WO2003088301A1

WO2003088301A1 - Ecran d'affichage d'images et procede de fabrication

Info

Publication number: WO2003088301A1
Application number: PCT/JP2003/004110
Authority: WO
Inventors: Shigeo Takenaka; Masaru Nikaido; Satoshi Ishikawa; Satoko Oyaizu
Original assignee: Kabushiki Kaisha Toshiba
Priority date: 2002-04-17
Filing date: 2003-03-31
Publication date: 2003-10-23
Also published as: KR20040099440A; TWI287817B; CN1647233A; US20050046333A1; US7071610B2; KR100704801B1; EP1496539A1; JP2003308798A; US20060211324A1; TW200306605A

Description

明細書

画像表示装置および画像表示装置の製造方法

技術分野

本発明は、平面型の画像表示装置および画像表示装置の製造方法に関し、特に、対向配置された基板と、一方の基板の内面に配設された複数の電子源と、を有した平面型の画像表示装置および画像表示装置の製造方法に関する。

背景技術

近年、高品位放送用あるいはこれに伴う高解像度の画像表示装置が望まれており、そのスクリーン表示性能については一段と厳しい性能が要望されている。これら要望を達成するためにはスクリーン面の平坦化、高解像度化が必須であり、同時に軽量、薄型化も図らねばならない。

そこで、陰極線管（以下、 C R T と称する）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型画像表示装置が開発されている。このような画像表示装置には、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ（以下、 L C D と称する）、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル（以下、 P D P と称する）、蛍光体のエレクト口ルミネッセンス（ E L ) 現象を利用した表示装置、電界放出型電子放出素子の電子ビームによリ蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ (以下、 F E D と称する）、 F E Dの一種で表面伝導型電子放出素子の電子ビームによリ蛍光体を発光させる表面伝導ェミッションディスプレイ（以下、 S E D と称する）などがある。

例えば、 S E Dは、所定の隙間を置いて対向配置された第 1 基板および第 2基板を有している。通常、これらの基板は板厚 2 . 8 m m程度のガラス板で形成され、その周縁部同士が直接あるいは矩形枠状の側壁を介して互いに接合され真空外囲器を構成している。第 1 基板の内面には画像表示面として機能する蛍光体層が形成され、第 2 基板の内面には、蛍光体層を励起して発光させる電子源として複数の電子放出素子が設けられている。

第 1 基板および第 2基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には支持部材として複数のスぺ一ザが配設されている。この S E D において、画像を表示する場合、蛍光体層にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをァノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。

このような S E D では、電子放出素子の大きさがマイクロメートルオーダーであり、第 1 基板と第 2 基板との間隔をミリメートルオーダーに設定することができる。このため、 S E D は、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されている C R T と比較して、高解像度化、軽量化、薄型化を達成することが可能となる。

上述したように、このような平面型画像表示装置では、第 1 および第 2 基板としてガラス板を用いている。しかしながら、この場合、強度上の問題から基板を今以上に薄く形成することが困難であり、画像表示装置を一層薄型、軽量にする上で 1 つの障害となる。また、このガラス基板の強度問題は、第 1 基板および第 2基板間に配置されたスぺーザのピッチ、幅、径、高さばらつき等に多くの制約を与え、高精細化や低コスト化の阻害要因となっている。更に、ガラス板は金属板に比較して加工形成等が面倒であり、製造コストの軽減を図るためには何らかの対策を施す必要がある。周知の通リガラス板は割れ易く製造工程中における取扱いが面倒となる。発明の開示

本発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、薄型、軽量化が可能であるとともに、将来の更なる高精細化に備え、製造コストの低減を図ることが可能な平面型の画像表示装置および画像表示装置の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、この発明の態様に係る平面型の画像表示装置は、画像表示面が設けられた第 1 基板と、前記第 1 基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、複数の電子源が設けられた第 2基板と、を有し内部が真空に維持された外囲器を備え、前記第 2基板は、少なくとも上記電子源が設けられた設置面を絶縁層で被覆した金属基板によリ形成されている。

