶縁層５２上にＳｉＯ２膜を形成し
た。その後、各貫通孔６０内に導電体としてＡｇを含む
導電ペーストを充填し、乾燥、焼成するにより導電部６
２を形成する。
化処理し、金属基板の設置面５０ａおよび裏面５０ｂに
Ｆｅ３Ｏ４およびＦｅ２ＮｉＯ４の少なくとも一方から
なる酸化膜を形成する。次に、微粒子タイプ２流体ノズ
ルを用いて、金属基板５０の酸化膜上にＬｉ系ホウ珪酸
アルカリガラスを含む液を塗布し、乾燥および焼成する
ことにより金属基板５０の設置面５０ａ、裏面５０ｂ、
および各貫通孔６０の内面に絶縁層５２を形成する。更
に、金属板５０をシリコンのアルコキシド溶液にデッピ
ングし、引き上げ、焼成を行い、Ｌｉ系ホウ珪酸アルカ
リガラスからなる絶縁層５２上にＳｉＯ２膜を形成し
た。その後、各貫通孔６０内に導電体としてＡｇを含む
導電ペーストを充填し、乾燥、焼成するにより導電部６
２を形成する。
【００４２】続いて、設置面５０ａ側において、既存の
プロセスにより、ＳｉＯ２膜を含む絶縁層５２上に走査
配線３４、信号配線３６および電子放出素子１８を形成
する。その際、各走査配線３４の一端部を貫通孔６０の
一端に重ねて形成し、導電部６２に電気的に接続する。
プロセスにより、ＳｉＯ２膜を含む絶縁層５２上に走査
配線３４、信号配線３６および電子放出素子１８を形成
する。その際、各走査配線３４の一端部を貫通孔６０の
一端に重ねて形成し、導電部６２に電気的に接続する。
【００４３】また、上記第２基板を用いてＳＥＤを組立
てた後、第２基板１２の裏面５０ｂ側において、絶縁層
５２上に裏面配線５６を形成する。その際、各裏面配線
５６の一端部を貫通孔６０に重ねて形成し、この貫通孔
および導電部６２を介して対応する走査配線３４に電気
的に接続する。なお、裏面配線５６は、走査配線、信号
配線等の内部配線よりも低い配線抵抗を有している。
てた後、第２基板１２の裏面５０ｂ側において、絶縁層
５２上に裏面配線５６を形成する。その際、各裏面配線
５６の一端部を貫通孔６０に重ねて形成し、この貫通孔
および導電部６２を介して対応する走査配線３４に電気
的に接続する。なお、裏面配線５６は、走査配線、信号
配線等の内部配線よりも低い配線抵抗を有している。
【００４４】以上のように構成された第２基板１２を備
えたＳＥＤにおいて、前述した第１の実施の形態と同様
の作用効果を得ることができる。なお、本実施の形態に
おいて、裏面配線は５６は走査配線に限らず、信号配線
に接続してもよい。
えたＳＥＤにおいて、前述した第１の実施の形態と同様
の作用効果を得ることができる。なお、本実施の形態に
おいて、裏面配線は５６は走査配線に限らず、信号配線
に接続してもよい。
【００４５】その他、この発明は上述した実施の形態に
限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能
である。例えば、この発明は、グリッドを備えた画像表
示装置に限らず、グリッドを持たない画像表示装置にも
適用可能である。また、各構成要素の寸法、材質等は必
要に応じて適宜選択可能である。更に、電子源は、表面
伝導型の電子放出素子に限らず、電界放出型、カーボン
ナノチューブ等、種々選択可能である。また、この発明
は、上述したＳＥＤに限定されることなく、ＦＥＤ、Ｐ
ＤＰ等の他の平面型画像表示装置にも適用可能である。
限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能
である。例えば、この発明は、グリッドを備えた画像表
示装置に限らず、グリッドを持たない画像表示装置にも
適用可能である。また、各構成要素の寸法、材質等は必
要に応じて適宜選択可能である。更に、電子源は、表面
伝導型の電子放出素子に限らず、電界放出型、カーボン
ナノチューブ等、種々選択可能である。また、この発明
は、上述したＳＥＤに限定されることなく、ＦＥＤ、Ｐ
ＤＰ等の他の平面型画像表示装置にも適用可能である。
【００４６】
【発明の効果】以上の詳述したように、本発明によれ
ば、薄型、軽量化が可能であるとともに製造コストの低
減を図ることが可能な平面型の画層表示装置および画像
表示装置の製造方法を提供することができる。
ば、薄型、軽量化が可能であるとともに製造コストの低
減を図ることが可能な平面型の画層表示装置および画像
表示装置の製造方法を提供することができる。
【図１】この発明の実施の形態に係るＳＥＤを示す斜視
図。
図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿って破断した上記ＳＥＤの
斜視図。
斜視図。
【図３】上記ＳＥＤを拡大して示す断面図。
【図４】上記ＳＥＤの第２基板に設けられた配線および
電子放出素子の配列を示す平面図。
電子放出素子の配列を示す平面図。
