JP4434113B2 - 平面型表示装置及びその組立方法 - Google Patents

Description

本発明は、平面型表示装置及びその組立方法に関する。

現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁材料膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの冷陰極電子源から構成された電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。

電子放出素子としての冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する場合がある）は、一般に、複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する場合がある）を備えたカソードパネルと、電界放出素子から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体層を有するアノードパネルとが、高真空に維持された空間を介して対向配置され、カソードパネルとアノードパネルとが周縁部において接合部材を介して接合された構成を有する。ここで、カソードパネルは、２次元マトリクス状に配列された各サブピクセルに対応した電子放出領域を有し、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。

一例として、スピント型電界放出素子を有する従来の表示装置の概念的な一部端面図を図３７に示し、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図３９に示す。また、電子放出領域をアノードパネル側から眺めたときの、電子放出領域を構成する構成要素の配置状態を模式的に図４０の（Ａ）に示し、接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図４４及び図４５に示す。

この表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。

あるいは又、略平面状の電子放出部１５Ａを備えた、所謂扁平型電界放出素子を有する従来の表示装置の概念的な一部端面図を図３８に示す。この電界放出素子は、支持体１０上に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された電子放出部１５Ａから構成されている。電子放出部１５Ａは、例えば、マトリックスに一部分が埋め込まれた多数のカーボン・ナノチューブから構成されている。

これらの表示装置において、カソード電極１１は、第１の方向（図３７、図３８あるいは図３９のＸ方向参照）に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、第１の方向とは異なる第２の方向（図３７、図３８あるいは図３９のＹ方向参照）に延びる帯状である。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。帯状のカソード電極１１と帯状のゲート電極１３とが重複する重複領域が、電子放出領域ＥＡであり、１サブピクセルに相当する。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域内に、通常、２次元マトリクス状に配列されている。

また、電子放出領域ＥＡを除き、絶縁層１２及びゲート電極１３は、必要に応じて、窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）から成る絶縁膜１６で覆われている。種々の製造プロセスにおいてカソードパネルＣＰを構成する構成要素を保護するために、絶縁膜１６を設けることが好ましいが、絶縁膜１６を設けることは必須ではない。尚、このような構造に関しては、例えば、米国特許第６５６５４００ Ｂ１を参照のこと。更には、絶縁膜１６には絶縁膜開口部１７が形成され、絶縁膜１６の上には層間絶縁層１８が形成され、その上に収束電極１９が絶縁膜開口部１７を取り囲むように設けられている。

ここで、有効領域とは、平面型表示装置としての実用上の機能である表示機能を果たす中央の表示領域を指す。また、無効領域とは、この有効領域の外側に位置し、有効領域を額縁状に包囲する領域を指す。更には、本明細書において、「内側」とは有効領域に近づく方向を指し、「外側」とは有効領域から遠ざかる方向を指す。以下の説明においても同様である。

一方、アノードパネルＡＰは、基板２０上に所定のパターンを有する蛍光体層２２（具体的には、赤色発光蛍光体層２２Ｒ、緑色発光蛍光体層２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体層２２Ｂ）が形成され、蛍光体層２２がアノード電極２４で覆われた構造を有する。これらの蛍光体層２２の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。尚、図中、参照番号２１は隔壁を表す。図３８及び図３９においては、隔壁の図示を省略した。また、図３８、図３９においては、層間絶縁層１８、収束電極１９の図示を省略しており、更には、図３９においては、絶縁膜１６の図示を省略している。

表示装置の組立においては、Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスから成るフリットガラス層３２，３３が底面及び頂面に形成された枠体３１から成る接合部材３０を準備する。あるいは又、フリットガラス層製の接合部材を準備する。そして、例えば、アノードパネルＡＰの周縁部（無効領域）に接合部材３０を配置した後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域ＥＡと蛍光体層２２とが対向するように位置合わせし、位置決めを行う。その後、フリットガラス層３２，３３を焼成することで（あるいは又、フリットガラス層製の接合部材を焼成することで）、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、それらの周縁部（無効領域）において接合部材３０を介して接合する。次いで、カソードパネルＣＰの無効領域に相当する支持体１０の部分に設けられた貫通孔（図示せず）、及び、支持体１０に取り付けられたガラス管から成る排気管（図示せず）を介して、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰによって挟まれた空間（より具体的には、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰと接合部材３０とによって囲まれた空間）を排気し、空間が所定の真空度に達した後、排気管を封じ切る。こうして、表示装置を作製することができる。

ところで、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材３０近傍の拡大した模式的な一部端面図である図４４に示すように、ゲート電極１３は、その延在部である引出し電極１３Ａを介して外部回路との配線接続が行われる。また、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材３０近傍の拡大した模式的な一部端面図である図４５に示すように、例えば、カソード電極１１は、その延在部である引出し電極１１Ａを介して外部回路との配線接続が行われる。そして、引出し電極１１Ａ，１３Ａは、必要に応じて、絶縁層１２及びゲート電極１３を被覆する絶縁膜１６で覆われている。ここで、カソード電極１１やゲート電極１３、引出し電極１１Ａ，１３Ａは、例えば、クロム、ニオブ、アルミニウム、モリブデン、タングステン、あるいは、その合金から形成されている。尚、図４４及び図４５においては、アノードパネルＡＰを構成する蛍光体層２２やアノード電極２４等の構成要素の図示を省略しており、また、カソードパネルＣＰにおける電子放出部１５，１５Ａ、開口部１４、層間絶縁層１８、収束電極１９の図示を省略している。

米国特許第６５６５４００ Ｂ１

フリットガラス層３２，３３の焼成時、フリットガラス層３２がＳｉ₃Ｎ₄から成る絶縁膜１６と直接、接触している構成にあっては、以下の反応式（１）で示す反応によって生じた窒素ガスに起因して、フリットガラス層３２が発泡し、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰと接合部材３０とによって囲まれた空間の気密性を保持できなくなるという問題が生じる虞がある。

Ｓｉ₃Ｎ₄ ＋ ６ＰｂＯ → ３ＳｉＯ₂ ＋ ６Ｐｂ ＋ ２Ｎ₂ （１）

また、フリットガラス層３２の焼成時、フリットガラス層３２がＳｉ₃Ｎ₄から成る絶縁膜１６と直接、接触している構成にあっても、フリットガラス層３２が引出し電極１１Ａ，１３Ａと直接、接触している構成にあっても、フリットガラス層３２の下方に位置する引出し電極１１Ａ，１３Ａを構成する金属がフリットガラス層３２に含まれるＰｂＯと反応して、ＰｂＯがＰｂとなり、遊離した酸素によって引出し電極１１Ａ，１３Ａを構成する金属が酸化され、引出し電極１１Ａ，１３Ａが、断線したり、高抵抗化する虞がある。

尚、全体がフリットガラス層から成る接合部材（フリットガラス層製の接合部材）を用いる場合にも、同様の問題が生じる。

これらの問題を解決するために、米国特許第６５６５４００ Ｂ１には、フリットガラス層３２と絶縁膜１６との間に、ＳｉＯ₂から成るバリア材料層をスパッタリング法やＣＶＤ法によって形成する技術が開示されている。しかしながら、ＳｉＯ₂から成るバリア材料層によって、上述した問題点を解決するためには、厚いバリア材料層を形成しなければならず、製造コストの増加を招く。また、フリットガラス層の下方に位置すべき絶縁膜の領域に選択的にバリア材料層が形成され、その他の領域にはバリア材料層が形成されないようにするためには、エッチング技術やリフトオフ技術が必要とされ、あるいは又、高精度の機械的マスクが必要とされるといった問題がある。

