JP4725238B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、略矩形の第1パネルと略矩形の第2パネルとが枠体を介して対向し、第1パネルの周縁部と第2パネルの周縁部とが封着材料により接合されて成る表示装置、並びに、係る表示装置の製造方法に関する。
現在主流の陰極線管(CRT)に代わる画像表示装置として、平面型(フラットパネル形式)の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置(LCD)、エレクトロルミネッセンス表示装置(ELD)、プラズマ表示装置(PDP)を例示することができる。また、電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属/絶縁膜/金属型素子(MIM素子とも呼ばれる)、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの冷陰極電子源から構成された電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。
冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置(以下、表示装置と略称する場合がある)は、一般に、2次元マトリクス状に配列された各画素に対応した電子放出領域を有するカソードパネルと、電子放出領域から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体層を有するアノードパネルとが、真空層を介して対向配置された構成を有する。電子放出領域には、通常、1又は複数の冷陰極電界電子放出素子(以下、電界放出素子と略称する場合がある)が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。
一例として、スピント型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図を図10に示し、カソードパネルCP及びアノードパネルAPを分解したときのカソードパネルCPとアノードパネルAPの一部分の模式的な分解斜視図を図11に示す。この表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体10上に形成されたカソード電極11と、支持体10及びカソード電極11上に形成された絶縁層12と、絶縁層12上に形成されたゲート電極13と、ゲート電極13及び絶縁層12に設けられた開口部14(ゲート電極13に設けられた第1開口部14A、及び、絶縁層12に設けられた第2開口部14B)と、開口部14の底部に位置するカソード電極11上に形成された円錐形の電子放出部15から構成されている。
この表示装置において、カソード電極11は、第1方向(図10〜図11においてY方向)に延びる帯状であり、ゲート電極13は、第1方向とは異なる第2方向(図10〜図11においてX方向)に延びる帯状である。一般に、カソード電極11とゲート電極13とは、これらの両電極11,13の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。帯状のカソード電極11と帯状のゲート電極13とが重複する重複領域が、電子放出領域EAであり、1サブピクセルの領域に相当する。そして、係る電子放出領域EAが、カソードパネルCPの有効領域(表示装置の表示領域に対応する領域)内に、通常、2次元マトリックス状に配列されている。
一方、アノードパネルAPは、基板20上に所定のパターンを有する蛍光体層22(具体的には、赤色発光蛍光体層22R、緑色発光蛍光体層22G、及び、青色発光蛍光体層22B)が形成され、蛍光体層22がアノード電極24で覆われた構造を有する。尚、これらの蛍光体層22の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層(ブラックマトリックス)23で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。尚、図中、参照番号21は隔壁を表し、参照番号40は例えば板状のスペーサを表し、参照番号25はスペーサ保持部を表し、参照番号26は枠体を表し、参照番号27はフリットガラス等の封着材料を表し、参照番号16は収束電極を表し、参照番号17は層間絶縁層を表す。図11においては、隔壁やスペーサ、スペーサ保持部、収束電極の図示を省略した。
アノード電極24は、蛍光体層22からの発光を反射させる反射膜としての機能の他、蛍光体層22の帯電防止といった機能を有する。また、隔壁21は、蛍光体層22から反跳した電子、あるいは、蛍光体層22から放出された2次電子(以下、これらの電子を総称して、後方散乱電子と呼ぶ)が他の蛍光体層22に衝突し、所謂光学的クロストーク(色濁り)が発生することを防止する機能を有する。
1サブピクセルは、カソードパネルCP側の電子放出領域EAと、これらの電界放出素子の一群に対面したアノードパネル側の蛍光体層22とによって構成されている。カラー表示の表示装置の場合には、1画素(1ピクセル)は、1つの赤色発光蛍光体層、1つの緑色発光蛍光体層、及び、1つの青色発光蛍光体層の集合から構成されている。有効領域には、係る画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。
そして、アノードパネルAPとカソードパネルCPとを、電子放出領域EAと蛍光体層22とが対向するように配置し、周縁部において枠体26を介して封着材料27によって接合した後、排気し、封止することによって、表示装置を作製することができる。アノードパネルAPとカソードパネルCPと枠体26とによって囲まれた空間は高真空(例えば、1×10-3Pa以下)となっている。
従って、アノードパネルAPとカソードパネルCPとの間にスペーサ40を配設しておかないと、大気圧によって表示装置が損傷を受けてしまう。スペーサ40は、スペーサ基材40Aと、スペーサ基材40Aの側面部上に設けられた帯電防止膜40Bとから成る。尚、帯電防止膜40Bは必要な場合に設けられる。
上記の表示装置の組立において、フリットガラス等の封着材料27の焼成を行う場合には、アノードパネルAPとカソードパネルCPとのアライメントをした後、これらのパネルを金属バネ等の治具により挟み、アノードパネルAPとカソードパネルCPとが図10のZ方向に相互に押しつけられている状態で焼成を行う。封着材料27は焼成工程において溶融し流動状態となるので、アノードパネルAPとカソードパネルCPとの間隔は縮まる。即ち、カソードパネルCPに対し、アノードパネルAPは相対的にZ方向に移動するが、このとき、X方向及び/又はY方向にも相対的に移動する場合がある。
上述したX方向及び/又はY方向の相対的な移動により、アライメントずれが生ずる。このアライメントずれは、蛍光体層22と電子放出領域EAとの位置ずれを生じさせるので、表示装置の色ずれ等を起こす原因となる。このような位置ずれを低減するために、特開2001−206739号公報に開示された表示装置の製造方法にあっては、枠部材を挟みこみ、2枚のガラス平板の間で枠部材より外側に前記フリットバーを挿入した後、フリットバーを溶融し、前記2枚のガラス平板の間を埋めて接合する。
特開2001−206739号公報
ところで、特開2001−206739号公報に開示された方法は、焼成によりフリットバーを溶融させ、その表面張力によって2枚のガラス平板間を埋めている。このため、密閉性を高めるためには、フリットガラスが充分な流動性を示す状態に加熱し、長時間保持する必要がある。また、接合に用いられるフリットガラスの体積も多く、冷却による体積変化により、接合部に応力が発生する可能性がある。
従って、本発明の目的は、X方向及び/又はY方向のアライメントずれを低減することが可能で、接合部に発生する残留応力を低減することができ、接合に長時間の加熱を要しない表示装置の製造方法、並びに、係る表示装置を提供することにある。
上記の目的を達成するための本発明の表示装置、上記の目的を達成するための本発明の第1の態様、あるいは、第2の態様の表示装置の製造方法は、略矩形の第1パネルと略矩形の第2パネルとが枠体を介して対向し、第1パネルの周縁部と第2パネルの周縁部とが封着材料で接合されて成る表示装置に関する。
そして、上記の目的を達成するための本発明の表示装置、及び、上記の目的を達成するための本発明の第1の態様あるいは第2の態様の表示装置の製造方法によって製造される表示装置は、第1パネルの周縁部と第2パネルの周縁部との間に、これらのパネルの各辺に沿って、枠体が配置されており、枠体と対向するように、第1パネルと第2パネルとの間に、棒状部材が配置されており、第1パネル、第2パネル、枠体、及び、棒状部材によって囲まれた領域が、封着材料で満たされていることを特徴とする。
ここで、本発明の表示装置にあっては、棒状部材と対向する枠体の側面には、切り欠きが設けられている構成とすることができる。あるいは又、枠体と対向する棒状部材の側面には、切り欠きが設けられている構成とすることもできる。更には、枠体の側面と棒状部材の側面の双方に切り欠きが設けられている構成とすることもできる。
上記の目的を達成するための本発明の第1の態様の表示装置の製造方法は、
(A)側面に封着材料層が形成されている棒状部材を準備し、
(B)第1パネルの周縁部と第2パネルの周縁部との間に、これらのパネルの各辺に沿って枠体を配置し、
(C)棒状部材の封着材料層と枠体とが対向するように、第1パネルと第2パネルとの間に、棒状部材を配置し、
