JP4561491B2 - 平面型表示装置用のアノードパネルの製造方法、平面型表示装置の製造方法、及び、平面型表示装置 - Google Patents
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(A)基板、
(B)基板に形成された複数の蛍光体領域、
(C)導電材料層から成り、各蛍光体領域上に形成されたアノード電極ユニット、及び、
(D)抵抗体層、
を備えた平面型表示装置用のアノードパネルの製造方法であって、
基板上に蛍光体領域を形成し、次いで、全面に導電材料層を形成した後、隣り合う蛍光体領域間に位置する導電材料層を化学変化させ、以て、各蛍光体領域上に形成されたアノード電極ユニット及びこれらを電気的に接続する抵抗体層を得る工程、
を備えていることを特徴とする。
(A)基板、
(B)基板に形成された複数の蛍光体領域、
(C)導電材料層から成り、各蛍光体領域上に形成されたアノード電極ユニット、及び、
(D)抵抗体層、
を備えたアノードパネルと、電子放出素子を複数備えたカソードパネルとが、それらの周縁部で接合されて成る平面型表示装置の製造方法であって、
アノードパネルを、
基板上に蛍光体領域を形成し、次いで、全面に導電材料層を形成した後、隣り合う蛍光体領域間に位置する導電材料層を化学変化させ、以て、各蛍光体領域上に形成されたアノード電極ユニット及びこれらを電気的に接続する抵抗体層を得る工程、
によって製造することを特徴とする。
(A)基板、
(B)基板に形成された複数の蛍光体領域、
(C)導電材料層から成り、各蛍光体領域上に形成されたアノード電極ユニット、及び、
(D)抵抗体層、
を備えたアノードパネルと、電子放出素子を複数備えたカソードパネルとが、それらの周縁部で接合されて成る平面型表示装置であって、
抵抗体層は、隣り合う蛍光体領域間に位置した導電材料層が化学変化したものであることを特徴とする。
隣り合う各単位蛍光体領域間に位置する導電材料層を化学変化させて抵抗体層を得る構成とすることができる。このようにして、本発明の平面型表示装置における抵抗体層を得ることができる。この構成では、アノード電極ユニットを、画素よりも細かく分割することもできる。
(1)カソード電極に印加する電圧vCを一定とし、ゲート電極に印加する電圧vGを変化させる方式
(2)カソード電極に印加する電圧vCを変化させ、ゲート電極に印加する電圧vGを一定とする方式
(3)カソード電極に印加する電圧vCを変化させ、且つ、ゲート電極に印加する電圧vGも変化させる方式がある。
(a)支持体上に形成され、第1の方向に延びる帯状のカソード電極、
(b)カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
(c)絶縁層上に形成され、第1の方向とは異なる第2の方向に延びる帯状のゲート電極、
(d)カソード電極とゲート電極の重複する重複部分に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
(e)開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられ、カソード電極及びゲート電極への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部、
から成る。
(1)支持体上にカソード電極を形成する工程、
(2)全面(支持体及びカソード電極上)に絶縁層を形成する工程、
(3)絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
(4)カソード電極とゲート電極との重複部分におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
(5)開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
(1)支持体上にカソード電極を形成する工程、
(2)カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
(3)全面(支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上)に絶縁層を形成する工程、
(4)絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
(5)カソード電極とゲート電極との重複部分におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