この発明の他の態様に係る画像表示装置の製造方法は、画像表示面が設けられた第 1 基板と、前記第 1 基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、複数の電子源が設けられた第 2基板と、を有し内部が真空の外囲器を備えた画像表示装置の製造方法において、所望の厚さを有した金属基板を用意し、前記金属基板の少なくとも一方の表面上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に電子源および電子源を駆動する配線を形成し、前記第 2基板を構成することを特徴としている。

上記画像表示装置および画像表示装置の製造方法によれば、金属基板に絶縁材料を被覆してなる複合材で第 2 基板を構成することにより、ガラス板等を用いた場合に比較して、第 2 基板の機械的強度が大幅に向上し、第 2基板を薄く形成することが可能となる。これにより、画像表示装置全体の薄型化および軽量化を図ることができる。同時に、ガラス板に比較して第 2基板の加工および配線の形成等が容易であり、製造コストを軽減できるとともに、製造工程中における基板の取扱いが容易となる。

図面の簡単な説明

図 1 は、この発明の実施の形態に係る S E D を示す斜視図。図 2 は、図 1 の線 I I一 I I に沿って破断した上記 S E Dの斜視図。

図 3 は、上記 S E D を拡大して示す断面図。

図 4 は、上記 S E Dの第 2 基板に設けられた配線および電子放出素子の配列を示す平面図。

図 5 A ないし 5 C は、上記 S E Dにおける第 2 基板の製造工程を概略的に示す断面図。

図 6 は、他の実施の形態に係る第 2基板を示す断面図。

図 7 は、更に他の実施の形態に係る第 2基板を示す断面図。発明を実施するための最良の形態以下図面を参照しながら、この発明を、平面型の画像表示装置として F E Dの一種である S E D に適用した実施の形態について詳細に説明する。

図 1 なし、し図 3 に示すように、この S E D は、それぞれ矩形状の第 1 基板 1 0 および第 2基板 1 2 を備え、これらの基板は約 1 . 0 〜 2 . 0 m mの隙間を置いて対向配置されている。第 1 基板 1 0 は、透明な絶縁基板としてガラス板により形成されている。第 2 基板 1 2 は、後述するように、例えば、板厚 0 . 1 ~ 0 . 5 m m程度の金属基板を絶縁材料で被覆してなる複合材で形成され、第 1 基板 1 0 よりも僅かに大きな寸法に形成されている。第 1 基板 1 0 および第 2 基板 1 2 は、ガラスで形成された矩形枠状の側壁 1 4 を介して周縁部同志が接合され、内部が真空に維持された偏平な矩形状の真空外囲器 1 5 を構成している。なお、側壁 1 4 は、絶縁材料で被覆された金属により形成してもよい。

第 1 基板 1 0 の内面には画像表示面として蛍光体スクリーン 1 6 が形成されている。この蛍光体スクリーン 1 6 は、電子の衝突により赤、青、緑に発光する蛍光体層 R、 G、 B、および遮光層 1 1 を並べて構成されている。蛍光体層 R、 G 、 B はストライプ状あるいはドッ卜状に形成されている。蛍光体スクリーン 1 6 上には、アルミニウム等からなるメタルパ、ック 1 7 、および図示しないゲッタ膜が順に形成されている。なお、第 1 基板 1 0 と蛍光体スクリーンとの間に、例えば I T O等からなる透明導電膜あるいはカラーフィルタ膜を設けてもよし、 _n 接合部材として機能する側壁 1 4 は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材 2 0 により、第 2 基板 1 2 の周縁部および第 1 基板 1 0 の周縁部に封着され、第 1 基板および第 2 基板同志を接合している。

図 2 および図 3 に示すように、 S E Dは、第 1 基板 1 0 および第 2基板 1 2 の間に配設されたスぺーサアッセンプリ 2 2 を備えている。スぺーサアッセンプリ 2 2 は、板状のグリッド 2 4 と、グリッドの両面に一体的に立設された複数の柱状のスぺ一ザと、を備えて構成されている。

詳細に述べると、グリッド 2 4 は第 1 基板 1 0 の内面に対向した第 1 表面 2 4 a および第 2基板 1 2 の内面に対向した第 2 表面 2 4 b を有し、これらの基板と平行に配置されている。グリッド 2 4 は、例えば、鉄または鉄を主体としニッケルおよびクロムの少なくとも一方を含む合金等により形成されている。