(D)封着材料層を加熱して流動可能な状態とし、棒状部材を枠体に向かって移動することにより、第1パネル、第2パネル、枠体、及び、棒状部材によって囲まれた領域を封着材料層が流動した状態にある封着材料で満たし、次いで、封着材料を冷却することにより第1パネルと第2パネルとを接合することを特徴とする。
上記の目的を達成するための本発明の第2の態様の表示装置の製造方法は、
(A)側面に封着材料層が形成されている枠体を準備し、
(B)第1パネルの周縁部と第2パネルの周縁部との間に、これらのパネルの各辺に沿って、封着材料層が外側を向くように枠体を配置し、
(C)枠体の封着材料層と棒状部材とが対向するように、第1パネルと第2パネルとの間に、棒状部材を配置し、
(D)封着材料層を加熱して流動可能な状態とし、棒状部材を枠体に向かって移動することにより、第1パネル、第2パネル、枠体、及び、棒状部材によって囲まれた領域を封着材料層が流動した状態にある封着材料で満たし、次いで、封着材料を冷却することにより第1パネルと第2パネルとを接合することを特徴とする。
ここで、本発明の第1の態様あるいは第2の態様の表示装置の製造方法にあっては、棒状部材と対向する枠体の側面には、切り欠きが設けられている構成とすることができる。あるいは又、枠体と対向する棒状部材の側面には、切り欠きが設けられている構成とすることもできる。更には、枠体の側面と棒状部材の側面の双方に切り欠きが設けられている構成とすることもできる。
以下、本発明の第1の態様あるいは第2の態様の表示装置の製造方法を、単に本発明の表示装置の製造方法と呼ぶ場合がある。また、本発明の表示装置、あるいは、本発明の表示装置の製造方法を、単に本発明と呼ぶ場合がある。
本発明の表示装置の製造方法にあっては、棒状部材を枠体に向かって移動することにより、第1パネル、第2パネル、枠体、及び、棒状部材によって囲まれた領域を封着材料で満たし、次いで、封着材料を冷却することにより第1パネルと第2パネルとを接合する。本発明によれば、第1パネルと第2パネルとの間隔は枠体によって規定されているので、封着材料の溶融による第1パネルと第2パネルとの相対的な移動は生じ難い。従って、封着材料の溶融によるアライメントずれが低減する。また、棒状部材を移動することにより所定の領域を封着材料で満たす(充填する)ので、封着材料を、この所定の領域を充填するのに足りる程度の流動性が得られるように加熱すればよい。更には、棒状部材の移動に伴い、強制的に所定の領域が封着材料で充填されるので、短時間で接合を行うことができる。また、少ない封着材料で接合ができるので、接合部の残留応力を低減することができる。
本発明にあっては、枠体はパネルの辺に沿って額縁状に配置される。枠体は、額縁状に一体型を成す構成であってもよいし、パネルの各辺毎に個別の枠体を配置することにより、全体として額縁状に配置される構成であってもよい。パネルの各辺毎に個別の枠体を配置する場合には、各辺毎に1つの枠体が対応する構成であってもよいし、各辺毎に複数の枠体が対応する構成であってもよい。枠体は、表示装置を構成する第1パネル及び第2パネルの無効領域(表示装置としての実用上の機能を果たす中央部の表示領域である有効領域を額縁状に包囲する領域)に配置される。
枠体をその軸線と垂直な面で切断した断面は、略矩形形状であってもよいし、封着材料と接する枠体の側面に切り欠きを設けることにより、枠体の断面を凸型等の多角形形状等としてもよい。より具体的には、封着材料と接する枠体の側面形状として、平面、曲面、平面或いは曲面の組み合わせによる凹凸面等を例示することができる。枠体と対向して配置される棒状部材の断面についても同様である。枠体あるいは棒状部材に切り欠きを設けることにより、封着材料との接触面積が拡大され、パネルをより強固に接合することができる。特に、枠体あるいは棒状部材の切り欠きを、第1パネルあるいは第2パネルと対向する部分に設けることが好ましい。これにより、パネルと封着材料の接触面積が拡大するので、第1パネルと第2パネルとをより強固に接合することができるし、表示装置の内部空間の気密性も向上する。この場合には、切り欠きの深さにもよるが、第1パネルあるいは第2パネルの表面に倣う切り欠きの幅は、1mm以上、好ましくは、2mm以上であることが望ましい。切り欠きは、枠体、棒状部材のいずれか一方に設けられていてもよいし、双方に設けられていてもよい。
枠体と対向して配置される棒状部材は、パネルの各辺毎に1つの棒状部材が対応する構成であってもよいし、パネルの各辺毎に複数の棒状部材が対応する構成であってもよい。棒状部材の厚さは、枠体の厚さと同等あるいはそれよりも薄いことが好ましい。具体的には、枠体の厚さにもよるが、枠体の厚さと棒状部材の厚さの差が0mm〜0.4mm程度であることが望ましい。本発明の表示装置の製造方法にあっては、第1パネルと第2パネルとの距離は枠体の厚さで規定されるので、棒状部材をより円滑に枠体に向かって移動することができる。特に、棒状部材の厚さを枠体の厚さよりもよりも0.1mm〜0.4mm程度薄くすることにより、パネルと棒状部材との間に生ずる間隙が上述した切り欠きと同様の効果を生じ、接合がより強固となる。更には、棒状部材の自重等により間隙がいずれかのパネル側に偏る場合には、間隙が狭い側の棒状部材の角部に、面取り状の切り欠きを設けてもよい。
パネルの接合部の残留応力低減の観点から、枠体や棒状部材を構成する材料の熱膨張係数は、第1パネルや第2パネルを構成する材料の熱膨張係数と略等しいことが望ましい。枠体あるいは棒状部材を構成する材料として、ガラスやセラミック等の絶縁剛性材料を挙げることができる。ガラス材料として、高歪点ガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス(Na2O・CaO・SiO2)、硼珪酸ガラス(Na2O・B23・SiO2)、フォルステライト(2MgO・SiO2)、鉛ガラス(Na2O・PbO・SiO2)を例示することができる。また、セラミック材料として、ムライト等のケイ酸アルミニウム化合物やアルミナ等の酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア(酸化ジルコニウム)、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄を例示することができる。枠体と棒状部材は、同一の材料から成るものであってもよいし、異なる材料から成るものであってもよい。
封着部材を構成する材料としては、フリットガラスが一般的であるが、融点が120〜400゜C程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。係る低融点金属材料としては、In(インジウム:融点157゜C);インジウム−金系の低融点合金;Sn80Ag20(融点220〜370゜C)、Sn95Cu5(融点227〜370゜C)等の錫(Sn)系高温はんだ;Pb97.5Ag2.5(融点304゜C)、Pb94.5Ag5.5(融点304〜365゜C)、Pb97.5Ag1.5Sn1.0(融点309゜C)等の鉛(Pb)系高温はんだ;Zn95Al5(融点380゜C)等の亜鉛(Zn)系高温はんだ;Sn5Pb95(融点300〜314゜C)、Sn2Pb98(融点316〜322゜C)等の錫−鉛系標準はんだ;Au88Ga12(融点381゜C)等のろう材(以上の添字は全て原子%を表す)を例示することができる。
枠体あるいは棒状部材における封着材料層は、ガラスペースト、金属ペースト等の封着材料から成るペーストを準備し、これらを、塗布法、スクリーン印刷法等の公知の方法により形成することができる。
本発明の表示装置の製造方法にあっては、第1パネルの周縁部と第2パネルの周縁部との間に配置された枠体を挟持した状態に保つことができる抑え治具、及び、棒状部材に枠体方向への外力を加えた状態に保つことができる加圧治具を用いることが好ましい。パネル等をこれらの治具に保持された状態とし、これらの治具を含めた全体を加熱する態様であってもよいし、パネルの周辺部のみを個別に加熱する態様であってもよい。これらの治具を用いることにより、第1パネル、第2パネル、枠体、及び、棒状部材によって囲まれた領域を確実に封着材料で満たすことができる。棒状部材に枠体方向への外力を加える方法として、バネ等の機械的手段を使う方法や、重りによる重力を使う方法(例えば、パネル全体を斜めに保持した状態で、棒状部材に重りを突き当てておく方法)等を用いることができる。抑え治具と加圧治具は、それぞれが独立した治具であってもよいし、一体となった治具であってもよい。
表示装置を、冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、電子放出領域を構成する冷陰極電界電子放出素子(以下、電界放出素子と略称する)は、第1パネル(カソードパネルと呼ぶ場合がある)に設けられ、
(a)支持体上に形成され、第1の方向に延びる帯状のカソード電極、
(b)カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
(c)絶縁層上に形成され、第1の方向とは異なる第2の方向に延びる帯状のゲート電極、
(d)カソード電極とゲート電極の重複する重複領域に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
(e)開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられた電子放出部、
から成る。
電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子(円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子)や、扁平型電界放出素子(略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子)を挙げることができる。
