JP4934996B2 - 平面型表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、平面型表示装置及びその製造方法に関する。

現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの冷陰極電子源から構成された電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。

冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する場合がある）は、一般に、２次元マトリクス状に配列された各画素に対応した電子放出領域を有するカソードパネルと、電子放出領域から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体層を有するアノードパネルとが、真空層を介して対向配置された構成を有する。電子放出領域には、通常、１又は複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する場合がある）が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。

一例として、スピント型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図を図１８に示し、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図１９に示す。この表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａと、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。

あるいは又、略平面状の電子放出部１５Ａを有する、所謂扁平型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図を図２０に示す。この電界放出素子は、支持体１０上に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された電子放出部１５Ａから構成されている。電子放出部１５Ａは、例えば、マトリックスに一部分が埋め込まれた多数のカーボン・ナノチューブから構成されている。

これらの表示装置において、カソード電極１１は、第１方向（図１８〜図２０においてＹ軸方向）に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、第１方向とは異なる第２方向（図１８〜図２０においてＸ軸方向）に延びる帯状である。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。帯状のカソード電極１１と帯状のゲート電極１３とが重複する重複領域が、電子放出領域ＥＡであり、１サブピクセルの領域に相当する。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域（表示装置の表示領域に対応する領域）内に、通常、２次元マトリックス状に配列されている。

一方、アノードパネルＡＰは、基板２０上に所定のパターンを有する蛍光体層２２（具体的には、赤色発光蛍光体層２２Ｒ、緑色発光蛍光体層２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体層２２Ｂ）が形成され、蛍光体層２２がアノード電極２４で覆われた構造を有する。尚、これらの蛍光体層２２の間は、カーボン等の光吸収材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。尚、図中、参照番号２１は隔壁を表し、参照番号４０は例えば板状のスペーサを表し、参照番号２５はスペーサ保持部を表し、参照番号２６は枠体を表し、参照番号１６は収束電極を表し、参照番号１７は層間絶縁層を表す。図１９及び図２０においては、隔壁やスペーサ、スペーサ保持部、収束電極の図示を省略した。

アノード電極２４は、蛍光体層２２からの発光を反射させる反射膜としての機能の他、蛍光体層２２の帯電防止といった機能を有する。また、隔壁２１は、後方散乱電子が他の蛍光体層２２に衝突し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを軽減する機能を有する。

１サブピクセルは、カソードパネルＣＰ側の電子放出領域ＥＡと、これらの電界放出素子の一群に対面したアノードパネルＡＰ側の蛍光体層２２とによって構成されている。カラー表示の表示装置においては、１画素（１ピクセル）は、赤色発光、緑色発光、及び、青色発光のサブピクセルの組から構成されている。表示装置の表示領域には、カソードパネルＣＰの有効領域に対応するように、係る画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて形成されている。

そして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域ＥＡと蛍光体層２２とが対向するように配置し、周縁部において枠体２６を介して接合した後、排気し、封止することによって、表示装置を作製することができる。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２６とによって囲まれた空間は高真空（例えば、１×１０^-3Ｐａ以下）となっている。

カソード電極１１には相対的に負電圧がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧がゲート電極制御回路３２から印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路３３から印加される。係る表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２からビデオ信号を入力する。あるいは、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２から走査信号を入力する。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５，１５Ａから電子が放出され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４を通過して蛍光体層２２に衝突する。その結果、蛍光体層２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この冷陰極電界電子放出表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧、及び、カソード電極１１に印加される電圧によって制御される。

このような表示装置においては、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２６とによって囲まれた空間が高真空となっているが故に、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間に例えば板状のスペーサ４０を配しておかないと、大気圧によって表示装置が損傷を受けてしまう。図１８に示される表示装置にあっては、スペーサ保持部２５によりスペーサ４０が保持されている。スペーサ保持部２５は、スペーサ保持部２５が表示画像に影響を与えることを防ぐため、光吸収層２３と重なる位置に設けられている。

特開２００３−２２９０８１号公報に開示された平面型表示装置にあっては、光吸収層の上に形成された隔壁の端部によりスペーサ保持部を形成している。更には、特開２０００−１５６１８１号公報に開示された平面型表示装置にあっては、板状のスペーサの板面に接してスペーサを植立支持させる支持体（スペーサ保持部）を、光吸収部の配置部に相当する位置に限定的に設けている。

また、特開平７−２６２９３９号公報に開示された画像表示装置にあっては、前面板の上に形成された画像形成部材を囲む包囲部材上に位置決め部材（スペーサ保持部）を形成し、一対の位置決め部材の間に支柱（スペーサ）を嵌め込んでいる。

特開平７−２６２９３９号公報 特開２０００−１５６１８１号公報 特開２００３−２２９０８１号公報

ところで、スペーサ保持部２５は、スペーサ保持部２５が表示画像に影響を与えることを防ぐため、光吸収層２３と重なる位置に設けられなければならない。通常、アノードパネル上に光吸収層２３を形成した後に、スペーサ保持部２５を別工程により形成するが、光吸収層２３とスペーサ保持部２５との間の位置合わせ精度が悪化する虞がある。また、光吸収層２３を形成する工程と、スペーサ保持部２５を形成する工程をそれぞれ別工程で行うので、アノードパネルの製造工程を煩雑なものとする。

特開平７−２６２９３９号公報には、ブラックストライプ上に、別途ブラックマトリクスと同じ材料を重ねて印刷することにより位置決め部材（スペーサ保持部）を形成した画像表示装置が開示されている。しかし、位置決め部材を別途重ねて塗り形成する必要があること、重ねて塗る際に、位置決め部材とブラックストライプとの位置合わせが必要であること等の問題がある。

従って、本発明の目的は、簡便かつ精度よくスペーサ保持部を形成し得る平面型表示装置及びその製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するための本発明の平面型表示装置は、電子放出領域が設けられたカソードパネルと、蛍光体層及びアノード電極が設けられたアノードパネルとが、スペーサを介して対向し、
カソードパネルの周縁部とアノードパネルの周縁部とが接合されており、
カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されている平面型表示装置であって、
アノードパネルには、蛍光体層を囲むように、光吸収材料層から成る格子状の光吸収部が設けられており、
光吸収部には、スペーサを保持するための凹状のスペーサ保持部が設けられており、
スペーサ保持部の底部には、光吸収材料層が残されていることを特徴とする。

上記の目的を達成するための本発明の第１の態様、第２の態様、第３の態様、あるいは第４の態様に係る平面型表示装置の製造方法は、
電子放出領域が設けられたカソードパネルと、蛍光体層及びアノード電極が設けられたアノードパネルとが、スペーサを介して対向し、
カソードパネルの周縁部とアノードパネルの周縁部とが接合されており、
カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、
アノードパネルには、蛍光体層を囲むように、光吸収材料層から成る格子状の光吸収部が設けられており、
光吸収部には、スペーサを保持するための凹状のスペーサ保持部が設けられており、
スペーサ保持部の底部には、光吸収材料層が残されており、
スペーサ保持部にスペーサが挿入されている、平面型表示装置の製造方法に関する。

そして、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、
（ａ）表面に凸部を備える転写型を準備し、
（ｂ）転写型の表面に光吸収材料層を形成し、その後、
（ｃ）アノードパネルを構成する基板上に、転写型の表面に形成された光吸収材料層を転写し、その後、
（ｄ）光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去し、転写型の凸部と相補的な形状を有すると共に底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する、
工程を具備することを特徴とする。

また、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、
（ａ）表面に格子状に形成された凹部を備え、該凹部の底に凸部が設けられている転写型を準備し、
（ｂ）該凹部内に光吸収材料を充填し、その後、
（ｃ）アノードパネルを構成する基板上に、転写型の凹部内の光吸収材料を転写し、転写型の凹部の底に設けられた凸部と相補的な形状を有すると共に底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する、
工程を具備することを特徴とする。

本発明の第３の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、
（ａ）アノードパネルを構成する基板上に、光吸収材料層を形成し、その後、
（ｂ）光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する、
工程を具備することを特徴とする。

ここで、本発明の第３の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、
光吸収材料層は感光性材料から成り、
工程（ｂ）を、
（ｂ−１）光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去するために、第１のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第２のマスクを用いて光吸収材料層を露光する工程、及び、
（ｂ−２）露光後の光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する工程、
から成る構成とすることができる。工程（ｂ−１）において、露光の順序は、工程に支障がない限り任意に選択することができる。例えば、第１のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、その後、第２のマスクを用いて光吸収材料層を露光してもよいし、第２のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、その後、第１のマスクを用いて光吸収材料層を露光してもよい。

また、本発明の第３の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、
光吸収材料層は感光性材料から成り、
工程（ｂ）を、
（ｂ−１）第１の光透過部と第２の光透過部とを備え、第２の光透過部の光透過率が第１の光透過部の光透過率よりも高いマスクを準備し、その後、
（ｂ−２）該マスクを用いることにより、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去するための第１の光透過部を介しての光吸収材料層の露光と、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するための第２の光透過部を介しての光吸収材料層の露光とを同時に行う工程、及び、
（ｂ−３）露光後の光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する工程、
から成る構成とすることができる。工程（ｂ−２）において、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去するための第１の光透過部を介しての光吸収材料層の露光と、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するための第２の光透過部を介しての光吸収材料層の露光とが同時に行われるので、露光回数を低減することができる。