グリッド 2 4 には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔 2 6 および複数のスぺーサ開孔 2 8 が形成されている。この発明における開孔として機能する電子ビーム通過孔 2 6 は、それぞれ電子放出素子 1 8 に対向して配列されている。また、スぺーサ開孔 2 8 は、それぞれ電子ビーム通過孔間に位置し所定のピッチで配列されている。

グリツド 2 4 の第 1 表面 2 4 a 上には、各スぺーサ開孔 2 8 に重ねて第 1 スぺーサ 3 0 a がー体的に立設されている。各第 1 スぺーサ 3 0 a の延出端にはインジウム層が塗布され、スぺ一サ高さのばらつきを緩和する高さ緩和層 3 1 を構成している。そして、各第 1 スぺーサ 3 0 a の延出端は、高さ緩和層 3 1 、ゲッタ膜、メタルバック 1 フおよび蛍光体スクリーン 1 6の遮光層 1 1 を介して第 1 基板 1 0の内面に当接している。高さ緩和層 3 1 は、電子ビームの軌道に何ら影響を与えるものではなく、スぺーサの高さばらつきの緩和効果がある適当な硬度を持つものであれば、金属に限定されるものではない。もちろん、スぺーサ自身で高さばらつきが抑制されれば、高さ緩和層 3 1 は不要である。

グリツド 2 4の第 2表面 2 4 b上には、各スぺーサ開孔 2 8 に重ねて第 2 スぺーサ 3 0 b がー体的に立設され、その延出端は、第 2基板 1 2の内面に当接している。各スぺ一サ開孔 2 8、第 1 および第 2 スぺ一サ 3 0 a 、 3 0 b は互いに整列して位置し、第 1 および第 2スぺ一サはこのスぺーサ開孔 2 8 を介して互いに一体的に連結されている。これにより、第 1 および第 2 スぺ一サ 3 0 a 、 3 0 b は、グリッド 2 4 を両面側から挟み込んだ状態でグリツド 2 4 と一体的に形成されている。第 1 および第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 0 b の各々は、グリッド 2 4側から延出端に向かって径が小さくなつた先細テーパ状に形成されている。

図 2および図 3 に示すように、上記構成のスぺーサアツセンブリ 2 2 は第 1 基板 1 0 および第 2基板 1 2間に配設されてし、る。そして、第 1 および第 2スぺーサ 3 0 a 、 3 0 b は、第 1 基板 1 0 および第 2基板 1 2の内面に当接することによリ、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。図 2ないし図 4 に示すように、第 2基板 1 2の内面には、蛍光体スクリーン 1 6 の蛍光体層を励起する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子 1 8が設けられている。これらの電子放出素子 1 8 は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子 1 8 は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。

第 2基板 1 2上には、電子放出素子 1 8 に電圧を印加する多数本の内部配線がマトリック状に設けられている。すなわち、図 3 および図 4 に示すように、第 2基板 1 2 の内面上には、第 2基板の長手方向 X に沿って互いに平行に延びた多数の走査配線（ X配線） 3 4 、および走査配線と直交する方向 Yに沿って延びた多数の信号配線（ Y配線） 3 6が形成されている。走査配線 3 4は 4 8 0本、信号配線 3 6 は 6 4 0 X 3本設けられ、配線ピッチはそれぞれ 9 0 0 m、 3 0 0 β mとなってし、る。

各走査配線 3 4 の一端は走査線駆動回路 3 8 に接続され、各信号配線 3 6 の一端は信号線駆動回路 4 0 に接続されている。走査線駆動回路 3 8 は、電子放出素子 1 8 を駆動制御するための駆動電圧を走査配線 3 4 に供給し、信号線駆動回路 4 0は、表示信号電圧を信号配線 3 6 に供給する。

図 4 に 2 点鎖線で示す表示領域 4 2 において、走査配線 3 4 と信号配線 3 6 との各交差部に電子放出素子 1 8が接続され、画素を形成している。電子放出素子 1 8 は、各走査配線 3 4 に沿って 6 4 0 X 3個、各信号配線 3 6 に沿って 4 8 0 個設けられている。