第1パネルにおいて、カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とは直交することが、即ち、第1の方向と第2の方向とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。そして、カソード電極とゲート電極とが重複する重複部分は電子放出領域に該当し、電子放出領域が2次元マトリックス状に配列されており、各電子放出領域には、1又は複数の電界放出素子が設けられている。
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、第2パネル(アノードパネルと呼ぶ場合がある)に設けられたアノード電極によって第2パネルへと引き付けられ、蛍光体層に衝突する。そして、蛍光体層への電子の衝突の結果、蛍光体層が発光し、画像として認識することができる。
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実動作時、アノード電極制御回路の出力電圧VAは、通常、一定であり、例えば、5キロボルト〜15キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をd0(但し、0.5mm≦d0≦10mm)としたとき、VA/d0(単位:キロボルト/mm)の値は、0.5以上20以下、好ましくは1以上10以下、一層好ましくは4以上8以下を満足することが望ましい。冷陰極電界電子放出表示装置の実動作時、カソード電極に印加する電圧VC及びゲート電極に印加する電圧VGに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用することができる。
電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。
(1)支持体上にカソード電極を形成する工程、
(2)全面(支持体及びカソード電極上)に絶縁層を形成する工程、
(3)絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
(4)カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
(5)開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
(1)支持体上にカソード電極を形成する工程、
(2)カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
(3)全面(支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上)に絶縁層を形成する工程、
(4)絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
(5)カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
電界放出素子には収束電極が備えられていてもよい。即ち、例えばゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている電界放出素子、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている電界放出素子とすることもできる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルト以上のオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的な負電圧(例えば、0ボルト)が印加される。収束電極は、必ずしも、カソード電極とゲート電極とが重複する重複部分に設けられた電子放出部あるいは電子放出領域のそれぞれを取り囲むように個別に形成されている必要はなく、例えば、電子放出部あるいは電子放出領域の所定の配列方向に沿って延在させてもよいし、電子放出部あるいは電子放出領域の全てを1つの収束電極で取り囲む構成としてもよく(即ち、収束電極を、冷陰極電界電子放出表示装置としての実用上の機能を果たす中央部の表示領域である有効領域の全体を覆う薄い1枚のシート状の構造としてもよく)、これによって、複数の電子放出部あるいは電子放出領域に共通の収束効果を及ぼすことができる。
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン(ポリシリコンやアモルファスシリコン)から成る群から選択された少なくとも1種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、真空蒸着法の他、例えばスパッタリング法や化学的気相成長法(CVD法)によっても形成することができる。
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。あるいは又、電子放出部を構成する材料として、係る材料の2次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の2次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体(カーボン・ナノチューブ及び/又はグラファイト・ナノファイバー)、ZnOウィスカー、MgOウィスカー、SnO2ウィスカー、MnOウィスカー、Y23ウィスカー、NiOウィスカー、ITOウィスカー、In23ウィスカー、Al23ウィスカーを挙げることができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
カソード電極、ゲート電極、収束電極の構成材料として、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、鉄(Fe)、白金(Pt)、亜鉛(Zn)等の金属;これらの金属元素を含む合金(例えばMoW)あるいは化合物(例えばTiN等の窒化物や、WSi2、MoSi2、TiSi2、TaSi2等のシリサイド);シリコン(Si)等の半導体;ダイヤモンド等の炭素薄膜;ITO(酸化インジウム−錫)、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、CVD法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ;スクリーン印刷法;メッキ法(電気メッキ法や無電解メッキ法);リフトオフ法;レーザアブレーション法;ゾル−ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状のカソード電極やゲート電極を形成することが可能である。
絶縁層や層間絶縁層の構成材料として、SiO2、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、SiON、SOG(スピンオングラス)、低融点ガラス、ガラスペーストといったSiO2系材料;SiN系材料;ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や層間絶縁層の形成には、CVD法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
第1開口部(ゲート電極に形成された開口部)あるいは第2開口部(絶縁層に形成された開口部)の平面形状(支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状)は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第1開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第1開口部を直接形成することもできる。第2開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。
電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、1つの開口部内に1つの電子放出部が存在してもよいし、1つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第1開口部を設け、係る第1開口部と連通する1つの第2開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた1つの第2開口部内に1又は複数の電子放出部が存在してもよい。
電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体膜を設けてもよい。抵抗体膜を設けることによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。抵抗体膜を構成する材料として、シリコンカーバイド(SiC)やSiCNといったカーボン系材料、SiN、アモルファスシリコン等の半導体材料、酸化ルテニウム(RuO2)、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物を例示することができる。抵抗体膜の形成方法として、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種の各種の物理的気相成長法(PVD法)や、CVD法やスクリーン印刷法を例示することができる。1つの電子放出部当たりの電気抵抗値は、概ね1×106〜1×1011Ω、好ましくは数十ギガΩとすればよい。