また、本発明の第３の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、
光吸収材料層は感光性材料から成り、
工程（ｂ）を、
（ｂ−１）光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第１の光透過部と第２の光透過部とを備える第１のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、その後、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第１のマスクの第１の光透過部を塞ぐための第２のマスクを第１のマスクに重ね、第１のマスク及び第２のマスクとを用いて光吸収材料層を露光する工程、及び、
（ｂ−２）露光後の光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する工程、
から成る構成とすることができる。工程（ｂ−１）において、光吸収材料層が露光される領域は、第１のマスクに設けられた第１の光透過部と第２の光透過部によって定まるので、光吸収材料層が露光される領域の位置の変動を低減することができる。

また、本発明の第３の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、
光吸収材料層は感光性材料から成り、
前記工程（ｂ）は、
（ｂ−１）光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第１のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、次いで、光吸収材料層の露光されていない部分が所望の厚さになるように、光吸収材料層を除去する工程、 （ｂ−２）該工程（ｂ−１）に次いで、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第２のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、次いで、光吸収材料層の露光されていない部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する工程、
から成る構成とすることができる。

更に、本発明の第３の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、
前記工程（ｂ）は、
（ｂ−１）光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去する工程、及び、
（ｂ−２）光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去し底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部を形成する工程、
から成る構成とすることができる。工程（ｂ−１）と工程（ｂ−２）の順序は、工程に支障がない限り任意に選択することができる。例えば、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去する工程の後に、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去し底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部を形成してもよいし、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去し底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部を形成する工程の後に、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去してもよい。

更に、本発明の第４の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、
（ａ）アノードパネルを構成する基板上に、格子状の光吸収材料層から成る光吸収部を形成し、その後、
（ｂ）光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する、
工程を具備することを特徴とする。

本発明の第４の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、例えばスクリーン印刷等により、格子状の光吸収材料層をアノードパネルを構成する基板上に直接形成することができる。また、スピンコーティング法等によりアノードパネルを構成する基板上に光吸収材料層を形成した後、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去することにより、格子状の光吸収材料層を形成することもできる。

本発明の平面型表示装置、又は、本発明の第１の態様、第２の態様、第３の態様、若しくは第４の態様に係る平面型表示装置の製造方法（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある）にあっては、スペーサ保持部の底部には、光吸収材料層が残されている。これにより、光吸収部の凹状のスペーサ保持部が設けられた部分が、光吸収部としての機能を失うことがない。光吸収部には、例えば板状のスペーサを保持するための凹状のスペーサ保持部が設けられている。これにより、スペーサ保持部は、光吸収部と一体を成すものとして形成することができる。凹状のスペーサ保持部の深さは、スペーサがずれない程度の深さであればよく、例えば、約１０μｍ以上あることが好ましい。スペーサ保持部の底部には、実質的に光吸収部として機能する程度の光吸収材料層が残されていればよく、光吸収材料層を構成する材料にもよるが、例えば、約１μｍ以上の厚さの光吸収材料層が残されていることが好ましい。光吸収部のスペーサ保持部の底部に相当する部分は、他の光吸収部の部分と同等の光吸収特性を備えていることが望ましい。光吸収部の最大厚さは、これらの条件を満たす厚さに設定されていればよい。

本発明にあっては、光吸収材料層を構成する材料として、カーボン、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、カーボン、感光性ポリイミド樹脂、フリットガラスを例示することができる。また、光吸収材料層を構成する材料は、平面型表示装置が完成した際に光吸収特性を示すものであれば足りる。平面型表示装置の製造過程において、光吸収材料層を構成する材料が光透過性を示していてもよい。例えば、光透過性を示す感光性ポリイミド樹脂を用いて光吸収材料層を形成し、その後、光吸収材料層を光硬化若しくは熱硬化させることにより、光吸収性を示す感光後のポリイミド樹脂から成る光吸収材料層を得ることができる。光吸収材料層は、例えば、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、スピンコーティング法、又は、ドクターブレード法、イクストリュージョン法等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。

本発明にあっては、蛍光体層を囲む光吸収部の平面形状として、矩形形状の他、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができる。これらの平面形状が２次元マトリクス状に配列されることにより、光吸収材料層から成る格子状の光吸収部が構成される。この２次元マトリクス状の配列は、例えば井桁状に配列されるものでもよいし、千鳥状に配列されるものでもよい。また、光吸収部が所謂ストライプ形状であってもよい。

本発明の第１の態様あるいは第３の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去する方法として、物理的あるいは化学的な方法、例えば、感光法、サンドブラスト形成法、エッチング法を例示することができる。感光法とは、光吸収材料層の上にフォトレジストをコートして露光現像し、その後エッチングにより光吸収材料に所望のパターンを形成する方法、若しくは基板上に感光性を有する光吸収材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、露光及び現像を施すことによってこの光吸収材料層をパターニングする方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、除去すべき光吸収材料層の部分以外をマスク層で被覆し、次いで、露出した光吸収材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。エッチング法とは、例えば、除去すべき光吸収材料層の部分以外をマスク層で被覆し、次いで、露出した光吸収材料層の部分をエッチング技術で除去する方法である。例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。これらに加えて、本発明の第３の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去する方法として、ドライフィルム法を例示することができる。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって所定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に光吸収材料層の材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた材料が残り、光吸収材料層となる。

本発明の第３の態様若しくは第４の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去する方法を、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去する方法と同様の方法とすることができる。更には、刃物等の切削手段を用いた機械加工によって、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去することもできる。

本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置の製造方法にあっては、転写型を平面形状あるいは円筒形状とすることができる。転写型の材質、大きさ、形状は、アノードパネルの材質、大きさ、形状に合わせて適宜選択すればよい。転写型が、所謂スタンプ法のためのスタンプを構成するものでもよい。

本発明にあっては、スペーサは、例えばセラミックやガラスから構成することができる。スペーサをセラミックから構成する場合、セラミックとして、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミック材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができるし、例えば、特表２００３−５２４２８０号公報等に記載されている材料等を用いることもできる。この場合、所謂グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成し、係るグリーンシート焼成品を切断することによってスペーサを製造することができる。また、スペーサを構成するガラスとして、ソーダライムガラスや低アルカリガラス、無アルカリガラス、高歪点ガラス等を挙げることができる。スペーサの形状は、板状であってもよいし、柱状であってもよい。柱状の断面は、例えば略円形であってもよいし、十字形であってもよい。

本発明において、スペーサの表面に、帯電防止膜等の膜が設けられてもよい。帯電防止膜を構成する２次電子放出係数が１に近い材料として、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等を用いることができる。例えば、グラファイト等の半金属及びＭｏＳｅ₂等の半金属元素を含む化合物、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｃｒ_xＯ_y、Ｎｄ₂Ｏ₃、Ｌａ_xＢａ_2-xＣｕＯ₄、Ｌａ_xＢａ_2-xＣｕＯ₄、Ｌａ_xＹ_1-xＣｒＯ₃等の酸化物、ＡｌＢ₂、ＴｉＢ₂等のホウ化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＭｏＳ₂、ＷＳ₂等の硫化物、及び、ＢＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物等を挙げることができるし、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に記載されている材料等を用いることもできる。帯電防止膜等のスペーサの表面に設けられる膜は、単一の種類の材料から成るものであってもよいし、複数の種類の材料から成るものであってもよい。例えば、膜は一層構造であって、複数の種類の材料からその層が構成されてもよいし、膜は複数層が積層して成り、それぞれの層が異なる材料から成るものであってもよい。これらの膜は、スパッタ法、蒸着法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法等、周知の方法により形成することができる。

ここで、平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）は、
（ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びる帯状のカソード電極、
（ｂ）カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
（ｃ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びる帯状のゲート電極、
（ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複領域に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
（ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられた電子放出部、
から成る。第１の方向をＸ軸方向、第２の方向をＹ軸方向としてもよいし、第１の方向をＹ軸方向、第２の方向をＸ軸方向としてもよい。

電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子（円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）や扁平型電界放出素子（略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）あるいは、カーボン・ナノチューブや表面伝導型電子放出素子等を挙げることができる。

カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とは直交することが、即ち、第１の方向と第２の方向とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。そして、カソードパネルにおいては、電子放出領域が２次元マトリックス状に配列されており、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。

電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）全面（支持体及びカソード電極上）に絶縁層を形成する工程、
（３）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（４）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
（５）開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。

あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
（３）全面（支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上）に絶縁層を形成する工程、
（４）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（５）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。

電界放出素子には収束電極が備えられていてもよい。即ち、例えばゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている電界放出素子、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている電界放出素子とすることもできる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルトのオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路からアノード電圧に比べて相対的な負電圧（例えば、０ボルト）が印加される。収束電極は、必ずしも各電界放出素子毎に設けられている必要はなく、例えば、電界放出素子の所定の配列方向に沿って延在させることにより、複数の電界放出素子に共通の収束効果を及ぼすこともできる。

スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、真空蒸着法の他、例えばスパッタリング法やＣＶＤ法によっても形成することができる。

扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。電界放出素子におけるカソード電極を構成する代表的な材料として、タングステン（Φ＝４．５５ｅＶ）、ニオブ（Φ＝４．０２〜４．８７ｅＶ）、モリブデン（Φ＝４．５３〜４．９５ｅＶ）、アルミニウム（Φ＝４．２８ｅＶ）、銅（Φ＝４．６ｅＶ）、タンタル（Φ＝４．３ｅＶ）、クロム（Φ＝４．５ｅＶ）を例示することができる。電子放出部は、これらの材料よりも小さな仕事関数Φを有していることが好ましく、その値は概ね３ｅＶ以下であることが好ましい。係る材料として、炭素（Φ＜１ｅＶ）、セシウム（Φ＝２．１４ｅＶ）、ＬａＢ₆（Φ＝２．６６〜２．７６ｅＶ）、ＢａＯ（Φ＝１．６〜２．７ｅＶ）、ＳｒＯ（Φ＝１．２５〜１．６ｅＶ）、Ｙ₂Ｏ₃（Φ＝２．０ｅＶ）、ＣａＯ（Φ＝１．６〜１．８６ｅＶ）、ＢａＳ（Φ＝２．０５ｅＶ）、ＴｉＮ（Φ＝２．９２ｅＶ）、ＺｒＮ（Φ＝２．９２ｅＶ）を例示することができる。仕事関数Φが２ｅＶ以下である材料から電子放出部を構成することが、一層好ましい。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。