図 2 に示すように、 S E Dは、グリッド 2 4 および第 1 基板 1 0のメタルノくック 1 7 にアノード電圧を印加する電圧供給部 5 1 を備えている。この電圧供給部 5 1 は、グリッド 2 4 およびメタルバック 1 7 にそれぞれ接続され、例えば、グリツド 2 4 に 1 2 k V、メタルバック 1 7 に 1 0 k Vの電圧を印加する。この S E D において、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン 1 6 およびメタルバック 1 7 にアノード電圧が印加され、電子放出素子 1 8 から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン 1 6へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン 1 6 の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。

前述したように、 S E Dの第 2基板 1 2 は、金属基板を絶縁材料で被覆してなる複合材から形成されている。図 3 から良く分かるように、第 2 基板 1 2 は、例えば、板厚 0 . 1 〜 0 . 5 m mの金属基板 5 0 と、この金属基板の少なくとも第 1 基板と対向する表面、すなわち、電子放出素子 1 8 が設けられた設置面 5 0 a 、に被覆形成された絶縁層 5 2 とを備えている。金属基板 5 0 は、グリッド 2 4 と同一の材料、例えば、鉄または鉄を主体としニッケルおよびクロムの少なくとも一方を含む合金等により形成されている。絶縁層 5 2 は、液相析出法、大気開放型化学気相析出法、蒸着法、スプレーコーティング法のいずれかによリ形成されている。

金属基板 5 0 の設置面 5 0 a には、丫方向に沿って互いに平行に延びた多数の溝 5 4 が形成され、絶縁層 5 2 はこれらの溝に重ねて形成されている。電子放出素子 1 8 、走査配線 3 4 、および信号配線 3 6 は、絶縁層 5 2 上に設けられている。本実施の形態において、信号配線 3 6 は、それぞれ溝 5 4 内に位置した状態で絶縁層 5 2 上に形成されている。そして、第 2 基板 1 2 の金属基板 5 0 は図示しないグランドに接続され、電気的に接地されている。

上記構成の第 2基板 1 2 は以下の工程により製造される。まず、図 5 A に示すように、 F e — 5 0 % N i (不可避不純物を含む）を 0 . 2 5 m mの厚さまで圧延して所定寸法の金属板を形成する。次いで、金属板の一方の表面（設置面 5 0 a ) に深さ 0 . 1 m m、幅 0 . 1 5 m m、ピッチ 0 . 6 1 5 m mの溝 5 4 をフォトエッチング法で形成する。その後、レベリングしながら金属板を所定のサイズにカットし、金属基板 5 0 を得る。

続いて、図 5 B に示すように、金属基板 5 0 を酸化雰囲気中で酸化処理し、金属基板の設 S面 5 0 a に F e ₃ O ₄ および F e 2 N i O 4 からなる酸化膜を形成する。次に、超微粒子タイプ 2 流体ノズルを用いて、金属基板 5 0 の酸化膜上に

L i 系ホウ珪酸アルカリガラスを含む液を塗布し、乾燥および焼成することにより絶縁層 5 2 を形成する。更に、金属基板 5 0 をシリコンのアルコキシド溶液にデッピングし、引き上げ、焼成を行い、 L ί 系ホウ珪酸アルカリガラスからなる絶縁層 5 2上に S i 0 ₂膜を形成し、絶縁層の一部とする。

続いて、図 5 C に示すように、 S i O 2膜および絶縁層 5

2 を介して各溝 5 4 に、 A g を含む導電ペーストを充填し、乾燥、焼成することにより信号配線 3 6 とした。その後、既存のプロセスにより、 S i O 2膜を含む絶縁層 5 2 上に残りの配線、電子放出素子 1 8 を形成し、第 2 基板 1 2 を得た。

以上のように構成された S E D によれば、金属基板 5 0 およびその表面に被覆形成された絶縁層 5 2 によって第 2基板 1 2 を構成することにより、ガラス板を用いた場合に比較して第 2基板の機械的強度を大幅に上げることができる。そのため、ガラス板を用いる場合に比較して、第 2 基板 1 2 の板厚をほぼ 1 Z 1 0 以下にすることが可能となり、 S E D全体の薄型化および軽量化を図ることができる。同時に、第 2基板 1 2 は、ガラス板に比較して加工および配線の形成等が容易であり、製造コストの軽減を図ることができ、更に、第 2 基板 1 2 は割れ難く、製造工程中における取扱いが容易となる。