第1パネルを構成する支持体として、あるいは又、第2パネルを構成する基板として、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、ソーダガラス(Na2O・CaO・SiO2)、硼珪酸ガラス(Na2O・B23・SiO2)、フォルステライト(2MgO・SiO2)、鉛ガラス(Na2O・PbO・SiO2)、無アルカリガラスを例示することができる。
表示装置において、アノード電極と蛍光体層の構成例として、(1)基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体層を形成する構成、(2)基板上に、蛍光体層を形成し、蛍光体層上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、(1)の構成において、蛍光体層の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、(2)の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。
アノード電極は、全体として1つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとは抵抗体層によって電気的に接続されている必要がある。抵抗体層を構成する材料として、カーボン、シリコンカーバイド(SiC)やSiCNといったカーボン系材料;SiN系材料;酸化ルテニウム(RuO2)、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物;アモルファスシリコン等の半導体材料;ITOを挙げることができる。また、SiC抵抗膜上に抵抗値の低いカーボン薄膜を積層するといった複数の膜の組み合わせにより、安定した所望のシート抵抗値を実現することも可能である。抵抗体層のシート抵抗値として、1×10-1Ω/□乃至1×1010Ω/□、好ましくは1×103Ω/□乃至1×108Ω/□を例示することができる。アノード電極ユニットの数(Q)は2以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体層の列の総数をq列としたとき、Q=qとし、あるいは、q=k・Q(kは2以上の整数であり、好ましくは10≦k≦100、一層好ましくは20≦k≦50)としてもよいし、一定の間隔をもって配設されるスペーサの数に1を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。
アノード電極(アノード電極ユニットを包含する)は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種の各種PVD法;各種のCVD法;スクリーン印刷法;メタルマスク印刷法;リフトオフ法;ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料から成る導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をPVD法やスクリーン印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、抵抗体層も同様の方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料から抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこの抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のPVD法やスクリーン印刷法に基づく形成により、抵抗体層を得ることができる。基板上(あるいは基板上方)におけるアノード電極の平均厚さ(後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ)として、3×10-8m(30nm)乃至5×10-7m(0.5μm)、好ましくは5×10-8m(50nm)乃至3×10-7m(0.3μm)を例示することができる。
アノード電極の構成材料として、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、タングステン(W)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、金(Au)、銀(Ag)、チタン(Ti)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、鉄(Fe)、白金(Pt)、亜鉛(Zn)等の金属;これらの金属元素を含む合金あるいは化合物(例えばTiN等の窒化物や、WSi2、MoSi2、TiSi2、TaSi2等のシリサイド);シリコン(Si)等の半導体;ダイヤモンド等の炭素薄膜;ITO(酸化インジウム−錫)、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。 尚、抵抗体層を形成する場合、抵抗体層の抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、抵抗体層をシリコンカーバイド(SiC)から構成した場合、アノード電極をモリブデン(Mo)から構成することが好ましい。
蛍光体層は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、3原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。蛍光体層の配列様式はドット状である。具体的には、表示装置がカラー表示の場合、蛍光体層の配置、配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。即ち、直線状に配列された蛍光体層の1列は、全てが赤色発光蛍光体層で占められた列、緑色発光蛍光体層で占められた列、及び、青色発光蛍光体層で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体層、緑色発光蛍光体層、及び、青色発光蛍光体層が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体層とは、表示装置において1つの輝点を生成する蛍光体領域であると定義する。また、1画素(1ピクセル)は、1つの赤色発光蛍光体層、1つの緑色発光蛍光体層、及び、1つの青色発光蛍光体層の集合から構成され、1サブピクセルは、1つの蛍光体層(1つの赤色発光蛍光体層、あるいは、1つの緑色発光蛍光体層、あるいは、1つの青色発光蛍光体層)から構成される。尚、隣り合う蛍光体層の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層(ブラックマトリックス)で埋め込まれていてもよい。
蛍光体層は、発光性結晶粒子から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物(赤色蛍光体スラリー)を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体層を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物(緑色蛍光体スラリー)を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体層を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物(青色蛍光体スラリー)を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体層を形成する方法にて形成することができる。あるいは又、赤色発光蛍光体スラリー、緑色発光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体スラリーを順次塗布した後、各蛍光体スラリーを順次露光、現像して、各蛍光体層を形成してもよいし、スクリーン印刷法やインクジェット法、フロート塗布法、沈降塗布法、蛍光体フィルム転写法等により各蛍光体層を形成してもよい。基板上における蛍光体層の平均厚さは、限定するものではないが、3μm乃至20μm、好ましくは5μm乃至10μmであることが望ましい。発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がNTSCで規定される3原色に近く、3原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、3原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。
蛍光体層からの光を吸収する光吸収層が、隣り合う蛍光体層の間、あるいは、隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラック・マトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体層からの光を90%以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜(例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金)、金属酸化物(例えば、酸化クロム)、金属窒化物(例えば、窒化クロム)、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム/クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム/クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せに、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。
蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された2次電子が他の蛍光体層に入射し、所謂光学的クロストーク(色濁り)が発生することを防止するための、あるいは又、蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された2次電子が隔壁を越えて他の蛍光体層に向かって侵入したとき、これらの電子が他の蛍光体層と衝突することを防止するために、隔壁を設けることが好ましい。
隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、キャスティング法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成(硬化)を行う方法である。キャスティング法(型押し成形法)とは、ペースト状とした有機材料あるいは無機材料から成る隔壁形成用材料層を型(キャスト)から基板上に押し出すことで隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やメタルマスク印刷法、ロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁頂面の平坦化を図ってもよい。
隔壁における蛍光体層を取り囲む部分の平面形状(隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である)として、矩形形状、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができる。これらの平面形状(開口領域の平面形状)が2次元マトリックス状に配列されることにより、格子状の隔壁が形成される。この2次元マトリックス状の配列は、例えば井桁様に配列されるものでもよいし、千鳥様に配列されるものでもよい。
隔壁形成用材料として、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス、SiO2、低融点ガラスペーストを例示することができる。隔壁の表面(頂面及び側面)には、隔壁に電子ビームが衝突して隔壁からガスが放出されることを防止するための保護層(例えば、SiO2、SiON、あるいは、AlNから成る)を形成してもよい。
第1パネルと第2パネルを接合する場合、高真空雰囲気中で行えば、第1パネルと第2パネルと枠体により囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、第1パネルと第2パネルと枠体とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧/減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表0族に属するガス(例えばArガス)を含む不活性ガスであってもよい。
排気を行う場合、排気は、第1パネル及び/又は第2パネルに予め接続されたチップ管を通じて行うことができる。チップ管は、典型的にはガラス管、あるいは、低熱膨張率を有する金属、合金[例えば、ニッケル(Ni)を42重量%含有した鉄(Fe)合金や、ニッケル(Ni)を42重量%、クロム(Cr)を6重量%含有した鉄(Fe)合金]から構成され、第1パネル及び/又は第2パネルの無効領域に設けられた貫通部の周囲に、フリットガラス又は上述の低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られ、あるいは又、圧着することにより封じられる。尚、封じる前に、表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
スペーサは、例えばセラミックスやガラスから構成することができる。スペーサをセラミックスから構成する場合、セラミックスとして、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができる。この場合、所謂グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成し、係るグリーンシート焼成品を切断することによってスペーサを製造することができる。また、スペーサを構成するガラスとして、ソーダライムガラスを挙げることができる。スペーサは、例えば、隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、第1パネル及び/又は第2パネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部によって固定すればよい。
スペーサの表面には、帯電防止膜が設けられていてもよい。帯電防止膜を構成する材料は、その2次電子放出係数が1に近いことが好ましく、帯電防止膜を構成する材料として、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等を用いることができる。例えば、グラファイト等の半金属及びMoSe2等の半金属元素を含む化合物、Cr23、Nd23、LaxBa2-xCuO4、LaxBa2-xCuO4、Lax1-xCrO3等の酸化物、AlB2、TiB2等のホウ化物、SiC等の炭化物、MoS2、WS2等の硫化物、及び、BN、TiN、AlN等の窒化物等を挙げることができるし、更には、例えば、特表2004−500688号公報等に記載されている材料等を用いることもできる。帯電防止膜は、単一の種類の材料から成るものであってもよいし、複数の種類の材料から成るものであってもよいし、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。帯電防止膜は、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法等、周知の方法に基づき形成することができる。
本発明において、表示装置として、電界放出素子を備えた表示装置、金属/絶縁膜/金属型素子(MIM素子)が組み込まれた表示装置、表面伝導型電子放出素子が組み込まれた表示装置、プラズマ表示装置等を挙げることができる。
本発明の表示装置、あるいは、本発明の表示装置の製造方法にあっては、第1パネルと第2パネルとの間隔は枠体によって規定されているので、封着材料の溶融による第1パネルと第2パネルとの相対的な移動は生じ難い。従って、封着材料の溶融によるアライメントずれが低減する。また、棒状部材を移動することにより所定の領域を封着材料で満たす(充填する)ので、封着材料を、この所定の領域を充填するのに足りる程度の流動性が得られるように加熱すればよい。更には、棒状部材の移動に伴い、強制的に所定の領域が封着材料で充填されるので、短時間で接合を行うことができる。また、少ない封着材料で接合ができるので、接合部の残留応力を低減することができる。
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
実施例1は、本発明の表示装置、及び、本発明の第1の態様の表示装置の製造方法に関する。実施例1の表示装置の概念的な一部端面図を、図1に示す。実施例1における表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置(以下、表示装置と略称する)であり、この表示装置を構成する第1パネル(カソードパネルCP)及び第2パネル(アノードパネルAP)は、図10及び図11を参照して説明した表示装置におけるカソードパネルCP及びアノードパネルAPと同じ構成、構造を有する。即ち、実施例1の表示装置にあっては、電子を放出する電子放出源に相当するスピント型電界放出素子や扁平型電界放出素子が支持体10に複数、形成されて成る第1パネル(カソードパネルCP)と、電子放出源(スピント型電界放出素子や扁平型電界放出素子)から放出された電子が衝突する蛍光体層22及びアノード電極24が基板20に形成されて成る第2パネル(アノードパネルAP)とが、それらの周縁部において接合され、スペーサ40が第1パネル(カソードパネルCP)と第2パネル(アノードパネルAP)との間に配置され、第1パネル(カソードパネルCP)と第2パネル(アノードパネルAP)とによって挟まれた空間が真空に保持されている。これらの構成、動作、及び、作用については、背景技術で説明したと同様であるので、ここでは説明を省略する。尚、以下の説明においては、第1パネルをカソードパネルCPと呼び、第2パネルをアノードパネルAPと呼ぶ。
実施例1の表示装置は、略矩形のカソードパネルCPと略矩形のアノードパネルAPとが枠体126を介して対向し、カソードパネルCPの周縁部とアノードパネルAPの周縁部とが封着材料127で接合されて成る表示装置であって、カソードパネルCPの周縁部とアノードパネルAPの周縁部との間に、これらのパネルの各辺に沿って、枠体126が配置されており、枠体126と対向するように、カソードパネルCPとアノードパネルAPとの間に、棒状部材128が配置されており、カソードパネルCP、アノードパネルAP、枠体126、及び、棒状部材128によって囲まれた領域が、封着材料127で満たされている。後述する他の実施例においても同様である。
図2を参照して、接合部について説明する。図2は、図1に示す表示装置について、カソードパネルCPとアノードパネルAPとを仮想的に分離したときの模式的な斜視図である。カソードパネルCP、アノードパネルAP、枠体126、及び、棒状部材128によって囲まれた領域を封着材料層が流動した状態にある封着材料127で満たされ、冷却した封着材料127によりカソードパネルCPとアノードパネルAPとが接合されている。後述する他の実施例においても同様である。