先ず、アノードパネルAPを構成する基板20上に、例えばスパッタリング法により、光吸収材料層122Aを形成する(図3の(A)参照)。実施例1において、光吸収材料層122Aは、基板20上に形成されたCrOx層122Bと、CrOx層122Bの上に形成されたクロム(Cr)層122Cから構成される積層膜である。具体的には、アノードパネルAPを構成する基板20上に、スパッタリング法により厚さ約70nmのCrOx層122Bを形成する。その後、CrOx層122Bの上に、スパッタリング法により厚さ約130nmのクロム(Cr)層122Cを形成する。尚、例えば、密着性改善用等の下地膜が基板20上に形成されており、その下地膜の上に光吸収材料層122Aを形成する態様であってもよい。
次いで、例えばエッチング法により、例えば矩形形状に、光吸収材料層122Aの蛍光体領域を設けるべき部分を除去する(図3の(B)参照)。これにより、格子状の光吸収部122が形成される。参照番号122Dは、光吸収材料層122Aが除去されることにより形成された開口を示す。
その後、基板20上に蛍光体領域21(21R、21G、21B)を形成する(図3の(C)参照)。基板20の光吸収部122の開口122D内に、例えば蛍光体スラリーの塗布、露光、現像により、蛍光体領域21を形成する。具体的には、赤色蛍光体スラリーを全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光単位蛍光体領域21Rを形成し、次いで、緑色蛍光体スラリーを全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光単位蛍光体領域21Gを形成し、更に、青色蛍光体スラリーを全面に塗布し、露光、現像して、青色発光単位蛍光体領域21Bを形成する。1画素は、1つの赤色発光単位蛍光体領域、1つの緑色発光単位蛍光体領域、及び、1つの青色発光単位蛍光体領域の集合から構成される。
次いで、光吸収部122及び蛍光体領域21の上に、変化前導電材料層123Aを形成する(図4の(A)参照)。具体的には、スパッタリング法により、アルミニウム(Al)から成る厚さ約50nmの変化前導電材料層123Aを形成するが、これに限るものではない。
その後、例えば、以下の表1に例示する条件での導電材料層123Aの熱処理を行い、隣り合う蛍光体領域21間に位置する導電材料層123Aを化学変化(具体的には、酸化)させる。
基板温度 :420゜C
時間 :120分
圧力 :1×105Pa(1気圧)
処理雰囲気:酸素ガス
次いで、図1に示す平面型表示装置の組立を行う。具体的には、スペーサ(図示せず)を介して、蛍光体領域21と電子放出領域EAとが対向するようにアノードパネルAPとカソードパネルCPとを配置する。アノードパネルAPとカソードパネルCP(より具体的には、支持体10と基板20)とを、例えば枠体26を介して、周縁部において接合する。接合に際しては、枠体26とアノードパネルAPとの接合部位、及び枠体26とカソードパネルCPとの接合部位にフリットガラスを塗布し、アノードパネルAPとカソードパネルCPと枠体とを貼り合わせ、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、約450゜Cで10〜30分の熱処理を行う。その後、アノードパネルAPとカソードパネルCPと枠体26と接着層とによって囲まれた空間を、貫通孔(図示せず)及びチップ管(図示せず)を通じて排気し、空間の圧力が10-4Pa程度に達した時点でチップ管を加熱溶融により封じ切る。このようにして、アノードパネルAPとカソードパネルCPと枠体26とに囲まれた空間を真空にすることができる。その後、必要な外部回路との配線を行い、平面型表示装置を完成させることができる。
先ず、実施例1の[工程−100]〜[工程−110]と同様にして、アノードパネルAPを構成する基板20上に、格子状の光吸収部222を形成する。尚、実施例2においては、CrOx層から成る光吸収部222を形成する。
次いで、実施例1の[工程−120]と同様にして、基板20上に蛍光体領域21(21R、21G、21B)を形成する。
その後、以下の工程により、隣り合う蛍光体領域21間に位置する導電材料層の厚さが、蛍光体領域21上の導電材料層の厚さに対して薄くなるように変化前導電材料層223Aを形成する。
その後、実施例1の[工程−140]と同様にして、例えば、実施例1の表1に例示した条件で導電材料層223Aの熱処理を行い、隣り合う蛍光体領域21間に位置する導電材料層223Aを化学変化(具体的には、酸化)させる。
その後、実施例1の[工程−180]と同様にして、図1に示す平面型表示装置の組立を行い、平面型表示装置を完成させることができる。