従って、本発明の目的は、少なくとも一部にフリットガラス層を含む接合部材を用いて第１パネルと第２パネルとを接合して成る平面型表示装置であって、接合部材を構成するフリットガラス層の焼成時、フリットガラス層が発泡して平面型表示装置の気密性を保持できなくなるという問題や、接合部材の下方に位置する引出し電極が、断線したり、高抵抗化するという問題が発生することが無い構造を、容易な方法で、低製造コストにて達成することができる平面型表示装置、及び、係る平面型表示装置の組立方法を提供することにある。

上記の目的を達成するための本発明の第１の態様及び第２の態様に係る平面型表示装置は、
（Ａ）電子を放出する電子放出領域が２次元マトリクス状に配された第１パネル有効領域、及び、該第１パネル有効領域を取り囲む第１パネル無効領域を備え、電子放出領域を駆動するために第１パネル無効領域に複数の引出し電極が設けられて成る第１パネルと、
（Ｂ）電子放出領域から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が形成された第２パネル有効領域、及び、該第２パネル有効領域を取り囲む第２パネル無効領域を備えた第２パネルと、
（Ｃ）少なくとも一部にフリットガラス層を含み、第１パネルと第２パネルとを、それらの無効領域において接合した接合部材、
を具備した平面型表示装置である。

そして、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置は、
接合部材の下方に位置する第１パネルの領域よりも内側の第１パネルの部分には、接合部材と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部が概ね連続的に形成されており、
接合部材の下方に位置する第１パネルの領域よりも外側の第１パネルの部分には、接合部材と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部が概ね連続的に形成されており、
金属酸化物から成る保護膜は、第１の保護膜幅規定部と第２の保護膜幅規定部との間に位置する第１パネルの部分及び引出し電極の部分に形成され、接合部材の底面は保護膜と接していることを特徴とする。

また、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置は、
引出し電極の表面には絶縁膜が形成されており、
接合部材の下方に位置する絶縁膜の領域よりも内側の絶縁膜の部分には、接合部材と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部が概ね連続的に形成されており、
接合部材の下方に位置する絶縁膜の領域よりも外側の絶縁膜の部分には、接合部材と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部が概ね連続的に形成されており、
金属酸化物から成る保護膜は、第１の保護膜幅規定部と第２の保護膜幅規定部との間に位置する絶縁膜の部分に形成され、接合部材の底面は保護膜と接していることを特徴とする。

上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る平面型表示装置の組立方法は、
（Ａ）電子を放出する電子放出領域が２次元マトリクス状に配された第１パネル有効領域、及び、該第１パネル有効領域を取り囲む第１パネル無効領域を備え、電子放出領域を駆動するために第１パネル無効領域に複数の引出し電極が設けられて成る第１パネルと、
（Ｂ）電子放出領域から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が形成された第２パネル有効領域、及び、該第２パネル有効領域を取り囲む第２パネル無効領域を備えた第２パネルと、
（Ｃ）少なくとも一部にフリットガラス層を含み、第１パネルと第２パネルとを、それらの無効領域において接合した接合部材、
を具備した平面型表示装置の組立方法であって、
接合部材の下方に位置すべき第１パネルの領域よりも内側の第１パネルの部分に、接合部材と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部を概ね連続的に形成し、且つ、接合部材の下方に位置すべき第１パネルの領域よりも外側の第１パネルの部分に、接合部材と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部を概ね連続的に形成し、
第１の保護膜幅規定部と第２の保護膜幅規定部との間に位置する第１パネルの領域に、塗布法に基づき保護膜を形成した後、
接合部材が、該保護膜と接し、且つ、第２パネル無効領域と接するように、第１パネルと第２パネルと接合部材とを組み立て、その後、
接合部材を構成するフリットガラス層を焼成し、以て、第１パネルと第２パネルとをそれらの無効領域において接合する、
工程を具備することを特徴とする。

また、上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る平面型表示装置の組立方法は、
（Ａ）電子を放出する電子放出領域が２次元マトリクス状に配された第１パネル有効領域、及び、該第１パネル有効領域を取り囲む第１パネル無効領域を備え、電子放出領域を駆動するために第１パネル無効領域に、表面に絶縁膜が形成された複数の引出し電極が設けられて成る第１パネルと、
（Ｂ）電子放出領域から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が形成された第２パネル有効領域、及び、該第２パネル有効領域を取り囲む第２パネル無効領域を備えた第２パネルと、
（Ｃ）少なくとも一部にフリットガラス層を含み、第１パネルと第２パネルとを、それらの無効領域において接合した接合部材、
を具備した平面型表示装置の組立方法であって、
接合部材の下方に位置すべき絶縁膜の領域よりも内側の絶縁膜の部分に、接合部材と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部を概ね連続的に形成し、且つ、接合部材の下方に位置すべき絶縁膜の領域よりも外側の絶縁膜の部分に、接合部材と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部を概ね連続的に形成し、
第１の保護膜幅規定部と第２の保護膜幅規定部との間に位置する絶縁膜の領域に、塗布法に基づき保護膜を形成した後、
接合部材が、該保護膜と接し、且つ、第２パネル無効領域と接するように、第１パネルと第２パネルと接合部材とを組み立て、その後、
接合部材を構成するフリットガラス層を焼成し、以て、第１パネルと第２パネルとをそれらの無効領域において接合する、
工程を具備することを特徴とする。

本発明の第１の態様若しくは第２の態様に係る平面型表示装置の組立方法において、保護膜を形成するための塗布法として、スプレーコート法；ディスペンサーを用いたコート法；スクリーン版やインクジェットを用いたコート法、オフセットコート法、グラビアコート法；刷毛を用いたコート法を例示することができる。

第１の保護膜幅規定部及び第２の保護膜幅規定部は、接合部材と「略」平行に形成されるが、「略」平行とは、接合部材と厳密には平行でなくともよいことを意味する。また、第１の保護膜幅規定部及び第２の保護膜幅規定部は、「概ね」連続的に形成されているが、「概ね」連続的とは、実質的に問題が発生しない程度に、即ち、本来、保護膜を形成すべきではない第１パネルや絶縁膜の部分にまで保護膜が形成されるといった問題が生じない程度に、第１の保護膜幅規定部及び／又は第２の保護膜幅規定部に多少の途切れが存在してもよいことを意味する。

本発明の第１の態様若しくは第２の態様に係る平面型表示装置あるいはその組立方法にあっては、第１の保護膜幅規定部及び第２の保護膜幅規定部のそれぞれは、突起部から成る構成とすることができる。そして、この場合、突起部は、感光性ポリイミド樹脂、非感光性ポリイミド樹脂、又は、セラミックス塗膜から成る構成とすることができる。突起部の高さとして、５μｍ乃至０．１ｍｍを例示することができるし、突起部の幅として、１０μｍ乃至２ｍｍを例示することができるし、第１の保護膜幅規定部を構成する突起部（内側突起部）と第２の保護膜幅規定部を構成する突起部（外側突起部）との間の距離として、２ｍｍ乃至１０ｍｍを例示することができる。また、突起部の一般的な形成方法として、スリットコーターを用いた塗布法、スクリーン版を用いたコート法、ディスペンサーを用いたコート法を例示することができる。突起部を形成することで、保護膜を形成するための塗布法にもよるが、保護膜を形成すべき部分にのみ保護膜を確実に形成することができる。尚、突起部を感光性ポリイミド樹脂から構成する場合、第１パネル無効領域あるいは全面に液状の感光性ポリイミド樹脂を塗布し、露光、現像、乾燥、焼成を行うことで、突起部を形成することができる。