第 2 基板 1 2 の設置面 5 0 a に溝 5 4 を形成し、これらの溝内に絶縁層 5 2 を介して信号配線 3 6 を設けることにより、第 2基板 1 2 の一層の薄型化を図ることが可能となる。なお、溝 5 4 を設けることなく、絶縁層 5 2 上に信号配線 3 6 を形成することも可能である。

第 2基板 1 2 において、絶縁層 5 2 は金属基板 5 0の設置面 5 0 a 側のみに設ける構成としたが、図 6 に示すように、金属基板 5 0 の外面全体を絶縁層 5 2 で被覆する構成としてもよい。

この場合、第 2基板 1 2 は以下の工程により製造することができる。まず、 F e — 5 0 % N i (不可避不純物を含む） 04110

1 2 を 0 . 2 5 m mの厚さまで圧延し、レべリングしながら所定のサイズにカットして金属基板 5 0 を形成する。その後、金属基板 5 0 を化成処理し、 O H基を有する黒化膜を金属基板表面に形成する。

続いて、二酸化珪素が過飽和状態になった 2 5 °Cのケィフッ化水素酸に、金属基板 5 0 を浸潰し、金属基板の表面に S i 0 ₂ からなる絶縁層 5 2 を形成する。更に、 4 0 0 °C以上の大気中で熱処理し S i 0 ₂ からなる絶縁層 5 2 の緻密化処理を行なう。この緻密化処理は省略することもできる。その後、絶縁層 5 2 上に既存のプロセスで配線および電子放出素子を形成し、第 2基板 1 2 を得る。

このように構成された第 2 基板 1 2 を用いた場合でも上述した第 1 の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。図 7 に示すように、第 2基板 1 2 は、裏面に形成された裏面配線を有する構成としてもよい。詳細には、第 2基板 1 2 は金属基板 5 0 と金属基板の設置面 5 0 a および裏面 5 0 b を覆った絶縁層 5 2 とを有している。設置面 5 0 a 上には、上述した実施の形態と同様に、多数の走査配線 3 4 、信号配線 3 6 、および電子放出素子 1 8 が形成され、裏面 5 0 b 側には、多数本の裏面配線 5 6 が形成されている。本実施の形態おいて、裏面配線 5 6 は走査配線 3 4 と平行な方向に延びている。

第 2基板 1 2 の一端部には多数の貫通孔 6 0 が所定のピッチで形成され、各貫通孔には導電体が充填され導電部 6 2 を形成している。各裏面配線 5 6 は、対応する導電部 6 2 を介して走査配線 3 4 に電気的に接続されている。

このような構成の第 2基板 1 2 は以下の工程により製造することができる。まず、アルミキルド鋼を 0 . 1 2 m mの厚さまで圧延し、圧延された金属板に径 0 . 1 m mの貫通孔 6 0 をピッチ 0 . 6 1 5 m mでフォトエッチング法により形成する。その後、レべリングしながら金属板を所定のサイズにカットし、金属基板 5 0 を得る。

続いて、金属基板 5 0 を酸化雰囲気中で酸化処理し、金属基板の設置面 5 0 a および裏面 5 0 b に F e 3 O 4 および F e 2 N i O 4 の少なくとも一方からなる酸化膜を形成する。次に、微粒子タイプ 2流体ノズルを用いて、金属基板 5 0 の酸化膜上にし ί 系ホウ珪酸アルカリガラスを含む液を塗布し、乾燥および焼成することにより金属基板 5 0 の設置面 5 0 a 、裏面 5 0 b 、および各貫通孔 6 0 の内面に絶縁層 5 2 を形成する。更に、金属板 5 0 をシリコンのアルコキシド溶液にデッビングし、引き上げ、焼成を行い、し i 系ホウ珪酸アル力リガラスからなる絶縁層 5 2 上に S i O ₂膜を形成する。その後、各貫通孔 6 0 内に導電体として A g を含む導電ペース卜を充填し、乾燥、焼成するにより導電部 6 2 を形成する。続いて、設置面 5 0 a 側において、既存のプロセスによリ、 S i O 2膜を含む絶縁層 5 2 上に走査配線 3 4 、信号配線 3