あるいは又、扁平型電界放出素子において、電子放出部を構成する材料として、係る材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。即ち、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属；ゲルマニウム（Ｇｅ）等の半導体；炭素やダイヤモンド等の無機単体；及び酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、フッ化バリウム（ＢａＦ₂）、フッ化カルシウム（ＣａＦ₂）等の化合物の中から、適宜選択することができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。

あるいは又、扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ₂ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ₂Ｏ₃ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ₂Ｏ₃ウィスカー、Ａｌ₂Ｏ₃ウィスカーを挙げることができる。電子放出部をこれらから構成する場合、５×１０⁶Ｖ／ｍ以下の電界強度にて、冷陰極電界電子放出表示装置に必要な放出電子電流密度を得ることができる。また、電子放出部を構成する材料が電気抵抗体であれば、各電子放出部から得られる放出電子電流を均一化することができ、よって、冷陰極電界電子放出表示装置に組み込まれた場合の輝度ばらつきの抑制が可能となる。更に、これらの材料は、冷陰極電界電子放出表示装置内の残留ガスのイオンによるスパッタ作用に対して極めて高い耐性を有するので、電界放出素子の長寿命化を図ることができる。

カーボン・ナノチューブ構造体として、具体的には、カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバーを挙げることができる。より具体的には、カーボン・ナノチューブから電子放出部を構成してもよいし、グラファイト・ナノファイバーから電子放出部を構成してもよいし、カーボン・ナノチューブとグラファイト・ナノファイバーの混合物から電子放出部を構成してもよい。カーボン・ナノチューブやグラファイト・ナノファイバーは、巨視的には、粉末状であってもよいし、薄膜状であってもよいし、場合によっては、カーボン・ナノチューブ構造体は円錐状の形状を有していてもよい。カーボン・ナノチューブやグラファイト・ナノファイバーは、周知のアーク放電法やレーザアブレーション法といったＰＶＤ法、プラズマＣＶＤ法やレーザＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、気相合成法、気相成長法といった各種のＣＶＤ法によって製造、形成することができる。

カソード電極、ゲート電極、収束電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ₂、ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状のカソード電極やゲート電極を形成することが可能である。

絶縁層や層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ₂、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ₂系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。

第１開口部（ゲート電極に形成された開口部）あるいは第２開口部（絶縁層に形成された開口部）の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１開口部を直接形成することもできる。第２開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。

電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、係る第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。

電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体層を設けてもよい。抵抗体層を設けることによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。抵抗体層を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ₂）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物を例示することができる。抵抗体層の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法やスクリーン印刷法を例示することができる。１つの画素当たりの電気抵抗値は、概ね１×１０⁴〜１×１０⁹Ω、好ましくは数十メガΩとすればよい。

カソードパネルを構成する支持体として、あるいは又、アノードパネルを構成する基板として、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）、鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）を例示することができる。

アノードパネルを構成するアノード電極と蛍光体層の構成例として、（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体層を形成する構成、（２）基板上に、蛍光体層を形成し、蛍光体層上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体層の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。

アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとは抵抗体膜によって電気的に接続されていることが好ましい。抵抗体膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ₂）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物；アモルファスシリコン等の半導体材料を挙げることができる。抵抗体膜のシート抵抗値として、１×１０^-1Ω／□乃至１×１０¹⁰Ω／□、好ましくは１×１０³Ω／□乃至１×１０⁸Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数（Ａｎ）は２以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体層の列の総数をα列としたとき、Ａｎ＝αとし、あるいは、α＝β・Ａｎ（βは２以上の整数であり、好ましくは１０≦β≦１００、一層好ましくは２０≦β≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配設されるスペーサの数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。

アノード電極（アノード電極ユニットを包含する）は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種のＰＶＤ法；各種のＣＶＤ法；スクリーン印刷法；リフトオフ法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料から成る導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、抵抗体膜も同様の方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料から抵抗体膜を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこの抵抗体膜をパターニングしてもよいし、あるいは、抵抗体膜のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づく形成により、抵抗体膜を得ることができる。基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さとして、３×１０^-8ｍ（３０ｎｍ）乃至１×１０^-6ｍ（１μｍ）、好ましくは５×１０^-8ｍ（５０ｎｍ）乃至４×１０^-7ｍ（４００ｎｍ）を例示することができる。

アノード電極の構成材料は、平面型表示装置の構成によって適宜選択すればよい。即ち、平面型表示装置が透過型（アノードパネルが表示面に相当する）であって、且つ、基板上にアノード電極と蛍光体層がこの順に積層されている場合には、基板は元より、アノード電極自身も透明である必要があり、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料を用いる。一方、平面型表示装置が反射型（カソードパネルが表示面に相当する）である場合、及び、透過型であっても基板上に蛍光体層とアノード電極とがこの順に積層されている場合には、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ₂、ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。尚、抵抗体膜を形成する場合、抵抗体膜の抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、抵抗体膜をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、アノード電極をモリブデン（Ｍｏ）から構成することが好ましい。

蛍光体層は、単色の蛍光体粒子から構成されていてもよいし、複数色（例えば赤色、緑色、青色の３原色）の蛍光体粒子から構成されていてもよい。また、蛍光体層の配列様式は、ドット状であっても、帯状であってもよい。

平面型表示装置がカラー表示の場合、直線状に配列された蛍光体層の１列は、全てが赤色発光蛍光体層で占められた列、緑色発光蛍光体層で占められた列、及び、青色発光蛍光体層で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体層、緑色発光蛍光体層、及び、青色発光蛍光体層が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体層とは、アノードパネル上において１つの輝点を生成する蛍光体層であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体層、１つの緑色発光蛍光体層、及び、１つの青色発光蛍光体層の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体層（１つの赤色発光蛍光体層、あるいは、１つの緑色発光蛍光体層、あるいは、１つの青色発光蛍光体層）から構成される。更には、アノード電極ユニットにおける１サブピクセルに相当する大きさとは、１つの蛍光体層を囲むアノード電極ユニットの大きさを意味する。

蛍光体層は、発光性結晶粒子（例えば、粒径５〜１０ｎｍ程度の蛍光体粒子）から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体層を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体層を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体層を形成する方法にて形成することができる。あるいは、赤色、緑色、青色各色毎に印刷法により形成する事もできる。又、パネルと蛍光体層との間にカラーフィルターが形成されていてもよい。基板上における蛍光体層の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。

発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。赤色発光蛍光体層を構成する蛍光体材料として、（Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ）、（Ｙ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ）、（Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｅｕ）、（Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｅｕ）、（Ｚｎ₃（ＰＯ₄）₂：Ｍｎ）を例示することができるが、中でも、（Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ）、（Ｙ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ）を用いることが好ましい。また、緑色発光蛍光体層を構成する蛍光体材料として、（ＺｎＳｉＯ₂：Ｍｎ）、（Ｓｒ₄Ｓｉ₃Ｏ₈Ｃｌ₄：Ｅｕ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ）、［（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ］、（Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｔｂ）、（Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｔｂ）、［Ｙ₃（Ａｌ，Ｇａ）₅Ｏ₁₂：Ｔｂ］、（ＺｎＢａＯ₄：Ｍｎ）、（ＧｂＢＯ₃：Ｔｂ）、（Ｓｒ₆ＳｉＯ₃Ｃｌ₃：Ｅｕ）、（ＢａＭｇＡｌ₁₄Ｏ₂₃：Ｍｎ）、（ＳｃＢＯ₃：Ｔｂ）、（Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ）、（ＺｎＯ：Ｚｎ）、（Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ）、（ＺｎＧａ₂Ｏ₄：Ｍｎ）を例示することができるが、中でも、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ）、［（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ］、（Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｔｂ）、［Ｙ₃（Ａｌ，Ｇａ）₅Ｏ₁₂：Ｔｂ］、（Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｔｂ）を用いることが好ましい。更には、青色発光蛍光体層を構成する蛍光体材料として、（Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ）、（ＣａＷＯ₄：Ｐｂ）、ＣａＷＯ₄、ＹＰ_0.85Ｖ_0.15Ｏ₄、（ＢａＭｇＡｌ₁₄Ｏ₂₃：Ｅｕ）、（Ｓｒ₂Ｐ₂Ｏ₇：Ｅｕ）、（Ｓｒ₂Ｐ₂Ｏ₇：Ｓｎ）、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ａｇ）、ＺｎＭｇＯ、ＺｎＧａＯ₄を例示することができるが、中でも、（ＺｎＳ：Ａｇ）、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）を用いることが好ましい。

本発明にあっては、格子状の光吸収部は、隔壁としても作用する。格子状の光吸収部は、アノードパネルの蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された二次電子が他の蛍光体層に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止する。あるいは又、格子状の光吸収部は、蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された二次電子が光吸収部を越えて他の蛍光体層に向かって侵入したとき、これらの電子が他の蛍光体層と衝突することを防止する。

冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、アノードパネルに設けられたアノード電極によってアノードパネルへと引き付けられ、蛍光体層に衝突する。そして、蛍光体層への電子の衝突の結果、蛍光体層が発光し、画像として認識することができる。

冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実作動時、アノード電極制御回路の出力電圧ｖ_Aは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１２キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をｄ（但し、０．５ｍｍ≦ｄ≦１０ｍｍ）としたとき、ｖ_A／ｄ（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは４以上９以下を満足することが望ましい。

冷陰極電界電子放出表示装置の実動作時、カソード電極に印加する電圧ｖ_C及びゲート電極に印加する電圧ｖ_Gに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用した場合、
（１）カソード電極に印加する電圧ｖ_Cを一定とし、ゲート電極に印加する電圧ｖ_Gを変化させる方式
（２）カソード電極に印加する電圧ｖ_Cを変化させ、ゲート電極に印加する電圧ｖ_Gを一定とする方式
（３）カソード電極に印加する電圧ｖ_Cを変化させ、且つ、ゲート電極に印加する電圧ｖ_Gも変化させる方式がある。

カソードパネルとアノードパネルとを周縁部において接合するが、接合は接着層を用いて行ってもよいし、あるいは、ガラスやセラミック等の絶縁剛性材料から成る枠体と接着層とを併用して行ってもよい。枠体と接着層とを併用する場合には、枠体の高さを適宜選択することにより、接着層のみを使用する場合に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料としては、フリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。係る低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ₈₀Ａｇ₂₀（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ₉₅Ｃｕ₅（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ_97.5Ａｇ_2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ_94.5Ａｇ_5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ_97.5Ａｇ_1.5Ｓｎ_1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ₉₅Ａｌ₅（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ₅Ｐｂ₉₅（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ₂Ｐｂ₉₈（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ₈₈Ｇａ₁₂（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。

カソードパネルとアノードパネルと枠体の三者を接合する場合、三者を同時に接合してもよいし、あるいは、第１段階でカソードパネル又はアノードパネルのいずれか一方と枠体とを接合し、第２段階でカソードパネル又はアノードパネルの他方と枠体とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、カソードパネルとアノードパネルと枠体と接着層とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、カソードパネルとアノードパネルと枠体と接着層とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。

排気を行う場合、排気は、カソードパネル及び／又はアノードパネルに予め接続されたチップ管を通じて行うことができる。チップ管は、典型的にはガラス管を用いて構成され、カソードパネル及び／又はアノードパネルの無効領域（平面型表示装置としての実用上の機能を果たす中央部の表示領域である有効領域を額縁状に包囲する領域）に設けられた貫通部の周囲に、フリットガラス又は上述の低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られる。尚、封じ切りを行う前に、平面型表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。又、チップ管は金属で形成されていてもよい。この場合には、封じ切りを、チップ管を圧着することにより行うことができる。

本発明の平面型表示装置にあっては、スペーサ保持部の底部には、光吸収材料層が残されている。これにより、光吸収部の凹状のスペーサ保持部が設けられた部分が、光吸収部としての機能を失うことがない。しかも、光吸収部には、例えば板状のスペーサを保持するための凹状のスペーサ保持部が設けられているので、スペーサ保持部を光吸収部と独立したものとして形成する必要がない。本発明の平面型表示装置の製造方法によれば、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成することができるので、スペーサ保持部を光吸収部と別のプロセスで形成する必要がない。これにより、簡便かつ精度よくスペーサ保持部を形成することができる。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。

実施例１は、本発明の平面型表示装置、及び、本発明の第１の態様の平面型表示装置の製造方法に関する。実施例１の平面型表示装置の概念的な一部端面図を、図１に示す。実施例１の平面型表示装置は、電子放出領域が設けられたカソードパネルＣＰと、蛍光体層２２及びアノード電極２４が設けられたアノードパネルＡＰとが、例えば板状のスペーサ４０を介して対向し、カソードパネルＣＰの周縁部とアノードパネルＡＰの周縁部とが、例えば枠体２６を介して接合されており、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間が真空に保持されている平面型表示装置である。そして、アノードパネルＡＰには、蛍光体層２２を囲むように、光吸収材料層から成る格子状の光吸収部１００が設けられており、光吸収部１００には、例えば板状のスペーサ４０を保持するための凹状のスペーサ保持部１０１が設けられており、スペーサ保持部１０１の底部１０２には、光吸収材料層が残されている。後述する他の実施例においても同様である。

カソードパネルＣＰ、スペーサ４０、及び、枠体２６の構成、動作、及び、作用については、従来例で説明したと同様であるので、ここでは説明を省略する。後述する他の実施例においても同様である。

実施例１の平面型表示装置は、図１８に示した平面型表示装置と比較して、隔壁２１、光吸収層２３、及び、スペーサ保持部２５の代わりに、光吸収部１００を設けた点が相違する。その他の点は、図１８に示した平面型表示装置と同様である。図２に、アノードパネルＡＰ及びスペーサ４０の一部を切り欠いた模式的な斜視図を示す。尚、図２においては、アノードパネルＡＰにおける蛍光体層２２、アノード電極２４の図示を省略した。光吸収部１００は格子状に形成されており、蛍光体層２２は、光吸収部１００の開口１０３内に設けられている。光吸収部１００には、例えば板状のスペーサ４０を保持するための凹状のスペーサ保持部１０１が設けられており、スペーサ保持部１０１の底部１０２には、光吸収材料層１１０が残されている。光吸収部１００は、図１８における隔壁２１と光吸収層２３に相当する機能も併せ持つ。後述する他の実施例においても同様である。

以下、図３の（Ａ）〜（Ｄ）及び図４の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例１の平面型表示装置の製造方法を説明する。

図３の（Ａ）〜（Ｄ）及び図４の（Ａ）〜（Ｃ）は、図２において一点鎖線を含む仮想的なＹ−Ｚ平面によってアノードパネルＡＰを切断したときの断面に沿ったと同様の一部端面図である。後述する他の実施例に関する図面においても同様である。尚、図３の（Ａ）〜（Ｄ）及び図４の（Ａ）〜（Ｃ）においては、蛍光体層２２を囲む光吸収部１００の壁面の一部分に相当する部分の図示を省略した。後述する他の実施例に関する図面においても同様である。

［工程−１００］
先ず、表面に凸部１５１を備える転写型１５０を準備する（図３の（Ａ）参照）。実施例１では、所謂オフセット印刷用原板から成る転写型１５０を用いる。転写型１５０の凸部１５１の高さは、約２０μｍである。

［工程−１１０］
次いで、転写型１５０の表面に光吸収材料層１１０を形成する（図３の（Ｂ）参照）。実施例１では、光吸収材料層１１０を構成する材料としてポジ型の紫外線感光性のポリイミド樹脂を用いるが、これに限定するものではない。スピンコート法に基づき、転写型１５０の表面に光吸収材料層１１０を形成する。光吸収材料層１１０の厚さは、転写型１５０の凸部１５１の部分で約１０μｍ、それ以外の部分で約３０μｍである。尚、材料によってはパターン形成後の焼成によって収縮する事があるが、この場合には完成後に上記寸法となる様に、成膜時には予め収縮率を考慮した膜厚に設定すればよい。後述する他の実施例においても同様である。

［工程−１２０］
その後、アノードパネルＡＰを構成する基板２０上に、転写型１５０の表面に形成された光吸収材料層１１０を転写する（図３の（Ｃ）参照）。転写された光吸収材料層１１０は、転写型１５０の凸部１５１と相補的な形状を備える凹状のスペーサ保持部１０１を有する。スペーサ保持部１０１の底部１０２には、厚さ約１０μｍの光吸収材料層１１０が残されている。尚、例えば、密着性改善用等の下地膜が基板２０上に形成されており、その下地膜の上に光吸収材料層１１０を転写する態様であってもよい。

［工程−１３０］
次いで、光吸収材料層１１０の上に露光用のマスク１６０を形成する（図３の（Ｄ）参照）。実施例１においては、紫外線を遮光するインクをスクリーン印刷することにより、光透過部１６１を備えるマスク１６０を形成するが、これに限るものではない。光透過部１６１は、例えば矩形状の開口から成り、光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分に相当する。尚、光吸収材料層１１０をネガ型の感光性材料から成るものとする場合には、光透過部１６１に相当する部分が遮光され、他の部分が光透過部となるマスクを設けて、露光を行えばよい。これについては、後述する。

［工程−１４０］
その後、光吸収材料層１１０を露光する（図４の（Ａ）参照）。具体的には、光吸収材料層１１０に、マスク１６０を介して紫外線を照射し、光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分を露光する。参照番号１１１は、光吸収材料層１１０が露光された領域を示す。

［工程−１５０］
次いで、露光された光吸収材料層１１０を現像し、光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分を除去する（図４の（Ｂ）参照）。

［工程−１６０］
その後、例えば洗浄等によりマスク１６０を除去する（図４の（Ｃ）参照）。この後、必要であれば、例えば乾燥、焼成等の後処理を施してもよい。このようにして、開口１０３を備える格子状の光吸収部１００を得ることができる。

以上の工程により、転写型１５０の凸部１５１と相補的な形状を有すると共に底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１が設けられた格子状の光吸収部１００を形成することができる。

［工程−１７０］
その後、基板２０にアノード電極２４と蛍光体層２２を形成する。基板２０の光吸収部１００の開口１０３内に、例えば蛍光体スラリーの塗布等により、蛍光体層２２を形成する。次いで、少なくとも蛍光体層２２上に（具体的には、全面に）メタルバック膜等から構成されるアノード電極２４を形成することにより、アノードパネルＡＰを得ることができる。