あるいは又、本発明の第１の態様若しくは第２の態様に係る平面型表示装置あるいはその組立方法にあっては、第１の保護膜幅規定部及び第２の保護膜幅規定部のそれぞれは、濡れ性制御層から成る構成とすることができる。そして、この場合、濡れ性制御層は、シラン系化合物あるいはフッ素系化合物から成る構成とすることができる。濡れ性制御層の高さとして、０．０５μｍ乃至１μｍを例示することができるし、濡れ性制御層の幅として、１０μｍ乃至０．１ｍｍを例示することができるし、第１の保護膜幅規定部を構成する濡れ性制御層（内側濡れ性制御層）と第２の保護膜幅規定部を構成する濡れ性制御層（外側濡れ性制御層）との間の距離として、２ｍｍ乃至１０ｍｍを例示することができる。濡れ性制御層の一般的な形成方法として、スクリーン版を用いたコート法やオフセットコート法を例示することができる。濡れ性制御層を形成することで、保護膜を形成するための塗布法にもよるが、保護膜を形成すべき部分にのみ保護膜を確実に形成することができる。濡れ性制御層を構成する材料として、より具体的には、例えば、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクチルトリクロロシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、メチルビニルトリクロロシラン、オクタデシルジメチルクロロシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−グリキシドキシプロピリトリメトリシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス（β−メトキシ−エトキシシラン）、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）−エチルトリクロロシラン、メタクリレートクロミッククロリド、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）といったシラン系化合物；例えば、炭化水素基中の水素原子の全てあるいは一部をフッ素原子で置き換えたパーフルオロアルキル化合物といったフッ素系化合物を例示することができる。尚、保護膜を形成するための保護膜材料としての溶液と絶縁膜あるいは第１パネル（より具体的には、第１パネルを構成する支持体）との接触角をθ₀、係る溶液と濡れ性制御層との接触角をθ₁としたとき、θ₀＜θ₁を満足する。より具体的には、例えば、０度≦θ₀≦１０度、５０度≦θ₁≦１８０度を満足することが好ましい。

以上に説明した種々の好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様若しくは第２の態様に係る平面型表示装置あるいはその組立方法において、接合部材は、枠体、並びに、該枠体の底面及び頂面に形成された第１フリットガラス層及び第２フリットガラス層から成る構成とすることができ、あるいは又、接合部材の全体がフリットガラス層から成る構成とすることができる。枠体は、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄といったセラミックスや、ソーダライムガラスといったガラス等の絶縁剛性材料から作製することができ、枠体の形状として、棒状、フレーム状（枠状）を例示することができる。即ち、複数の棒状の枠体を適切に配列することで最終的に接合部材を得ることもできるし、１つのフレーム状（枠状）の枠体を配置することで最終的に接合部材を得ることもできる。第１フリットガラス層、第２フリットガラス層、接合部材の全体を構成するフリットガラス層の構成材料として、Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスといったフリットガラスを挙げることができる。尚、枠体の底面及び頂面にフリットガラス・ペーストを塗布し、３５０゜Ｃで２０分、仮焼成することで、枠体、並びに、枠体の底面及び頂面に形成された第１フリットガラス層及び第２フリットガラス層から成る接合部材を得ることができる。

更には、以上に説明した種々の好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様若しくは第２の態様に係る平面型表示装置あるいはその組立方法にあっては、保護膜を構成する金属酸化物は、電気的絶縁性を有する金属酸化物、具体的には、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化クロム（ＣｒＯ_x）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）、又は、酸化バナジウム（ＶＯ_x）から成ることが好ましい。これらの金属酸化物は、フリットガラス層を構成するフリットガラスの成分であるＰｂＯとの反応性が非常に低いので、好ましい材料である。また、塗布法にて保護膜を形成するための保護膜材料として、これらの金属酸化物から成る微粒子が分散された溶液［溶媒：例えば、イソプロピルアルコール、メチルアルコール、エチルアルコール、ブチルセロソルブアセテート、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリジノン）］を挙げることができる。このような微粒子が分散された溶液を用いる場合、溶媒を蒸発させることによって、金属酸化物から成る保護膜を得ることができる。あるいは又、チタン、タンタル、アルミニウム、マグネシウム、ジルコニウム、ニオブ、バナジウムといった金属原子を含む金属アルコキシドの溶液（例えば、アルミニウムイソプロポキシド等のアルミニウムのアルコキシド化合物；テトライソプロピルチタネート、テトラブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン、テトラステアリルチタネート、トリエタノールアミンチタネート、ジイソプロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、チタニウムエチルアセトアセテート、チタニウムイソプロポキシオクチレングリコレート、チタニウムラクテートといったチタンのアルコキシド化合物；Ｔａ（ＯＣ₂Ｈ₅）₅、Ｔａ（ＯＣＨ₃）₅、Ｔａ（Ｏ−ｉＣ₃Ｈ₇）₅、Ｔａ（Ｏ−ｎＣ₃Ｈ₇）₅、Ｔａ（Ｏ−ｉＣ₄Ｈ₉）₅、Ｔａ（Ｏ−ｎＣ₄Ｈ₉）₅、Ｔａ（Ｏ−ｓｅｃＣ₄Ｈ₉）₅、Ｔａ（Ｏ−ｔＣ₄Ｈ₉）₅といったタンタルのアルコキシド化合物；Ｎｂ（ＯＣ₂Ｈ₅）₅、Ｎｂ（ＯＣＨ₃）₅、Ｎｂ（Ｏ−ｉＣ₃Ｈ₇）₅、Ｎｂ（Ｏ−ｎＣ₃Ｈ₇）₅、Ｎｂ（Ｏ−ｉＣ₄Ｈ₉）₅、Ｎｂ（Ｏ−ｎＣ₄Ｈ₉）₅、Ｎｂ（Ｏ−ｓｅｃＣ₄Ｈ₉）₅、Ｎｂ（Ｏ−ｔＣ₄Ｈ₉）₅といったニオブのアルコキシド化合物）を挙げることができる。金属アルコキシドの溶液を用いる場合、加水分解と脱水縮合に基づき、金属酸化物から成る保護膜を得ることができる。保護膜は、薄すぎると、例えば、フリットガラス層の焼成時における絶縁膜とフリットガラス層との反応を抑制することができず、一方、厚すぎると、第１パネルや絶縁膜から保護膜が剥離する虞がある。保護膜の平均厚さは、限定するものではないが、０．２μｍ乃至０．８μｍ、好ましくは、０．４μｍ乃至０．６μｍとすることが望ましい。

更には、以上に説明した種々の好ましい形態、構成を含む本発明の第２の態様に係る平面型表示装置あるいはその組立方法にあっては、絶縁膜を構成する材料として、シリコン窒化物を例示することができる。絶縁膜の形成方法として、スパッタリング法や化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を例示することができる。

また、以上に説明した種々の好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様若しくは第２の態様に係る平面型表示装置あるいはその組立方法（これらを総称して、以下、単に、本発明と呼ぶ場合がある）において、第１パネル、第２パネルを構成する支持体、基板として、ガラス基板、表面に下地絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に下地絶縁膜が形成された石英基板、表面に下地絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に下地絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）、鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）、無アルカリガラスを例示することができる。