実施例1の表示装置では、カソード電極11には相対的に負電圧がカソード電極制御回路(図示せず)から印加され、ゲート電極13には相対的に正電圧がゲート電極制御回路(図示せず)から印加され、収束電極16には収束電極制御回路(図示せず)から相対的に負電圧(例えば、0ボルト)が印加され、アノード電極24にはゲート電極13よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路(図示せず)から印加される。係る表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極11にカソード電極制御回路から走査信号を入力し、ゲート電極13にゲート電極制御回路からビデオ信号を入力する。あるいは、カソード電極11にカソード電極制御回路からビデオ信号を入力し、ゲート電極13にゲート電極制御回路から走査信号を入力する。カソード電極11とゲート電極13との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部15から電子が放出され、この電子がアノード電極24に引き付けられ、アノード電極24を通過して蛍光体層22に衝突する。その結果、蛍光体層22が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極13に印加される電圧、及び、カソード電極11に印加される電圧によって制御される。後述する他の実施例においても同様である。
図3を参照して、実施例1で用いる枠体126と棒状部材128について説明する。図3の(A)は、枠体126の模式的な斜視図であり、図3の(B)は、棒状部材128の模式的な斜視図である。棒状部材128の側面には、例えばフリットガラスのペーストが塗布されることにより、封着材料層127Aが形成されている。枠体126及び棒状部材128をそれらの軸線と垂直な面で切断した断面は、略矩形形状である。実施例1では、枠体126及び棒状部材128を共にガラス材料から成るものとしたが、これに限るものではない。実施例1では、図2に示すように、パネルの各辺毎に個別の枠体を配置し、全体として額縁状に配置される構成とした。より具体的には、各辺毎に1つの枠体が対応する。更には、棒状部材を、パネルの各辺毎に1つの棒状部材が対応する構成とした。後述する他の実施例においても同様である。
以下、図4を参照して、実施例1の表示装置の製造方法を説明する。図4の(A)〜(C)は、実施例1の表示装置の製造方法を説明するための接合工程図である。図4の(A)〜(C)は、例えば、図2において破線で示したと同様の部分における模式的なA−A断面に相当する。尚、図4(A)〜(C)においては、アノードパネルAPにおける蛍光体層、アノード電極、隔壁、及び、光吸収層等の図示を省略した。また、カソードパネルCPにおけるゲート電極、カソード電極、及び、電子放出部等の図示を省略した。更には、スペーサ40の図示を省略し、アノードパネルAP、カソードパネルCPの断面のハッチングを省略した。後述する他の実施例における図面に関しても同様である。
[工程−100]
先ず、側面に封着材料層127Aが形成されている棒状部材128を準備する。上述したように、実施例1では、ガラス材料から成る棒状部材128を用い、側面に例えばフリットガラスのペーストを塗布することにより、封着材料層127Aを形成した。
[工程−110]
次いで、カソードパネルCPの周縁部とアノードパネルAPの周縁部との間に、これらのパネルの各辺に沿って枠体126を配置する。より具体的には、カソードパネルCPの周縁部とアノードパネルAPの周縁部との間に配置された枠体を挟持した状態に保つことができる抑え治具(図示せず)、及び、棒状部材に枠体方向への外力を加えた状態に保つことができる加圧治具(図示せず)を用い、スペーサ40(図示せず)を介して、蛍光体層22(図示せず)と電子放出領域EA(図示せず)とが対向するようにアノードパネルAPとカソードパネルCPとを配置する。次いで、図示せぬ抑え治具により、枠体126をカソードパネルCPとアノードパネルAPとの間に挟持する(図4の(A)参照)。後述する他の実施例においても同様である。カソードパネルCPとアノードパネルAPとの間隔は、枠体126によって規定される。
[工程−120]
次いで、棒状部材128の封着材料層127Aと枠体126とが対向するように、カソードパネルCPとアノードパネルAPとの間に、棒状部材128を配置する(図4の(B)参照)。実施例1では、棒状部材128として、枠体126よりも0.1mm弱程度薄いものを使用した。棒状部材128を、パネル周囲から挿入することにより棒状部材128を配置することができる。
[工程−130]
その後、図示せぬ加圧治具により棒状部材128に外力を加える。具体的には、棒状部材128に枠体方向への外力を加える。この状態では、枠体126がカソードパネルCPとアノードパネルAPとの間に挟持され、棒状部材128に枠体126方向への外力を加えた状態で、保持されている。次いで、パネル全体を加熱することにより封着材料層127Aを加熱して流動可能な状態とする。これにより、フリットガラスのペーストから成る封着材料層127Aは軟化し、棒状部材128は枠体に向かって移動する。その結果、カソードパネルCP、アノードパネルAP、枠体126、及び、棒状部材128によって囲まれた領域が、封着材料層が流動した状態にある封着材料127により満たされる。その後、パネル全体を冷却させ、封着材料127を固化させることにより、カソードパネルCPとアノードパネルAPとを接合する(図4の(C)参照)。尚、実施例1では、加熱温度を約390℃とし、加熱時間を約20分とした。後述する他の実施例においても同様である。
[工程−140]
その後、アノードパネルAPとカソードパネルCPと枠体126とによって囲まれた空間を、貫通孔(図示せず)及びチップ管(図示せず)を通じて排気し、空間の圧力が10-4Pa程度に達した時点でチップ管を加熱溶融や圧接により封じ切る。このようにして、アノードパネルAPとカソードパネルCPと枠体126とに囲まれた空間を真空にすることができる。その後、必要な外部回路との配線を行い、表示装置を完成させることができる。
実施例1の表示装置では、枠体とパネルとが直接接しており、カソードパネルCPとアノードパネルAPとの間隔は枠体126によって規定されているので、封着材料127の溶融によるカソードパネルCPとアノードパネルAPとの相対的な移動は生じ難い。従って、封着材料127の溶融によるアライメントずれが低減する。また、棒状部材128を移動することにより所定の領域を封着材料で満たすので、封着材料(より具体的には、封着材料層127A)を、この所定の領域を充填するのに足りる程度の流動性が得られるように加熱すればよい。更には、棒状部材128の移動に伴い、強制的に所定の領域が封着材料127で充填されるので、短時間で接合を行うことができる。また、少ない封着材料で接合ができるので、接合部の残留応力を低減することができる。
実施例2は、実施例1の変形である。実施例2において、棒状部材と対向する枠体の側面に切り欠きが設けられている点が、実施例1と主に相違する。より具体的には、枠体のカソードパネルCPあるいはアノードパネルAPの表面に倣う部分に、所定の幅で切り欠きが設けられている。実施例2の表示装置は、実施例1で説明した表示装置と同様の構成、構造を有するので、表示装置の説明は省略する。尚、実施例2においては、図1及び図2における枠体126を枠体226と、棒状部材128を棒状部材228と、封着材料127を封着材料227と、断面形状等の相違も含めて読み替えるものとする。尚、棒状部材228は、実施例1における棒状部材128と同一の構成であるので、詳細な説明は省略する。封着材料層227Aも、実施例1における封着材料層127Aと同一の構成であるので、詳細な説明は省略する。
図5を参照して、実施例2で用いる枠体226と棒状部材228について説明する。図5の(A)は、枠体226の模式的な斜視図であり、図5の(B)は、棒状部材228の模式的な斜視図である。図5の(A)に示すように、枠体226には、切り欠き226A,226Bが設けられており、枠体226をそれらの軸線と垂直な面で切断した断面は、凸型形状である。尚、上述したように、棒状部材228は、実施例1における棒状部材128と同一の構成であり、封着材料層227Aも、実施例1における封着材料層127Aと同一の構成である。
以下、図5の(C)を参照して、実施例2の表示装置の製造方法を説明する。尚、図5の(C)は、実施例1において参照した図4の(C)に相当する工程図である。
[工程−200]
先ず、実施例1の[工程−100]と同様にして、側面に封着材料層227Aが形成されている棒状部材228を準備する。
[工程−210]
次いで、実施例1の[工程−110]と同様にして、カソードパネルCPの周縁部とアノードパネルAPの周縁部との間に、これらのパネルの各辺に沿って枠体226を配置する。その際、枠体226の側面の切り欠き226A,226Bが、パネルの外側を向くように配置する。
[工程−220]
その後、実施例1の[工程−120]と同様にして、棒状部材228の封着材料層227Aと枠体226とが対向するように、カソードパネルCPとアノードパネルAPとの間に、棒状部材228を配置する。実施例2では、棒状部材228として、枠体226よりも0.1mm弱程度薄いものを使用した。
[工程−230]