【図５】上記ＳＥＤにおける第２基板の製造工程を概略
的に示す断面図。
的に示す断面図。
【図６】他の実施の形態に係る第２基板を示す断面図。
【図７】更に他の実施の形態に係る第２基板を示す断面
図。
図。
１０…第１基板
１２…第２基板
１４…側壁
１５…真空外囲器
１６…蛍光体スクリーン
１８…電子放出素子
２２…スペーサアッセンブリ
２４…グリッド
２６…電子ビーム通過孔
２８…スペーサ開孔
３４…走査配線
３６…信号配線
５０…金属基板
５０ａ…設置面
５０ｂ…裏面
５２…絶縁層
５６…裏面配線
６０…貫通孔
６２…導電部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｊ 29/88 Ｈ０１Ｊ 29/88
(72)発明者 石川 諭
埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２ 株式
会社東芝深谷工場内
(72)発明者 小柳津 聡子
埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２ 株式
会社東芝深谷工場内
Ｆターム(参考） 5C012 AA05 BB01
5C028 AA10
5C032 AA01 BB20 CC10 DD10 DE01
DE03 DF05 DF07 DG09 DG10
5C036 EE14 EE19 EF01 EF06 EF09
EG02 EG12 EG17 EH06 EH08
EH11
Claims (19)
- 【請求項１】画像表示面が設けられた第１基板と、前記
第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、
複数の電子源が設けられた第２基板と、を有し内部が真
空に維持された外囲器を備え、 前記第２基板は、少なくとも前記電子源が設けられた設
置面を絶縁層で被覆した金属基板により形成されている
ことを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項２】前記金属基板は、鉄、または、鉄を主体に
ニッケルおよびクロムの少なくとも一方を含んだ合金に
より形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
画像表示装置。 - 【請求項３】前記金属基板は、アルミニウム、珪素、マ
ンガンの少なくとも一種が添加されていることを特徴と
する請求項２に記載の画像表示装置。 - 【請求項４】前記第２基板は、前記金属板の設置面上に
前記絶縁層を介して設けられ前記電子源を駆動する複数
の配線を備えていることを特徴とする請求項１又は２に
記載の画像表示装置。 - 【請求項５】前記金属基板は、前記設置面に形成された
複数の溝を有し、前記配線は、前記絶縁層を介して前記
溝内にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項
４に記載の画像表示装置。 - 【請求項６】前記金属基板は、前記設置面と対向してい
るとともに絶縁層で被覆された裏面を有し、 前記第２基板は、前記金属板の設置面上に前記絶縁層を
介して設けられ前記電子源を駆動する複数の内部配線
と、前記内部配線よりも低い配線抵抗を有し前記金属板
の裏面上に前記絶縁層を介して設けられた複数の裏面配
線と、前記金属板および絶縁層を貫通して形成された複
数の貫通孔と、それぞれ前記貫通孔内に設けられ前記内
部配線と裏面配線とを電気的に接続した導電部と、を備
えたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項
に記載の画像表示装置。 - 【請求項７】前記金属基板は、電気的に接地されている
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記
載の画像表示装置。 - 【請求項８】前記電子源は、表面伝導型の電子放出素子
を備えていることを特徴とする請求項１ないし７のいず
れか１項に記載の画像表示装置。 - 【請求項９】前記第１基板および第２基板の間に設けら
れ第１基板および第２基板に作用する大気圧荷重を支持
した複数のスペーサと、 前記第１基板および第２基板の間に、これら第１および
第２基板と対向して配設されているとともに、前記電子
源から放出された電子を透過する複数の開孔を有したグ
リッドと、を備え、 前記スペーサは前記グリッドと一体的に形成されている
ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記
載の画像表示装置。 - 【請求項１０】前記金属基板は、前記グリッドと同一の
材料で形成されていることを特徴とする請求項９に記載
の画像表示装置。 - 【請求項１１】前記絶縁層は、前記金属板と電子源との