本発明における平面型表示装置として、冷陰極電界電子放出素子を備えた冷陰極電界電子放出表示装置を挙げることができるし、金属／絶縁材料膜／金属型素子（ＭＩＭ素子）が組み込まれた平面型表示装置、表面伝導型電子放出素子が組み込まれた平面型表示装置を挙げることができる。

ここで、平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、電子を放出する電子放出領域は、１又は複数の冷陰極電界電子放出素子から成り、
各冷陰極電界電子放出素子は、
（ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びる帯状のカソード電極、
（ｂ）カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
（ｃ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びる帯状のゲート電極、
（ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複部分に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
（ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられた電子放出部、
から成り、
カソード電極の延在部、及び、ゲート電極の延在部が、引出し電極に相当する構成とすることができる。尚、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置あるいはその組立方法にあっては、電子放出領域を除き、絶縁層及びゲート電極は前記絶縁膜で覆われていることが好ましい。即ち、絶縁膜には絶縁膜開口部が設けられており、電子放出領域の射影像は、この絶縁膜開口部の射影像内に包含されることが好ましい。この絶縁膜は、複数の引出し電極上に形成された絶縁膜の延在部に相当する。

そして、平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、電子放出領域を構成する冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）が、第１パネルあるいは第２パネル（カソードパネルと呼ぶ場合がある）に設けられ、一方、アノード電極及び蛍光体層が、第２パネルあるいは第１パネル（アノードパネルと呼ぶ場合がある）に設けられている。

電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子（円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）や、扁平型電界放出素子（略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）を挙げることができる。

カソードパネルにおいて、カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とは直交することが、即ち、第１の方向と第２の方向とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。そして、カソード電極とゲート電極とが重複する重複領域が電子放出領域に該当し、電子放出領域がカソードパネルの有効領域（例えば、第１パネル有効領域）に２次元マトリクス状に配列されており、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。

冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、アノードパネルに設けられたアノード電極によってアノードパネルへと引き付けられ、蛍光体層に衝突する。そして、蛍光体層への電子の衝突の結果、蛍光体層が発光し、画像として認識することができる。

冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極は、カソード電極の延在部に相当する引出し電極を介してカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極は、ゲート電極の延在部に相当する引出し電極を介してゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実動作時、アノード電極制御回路の出力電圧Ｖ_Aは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をｄ₀（但し、０．５ｍｍ≦ｄ₀≦１０ｍｍ）としたとき、Ｖ_A／ｄ₀（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは４以上８以下を満足することが望ましい。冷陰極電界電子放出表示装置の実動作時、カソード電極に印加する電圧Ｖ_C及びゲート電極に印加する電圧Ｖ_Gに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用することができる。

電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。尚、工程（４）と工程（５）の順序を逆にしてもよい。また、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置あるいはその組立方法における平面型表示装置にあっては、工程（５）を省略することができる。
（１）支持体上に、カソード電極及びカソード電極の延在部に相当する引出し電極を形成する工程、
（２）支持体及びカソード電極上に絶縁層を形成する工程、
（３）絶縁層上にゲート電極を形成し、併せて、ゲート電極の延在部に相当する引出し電極を支持体上に形成する工程、
（４）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
（５）全面に絶縁膜を形成し、絶縁膜に絶縁膜開口部を形成する工程、
（６）開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。

あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。尚、工程（５）と工程（６）の順序を逆にしてもよい。また、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置あるいはその組立方法における平面型表示装置にあっては、工程（６）を省略することができる。
（１）支持体上に、カソード電極及びカソード電極の延在部に相当する引出し電極を形成する工程、
（２）カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
（３）支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上に絶縁層を形成する工程、
（４）絶縁層上にゲート電極を形成し、併せて、ゲート電極の延在部に相当する引出し電極を支持体上に形成する工程、
（５）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程、
（６）全面に絶縁膜を形成し、絶縁膜に絶縁膜開口部を形成する工程。

電界放出素子には収束電極が備えられていてもよい。即ち、例えば絶縁層や絶縁膜上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている電界放出素子、あるいは又、絶縁層や絶縁膜の上方に収束電極が設けられている電界放出素子とすることもできる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルト以上のオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的な負電圧（例えば、０ボルト）が印加される。収束電極は、必ずしも、カソード電極とゲート電極とが重複する重複領域に設けられた電子放出部あるいは電子放出領域のそれぞれを取り囲むように個別に形成されている必要はなく、例えば、電子放出部あるいは電子放出領域の所定の配列方向に沿って延在させてもよいし、電子放出部あるいは電子放出領域の全てを１つの収束電極で取り囲む構成としてもよく（即ち、収束電極を、冷陰極電界電子放出表示装置としての実用上の機能を果たす中央の表示領域である有効領域の全体を覆う薄い１枚のシート状の構造としてもよく）、これによって、複数の電子放出部あるいは電子放出領域に共通の収束効果を及ぼすことができる。場合によっては、層間絶縁層の形成と、内側突起部及び外側突起部の形成を、同じ材料を用いて、同時に行ってもよい。

スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、真空蒸着法の他、例えばスパッタリング法やＣＶＤ法によっても形成することができる。

扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。あるいは又、電子放出部を構成する材料として、係る材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体（カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバー）、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ₂ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ₂Ｏ₃ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ₂Ｏ₃ウィスカー、Ａｌ₂Ｏ₃ウィスカーを挙げることができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。

カソード電極、カソード電極の延在部に相当する引出し電極、ゲート電極、ゲート電極の延在部に相当する引出し電極、収束電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ₂、ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状のカソード電極やゲート電極、引出し電極を形成することが可能である。

絶縁層や層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ₂、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ₂系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、各種の塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。

第１開口部（ゲート電極に形成された開口部）あるいは第２開口部（絶縁層に形成された開口部）の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１開口部を直接形成することもできる。第２開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。

電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、係る第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。

電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体膜を設けてもよい。抵抗体膜を設けることによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。抵抗体膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ₂）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物を例示することができる。抵抗体膜の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法やスクリーン印刷法を例示することができる。１つの電子放出部当たりの電気抵抗値は、概ね１×１０⁶〜１×１０¹¹Ω、好ましくは数十ギガΩとすればよい。

平面型表示装置において、アノード電極と蛍光体層の構成例として、（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体層を形成する構成、（２）基板上に、蛍光体層を形成し、蛍光体層上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体層の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。

アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとは抵抗体層によって電気的に接続されていることが好ましい。抵抗体層を構成する材料として、カーボン、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ₂）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物；アモルファスシリコン等の半導体材料；ＩＴＯを挙げることができる。また、ＳｉＣ抵抗膜上に抵抗値の低いカーボン薄膜を積層するといった複数の膜の組み合わせにより、安定した所望のシート抵抗値を実現することも可能である。抵抗体層のシート抵抗値として、１×１０^-1Ω／□乃至１×１０¹⁰Ω／□、好ましくは１×１０³Ω／□乃至１×１０⁸Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数（Ｑ）は２以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体層の列の総数をｑ列としたとき、Ｑ＝ｑとし、あるいは、ｑ＝ｋ・Ｑ（ｋは２以上の整数であり、好ましくは１０≦ｋ≦１００、一層好ましくは２０≦ｋ≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配設されるスペーサの数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。全体として１つのアノード電極の上に抵抗体層を形成してもよい。