［工程−１８０］
次いで、図１に示す平面型表示装置の組立を行う。基板２０に設けられた光吸収部１００のスペーサ保持部１０１に例えば板状のスペーサ４０を挿入した状態で、蛍光体層２２と電子放出領域ＥＡとが対向するようにアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを配置する。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰ（より具体的には、支持体１０と基板２０）とを、例えば枠体２６を介して、周縁部において接合する。接合に際しては、枠体２６とアノードパネルＡＰとの接合部位、及び枠体２６とカソードパネルＣＰとの接合部位にフリットガラスを塗布し、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体とを貼り合わせ、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、約４５０゜Ｃで１０〜３０分の本焼成を行う。その後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２６と接着層とによって囲まれた空間を、貫通孔（図示せず）及びチップ管（図示せず）を通じて排気し、空間の圧力が１０^-4Ｐａ程度に達した時点でチップ管を加熱溶融により封じ切る。このようにして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２６とに囲まれた空間を真空にすることができる。その後、必要な外部回路との配線を行い、平面型表示装置を完成させることができる。

以上、光吸収材料層１１０を構成する材料としてポジ型の紫外線感光性のポリイミド樹脂を用いた場合の例について説明した。次に、ネガ型の紫外線感光性のポリイミド樹脂を用いた場合の例を、図５の（Ａ）〜（Ｄ）を参照して簡単に説明する。

［工程−１３０Ａ］
光吸収材料層１１０の上に露光用のマスク１６０Ａを形成する（図５の（Ａ）参照）。光吸収材料層１１０は、ネガ型の紫外線感光性のポリイミド樹脂から成る。光吸収材料層１１０は、上述した［工程−１００］〜［工程−１２０］と同様にして、アノードパネルＡＰを構成する基板２０上に、転写型１５０の表面に形成された光吸収材料層１１０を転写することで得ることができる。紫外線を遮光するインクをスクリーン印刷することにより、光透過部１６１Ａを備えるマスク１６０Ａを形成するが、これに限るものではない。光透過部１６１Ａは、光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分以外の部分に対応する。

［工程−１４０Ａ］
その後、光吸収材料層１１０を露光する（図５の（Ｂ）参照）。具体的には、光吸収材料層１１０に、マスク１６０Ａを介して紫外線を照射し、光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分以外の部分を露光する。参照番号１１１Ａは、光吸収材料層１１０が露光された領域を示す。

［工程−１５０Ａ］
次いで、例えば洗浄等によりマスク１６０Ａを除去する（図５の（Ｃ）参照）。

［工程−１６０Ａ］
その後、露光された光吸収材料層１１０を現像し、光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分を除去する（図５の（Ｄ）参照）。このようにして、開口１０３を備える格子状の光吸収部１００を得ることができる。次いで、上述した［工程−１７０］〜［工程−１８０］と同様の工程により、アノードパネルＡＰや平面型表示装置を得ることができる。

実施例２は、本発明の平面型表示装置、及び、本発明の第２の態様の平面型表示装置の製造方法に関する。実施例２では、露光・現像等によって光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去する工程を必要としない。この点が、実施例１と主に相違する。実施例２の平面型表示装置は、実施例１で説明した平面型表示装置と同様の構成、構造を有するので、平面型表示装置の説明は省略する。

以下、図６の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例２の平面型表示装置の製造方法を説明する。

［工程−２００］
先ず、表面に格子状に形成された凹部２５２を備え、該凹部２５２の底に凸部２５１が設けられている転写型２５０を準備する（図６の（Ａ）参照）。実施例２では、所謂オフセット印刷用原板から成る転写型２５０を用いる。転写型２５０の凹部２５２の深さは、約３０μｍである。転写型２５０の凹部２５２の底に設けられた凸部２５１の高さは、約２０μｍである。参照番号２５３は、四方を凹部２５２で囲まれた部分を示す。

［工程−２１０］
次いで、転写型２５０の凹部２５２内に光吸収材料１１０Ａを充填する（図６の（Ｂ）参照）。実施例２では、光吸収材料１１０Ａとしてポリイミド樹脂を用いる。ドクターブレード法等を用いて、転写型２５０の表面に光吸収材料１１０Ａが残らないように、転写型２５０の凹部２５２内に光吸収材料１１０Ａを充填する。

［工程−２２０］
その後、アノードパネルＡＰを構成する基板２０上に、転写型２５０の凹部２５２内の光吸収材料１１０Ａを転写する（図６の（Ｃ）参照）。転写型２５０の凹部２５２は、格子状に配置されている。このため、実施例１と異なり、転写された光吸収材料１１０Ａは光吸収材料層１１０を形成すると共に、そのまま格子状の光吸収部を構成する。

転写された光吸収材料層１１０により構成された光吸収部１００は、転写型２５０の凹部２５２の底に設けられた凸部２５１と相補的な形状を有すると共に底部１０２に光吸収材料層１１０から成る層が残されている凹状のスペーサ保持部１０１を備える。具体的には、底部１０２には、厚さ約１０μｍの光吸収材料層１１０が残されている。尚、例えば、密着性改善用等の下地膜が基板２０上に形成されており、その下地膜の上に光吸収材料１１０Ａを転写する態様であってもよい。この後、必要であれば、例えば、乾燥、焼成等の後処理を施してもよい。このようにして、格子状の光吸収部１００を得ることができる。

以上の工程により、転写型２５０の凹部２５２の底に設けられた凸部２５１と相補的な形状を有すると共に底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１が設けられた格子状の光吸収部１００を形成することができる。

その後、実施例１の［工程−１７０］と同様にして、基板２０にアノード電極２４と蛍光体層２２を形成する。次いで、［工程−１８０］と同様にして、平面型表示装置の組立を行うことにより、平面型表示装置を完成させることができる。

実施例３は、本発明の平面型表示装置、及び、本発明の第３の態様の平面型表示装置の製造方法に関する。実施例３では、アノードパネルＡＰを構成する基板２０の上に光吸収材料層を形成し、その後、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去することにより、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する。従って、実施例１及び実施例２と異なり、転写型を用いない。この点が、実施例１及び実施例２と主に相違する。実施例３の平面型表示装置は、実施例１で説明した平面型表示装置と同様の構成、構造を有するので、平面型表示装置の説明は省略する。

以下、図７の（Ａ）〜（Ｃ）及び図８の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例３の平面型表示装置の製造方法を説明する。

［工程−３００］
先ず、アノードパネルＡＰを構成する基板２０上に、光吸収材料層１１０を形成する（図７の（Ａ）参照）。実施例３において、光吸収材料層１１０は感光性材料から成る。実施例３では、光吸収材料層１１０を構成する材料としてポジ型の紫外線感光性のポリイミド樹脂を用いたが、これに限定するものではない。後述する他の実施例においても同様である。スピンコート法に基づき、基板２０の表面に光吸収材料層１１０を形成する。光吸収材料層１１０の厚さは、約３０μｍである。尚、例えば、密着性改善用等の下地膜が基板２０上に形成されており、その下地膜の上に光吸収材料層１１０を形成する態様であってもよい。

その後、例えば以下の［工程−３１０］〜［工程−３３０］により、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去する。尚、［工程−３１０］を行った後に［工程−３２０］を行う態様であってもよいし、［工程−３２０］を行った後に［工程−３１０］を行う態様であってもよい。

［工程−３１０］
光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去するために、第１のマスク３６０を用いて光吸収材料層１１０を露光する。具体的には、先ず、光吸収材料層１１０の上方に、第１のマスク３６０を配置する（図７の（Ｂ）参照）。第１のマスク３６０には、例えばスリット状の開口から成る光透過部３６１が設けられている。この光透過部３６１は、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分に相当する。即ち、光透過部３６１は、紙面に垂直に（より具体的には、図２のＸ軸に相当する方向に）延びる細長いスリット状となっている。実施例３においては、第１のマスク３６０は、金属板に光透過部３６１を設けることにより製作したが、これに限るものではない。第１のマスク３６０は、光吸収材料層１１０と接して配置されていてもよいし、光吸収材料層１１０と間隙を開けて配置されていてもよい。後述する他の実施例においても同様である。

次いで、基板２０上の光吸収材料層１１０に、第１のマスク３６０を介して所定の強度の紫外線を照射し、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分を露光する（図７の（Ｃ）参照）。参照番号１１２は、［工程−３１０］によって光吸収材料層１１０が露光された領域を示す。尚、紫外線の強度は、例えば、１回の露光で厚さ３０μｍの光吸収材料層１１０のうち約２０μｍを感光する程度の強度に、設定されている。従って、露光された領域１１２の基板２０側には、未感光の光吸収材料層１１０が残る。

［工程−３２０］
光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第２のマスク３７０を用いて光吸収材料層１１０を露光する。具体的には、先ず、光吸収材料層１１０の上に、第２のマスク３７０を配置する（図８の（Ａ）参照）。第２のマスク３７０には、例えば矩形状の開口から成る光透過部３７１が設けられている。この光透過部３７１は、光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分に相当する。実施例３においては、第２のマスク３７０は、金属板に光透過部３７１を設けることにより製作したが、これに限るものではない。第２のマスク３７０は、光吸収材料層１１０と接して配置されていてもよいし、光吸収材料層１１０と間隙を開けて配置されていてもよい。後述する他の実施例においても同様である。

次いで、基板２０上の光吸収材料層１１０に、第２のマスク３７０を介して所定の強度の紫外線を照射し、光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分を露光する（図８の（Ｂ）参照）。参照番号１１１は、［工程−３２０］によって光吸収材料層１１０が露光された領域を示す。尚、紫外線の強度は、例えば、１回の露光で厚さ３０μｍの光吸収材料層１１０を全て感光する程度の強度に、設定されている。従って、露光された領域１１１の基板２０側には、未感光の光吸収材料層１１０が残らない。