先ず、実施例2の[工程−200]と同様にして、アノードパネルAPを構成する基板20上に、格子状の光吸収部322を形成する。
次いで、光吸収部322の上に隔壁324を形成する。実施例3では、ポリイミド樹脂を用いて隔壁324を形成するが、これに限るものではない。例えばスピンコート法により、光吸収部322及び基板20の上にポリイミド樹脂層324Aを形成する(図8の(A)参照)。次いで、光吸収部322上のポリイミド樹脂層324Aを残し、他のポリイミド樹脂層324Aを除去する。ポリイミド樹脂層324Aの除去は、感光法やサンドブラスト法等を適宜用いて行うことができる。この後、必要であれば、例えば乾燥、焼成等の後処理を施してもよい。これにより、ポリイミド樹脂層324Aから成る隔壁324を得ることができる(図8の(B)参照)。
その後、実施例1の[工程−120]と同様にして、基板20上に蛍光体領域21(21R、21G、21B)を形成する(図8の(C)参照)。
次いで、実施例1の[工程−130]と同様にして、基板20及び隔壁324の上に、変化前導電材料層323Aを形成する(図9の(A)参照)。具体的には、スパッタリング法により、アルミニウム(Al)から成る厚さ約50nmの導電材料層323Aを形成するが、これに限るものではない。実施例3にあっては、隣り合う蛍光体領域21間には隔壁324が設けられており、各蛍光体領域21上から隔壁324の側面324C上及び隔壁324の頂面324B上に亙り導電材料層323Aが形成されている。蛍光体領域21及び隔壁324の上には、厚さ約50nmの導電材料層323Aが形成されている。一方、頂面324Bと側面324Cは略直交する関係にあるので、側面324C上の導電材料層323Aは、頂面324B側が最も厚く、蛍光体領域21側が最も薄く形成されている。
その後、実施例1の[工程−140]と同様にして、例えば、実施例1の表1に例示した条件で導電材料層323Aの熱処理を行い、隣り合う蛍光体領域21間に位置する導電材料層323A(より具体的には、実施例2では、隣り合う蛍光体領域21間に設けられている隔壁324の側面324C上に形成された導電材料層323A)を化学変化(具体的には、酸化)させる。
その後、実施例1の[工程−180]と同様にして、図6に示す平面型表示装置の組立を行い、平面型表示装置を完成させることができる。
先ず、実施例2の[工程−200]と同様にして、アノードパネルAPを構成する基板20上に、格子状の光吸収部422を形成する。
次いで、実施例3の[工程−310]と同様にして、光吸収部422の上に隔壁424を形成する。
その後、実施例1の[工程−120]と同様にして、基板20上に蛍光体領域21(21R、21G、21B)を形成する。
次いで、実施例1の[工程−130]と同様にして、基板20及び隔壁424の上に、変化前導電材料層423Aを形成する。具体的には、スパッタリング法により、アルミニウム(Al)から成る厚さ約50nmの導電材料層423Aを形成するが、これに限るものではない。実施例4にあっては、隣り合う蛍光体領域21間には隔壁424が設けられており、各蛍光体領域21上から隔壁424の側面424C上及び隔壁424の頂面424B上に亙り導電材料層423Aが形成されている。
その後、隣り合う蛍光体領域21間に位置する変化前導電材料層に酸化剤を塗布する。より具体的には、隔壁424の頂面424B上に形成された導電材料層423Aの上に、酸化剤を塗布する。実施例4では、酸化剤として過マンガン酸カリウム(KMnO4)を含む水溶液を、硬度約40〜70のローラー(図示せず)に含浸させた後、ローラーを頂面424Bに沿って移動させることにより塗布する。この後、必要であれば、例えば乾燥等の後処理を施してもよい。これにより、頂面424B上に形成された導電材料層423Aに、酸化剤460が塗布される(図12の(A)参照)。
導電材料層423Aの熱処理を行い、隣り合う蛍光体領域21間に位置する導電材料層423A(より具体的には、実施例4では、隣り合う蛍光体領域21間に設けられている隔壁424の頂面424B上に形成された導電材料層423A)と酸化剤460とを、以下の表2に例示する条件にて反応させることにより、隣り合う蛍光体領域21間に位置する導電材料層423Aを化学変化(具体的には、酸化)させる。
基板温度 :385゜C
時間 :70分
圧力 :1×105Pa(1気圧)
処理雰囲気:大気
次いで、実施例1の[工程−180]と同様にして、平面型表示装置を完成させることができる。