アノード電極（アノード電極ユニットを包含する）は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；各種のＣＶＤ法；スクリーン印刷法；メタルマスク印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料から成る導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、抵抗体層も同様の方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料から抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこの抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づく形成により、抵抗体層を得ることができる。基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さ（後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ）として、３×１０^-8ｍ（３０ｎｍ）乃至５×１０^-7ｍ（０．５μｍ）、好ましくは５×１０^-8ｍ（５０ｎｍ）乃至３×１０^-7ｍ（０．３μｍ）を例示することができる。

アノード電極の構成材料として、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ₂、ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。尚、抵抗体層を形成する場合、抵抗体層の抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、抵抗体層をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、アノード電極をモリブデン（Ｍｏ）から構成することが好ましい。

蛍光体層は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。蛍光体層の配列様式は、例えば、ドット状である。具体的には、平面型表示装置がカラー表示の場合、蛍光体層の配置、配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。即ち、直線状に配列された蛍光体層の１列は、全てが赤色発光蛍光体層で占められた列、緑色発光蛍光体層で占められた列、及び、青色発光蛍光体層で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体層、緑色発光蛍光体層、及び、青色発光蛍光体層が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体層とは、平面型表示装置において１つの輝点を生成する蛍光体領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体層、１つの緑色発光蛍光体層、及び、１つの青色発光蛍光体層の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体層（１つの赤色発光蛍光体層、あるいは、１つの緑色発光蛍光体層、あるいは、１つの青色発光蛍光体層）から構成される。尚、隣り合う蛍光体層の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。

蛍光体層は、発光性結晶粒子から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体層を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体層を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体層を形成する方法にて形成することができる。あるいは又、赤色発光蛍光体スラリー、緑色発光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体スラリーを順次塗布した後、各蛍光体スラリーを順次露光、現像して、各蛍光体層を形成してもよいし、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、フロート塗布法、沈降塗布法、蛍光体フィルム転写法等により各蛍光体層を形成してもよい。基板上における蛍光体層の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。

蛍光体層からの光を吸収する光吸収層が、隣り合う蛍光体層の間、あるいは、隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体層からの光を９０％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せ、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。

蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された２次電子が他の蛍光体層に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するために、あるいは又、蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された２次電子が他の蛍光体層に向かって侵入することを防止するために、隔壁を設けることが好ましい。

隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、キャスティング法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成（硬化）を行う方法である。キャスティング法（型押し成形法）とは、ペースト状とした有機材料あるいは無機材料から成る隔壁形成用材料層を型（キャスト）から基板上に押し出すことで隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やメタルマスク印刷法、ロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁頂面の平坦化を図ってもよい。

隔壁における蛍光体層を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）として、矩形形状、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができる。これらの平面形状（開口領域の平面形状）が２次元マトリクス状に配列されることにより、格子状の隔壁が形成される。この２次元マトリクス状の配列は、例えば井桁様に配列されるものでもよいし、千鳥様に配列されるものでもよい。

隔壁形成用材料として、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス、ＳｉＯ₂、低融点ガラスペーストを例示することができる。隔壁の表面（頂面及び側面）には、隔壁に電子ビームが衝突して隔壁からガスが放出されることを防止するための保護材料層（例えば、ＳｉＯ₂、ＳｉＯＮ、あるいは、ＡｌＮから成る）を形成してもよい。

平面型表示装置にあっては、第１パネルと第２パネルによって挟まれた空間は高真空となっている。従って、第１パネルと第２パネルとの間に、例えば、セラミック材料やガラスといった高抵抗材料から作製されたスペーサを配設しておかないと、大気圧によって平面型表示装置が損傷を受けてしまう。スペーサは、例えばセラミックスやガラスから構成することができる。スペーサをセラミックスから構成する場合、セラミックスとして、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができる。この場合、所謂グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成し、係るグリーンシート焼成品を切断することによってスペーサを製造することができる。また、スペーサを構成するガラスとして、ソーダライムガラスを挙げることができる。スペーサは、例えば、隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、第１パネルや第２パネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部によって固定すればよい。

スペーサの表面には、帯電防止膜が設けられていてもよい。帯電防止膜を構成する材料は、その２次電子放出係数が１に近いことが好ましく、帯電防止膜を構成する材料として、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等を用いることができる。例えば、グラファイト等の半金属及びＭｏＳｅ₂等の半金属元素を含む化合物、ＣｒＯ_x、ＣｒＡｌ_xＯ_y、Ｎｄ₂Ｏ₃、Ｌａ_xＢａ_2-xＣｕＯ₄、Ｌａ_xＢａ_2-xＣｕＯ₄、Ｌａ_xＹ_1-xＣｒＯ₃等の酸化物、ＡｌＢ₂、ＴｉＢ₂等のホウ化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＭｏＳ₂、ＷＳ₂等の硫化物、及び、ＢＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物等を挙げることができるし、更には、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に記載されている材料等を用いることもできる。帯電防止膜は、単一の種類の材料から成るものであってもよいし、複数の種類の材料から成るものであってもよいし、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。帯電防止膜は、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等、周知の方法に基づき形成することができる。

第１パネルと第２パネルと接合部材の三者を接合する場合、三者を同時に接合することが望ましい。三者同時接合を高真空雰囲気中で行えば、第１パネルと第２パネルと接合部材とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、第１パネルと第２パネルと接合部材とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。

排気を行う場合、排気は、第１パネル及び／又は第２パネルに予め接続されたチップ管とも呼ばれる排気管を通じて行うことができる。排気管は、典型的にはガラス管、あるいは、低熱膨張率を有する金属や合金［例えば、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金や、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％、クロム（Ｃｒ）を６重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金］から成る中空管から構成され、第１パネル及び／又は第２パネルの無効領域に設けられた貫通孔の周囲に、フリットガラス又は次に述べる低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られ、あるいは又、圧着することにより封じられる。尚、封じる前に、平面型表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。

ここで、低融点金属材料とは、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の材料であり、具体的には、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ₈₀Ａｇ₂₀（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ₉₅Ｃｕ₅（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ_97.5Ａｇ_2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ_94.5Ａｇ_5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ_97.5Ａｇ_1.5Ｓｎ_1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ₉₅Ａｌ₅（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ₅Ｐｂ₉₅（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ₂Ｐｂ₉₈（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ₈₈Ｇａ₁₂（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。

本発明の平面型表示装置にあっては、少なくとも一部にフリットガラス層を含む接合部材が、金属酸化物から成る保護膜と接している。金属酸化物は、フリットガラス層の成分であるＰｂＯとの反応性が非常に低い。従って、接合部材を構成するフリットガラス層の焼成時、上述した反応式（１）で示す反応が生じることを確実に防止することができ、その結果、窒素ガスが発生する虞がないので、接合部材を構成するフリットガラス層が発泡して気密性を保持できなくなるという問題が生じることがないし、ＳｉＯ₂から成るバリア材料層よりも、一層確実に、このような問題が発生することを防止することができる。また、接合部材を構成するフリットガラス層の焼成時、接合部材の下方に位置する引出し電極を構成する金属がフリットガラス層に含まれるＰｂＯと反応することを、金属酸化物から成る保護膜の存在によって確実に阻止することができる。従って、引出し電極を構成する金属が酸化されて、引出し電極が、断線したり、高抵抗化するといった問題が発生することもないし、ＳｉＯ₂から成るバリア材料層よりも、一層確実に、このような問題が発生することを抑制することができる。しかも、本発明の平面型表示装置の組立方法にあっては、塗布法に基づき保護膜を形成するので、保護膜を極めて容易に形成することができるし、高価な成膜装置も必要とされないし、接合部材の下方に位置すべき第１パネルあるいは絶縁膜の領域に選択的に保護膜を形成し、その他の領域には保護膜を形成しないといった処理を容易に行うことができる。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、先ず、実施例１〜実施例８の平面型表示装置、及び、実施例１〜実施例８の平面型表示装置の組立方法における平面型表示装置の概要について、説明する。