［工程−３３０］
露光された光吸収材料層１１０を現像し、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去する。次いで、必要であれば、例えば乾燥、焼成等の後処理を施してもよい。これにより、開口１０３と、底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１とが、光吸収部１００に形成される（図８の（Ｃ）参照）。

以上の工程により、底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１が設けられた格子状の光吸収部１００を形成することができる。

その後、実施例１の［工程−１７０］と同様にして、基板２０にアノード電極２４と蛍光体層２２を形成する。次いで、［工程−１８０］と同様にして、平面型表示装置の組立を行うことにより、平面型表示装置を完成させることができる。

実施例４は、本発明の平面型表示装置、及び、本発明の第３の態様の平面型表示装置の製造方法に関する。実施例４では、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去するための第１の光透過部を介しての光吸収材料層の露光と、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するための第２の光透過部を介しての光吸収材料層の露光とを同時に行う。この点が、実施例３と主に相違する。実施例４の平面型表示装置は、実施例１で説明した平面型表示装置と同様の構成、構造を有するので、平面型表示装置の説明は省略する。

以下、図９の（Ａ）〜（Ｂ）を参照して、実施例４の平面型表示装置の製造方法を説明する。

［工程−４００］
実施例３の［工程−３００］と同様にして、アノードパネルＡＰを構成する基板２０上に、ポジ型の紫外線感光性のポリイミド樹脂から成る光吸収材料層１１０を形成する（図７の（Ａ）参照）。

次いで、以下の［工程−４１０］〜［工程−４２０］により、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去する。

［工程−４１０］
具体的には、先ず、第１の光透過部４６１と第２の光透過部４６２とを備え、第２の光透過部４６２の光透過率が第１の光透過部４６１の光透過率よりも高いマスク４６０を準備する。マスク４６０は、例えば所謂ハーフトーンマスクから構成されている。第１の光透過部４６１は、実施例３において説明をした第１のマスク３６０の光透過部３６１に対応し、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分に相当する。また、第２の光透過部４６２は、実施例３において説明をした第２のマスク３７０の光透過部３７１に対応し、光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分に相当する。次いで、実施例３の［工程−３１０］と同様にして、光吸収材料層１１０の上にマスク４６０を配置する（図９の（Ａ）参照）。

［工程−４２０］
次いで、基板２０上の光吸収材料層１１０に、マスク４６０を介して所定の強度の紫外線を照射し、光吸収材料層１１０を露光する（図９の（Ｂ））。具体的には、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去するための第１の光透過部４６１を介しての光吸収材料層１１０の露光と、光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分を除去するための第２の光透過部４６２を介しての光吸収材料層１１０の露光とを同時に行う。参照番号１１２は、第１の光透過部４６１を介しての光吸収材料層１１０の露光がされた領域を示す。参照番号１１１は、第２の光透過部４６２を介しての光吸収材料層１１０の露光がされた領域を示す。第２の光透過部４６２の光透過率は第１の光透過部４６１の光透過率よりも高く設定されている。より具体的には、所定の強度の紫外線を照射した場合に、露光がされた領域１１２の基板２０側には未感光の光吸収材料層１１０が残り、露光がされた領域１１１の基板２０側には未感光の光吸収材料層１１０が残らないように設定されている。

［工程−４３０］
実施例３の［工程−３３０］と同様にして、露光された光吸収材料層１１０を現像し、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去する。この後、必要であれば、例えば乾燥、焼成等の後処理を施してもよい。これにより、開口１０３と底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１が形成される（図８の（Ｃ）参照）。

以上の工程により、底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１が設けられた格子状の光吸収部１００を形成することができる。

その後、実施例１の［工程−１７０］と同様にして、基板２０にアノード電極２４と蛍光体層２２を形成する。次いで、［工程−１８０］と同様にして、平面型表示装置の組立を行うことにより、平面型表示装置を完成させることができる。

実施例５は、本発明の平面型表示装置、及び、本発明の第３の態様の平面型表示装置の製造方法に関する。実施例５では、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第１の光透過部と第２の光透過部とを備える第１のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、その後、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第１のマスクの第１の光透過部を塞ぐための第２のマスクを第１のマスクに重ね、第１のマスク及び第２のマスクとを用いて光吸収材料層を露光する。実施例５の平面型表示装置は、実施例１で説明した平面型表示装置と同様の構成、構造を有するので、平面型表示装置の説明は省略する。

以下、図１０の（Ａ）〜（Ｂ）及び図１１の（Ａ）〜（Ｂ）を参照して、実施例５の平面型表示装置の製造方法を説明する。

［工程−５００］
実施例３の［工程−３００］と同様にして、アノードパネルＡＰを構成する基板２０上に、ポジ型の紫外線感光性のポリイミド樹脂から成る光吸収材料層１１０を形成する（図７の（Ａ）参照）。

次いで、例えば以下の［工程−５１０］〜［工程−５２０］により、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去する。

［工程−５１０］
光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第１の光透過部５６１と第２の光透過部５６２とを備える第１のマスク５６０を用いて光吸収材料層を露光する。具体的には、光吸収材料層１１０の上に、第１のマスク５６０を配置する（図１０の（Ａ）参照）。第１の光透過部５６１は、実施例３において説明をした第１のマスク３６０の光透過部３６１に対応し、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分に相当する。また、第２の光透過部５６２は、実施例３において説明をした第２のマスク３７０の光透過部３７１に対応し、光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分に相当する。第１のマスク５６０は、金属板に第１の光透過部５６１及び第２の光透過部５６２を設けることにより製作したが、これに限るものではない。

次いで、基板２０上の光吸収材料層１１０に、マスク５６０を介して所定の強度の紫外線を照射し、光吸収材料層１１０を露光する（図１０の（Ｂ）参照）。参照番号１１２は、第１の光透過部５６１を介して光吸収材料層１１０が露光された領域を示す。参照番号１１１は、第２の光透過部５６２を介して光吸収材料層１１０が露光された領域を示す。尚、紫外線の強度は、実施例３の［工程−３１０］で説明したと同様の強度に、設定されている。従って、露光された領域１１１及び露光された領域１１２の基板２０側には、未感光の光吸収材料層１１０が残る。これにより、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去するための露光が完了する。

その後、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第１のマスク５６０の第１の光透過部５６１を塞ぐための第２のマスク５７０を第１のマスク５６０に重ねる（図１１の（Ａ）参照）。第２のマスク５７０には、例えばスリット状の開口から成る光透過部５７１が設けられている。光透過部５７１は、第１のマスク５６０の第２の光透過部５６２を包含する形状となっている。

次いで、第１のマスク５６０及び第２のマスク５７０とを用いて光吸収材料層１１０を露光する。具体的には、基板２０上の光吸収材料層１１０に、第２のマスク５７０及び第１のマスク５６０を介して所定の強度の紫外線を照射し、光吸収材料層１１０を露光する（図１１の（Ｂ）参照）。既に説明したように、第２のマスク５７０によって、第１のマスク５６０の第１の光透過部５６１は塞がれている。また、第２のマスク５７０の光透過部５７１は、第１のマスク５６０の第２の光透過部５６２を包含する形状となっている。従って、図１１の（Ａ）に示す露光された領域１１１のみが再度露光され、図１１の（Ａ）に示すように、露光された領域１１１は、基板２０側に及ぶ。

［工程−５２０］
実施例３の［工程−３３０］と同様にして、露光された光吸収材料層１１０を現像し、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去する。この後、必要であれば、例えば乾燥、焼成等の後処理を施してもよい。これにより、開口１０３と底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１が形成される（図８の（Ｃ）参照）。

以上の工程により、底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１が設けられた格子状の光吸収部１００を形成することができる。

その後、実施例１の［工程−１７０］と同様にして、基板２０にアノード電極２４と蛍光体層２２を形成する。次いで、［工程−１８０］と同様にして、平面型表示装置の組立を行うことにより、平面型表示装置を完成させることができる。

実施例６は、本発明の平面型表示装置、及び、本発明の第３の態様の平面型表示装置の製造方法に関する。実施例６では、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第１のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、次いで、光吸収材料層の露光されていない部分が所望の厚さになるように、光吸収材料層を除去する。次いで、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第２のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、次いで、光吸収材料層の露光されていない部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する。実施例６の平面型表示装置は、実施例１で説明した平面型表示装置と同様の構成、構造を有するので、平面型表示装置の説明は省略する。

以下、図１２の（Ａ）〜（Ｃ）及び図１３の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例６の平面型表示装置の製造方法を説明する。

［工程−６００］
実施例３の［工程−３００］と同様にして、アノードパネルＡＰを構成する基板２０上に、ネガ型の紫外線感光性のポリイミド樹脂から成る光吸収材料層１１０を形成する（図７の（Ａ）参照）。

次いで、例えば以下の［工程−６１０］〜［工程−６２０］により、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第１のマスク６６０を用いて光吸収材料層１１０を露光し、次いで、光吸収材料層１１０の露光されていない部分が所望の厚さになるように、光吸収材料層１１０を除去する。

［工程−６１０］
光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第１のマスク６６０を用いて光吸収材料層を露光する。具体的には、光吸収材料層１１０の上に、第１のマスク６６０を配置する（図１２の（Ａ）参照）。第１のマスク６６０は、光吸収材料層１１０の露光の際に、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を遮光するために用いられる。第１のマスク６６０は、実施例５において説明した第１のマスク５６０と相補的な関係にある。より具体的には、第１のマスク６６０の光透過部６６１は、実施例５における第１のマスク５６０の遮光部に相当する領域に設けられている。第１のマスク６６０は、透明基板上の金属膜をパターンニングすることにより製作したが、これに限るものではない。