6 および電子放出素子 1 8 を形成する。その際、各走査配線

3 4 の一端部を貫通孔 6 0 の一端に重ねて形成し、導電部 6 2 に電気的に接続する。

上記第 2 基板を用いて S E D を組立てた後、第 2基板 1 2 の裏面 5 0 b 側において、絶縁層 5 2 上に裏面配線 5 6 を形成する。その際、各裏面配線 5 6 の一端部を貫通孔 6 0 に重ねて形成し、この貫通孔および導電部 6 2 を介して対応する走査配線 3 4 に電気的に接続する。なお、裏面配線 5 6 は、走査配線、信号配線等の内部配線よりも低い配線抵抗を有している。

以上のように構成された第 2 基板 1 2 を備えた S E D によれぱ、前述した第 1 の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。なお、本実施の形態において、裏面配線は 5 6 は走査配線に限らず、信号配線に接続してもよい。

その他、この発明は上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、この発明は、グリッドを備えた画像表示装置に限らず、グリッドを持たない画像表示装置にも適用可能である。また、各構成要素の寸法、材質等は必要に応じて適宜選択可能である。電子源は、表面伝導型の電子放出素子に限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等、種々選択可能である。また、この発明は、上述した S E D に限定されることなく、 F E D 、 P D P等の他の平面型画像表示装置にも適用可能である。

産業上の利用可能性

本発明によれば、薄型、軽量化が可能であるとともに製造コス卜の低減を図ることが可能な平面型の画層表示装置および画像表示装置の製造方法を提供することができる。

Claims

請求の範囲

1 . 画像表示面が設けられた第 1 基板と、前記第 1 基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、複数の電子源が設けられた第 2基板と、を有し内部が真空に維持された外囲器を備え、

前記第 2基板は、前記電子源が設けられた設置面を有する金属基板により形成され、少なくとも上記設置面は絶縁層で被覆されている画像表示装置。

2 . 前記金属基板は、鉄、または、鉄を主体にニッケルおよびクロムの少なくとも一方を含んだ合金によリ形成されている請求項 1 に記載の画像表示装置。

3 . 前記金属基板は、アルミニウム、珪素、マンガンの少なくとも一種が添加されている請求項 2 に記載の画像表示装置。

4 . 前記第 2基板は、前記金属基板の設置面上に前記絶縁層を介して設けられ前記電子源を駆動する複数の配線を備えている請求項 1 に記載の画像表示装置。

5 . 前記金属基板は、前記設置面に形成された複数の溝を有し、前記配線は、前記絶縁層を介して前記溝内にそれぞれ設けられている請求項 4 に記載の画像表示装置。

6 . 前記金属基板は、前記設置面と対向しているとともに絶縁層で被覆された裏面を有し、

前記第 2基板は、前記金属板の設置面上に前記絶縁層を介して設けられ前記電子源を駆動する複数の内部配線と、前記内部配線よリも低い配線抵抗を有し前記金属板の裏面上に前記絶縁層を介して設けられた複数の裏面配線と、前記金属基板および絶縁層を貫通して形成された複数の貫通孔と、それぞれ前記貫通孔内に設けられ前記内部配線と裏面配線とを電気的に接続した導電部と、を備えている請求項 1 に記載の画像表示装置。

7 . 前記金属基板は、電気的に接地されている請求項 1 、 4ないし 6のいずれか 1 項に記載の画像表示装置。

8 . 前記電子源は、表面伝導型の電子放出素子を備えている請求項 1 、 4 ないし 6 のいずれか 1 項に記載の画像表示

9 . 前記第 1 基板および第 2基板の間に設けられ第 1 基板および第 2基板に作用する大気圧荷重を支持した複数のスぺーサと、

前記第 1 基板および第 2基板の間に、これら第 1 および第 2基板と対向して配設されているとともに、前記電子源から放出された電子を透過する複数の開孔を有したグリッドと、を備え、