実施例１〜実施例８の平面型表示装置は、より具体的には、冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する）から成る。実施例１〜実施例８の表示装置を構成する第１パネルを、以下、カソードパネルＣＰと呼び、第２パネルを、以下、アノードパネルＡＰと呼ぶ場合がある。ここで、実施例１〜実施例８の表示装置におけるスピント型冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と呼ぶ）の模式的な一部断面図は図３７に示したと同様であり、扁平型電界放出素子の模式的な一部断面図は図３８に示したと同様である。但し、実施例１〜実施例４にあっては、絶縁膜１６は設けられていない（本発明の第１の態様に係る平面型表示装置）。一方、実施例５〜実施例８にあっては、絶縁膜１６が設けられている（本発明の第２の態様に係る平面型表示装置）。また、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）及び第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）を分解したときの第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）の一部分の模式的な分解斜視図は、図３９に示したと同様であるし、電子放出領域をアノードパネル側から眺めたときの、電子放出領域を構成する構成要素の配置状態は、図４０の（Ａ）に示したと同様である。尚、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）における有効領域、無効領域、カソード電極、ゲート電極、引出し電極の配置を模式的に図４０の（Ｂ）に示す。

即ち、実施例１〜実施例８の表示装置、あるいは、実施例１〜実施例８の表示装置の組立方法における表示装置は、
（Ａ）電子を放出する電子放出領域ＥＡが２次元マトリクス状に配された第１パネル有効領域ＥＦ₁、及び、この第１パネル有効領域ＥＦ₁を取り囲む第１パネル無効領域ＮＥ₁を備え、電子放出領域ＥＡを駆動するために第１パネル無効領域ＮＥ₁に複数の引出し電極１１Ａ，１３Ａが設けられて成る第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と、
（Ｂ）電子放出領域ＥＡから放出された電子が衝突する蛍光体層２２及びアノード電極２４が形成された第２パネル有効領域ＥＦ₂、及び、この第２パネル有効領域ＥＦ₂を取り囲む第２パネル無効領域ＮＥ₂を備えた第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と、
（Ｃ）少なくとも一部にフリットガラス層を含み、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）とを、それらの無効領域ＮＥ₁，ＮＥ₂において接合した接合部材３０，１３０、
を具備している。

ここで、実施例１、実施例２、実施例５及び実施例６の平面型表示装置にあっては、接合部材３０は、枠体３１、並びに、この枠体３１の底面及び頂面に形成された第１フリットガラス層３２及び第２フリットガラス層３３から成る。一方、実施例３、実施例４、実施例７及び実施例８の平面型表示装置にあっては、接合部材１３０の全体が、フリットガラス層から成る。

更には、実施例１及び実施例２の平面型表示装置においては、少なくとも、枠体３１の底面に形成された第１フリットガラス層３２の下方に位置する引出し電極１１Ａ，１３Ａの表面には、金属酸化物から成る保護膜４０が形成されており、第１フリットガラス層３２は保護膜４０と接している。

また、実施例３及び実施例４の平面型表示装置においては、少なくとも、接合部材１３０の下方に位置する引出し電極１１Ａ，１３Ａの表面には、金属酸化物から成る保護膜４０が形成されており、接合部材１３０は保護膜４０と接している。

一方、実施例５及び実施例６の平面型表示装置においては、引出し電極１１Ａ，１３Ａの表面には絶縁膜１６が形成されており、少なくとも、枠体３１の底面に形成された第１フリットガラス層３２の下方に位置する絶縁膜１６の領域には、金属酸化物から成る保護膜４０が形成されており、第１フリットガラス層３２は保護膜４０と接している。

また、実施例７及び実施例８の平面型表示装置においては、引出し電極１１Ａ，１３Ａの表面には絶縁膜１６が形成されており、少なくとも、接合部材１３０の下方に位置する絶縁膜１６の領域には、金属酸化物から成る保護膜４０が形成されており、接合部材１３０は保護膜４０と接している。

ここで、実施例１〜実施例８において、電子放出領域ＥＡを構成する電界放出素子は、例えば、スピント型電界放出素子から構成されている。スピント型電界放出素子は、図３７に示すように、
（ａ）支持体１０に形成されたカソード電極１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３、
（ｄ）ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｅ）開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５、
から構成されている。

あるいは又、実施例１〜実施例８にあっては、電界放出素子は、例えば扁平型電界放出素子から構成されている。扁平型電界放出素子は、図３８に示すように、
（ａ）支持体１０上に形成されたカソード電極１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３、
（ｄ）ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｅ）開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された電子放出部１５Ａ、
から構成されている。尚、電子放出部１５Ａは、例えば、マトリックスに一部分が埋め込まれた多数のカーボン・ナノチューブから構成されている。

カソードパネルＣＰにおいて、カソード電極１１は、第１の方向（Ｘ方向）に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、第１の方向とは異なる第２の方向（Ｙ方向）に延びる帯状である。カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。帯状のカソード電極１１と帯状のゲート電極１３とが重複する重複領域が、電子放出領域ＥＡである。カソード電極１１の延在部が引出し電極１１Ａに相当し、ゲート電極１３の延在部が引出し電極１３Ａに相当する。１サブピクセルに相当する電子放出領域ＥＡには、複数の電界放出素子が設けられており、１サブピクセルに相当する電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域（第１パネル有効領域ＥＦ₁）内に、２次元マトリクス状に配列されている。

また、実施例５〜実施例８にあっては、電子放出領域ＥＡを除き、絶縁層１２及びゲート電極１３は、窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）から成る絶縁膜１６で覆われている。絶縁膜１６は、種々の製造プロセスにおいて、カソードパネルＣＰを構成する構成要素の保護のために設けられている。更には、絶縁膜１６には絶縁膜開口部１７が形成され、絶縁膜１６の上には層間絶縁層１８が形成され、その上に収束電極１９が絶縁膜開口部１７を取り囲むように設けられており、収束電極１９は、複数の電界放出素子に共通の収束効果を及ぼすことができる。カソードパネルＣＰの無効領域（第１パネル無効領域ＮＥ₁）には、真空排気用の貫通孔（図示せず）が設けられており、この貫通孔には、真空排気後に封じ切られるチップ管とも呼ばれる排気管（図示せず）が取り付けられている。一方、実施例１〜実施例４にあっては、絶縁層１２及びゲート電極１３の上には層間絶縁層１８が形成され、その上に収束電極１９が電子放出領域ＥＡを取り囲むように設けられており、収束電極１９は、複数の電界放出素子に共通の収束効果を及ぼすことができる。