図10に示す平面型表示装置の組立を行う。具体的には、スペーサ(図示せず)を介して、蛍光体領域21と電子放出領域EAとが対向するように、アノードパネルAPとカソードパネルCPとを配置する。次いで、アノードパネルAPとカソードパネルCP(より具体的には、支持体10と基板20)とを、例えば枠体26を介して、周縁部において接合する。接合は、枠体26とアノードパネルAPとの接合部位、及び枠体26とカソードパネルCPとの接合部位にフリットガラスを塗布し、アノードパネルAPとカソードパネルCPと枠体とを貼り合わせ、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、以下の表3に例示する条件にて熱処理を行う。
基板温度 :420゜C
時間 :120分
圧力 :1×105Pa(1気圧)
処理雰囲気:大気あるいは酸素
Claims (9)
- (A)基板、
(B)基板上に形成された複数の蛍光体領域、
(C)基板上の隣り合う蛍光体領域間に設けられた光吸収部、
(D)各蛍光体領域上に形成されたアノード電極ユニット、及び、
(E)アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとを電気的に接続する抵抗体層、
を備えた平面型表示装置用のアノードパネルの製造方法であって、
基板上に蛍光体領域及び光吸収部を形成し、次いで、全面に導電材料層を形成した後、光吸収部の上に形成された導電材料層と光吸収部を構成する材料とを反応させることにより、隣り合う蛍光体領域間に位置する導電材料層を化学変化させて抵抗体層とし、以て、各蛍光体領域上に形成された導電材料層から成るアノード電極ユニットと、抵抗体層とを得る工程、
を備えている平面型表示装置用のアノードパネルの製造方法。 - 導電材料層は金属材料から成り、抵抗体層は金属酸化物から成る請求項1に記載の平面型表示装置用のアノードパネルの製造方法。
- 酸素雰囲気中で熱処理を行うことによって、光吸収部の上に形成された導電材料層と光吸収部を構成する材料とを反応させる請求項1又は請求項2に記載の平面型表示装置用のアノードパネルの製造方法。
- 導電材料層は金属材料から成り、抵抗体層は金属窒化物から成る請求項1に記載の平面型表示装置用のアノードパネルの製造方法。
- 窒素雰囲気中で熱処理を行うことによって、光吸収部の上に形成された導電材料層と光吸収部を構成する材料とを反応させる請求項1又は請求項4に記載の平面型表示装置用のアノードパネルの製造方法。
- 抵抗体層のシート抵抗が1kΩ/□以上である請求項1に記載の平面型表示装置用のアノードパネルの製造方法。
- 蛍光体領域として、赤色発光単位蛍光体領域、緑色発光単位蛍光体領域、及び、青色発光単位蛍光体領域を基板上に形成し、
隣り合う各単位蛍光体領域間に位置する導電材料層を化学変化させて抵抗体層とする請求項1に記載の平面型表示装置用のアノードパネルの製造方法。 - (A)基板、
(B)基板上に形成された複数の蛍光体領域、
(C)基板上の隣り合う蛍光体領域間に設けられた光吸収部、
(D)各蛍光体領域上に形成されたアノード電極ユニット、及び、
(E)アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとを電気的に接続する抵抗体層、
を備えたアノードパネルと、電子放出素子を複数備えたカソードパネルとが、それらの周縁部で接合されて成る平面型表示装置の製造方法であって、
アノードパネルを、
基板上に蛍光体領域及び光吸収部を形成し、次いで、全面に導電材料層を形成した後、光吸収部の上に形成された導電材料層と光吸収部を構成する材料とを反応させることにより、隣り合う蛍光体領域間に位置する導電材料層を化学変化させて抵抗体層とし、以て、各蛍光体領域上に形成された導電材料層から成るアノード電極ユニットと、抵抗体層とを得る工程、
によって製造する平面型表示装置の製造方法。 - (A)基板、
(B)基板上に形成された複数の蛍光体領域、
(C)基板上の隣り合う蛍光体領域間に設けられた光吸収部、
(D)各蛍光体領域上に形成されたアノード電極ユニット、及び、
(E)アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとを電気的に接続する抵抗体層、
を備えたアノードパネルと、電子放出素子を複数備えたカソードパネルとが、それらの周縁部で接合されて成る平面型表示装置であって、
抵抗体層は、蛍光体領域と光吸収部を覆うように基板の全面に形成された導電材料層のうち光吸収部の上に形成された導電材料層と光吸収部を構成する材料とが反応したことで隣り合う蛍光体領域間に位置した導電材料層が化学変化して成り、アノード電極ユニットは、各蛍光体領域上に形成された導電材料層から成る平面型表示装置。
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