前記スぺーサは前記グリツドと一体的に形成されている請求項 1 、 4ないし 6のいずれか 1 項に記載の画像表示装置。

1 0 . 前記金属基板は、前記グリッドと同一の材料で形成されている請求項 9 に記載の画像表示装置。

1 1 . 前記絶縁層は、前記金属板と電子源との間に位置し S i O ₂で形成された絶縁層を含んでいる請求項 1 、 4ないし 6のいずれか 1 項に記載の画像表示装置。

1 2 . 画像表示面が設けられた第 1 基板と、前記第 1 基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、複数の電子源が設けられた第 2 基板と、を有し内部が真空の外囲器を備えた画像表示装置の製造方法において、

所望の厚さを有した金属基板を用意し、

前記金属基板の少なくとも一方の表面上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に電子源および電子源を駆動する配線を形成し、前記第 2 基板を構成する画像表示装置の製造方法。

1 3 . 画像表示面が設けられた第 1 基板と、前記第 1 基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、複数の電子源が設けられた第 2 基板と、を有し内部が真空の外囲器を備えた画像表示装置の製造方法において、

所望の厚さを有した金属基板を用意し、

前記金属基板の少なくとも一方の表面を酸化処理して、金属基板の成分からなる酸化物層を形成し、

前記金属基板の少なくとも一方の表面上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に電子源および電子源を駆動する配線を形成し、前記第 2基板を構成する画像表示装置の製造方法

1 4 . 前記金属基板の前記少なくとも一方の表面に複数の溝を形成した後、前記絶縁層を形成し、前記絶縁層を介して前記溝内に配線の一部を形成する請求項 1 3 に記載の画像表示装置の製造方法。

1 5 . 前記金属基板の表面をハーフエッチングすることにより前記溝を形成する請求項 1 4 に記載の画像表示装置の製造方法。

1 6 . 前記絶縁層を介して前記溝に導電ペース卜を充填し、乾燥、焼成して前記配線を形成する請求項 1 4 又は 1 5 に記載の画像表示装置の製造方法。

1 7 . 画像表示面が設けられた第 1 基板と、前記第 1 基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、複数の電子源が設けられた第 2基板と、を有し内部が真空の外囲器を備えた画像表示装置の製造方法において、

所望の厚さを有した金属基板を用意し、

前記金属基板に複数の貫通孔を形成し、

前記金属基板の両面および各貫通孔の内面上に絶縁層を形成し、

前記貫通孔に導電材を充填して導電部を形成し、

前記金属基板の一方の表面に形成された前記絶縁層上に、電子源を形成するとともに、一部が前記導電部と接続するように複数の内部配線を形成して前記第 2基板を構成し、前記電子源および内部配線が形成された第 2基板と、前記画像表示面が設けられた第 1 基板とを、前記電子源および前記画像表示面が対向した状態で互いに接合して外囲器を形成し、

前記外囲器を形成した後、前記金属基板の他方の表面に形成された前記絶縁層上に、前記内部配線よりも低い配線抵抗を有した複数の外部配線をそれぞれ前記導電部と接続するよう形成する画像表示装置の製造方法。

1 8 . 画像表示面が設けられた第 1 基板と、前記第 1 基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、複数の電子源が設けられた第 2 基板と、を有し内部が真空の外囲器を備えた画像表示装置の製造方法において、

所望の厚さを有した金属基板を用意し、

前記金属基板に複数の貫通孔を形成し、

前記金属基板の少なくとも一方の表面を酸化処理して、金属基板の成分からなる酸化物層を形成し

前記貫通孔に導電材を充填して導電部を形成し、

前記金属基板の一方の表面に形成された前記絶縁層上に、電子源を形成するとともに、一部が前記導電部と接続するように複数の内部配線を形成して前記第 2基板を構成し、前記電子源および内部配線が形成された第 2 基板と、前記画像表示面が設けられた第 1 基板とを、前記電子源および前記画像表示面が対向した状態で互いに接合して外囲器を形成し、

1 9 . 液相析出法、大気開放型化学気相析出法、蒸着法、スプレーコーティング法のいずれかによリ前記絶縁層を形成する請求項 1 2 ないし 1 8 のいずれか 1 項に記載の画像表示装置の製造方法。