実施例１〜実施例８において、第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）は、基板２０、並びに、この基板２０上に形成された蛍光体層２２（カラー表示の場合、赤色発光蛍光体層２２Ｒ、緑色発光蛍光体層２２Ｇ、青色発光蛍光体層２２Ｂ）、及び、蛍光体層２２を覆うアノード電極２４から構成されている。即ち、アノードパネルＡＰは、より具体的には、基板２０、基板２０上に形成された隔壁２１と隔壁２１との間の基板２０上に形成され、多数の蛍光体粒子から成る蛍光体層２２（赤色発光蛍光体層２２Ｒ、緑色発光蛍光体層２２Ｇ、青色発光蛍光体層２２Ｂ）、及び、蛍光体層２２上に形成されたアノード電極２４を備えている。アノード電極２４は、厚さ約７０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）から成り、有効領域（第２パネル有効領域ＥＦ₂）を覆う薄い１枚のシート状であり、隔壁２１及び蛍光体層２２を覆う状態で設けられている。蛍光体層２２と蛍光体層２２との間であって、隔壁２１と基板２０との間には、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止するために、光吸収層（ブラックマトリックス）２３が形成されている。そして、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）とによって挟まれた空間は真空状態（圧力：例えば１０^-3Ｐａ以下）とされている。

１サブピクセルは、カソードパネル側の電子放出領域ＥＡと、これらの電界放出素子の一群に対面したアノードパネル側の蛍光体層２２とによって構成されている。有効領域には、画素（ピクセル）が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。尚、カラー表示の表示装置においては、１画素（１ピクセル）は、赤色発光サブピクセル、緑色発光サブピクセル、及び、青色発光サブピクセルの組から構成されている。

実施例１〜実施例８において、カソード電極１１は、その延在部である引出し電極１１Ａを介してカソード電極制御回路６１に接続され、ゲート電極１３は、その延在部である引出し電極１３Ａを介してゲート電極制御回路６２に接続され、収束電極１９は収束電極制御回路（図示せず）に接続され、アノード電極２４はアノード電極制御回路６３に接続されている。これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。表示装置の実動作時、アノード電極制御回路６３からアノード電極２４に印加されるアノード電圧Ｖ_Aは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。一方、表示装置の実動作時、カソード電極１１に印加する電圧Ｖ_C及びゲート電極１３に印加する電圧Ｖ_Gに関しては、
（１）カソード電極１１に印加する電圧Ｖ_Cを一定とし、ゲート電極１３に印加する電圧Ｖ_Gを変化させる方式
（２）カソード電極１１に印加する電圧Ｖ_Cを変化させ、ゲート電極１３に印加する電圧Ｖ_Gを一定とする方式
（３）カソード電極１１に印加する電圧Ｖ_Cを変化させ、且つ、ゲート電極１３に印加する電圧Ｖ_Gも変化させる方式
のいずれを採用してもよい。

表示装置の実動作時、カソード電極１１には相対的に負電圧（Ｖ_C）がカソード電極制御回路６１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧（Ｖ_G）がゲート電極制御回路６２から印加され、収束電極１９には収束電極制御回路から例えば０ボルトが印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧（アノード電圧Ｖ_A）がアノード電極制御回路６３から印加される。係る表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路６１から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路６２からビデオ信号を入力する。尚、カソード電極１１にカソード電極制御回路６１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路６２から走査信号を入力してもよい。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５，１５Ａから電子が放出され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４を通過して蛍光体層２２に衝突する。その結果、蛍光体層２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧Ｖ_G、及びカソード電極１１に印加される電圧Ｖ_Cによって制御され、第１パネル無効領域ＮＥ₁に設けられた複数の引出し電極１１Ａ，１３Ａを介して電子放出領域ＥＡが駆動される。

実施例１、実施例２、実施例５、実施例６におけるフリットガラス層３２，３３は、Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスから成る。また、枠体３１は、ガラスあるいはセラミックスから作製されており、棒状あるいはフレーム状（枠状）である。尚、枠体３１の底面及び頂面にフリットガラス・ペーストを塗布し、３５０゜Ｃで２０分、仮焼成することで、枠体３１、並びに、枠体３１の底面及び頂面に形成された第１フリットガラス層３２及び第２フリットガラス層３３から成る接合部材３０を得ることができる。一方、実施例３、実施例４、実施例７、実施例８における接合部材１３０の全体を構成するフリットガラス層は、Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスから成る。また、接合部材１３０を構成するフリットガラス層を３５０゜Ｃで２０分、仮焼成することで、接合部材１３０を得ることができる。

実施例５〜実施例８にあっては、前述したとおり、引出し電極１１Ａ，１３Ａの表面には、Ｓｉ₃Ｎ₄から成る絶縁膜１６が形成されている。更には、少なくとも、接合部材３０，１３０の下方に位置する絶縁膜１６の領域には、金属酸化物から成る保護膜４０が形成されており、接合部材３０，１３０と保護膜４０とが接している。

また、実施例１〜実施例８において、保護膜４０は、具体的には、酸化チタン，ＴｉＯ₂の微粒子から構成されている。第１の保護膜幅規定部を構成する内側突起部４１及び第２の保護膜幅規定部を構成する外側突起部４２は、感光性ポリイミド樹脂から形成されており、第１の保護膜幅規定部を構成する内側濡れ性制御層（内側撥水層）４３及び第２の保護膜幅規定部を構成する外側濡れ性制御層（外側撥水層）４４は、シラン系化合物、より具体的には、オクタデシルトリエトキシシラン（ＯＤＳＥ）から成る。

実施例１〜実施例８における絶縁膜１６の有無、接合部材３０，１３０の構造、保護膜幅規定部の構成を、以下の表１に纏めた。

実施例１は、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置及びその組立方法に関する。実施例１の表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図１に示し、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図２に示す。尚、接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図においては、第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）を構成する蛍光体層やアノード電極等の構成要素の図示を省略している。また、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）においては、電子放出部、開口部、層間絶縁層、収束電極の図示を省略している。

実施例１の表示装置にあっては、
接合部材３０の下方に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも内側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分には、接合部材３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）が概ね連続的に（実施例１あるいは後述する実施例３、実施例５、実施例７にあっては連続的に）形成されており、
接合部材３０の下方に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも外側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分には、接合部材３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）が概ね連続的に（実施例１あるいは後述する実施例３、実施例５、実施例７にあっては連続的に）形成されており（図１、図２参照）、
金属酸化物から成る保護膜４０は、第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）と第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）との間に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分及び引出し電極１１Ａ，１３Ａの部分に形成され、接合部材３０の底面は保護膜４０と接している。

以下、第１パネルＰ₁の模式的な一部端面図である図３〜図６を参照して、実施例１の表示装置の組立方法を説明する。尚、図３及び図５は、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図であり、図４及び図６は、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。ここで、図３〜図６、あるいは、後述する図９〜図１４、図２１〜図２４、図２７〜図３２においては、アノードパネルＡＰを構成する蛍光体層２２やアノード電極２４等の構成要素の図示を省略しており、また、カソードパネルＣＰにおける電子放出部１５，１５Ａ、開口部１４、層間絶縁層１８、収束電極１９の図示を省略している。

［工程−１００］
先ず、電界放出素子が設けられた第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）、及び、アノード電極２４や蛍光体層２２等が設けられた第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）を準備し、更には、Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスから成るフリットガラス層３２，３３が底面及び頂面に形成された枠体３１から成る接合部材３０を準備する。