次いで、基板２０上の光吸収材料層１１０に、マスク６６０を介して所定の強度の紫外線を照射し、光吸収材料層１１０の露光をする（図１２の（Ｂ）参照）。参照番号１１２Ａは、光透過部６６１を介しての光吸収材料層１１０の露光がされた領域を示す。尚、紫外線の強度は、実施例３の［工程−３２０］で説明したと同様の強度に、設定されている。従って、露光された領域１１２Ａの基板２０側には、未感光の光吸収材料層が残らない。

［工程−６２０］
その後、光吸収材料層の露光されていない部分が所望の厚さになるように、光吸収材料層を現像して除去する（図１２の（Ｃ）参照）。具体的には、エッチング法としてウエットエッチング法を用いて、光吸収材料層の露光されていない部分が約１０μｍ残るようにした。

その後、例えば以下の［工程−６３０］〜［工程−６４０］により、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第２のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、次いで、光吸収材料層の露光されていない部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する。

［工程−６３０］
光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第２のマスク６７０を用いて光吸収材料層１１０を露光する。具体的には、光吸収材料層１１０の上に、第２のマスク６７０を配置する（図１３の（Ａ）参照）。第２のマスク６７０は、光吸収材料層１１０の露光の際に、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分を露光するために用いられる。第２のマスク６７０は、実施例５において説明した第２のマスク５７０と相補的な関係にある。より具体的には、第２のマスク６７０の光透過部６７１は、実施例５における第２のマスク５７０の遮光部に相当する領域に設けられている。第２のマスク６７０は、透明基板に所定のパターンで遮光材料を印刷することにより製作したが、これに限るものではない。

次いで、基板２０上の光吸収材料層１１０に、マスク６７０を介して所定の強度の紫外線を照射し、光吸収材料層１１０の露光をする（図１３の（Ｂ）参照）。参照番号１１３Ａは、光透過部６７１を介しての光吸収材料層１１０の露光がされた領域を示す。尚、紫外線の強度は、例えば、実施例３の［工程−３２０］で説明したと同様の強度に、設定されている。従って、露光された領域１１３Ａの基板２０側には、未感光の光吸収材料層が残らない。

［工程−６４０］
その後、実施例１の［工程−１６０Ａ］と同様にして、露光された光吸収材料層１１０を現像し、光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分を除去する。この後、必要であれば、例えば乾燥、焼成等の後処理を施してもよい。これにより、開口１０３と底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１が形成される（図１３の（Ｃ）参照）。

以上の工程により、底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１が設けられた格子状の光吸収部１００を形成することができる。

その後、実施例１の［工程−１７０］と同様にして、基板２０にアノード電極２４と蛍光体層２２を形成する。次いで、［工程−１８０］と同様にして、平面型表示装置の組立を行うことにより、平面型表示装置を完成させることができる。

実施例７は、本発明の平面型表示装置、及び、本発明の第３の態様の平面型表示装置の製造方法に関する。実施例７では、アノードパネルを構成する基板上に、光吸収材料層を形成し、その後、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去する工程、及び、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去し底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部を形成する工程によって、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する。実施例７の平面型表示装置は、実施例１で説明した平面型表示装置と同様の構成、構造を有するので、平面型表示装置の説明は省略する。

以下、図１４の（Ａ）〜（Ｄ）、図１５の（Ａ）〜（Ｄ）を参照して、実施例７の平面型表示装置の製造方法を説明する。

［工程−７００］
先ず、実施例３の［工程−３００］と同様にして、アノードパネルＡＰを構成する基板２０上に、例えばポリイミド樹脂から成る光吸収材料層１１０を形成する（図７の（Ａ）参照）。

その後、後述する［工程−７１０］により光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去し、後述する［工程−７２０］により光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去し底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部を形成する。尚、［工程−７１０］を行った後に［工程−７２０］を行う態様であってもよいし、［工程−７２０］を行った後に［工程−７１０］を行う態様であってもよい。図１４の（Ａ）〜（Ｄ）は、［工程−７１０］を行った後に［工程−７２０］を行う場合の態様を説明する図であり、図１５の（Ａ）〜（Ｄ）は、［工程−７２０］を行った後に［工程−７１０］を行う場合の態様を説明する図である。

［工程−７１０］
光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分を除去する。具体的には、先ず、光吸収材料層１１０の上に、開口部７６１を備えるマスク層７６０を形成する（図１４の（Ａ）あるいは図１５の（Ｃ）参照）。マスク層７６０は、例えば、光吸収材料層１１０の上にレジスト層を形成し、その後、これをパターンニングすることによって形成することができるが、これに限るものではない。

その後、露出した光吸収材料層１１０を、例えばエッチング法によって除去することにより開口１０３を形成する。次いで、洗浄等によりマスク層７６０を除去する（図１４の（Ｂ）あるいは図１５の（Ｄ）参照）。以上の工程により、光吸収材料層１１０の蛍光体層を設けるべき部分が除去される。

［工程−７２０］
光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去し底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部を形成する。具体的には、先ず、光吸収材料層１１０の上に、開口部７７１を備えるマスク層７７０を形成する（図１４の（Ｃ）あるいは図１５の（Ａ）参照）。マスク層７７０は、例えば、光吸収材料層１１０の上にレジスト層を形成し、その後、これをパターンニングすることによって形成することができるが、これに限るものではない。

その後、露出した光吸収材料層１１０を、露出した光吸収材料層１１０の底部が残るように、例えばエッチング法によって除去する。次いで、洗浄等によりマスク層７７０を除去する（図１４の（Ｄ）あるいは図１５の（Ｂ）参照）。以上の工程により、底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部が形成される。

この後、必要であれば、例えば乾燥、焼成等の後処理を施してもよい。以上の工程により、底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１が設けられた格子状の光吸収部１００を形成することができる（図１４の（Ｄ）あるいは図１５の（Ｄ）参照）。

その後、実施例１の［工程−１７０］と同様にして、基板２０にアノード電極２４と蛍光体層２２を形成する。次いで、［工程−１８０］と同様にして、平面型表示装置の組立を行うことにより、平面型表示装置を完成させることができる。

実施例８は、本発明の平面型表示装置、及び、本発明の第４の態様の平面型表示装置の製造方法に関する。実施例８では、アノードパネルを構成する基板上に、格子状の光吸収材料層から成る光吸収部を形成し、その後、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する。実施例８の平面型表示装置は、実施例１で説明した平面型表示装置と同様の構成、構造を有するので、平面型表示装置の説明は省略する。

以下、図１６の（Ａ）〜（Ｄ）を参照して、実施例８の平面型表示装置の製造方法を説明する。

［工程−８００］
アノードパネルＡＰを構成する基板２０上に、例えばスクリーン印刷等により、開口１０３を備える格子状の光吸収材料層１１０から成る光吸収部を形成する（図１６の（Ａ）参照）。尚、実施例２の［工程−２２０］と同様の工程により、表面に格子状に形成された凹部を備える転写型を用いて、転写型の凹部内に光吸収材料を充填し、その後、基板２０上に、転写型の凹部内の光吸収材料を転写して、光吸収材料層から成る光吸収部を形成する態様であってもよい。あるいは、例えば紫外線感光性のポリイミド樹脂を用いて、スピンコート法に基づき、基板２０の表面に光吸収材料層を形成し、その後、実施例３の［工程−３２０］及び［工程−３３０］と同様の工程により、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去する態様であってもよい。

［工程−８１０］
次いで、例えばサンドブラスト形成法により、光吸収材料層１１０のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去する。具体的には、先ず、光吸収材料層１１０及び基板２０を覆うように、マスク層８６０を形成する。次いで、光吸収材料層１１０の上のマスク層８６０を除去し、開口部８６１を形成する（図１６の（Ｂ）参照）。開口部８６１には、光吸収材料層１１０が露出する。

［工程−８２０］
その後、露出した光吸収材料層１１０の底部が残るようにサンドブラスト法によって除去する（図１６の（Ｃ）参照）。これにより、底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１が形成される。

［工程−８３０］
次いで、洗浄等によりマスク層８６０を除去する。この後、必要であれば、例えば乾燥、焼成等の後処理を施してもよい。これにより、開口１０３と底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１が形成される（図１６の（Ｄ）参照。

以上の工程により、底部１０２に光吸収材料層１１０が残されている凹状のスペーサ保持部１０１が設けられた格子状の光吸収部１００を形成することができる。

その後、実施例１の［工程−１７０］と同様にして、基板２０にアノード電極２４と蛍光体層２２を形成する。その後、［工程−１８０］と同様にして、平面型表示装置の組立を行うことにより、平面型表示装置を完成させることができる。

以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例における平面型表示装置の構成要素の具体的な構成、構造は例示であり、適宜、変更することができるし、実施例において説明した平面型表示装置の製造方法の具体的な方法も例示であり、適宜、変更することができる。

実施例１〜実施例８において、図示した光吸収部（例えば実施例１における図４の（Ｃ））には全て凹状のスペーサ保持部が形成されているが、本発明はこれに限るものではない。平面型表示装置において、スペーサ保持部は実際にスペーサが取り付けられる箇所に設けられていれば足りる。例えば、平面型表示装置において、スペーサが約２０ｍｍ間隔で配置される場合には、スペーサ保持部を約２０ｍｍ間隔で設ければよい。