間に位置しＳｉＯ２で形成された絶縁層を含んでいるこ
とを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記
載の画像表示装置。 - 【請求項１２】画像表示面が設けられた第１基板と、前
記第１基板に隙間を置いて対向配置されているととも
に、複数の電子源が設けられた第２基板と、を有し内部
が真空の外囲器を備えた画像表示装置の製造方法におい
て、 所望の厚さを有した金属基板を用意し、 前記金属基板の少なくとも一方の表面上に絶縁層を形成
し、 前記絶縁層上に電子源および電子源を駆動する配線を形
成し、前記第２基板を構成することを特徴とする画像表
示装置の製造方法。 - 【請求項１３】画像表示面が設けられた第１基板と、前
記第１基板に隙間を置いて対向配置されているととも
に、複数の電子源が設けられた第２基板と、を有し内部
が真空の外囲器を備えた画像表示装置の製造方法におい
て、 所望の厚さを有した金属基板を用意し、 前記金属基板の少なくとも絶縁層を形成する面を酸化処
理して、金属基板の表面に金属基板の成分からなる酸化
物層を形成し、 前記金属基板の少なくとも一方の表面上に絶縁層を形成
し、 前記絶縁層上に電子源および電子源を駆動する配線を形
成し、前記第２基板を構成することを特徴とする画像表
示装置の製造方法 - 【請求項１４】前記金属基板の前記一方の表面に複数の
溝を形成した後、前記絶縁層を形成し、前記絶縁層を介
して前記溝内に配線の一部を形成することを特徴とする
請求項１３に記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項１５】前記金属基板の表面をハーフエッチング
することにより前記溝を形成することを特徴とする請求
項１４に記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項１６】前記絶縁層を介して前記溝に導電ペース
トを充填し、乾燥、焼成して前記配線を形成することを
特徴とする請求項１４又は１５に記載の画像表示装置の
製造方法。 - 【請求項１７】画像表示面が設けられた第１基板と、前
記第１基板に隙間を置いて対向配置されているととも
に、複数の電子源が設けられた第２基板と、を有し内部
が真空の外囲器を備えた画像表示装置の製造方法におい
て、 所望の厚さを有した金属基板を用意し、 前記金属基板に複数の貫通孔を形成し、 前記金属基板の両面および各貫通孔の内面上に絶縁層を
形成し、 前記貫通孔に導電材を充填して導電部を形成し、 前記金属基板の一方の表面に形成された前記絶縁層上
に、電子源を形成するとともに、一部が前記導電部と接
続するように複数の内部配線を形成して前記第２基板を
構成し、 前記電子源および内部配線が形成された第２基板と、前
記画像表示面が設けられた第１基板とを、前記電子源お
よび前記画像表示面が対向した状態で互いに接合して外
囲器を形成し、 前記外囲器を形成した後、前記金属基板の他方の表面に
形成された前記絶縁層上に、前記内部配線よりも低い配
線抵抗を有した複数の外部配線をそれぞれ前記導電部と
接続するよう形成することを特徴とする画像表示装置の
製造方法。 - 【請求項１８】画像表示面が設けられた第１基板と、前
記第１基板に隙間を置いて対向配置されているととも
に、複数の電子源が設けられた第２基板と、を有し内部
が真空の外囲器を備えた画像表示装置の製造方法におい
て、 所望の厚さを有した金属基板を用意し、 前記金属基板に複数の貫通孔を形成し、 前記金属基板の少なくとも絶縁層を形成する面を酸化処
理して、金属基板の表面に金属基板の成分からなる酸化
物層を形成し 前記金属基板の両面および各貫通孔の内面上に絶縁層を
形成し、 前記貫通孔に導電材を充填して導電部を形成し、 前記金属基板の一方の表面に形成された前記絶縁層上
に、電子源を形成するとともに、一部が前記導電部と接
続するように複数の内部配線を形成して前記第２基板を
構成し、 前記電子源および内部配線が形成された第２基板と、前
記画像表示面が設けられた第１基板とを、前記電子源お
よび前記画像表示面が対向した状態で互いに接合して外
囲器を形成し、 前記外囲器を形成した後、前記金属基板の他方の表面に
形成された前記絶縁層上に、前記内部配線よりも低い配
線抵抗を有した複数の外部配線をそれぞれ前記導電部と
接続するよう形成することを特徴とする画像表示装置の
製造方法。 - 【請求項１９】液相析出法、大気開放型化学気相析出
法、蒸着法、スプレーコーティング法のいずれかにより
前記絶縁層を形成することを特徴とする請求項１２ない
し１８のいずれか１項に記載の画像表示装置の製造方
法。
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