次いで、実施例1の[工程−130]と同様にして、封着材料層227Aを加熱して流動可能な状態とする。これにより、フリットガラスのペーストから成る封着材料層227Aは軟化し、棒状部材228は枠体に向かって移動する。その結果、カソードパネルCP、アノードパネルAP、枠体226、及び、棒状部材228によって囲まれた領域が、封着材料層が流動した状態にある封着材料227により満たされる。その後、パネル全体を冷却させ、封着材料227を固化させることによりカソードパネルCPとアノードパネルAPとを接合する(図5の(C)参照)。その後、実施例1の[工程−140]と同様にして、表示装置を完成させることができる。
実施例2の表示装置では、棒状部材228と対向する枠体226の側面には、切り欠き226A,226Bが設けられている。これにより、パネルと封着材料227の接触面積が拡大するので、カソードパネルCPとアノードパネルAPとをより強固に接合することができるし、表示装置の内部空間の気密性も向上する。
実施例3は、実施例1の変形である。実施例3において、枠体と対向する棒状部材の側面に切り欠きが設けられている点が、実施例1と主に相違する。より具体的には、棒状部材のカソードパネルCPあるいはアノードパネルAPの表面に倣う部分に、所定の幅で切り欠きが設けられている。実施例3の表示装置は、実施例1で説明した表示装置と同様の構成、構造を有するので、表示装置の説明は省略する。尚、実施例3においては、図1及び図2における枠体126を枠体326と、棒状部材128を棒状部材328と、封着材料127を封着材料327と、断面形状等の相違も含めて読み替える。尚、枠体326は、実施例1における枠体126と同一の構成であるので、詳細な説明は省略する。
図6を参照して、実施例3で用いる枠体326と棒状部材328について説明する。図6の(A)は、枠体326の模式的な斜視図であり、図6の(B)は、棒状部材328の模式的な斜視図である。図6の(B)に示すように、棒状部材328には、切り欠き328A,328Bが設けられており、棒状部材328をそれらの軸線と垂直な面で切断した断面は、凸型形状である。尚、上述したように、枠体326は、実施例1における枠体126と同一の構成である。封着材料層327Aも、実施例1における封着材料層127Aと同様の構成であるので、詳細な説明は省略する。
以下、図6の(C)を参照して、実施例3の表示装置の製造方法を説明する。尚、図6の(C)は、実施例1において参照した図4の(C)に相当する工程図である。
[工程−300]
先ず、実施例1の[工程−100]と同様にして、側面に封着材料層327Aが形成されている棒状部材328を準備する。封着材料層327Aは、棒状部材の切り欠き328A,328Bが設けられた側面に形成されている。
[工程−310]
次いで、実施例1の[工程−110]と同様にして、カソードパネルCPの周縁部とアノードパネルAPの周縁部との間に、これらのパネルの各辺に沿って枠体326を配置する。
[工程−320]
その後、実施例1の[工程−120]と同様にして、棒状部材328の封着材料層327Aと枠体326とが対向するように、カソードパネルCPとアノードパネルAPとの間に、棒状部材328を配置する。実施例3では、棒状部材328として、枠体326よりも0.1mm弱程度薄いものを使用した。
[工程−330]
次いで、実施例1の[工程−130]と同様にして、封着材料層327Aを加熱して流動可能な状態とする。これにより、フリットガラスのペーストから成る封着材料層327Aは軟化し、棒状部材328は枠体に向かって移動する。その結果、カソードパネルCP、アノードパネルAP、枠体326、及び、棒状部材328によって囲まれた領域が、封着材料層が流動した状態にある封着材料327により満たされる。その後、パネル全体を冷却させ、封着材料327を固化させることによりカソードパネルCPとアノードパネルAPとを接合する(図6の(C)参照)。その後、実施例1の[工程−140]と同様にして、表示装置を完成させることができる。
実施例3の表示装置では、枠体326と対向する棒状部材328の側面には、切り欠き328A,328Bが設けられている。これにより、パネルと封着材料327の接触面積が拡大するので、カソードパネルCPとアノードパネルAPとをより強固に接合することができるし、表示装置の内部空間の気密性も向上する。
実施例4は、実施例1の変形である。実施例4において、棒状部材の厚さを枠体の厚さよりも0.1mm〜0.4mm程度薄くした点が、実施例1と主に相違する。更には、実施例4では、棒状部材の角部に、面取り状の切り欠きが設けられている。実施例4の表示装置は、実施例1で説明した表示装置と同様の構成、構造を有するので、表示装置の説明は省略する。尚、実施例4においては、図1及び図2における枠体126を枠体426と、棒状部材128を棒状部材428と、封着材料127を封着材料427と、断面形状等の相違も含めて読み替える。尚、枠体426は、実施例1における枠体126と同一の構成であるので、詳細な説明は省略する。
図7を参照して、実施例4で用いる枠体426と棒状部材428について説明する。図7の(A)は、枠体426の模式的な斜視図であり、図7の(B)は、棒状部材428の模式的な斜視図である。図7の(B)に示すように、棒状部材428の角部には、切り欠き428Aが設けられており、棒状部材428をその軸線と垂直な面で切断した断面は、矩形を面取りした形状である。尚、上述したように、枠体426は、実施例1における枠体126と同一の構成である。封着材料層427Aも、実施例1における封着材料層127Aと同様の構成であるので、詳細な説明は省略する。
以下、図7の(C)を参照して、実施例4の表示装置の製造方法を説明する。尚、図7の(C)は、実施例1において参照した図4の(C)に相当する工程図である。
[工程−400]
先ず、実施例1の[工程−100]と同様にして、側面に封着材料層427Aが形成されている棒状部材428を準備する。尚、棒状部材428として、枠体426の厚さよりも約0.3mm程度薄いものを使用した。封着材料層427Aは、棒状部材の切り欠き428Aが設けられた側面に形成されている。
[工程−410]
次いで、実施例1の[工程−110]と同様にして、カソードパネルCPの周縁部とアノードパネルAPの周縁部との間に、これらのパネルの各辺に沿って枠体426を配置する。
[工程−420]
その後、実施例1の[工程−120]と同様にして、棒状部材428の封着材料層427Aと枠体426とが対向するように、カソードパネルCPとアノードパネルAPとの間に、棒状部材428を配置する。実施例3では、棒状部材428の厚さは、枠体426よりも0.3mm程度薄い。
[工程−430]
次いで、実施例1の[工程−130]と同様にして、封着材料層427Aを加熱して流動可能な状態とする。これにより、フリットガラスのペーストから成る封着材料層427Aは軟化し、棒状部材428は枠体に向かって移動する。その結果、カソードパネルCP、アノードパネルAP、枠体426、及び、棒状部材428によって囲まれた領域が、封着材料層が流動した状態にある封着材料427により満たされる。その後、パネル全体を冷却させ、封着材料427を固化させることによりカソードパネルCPとアノードパネルAPとを接合する(図7の(C)参照)。その後、実施例1の[工程−140]と同様にして、表示装置を完成させることができる。
実施例4の表示装置では、棒状部材428の厚さを枠体の厚さよりも0.3mm程度薄くすることにより、パネルと棒状部材428との間に生ずる間隙が切り欠きと同様の効果を生じ、接合がより強固となる。更には、棒状部材428の角部に、面取り状の切り欠き428Aが設けられているので、封着材料427の接触面積が拡大し、接合がより強固となる。
実施例5は、本発明の表示装置、及び、本発明の第2の態様の表示装置の製造方法に関する。実施例5の表示装置は、実施例1で説明した表示装置と同様の構成、構造を有するので、表示装置の説明は省略する。実施例5では、封着材料層が、棒状部材ではなく枠体の側面に形成されている点が、実施例1と主に相違する。尚、実施例5においては、図1及び図2における枠体126を枠体526と、棒状部材128を棒状部材528と、封着材料127を封着材料527と、断面形状等の相違も含めて読み替える。尚、枠体526、棒状部材528は、実施例1における枠体126、棒状部材128と各々同一の構成であるので、詳細な説明は省略する。封着材料層527Aも、実施例1における封着材料層127Aと同様の構成であるので、詳細な説明は省略する。
図8を参照して、実施例5で用いる枠体526と棒状部材528について説明する。図8の(A)は、枠体526の模式的な斜視図であり、図8の(B)は、棒状部材528の模式的な斜視図である。枠体526の側面には、例えばフリットガラスのペーストが塗布されることにより、封着材料層527Aが形成されている。
以下、図9を参照して、実施例5の表示装置の製造方法を説明する。図9の(A)〜(C)は、実施例5の表示装置の接合工程図である。
[工程−500]
先ず、側面に封着材料層527Aが形成されている枠体526を準備する。
[工程−510]
次いで、カソードパネルCPの周縁部とアノードパネルAPの周縁部との間に、これらのパネルの各辺に沿って、封着材料層527Aが外側を向くように枠体526を配置する。
[工程−520]
次いで、枠体526の封着材料層527Aと棒状部材528とが対向するように、カソードパネルCPとアノードパネルAPとの間に、棒状部材を配置する(図9の(B)参照)。
[工程−530]