本発明にあっては、蛍光体層を囲む光吸収部の平面形状として、矩形形状の他、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができる。これらの平面形状が２次元マトリクス状に配列されることにより、光吸収材料層から成る格子状の光吸収部が構成される。この２次元マトリクス状の配列は、例えば井桁状に配列されるものでもよいし、千鳥状に配列されるものでもよい。図１７の（Ａ）〜（Ｄ）に、２次元マトリクスの配列の例を示す。図１７の（Ａ）は、蛍光体層を囲む光吸収部の平面形状が矩形形状であり、かつ、千鳥状に配列された例である。この場合には、スペーサ保持部は、図１７のＹ軸方向に延びるように形成すればよい。図１７の（Ｂ）は、蛍光体層を囲む光吸収部の平面形状が円形形状であり、かつ、千鳥状に配列された例である。この場合には、スペーサ保持部を、図１７のＸ軸方向に延びるように形成すればよい。図１７の（Ｃ）は、蛍光体層を囲む光吸収部の平面形状が略六角形形状であり、かつ、千鳥状に配列された例である。この場合には、スペーサ保持部を、図１７のＸ軸方向に延びるように形成すればよい。図１７の（Ｄ）は、蛍光体層を囲む光吸収部の平面形状が三角形形状の例である。この場合には、スペーサ保持部を、図１７のＸ軸方向に延びるように形成すればよい。また、光吸収部は所謂ストライプ形状であってもよい。

図１は、実施例１〜実施例８の平面型表示装置の概念的な一部端面図である。 図２は、実施例１〜実施例８の平面型表示装置のアノードパネル及びスペーサの一部を切り欠いた模式的な斜視図である。 図３の（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例１の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図４の（Ａ）〜（Ｃ）は、図３の（Ｄ）に引き続き、実施例１の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図５の（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例１の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図６の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例２の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図７の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例３の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図８の（Ａ）〜（Ｃ）は、図７の（Ｃ）に引き続き実施例３の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図９の（Ａ）〜（Ｂ）は、図８の（Ｃ）に引き続き、実施例３の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１０の（Ａ）〜（Ｂ）は、実施例５の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１１の（Ａ）〜（Ｂ）は、図１０の（Ｂ）に引き続き、実施例５の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１２の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例６の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１３の（Ａ）〜（Ｃ）は、図１２の（Ｃ）に引き続き、実施例６の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１４の（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例７の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１５の（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例７の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１６の（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例８の平面型表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１７の（Ａ）〜（Ｄ）は、２次元マトリクスの配列例を説明するための模式的な平面図である。 図１８は、スピント型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図である。 図１９は、カソードパネル及びアノードパネルを分解したときのカソードパネルとアノードパネルの一部分の模式的な分解斜視図である。 図２０は、略平面状の電子放出部１５Ａを有する、所謂扁平型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図である。

符号の説明

１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４・・・開口部、１４Ａ・・・開口部、１４Ｂ・・・開口部、１５・・・電子放出部、１５Ａ・・・電子放出部、１６・・・収束電極、１７・・・層間絶縁層、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２・・・蛍光体層、２２Ｂ・・・青色発光蛍光体層、２２Ｇ・・・緑色発光蛍光体層、２２Ｒ・・・赤色発光蛍光体層、２３・・・光吸収層、２４・・・アノード電極、２５・・・スペーサ保持部、２６・・・枠体、３１・・・カソード電極制御回路、３２・・・ゲート電極制御回路、３３・・・アノード電極制御回路、４０・・・スペーサ、１００・・・光吸収部、１０１・・・スペーサ保持部、１０２・・・底部、１０３・・・開口、１１０・・・光吸収材料層、１１０Ａ・・・光吸収材料、１１１・・・領域、１１１Ａ・・・領域、１１２Ａ・・・領域、１１３Ａ・・・領域、１１２・・・領域、１５０・・・転写型、１５１・・・凸部、１６０・・・マスク、１６０Ａ・・・マスク、１６１・・・光透過部、１６１Ａ・・・光透過部、２５０・・・転写型、２５１・・・凸部、２５２・・・凹部、２５３・・・四方を凹部２５２で囲まれた部分、３６０・・・第１のマスク、３６１・・・光透過部、３７０・・・第２のマスク、３７１・・・光透過部、４６０・・・マスク、４６１・・・第１の光透過部、４６２・・・第２の光透過部、５６０・・・第１のマスク、５６１・・・第１の光透過部、５６２・・・第２の光透過部、５７０・・・第２のマスク、６６０・・・第１のマスク、６６１・・・第１の光透過部、６７０・・・第２のマスク、６７１・・・第２の光透過部、７６０・・・マスク層、７６１・・・開口部、７７０・・・マスク層、７７１・・・開口部、８６０・・・マスク層、８６１・・・開口部

Claims (8)

1. 電子放出領域が設けられたカソードパネルと、蛍光体層及びアノード電極が設けられたアノードパネルとが、スペーサを介して対向し、
   カソードパネルの周縁部とアノードパネルの周縁部とが接合されており、
   カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、
   アノードパネルには、蛍光体層を囲むように、光吸収材料層から成る格子状の光吸収部が設けられており、
   光吸収部には、スペーサを保持するための凹状のスペーサ保持部が設けられており、
   スペーサ保持部の底部には、光吸収材料層が残されており、
   スペーサ保持部にスペーサが挿入されている、平面型表示装置の製造方法であって、
   （ａ）表面に凸部を備える転写型を準備し、
   （ｂ）転写型の表面に光吸収材料層を形成し、その後、
   （ｃ）アノードパネルを構成する基板上に、転写型の表面に形成された光吸収材料層を転写し、その後、
   （ｄ）光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去し、転写型の凸部と相補的な形状を有すると共に底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する、
   工程を具備する平面型表示装置の製造方法。
2. 電子放出領域が設けられたカソードパネルと、蛍光体層及びアノード電極が設けられたアノードパネルとが、スペーサを介して対向し、
   カソードパネルの周縁部とアノードパネルの周縁部とが接合されており、
   カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、
   アノードパネルには、蛍光体層を囲むように、光吸収材料層から成る格子状の光吸収部が設けられており、
   光吸収部には、スペーサを保持するための凹状のスペーサ保持部が設けられており、
   スペーサ保持部の底部には、光吸収材料層が残されており、
   スペーサ保持部にスペーサが挿入されている、平面型表示装置の製造方法であって、
   （ａ）表面に格子状に形成された凹部を備え、該凹部の底に凸部が設けられている転写型を準備し、
   （ｂ）該凹部内に光吸収材料を充填し、その後、
   （ｃ）アノードパネルを構成する基板上に、転写型の凹部内の光吸収材料を転写し、転写型の凹部の底に設けられた凸部と相補的な形状を有すると共に底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する、
   工程を具備する平面型表示装置の製造方法。
3. 電子放出領域が設けられたカソードパネルと、蛍光体層及びアノード電極が設けられたアノードパネルとが、スペーサを介して対向し、
   カソードパネルの周縁部とアノードパネルの周縁部とが接合されており、
   カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、
   アノードパネルには、蛍光体層を囲むように、光吸収材料層から成る格子状の光吸収部が設けられており、
   光吸収部には、スペーサを保持するための凹状のスペーサ保持部が設けられており、
   スペーサ保持部の底部には、光吸収材料層が残されており、
   スペーサ保持部にスペーサが挿入されている、平面型表示装置の製造方法であって、
   （ａ）アノードパネルを構成する基板上に、光吸収材料層を形成し、その後、
   （ｂ）光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する、
   工程を具備する平面型表示装置の製造方法。
4. 光吸収材料層は感光性材料から成り、
   前記工程（ｂ）は、
   （ｂ−１）光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去するために、第１のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第２のマスクを用いて光吸収材料層を露光する工程、及び、
   （ｂ−２）露光後の光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する工程、
   から成る請求項３に記載の平面型表示装置の製造方法。
5. 光吸収材料層は感光性材料から成り、
   前記工程（ｂ）は、
   （ｂ−１）第１の光透過部と第２の光透過部とを備え、第２の光透過部の光透過率が第１の光透過部の光透過率よりも高いマスクを準備し、その後、
   （ｂ−２）該マスクを用いることにより、光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去するための第１の光透過部を介しての光吸収材料層の露光と、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するための第２の光透過部を介しての光吸収材料層の露光とを同時に行う工程、及び、
   （ｂ−３）露光後の光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する工程、
   から成る請求項３に記載の平面型表示装置の製造方法。
6. 光吸収材料層は感光性材料から成り、
   前記工程（ｂ）は、
   （ｂ−１）光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第１の光透過部と第２の光透過部とを備える第１のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、その後、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第１のマスクの第１の光透過部を塞ぐための第２のマスクを第１のマスクに重ね、第１のマスク及び第２のマスクとを用いて光吸収材料層を露光する工程、及び、
   （ｂ−２）露光後の光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する工程、
   から成る請求項３に記載の平面型表示装置の製造方法。
7. 光吸収材料層は感光性材料から成り、
   前記工程（ｂ）は、
   （ｂ−１）光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分及び蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第１のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、次いで、光吸収材料層の露光されていない部分が所望の厚さになるように、光吸収材料層を除去する工程、
   （ｂ−２）該工程（ｂ−１）に次いで、光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去するために、第２のマスクを用いて光吸収材料層を露光し、次いで、光吸収材料層の露光されていない部分を除去し、底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部が設けられた格子状の光吸収部を形成する工程、
   から成る請求項３に記載の平面型表示装置の製造方法。
8. 前記工程（ｂ）は、
   （ｂ−１）光吸収材料層の蛍光体層を設けるべき部分を除去する工程、及び、
   （ｂ−２）光吸収材料層のスペーサ保持部を設けるべき部分を除去し底部に光吸収材料層が残されている凹状のスペーサ保持部を形成する工程、
   から成る請求項３に記載の平面型表示装置の製造方法。

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