その後、図示せぬ加圧治具により棒状部材528に外力を加える。具体的には、棒状部材528に枠体方向への外力を加える。この状態では、枠体526がカソードパネルCPとアノードパネルAPとの間に挟持され、棒状部材528に枠体方向への外力を加えた状態で、保持されている。次いで、パネル全体を加熱することにより封着材料層527Aを加熱して流動可能な状態とする。これにより、フリットガラスのペーストから成る封着材料層527Aは軟化し、棒状部材528は枠体に向かって移動する。その結果、カソードパネルCP、アノードパネルAP、枠体526、及び、棒状部材528によって囲まれた領域が、封着材料層が流動した状態にある封着材料527により満たされる。その後、パネル全体を冷却させ、封着材料527を固化させることによりカソードパネルCPとアノードパネルAPとを接合する(図9の(C)参照)。
[工程−540]
その後、実施例1の[工程−140]と同様にして、表示装置を完成させることができる。
実施例5の表示装置も、実施例1の表示装置と同様に、枠体とパネルとが直接接しており、カソードパネルCPとアノードパネルAPとの間隔は枠体526によって規定されているので、封着材料527の溶融によるカソードパネルCPとアノードパネルAPとの相対的な移動は生じ難い。従って、封着材料527の溶融によるアライメントずれが低減する。また、棒状部材528を移動することにより所定の領域を封着材料で満たすので、封着材料(より具体的には、封着材料層527A)を、この所定の領域を充填するのに足りる程度の流動性が得られるように加熱すればよい。更には、棒状部材528の移動に伴い、強制的に所定の領域が封着材料527で充填されるので、短時間で接合を行うことができる。また、少ない封着材料で接合ができるので、接合部の残留応力を低減することができる。
尚、実施例5では枠体及び棒状部材には切り欠きが設けられていない態様について説明したが、例えば、実施例2で用いた枠体、実施例3あるいは実施例4で用いた棒状部材を用いる態様とすることもできる。
以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した表示装置、カソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができるし、アノードパネルやカソードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の製造方法も例示であり、適宜変更することができる。更には、アノードパネルやカソードパネルの製造において使用した各種材料も例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。
実施例においては、棒状部材の角部に面取り状の切り欠きを設ける態様を説明したが、枠体の角部に面取り状の切り欠きを設けてもよい。
実施例においては、切り欠きが、枠体、棒状部材のいずれか一方に設けられている態様を説明したが、これに限るものではない。切り欠きが、枠体、棒状部材の双方に設けられていてもよい。
また、実施例においては、封着材料層が、枠体の側面、棒状部材の側面いずれか一方に形成されている態様を説明したが、これに限るものではない。封着材料層が、枠体の側面、棒状部材の側面の双方に形成されていてもよい。
電界放出素子においては、専ら1つの開口部に1つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、1つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に1つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第1開口部を設け、絶縁層に係る複数の第1開口部に連通した第2開口部を設け、1又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
表面伝導型電子放出素子と通称される電子放出素子から電子放出領域を構成することもできる。この表面伝導型電子放出素子は、例えばガラスから成る支持体上に酸化錫(SnO2)、金(Au)、酸化インジウム(In23)/酸化錫(SnO2)、カーボン、酸化パラジウム(PdO)等の導電材料から成り、微小面積を有し、所定の間隔(ギャップ)を開けて配された一対の電極がマトリックス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の一方の電極に行方向配線が接続され、一対の電極の内の他方の電極に列方向配線が接続された構成を有する。一対の電極に電圧を印加することによって、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜から電子が放出される。係る電子をアノードパネル上の蛍光体層に衝突させることによって、蛍光体層が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。あるいは又、金属/絶縁膜/金属型素子から電子放出領域を構成することもできる。
図1は、実施例1〜実施例5の表示装置の概念的な一部端面図である。 図2は、図1に示す表示装置について、カソードパネルCPとアノードパネルAPとを仮想的に分離したときの模式的な斜視図である。 図3の(A)は、枠体の模式的な斜視図であり、図3の(B)は、棒状部材の模式的な斜視図である。 図4の(A)〜(C)は、実施例1の表示装置の製造方法を説明するための、接合工程図である。 図5の(A)は、枠体の模式的な斜視図であり、図5の(B)は、棒状部材の模式的な斜視図であり、図5の(C)は、図4の(C)に相当する工程図である。 図6の(A)は、枠体の模式的な斜視図であり、図6の(B)は、棒状部材の模式的な斜視図であり、図6の(C)は、図4の(C)に相当する工程図である。 図7の(A)は、枠体の模式的な斜視図であり、図7の(B)は、棒状部材の模式的な斜視図であり、図7の(C)は、図4の(C)に相当する工程図である。 図8の(A)は、枠体の模式的な斜視図であり、図8の(B)は、棒状部材の模式的な斜視図である。 図9の(A)〜(C)は、実施例5の表示装置の製造方法を説明するための、接合工程図である。 図10は、スピント型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図である。 図11は、カソードパネルCP及びアノードパネルAPを分解したときのカソードパネルCPとアノードパネルAPの一部分の模式的な分解斜視図である。
符号の説明
CP・・・カソードパネル、AP・・・アノードパネル、10・・・支持体、11・・・カソード電極、12・・・絶縁層、13・・・ゲート電極、14・・・開口部、14A・・・第1開口部、14B・・・第2開口部、15・・・電子放出部、16・・・収束電極、17・・・層間絶縁層、20・・・基板、21・・・隔壁、22,22R,22G,22B・・・蛍光体層、23・・・光吸収層、24・・・アノード電極、25・・・スペーサ保持部、26,126,226,326,426,526・・・枠体、27,127,227,327,427,527・・・封着材料、127A,227A,327A,427A,527A・・・封着材料層、128,228,328,428,528・・・棒状部材、226A,226B,328A,328B,428A・・・切り欠き、40・・・スペーサ、40A・・・スペーサ基材、40B・・・帯電防止膜

Claims (6)

  1. 略矩形の第1パネルと略矩形の第2パネルとが枠体を介して対向し、第1パネルの周縁部と第2パネルの周縁部とが封着材料により接合されて成る表示装置の製造方法であって、
    (A)側面に封着材料層が形成されている棒状部材を準備し、
    (B)第1パネルの周縁部と第2パネルの周縁部との間に、これらのパネルの各辺に沿って枠体を配置し、
    (C)棒状部材の封着材料層と枠体とが対向するように、第1パネルと第2パネルとの間に、棒状部材を配置し、
    (D)棒状部材に枠体方向への外力を加えた状態で封着材料層を加熱して流動可能な状態とし棒状部材を枠体に向かって移動させることによって、第1パネル、第2パネル、枠体、及び、棒状部材によって囲まれた領域を封着材料層が流動した状態にある封着材料で満たし、次いで、封着材料を冷却することにより第1パネルと第2パネルとを接合する表示装置の製造方法。
  2. 棒状部材と対向する枠体の側面には、切り欠きが設けられている請求項1に記載の表示装置の製造方法。
  3. 枠体と対向する棒状部材の側面には、切り欠きが設けられている請求項1に記載の表示装置の製造方法。
  4. 略矩形の第1パネルと略矩形の第2パネルとが枠体を介して対向し、第1パネルの周縁部と第2パネルの周縁部とが封着材料により接合されて成る表示装置の製造方法であって、
    (A)側面に封着材料層が形成されている枠体を準備し、
    (B)第1パネルの周縁部と第2パネルの周縁部との間に、これらのパネルの各辺に沿って、封着材料層が外側を向くように枠体を配置し、
    (C)枠体の封着材料層と棒状部材とが対向するように、第1パネルと第2パネルとの間に、棒状部材を配置し、
    (D)棒状部材に枠体方向への外力を加えた状態で封着材料層を加熱して流動可能な状態とし棒状部材を枠体に向かって移動させることによって、第1パネル、第2パネル、枠体、及び、棒状部材によって囲まれた領域を封着材料層が流動した状態にある封着材料で満たし、次いで、封着材料を冷却することにより第1パネルと第2パネルとを接合する表示装置の製造方法。
  5. 棒状部材と対向する枠体の側面には、切り欠きが設けられている請求項4に記載の表示装置の製造方法。
  6. 枠体と対向する棒状部材の側面には、切り欠きが設けられている請求項4に記載の表示装置の製造方法。
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