［工程−１１０］
そして、実施例１にあっては、接合部材３０下方に位置すべき第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも内側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分に、接合部材３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）を概ね連続的に（実施例１あるいは後述する実施例３、実施例５、実施例７にあっては連続的に）形成し、且つ、接合部材３０の下方に位置すべき第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも外側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分に、接合部材３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）を概ね連続的に（実施例１あるいは後述する実施例３、実施例５、実施例７にあっては連続的に）形成する（図３及び図４参照）。具体的には、第１パネル無効領域ＮＥ₁に液状の感光性ポリイミド樹脂をスリットコーターを用いて塗布し、露光、現像、乾燥、焼成を行うことで、内側突起部４１及び外側突起部４２を形成することができる。内側突起部４１及び外側突起部４２の高さを４０μｍ、幅を１００μｍ、内側突起部４１と外側突起部４２との間の距離（Ｄ）を５ｍｍとした。

［工程−１２０］
次いで、第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）と第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）との間に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域に、塗布法に基づき保護膜４０を形成する。具体的には、平均粒径０．２μｍの酸化チタン微粒子を０．５重量％、イソプロピルアルコール中に分散させた塗布溶液をディスペンサー５０を使用して、内側突起部４１と外側突起部４２との間に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域に塗布する（図５及び図６参照）。この保護膜材料を含む塗布溶液の粘度は、１×１０^-3Ｐａ・ｓ〜４×１０^-3Ｐａ・ｓ（１〜４センチポイズ）程度と非常に低いので、内側突起部４１と外側突起部４２との間に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域の上に、塗布後、速やかに広がる。ディスペンサー５０を用いた塗布法にあっては、塗布する保護膜材料の膜の幅の制御を行う必要はなく、塗布量の制御だけすればよい。その後、８０゜Ｃ〜１５０゜Ｃで保護膜材料の膜の焼付けを行うことで、保護膜４０を得ることができる。保護膜４０の平均厚さを１．２μｍとした。

［工程−１３０］
次に、接合部材３０が、保護膜４０と接し、且つ、第２パネル無効領域ＮＥ₂と接するように、具体的には、第１フリットガラス層３２が保護膜４０と接し、第２フリットガラス層３２が第２パネル無効領域ＮＥ₂と接するように、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材３０とを組み立てる。より具体的には、第２パネル無効領域ＮＥ₂に第２フリットガラス層３３が接するように接合部材３０が配され、スペーサ（図示せず）が所定の位置に取り付けられた第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）を図示しない載置台（パネルステージ）上に載置し、第１パネルＰ₁及び第２パネルＰ₂に設けられたアライメントマーク（図示せず）を光学的に読み取り、第２パネルＰ₂に対する第１パネルＰ₁の位置を調節しながら、第１フリットガラス層３２と保護膜４０とが接するように、接合部材３０上に第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）を置く。そして、第１パネルＰ₁と第２パネルＰ₂とを、例えば、バネ付きのクリップで挟んで固定する。

［工程−１４０］
その後、第１パネルＰ₁と第２パネルＰ₂と接合部材３０との組立体を焼成炉内に搬入し、焼成炉内で加熱処理を施すことで、接合部材３０を構成する第１フリットガラス層３２及び第２フリットガラス層３３を、約３９０゜Ｃの温度にて約２０分間、本焼成する。焼成時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。これによって、第１パネルＰ₁と第２パネルＰ₂とをそれらの無効領域ＮＥ₁，ＮＥ₂において接合することができる。

［工程−１５０］
その後、組立体全体を焼成炉から搬出し、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材３０とによって囲まれた空間を、貫通孔（図示せず）及び排気管（図示せず）を通じて排気し、空間の圧力が１０^-4Ｐａ程度に達した時点で排気管を加熱溶融により封じ切る。尚、封じ切りを行う前に、表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので、好適である。このようにして、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材３０とによって囲まれた空間を真空にすることができる。その後、引出し電極１１Ａ，１３Ａと、必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させる。

こうして作製された表示装置にあっては、第１フリットガラス層３２の発泡、引出し電極１１Ａ，１３Ａの酸化や断線は全く認められず、第１フリットガラス層３２と保護膜４０との間に良好なる密着性を示した。また、気密性に関しても、ヘリウムガスを用いたリーク速度測定試験において、１０^-12トル・リットル／秒以下と非常に小さな値を示し、全く問題がなかった。

尚、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）とを、それらの周縁部において接合部材３０を介して接合する際の雰囲気を高真空雰囲気とすれば、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）との接合と同時に、空間を真空にすることができる。以下の実施例においても同様である。

実施例２は、実施例１の変形である。実施例２の表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図７に示し、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図８に示す。

実施例２の表示装置にあっては、
接合部材３０の下方に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも内側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分には、接合部材３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側濡れ性制御層４３）が概ね連続的に（実施例２あるいは後述する実施例４、実施例６、実施例８にあっては連続的に）形成されており、
接合部材３０の下方に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも外側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分には、接合部材３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側濡れ性制御層４４）が概ね連続的に（実施例２あるいは後述する実施例４、実施例６、実施例８にあっては連続的に）形成されており、
金属酸化物から成る保護膜４０は、第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）と第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）との間に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分及び引出し電極１１Ａ，１３Ａの部分に形成され、接合部材３０の底面は保護膜４０と接している。

以下、第１パネルＰ₁の模式的な一部端面図である図９〜図１４を参照して、実施例２の表示装置の組立方法を説明する。尚、図９、図１１及び図１３は、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図であり、図１０、図１２及び図１４は、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。

［工程−２００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様に、電界放出素子が設けられた第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）、及び、アノード電極２４や蛍光体層２２等が設けられた第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）を準備し、更には、Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスから成るフリットガラス層３２，３３が底面及び頂面に形成された枠体３１から成る接合部材３０を準備する。

［工程−２１０］
そして、実施例２にあっては、接合部材３０の下方に位置すべき第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも内側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分に、接合部材３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側濡れ性制御層４３）を概ね連続的に（実施例２あるいは後述する実施例４、実施例６、実施例８にあっては連続的に）形成し、且つ、接合部材３０の下方に位置すべき第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも外側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分に、接合部材３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側濡れ性制御層４４）を概ね連続的（実施例２あるいは後述する実施例４、実施例６、実施例８にあっては連続的に）に形成する。

具体的には、第１パネル無効領域ＮＥ₁に、例えば、疎水性が高く下地の表面エネルギーを小さくする材料として知られているシラン系化合物であるオクタデシルトリエトキシシラン（ＯＤＳＥ）を含む濡れ性制御層形成溶液（溶媒：エチルアルコール）を塗布し、乾燥して、濡れ性制御膜４５を形成した後（図９及び図１０参照）、内側濡れ性制御層４３及び外側濡れ性制御層４４を形成すべき部分を除き、濡れ性制御膜４５に波長２４０ｎｍ以下の紫外線を照射することで、ＯＤＳＥから成る濡れ性制御膜４５を分解する。これによって、ＯＤＳＥから成る内側濡れ性制御層４３及び外側濡れ性制御層４４を得ることができる（図１１及び図１２参照）。こうして、保護膜４０を形成すべき第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分の表面エネルギーを大きく保持したまま、この部分に隣接する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分の表面エネルギーを小さくすることができる。従って、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、塗布法に基づき保護膜材料を含む塗布溶液を塗布したとき、内側濡れ性制御層４３と外側濡れ性制御層４４との間に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分の上にあっては、塗布溶液は速やかに広がるが、内側濡れ性制御層４３及び外側濡れ性制御層４４の上まで広がることはない。このようにして、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）上において塗布すべき部分を規制することができる。

内側濡れ性制御層４３及び外側濡れ性制御層４４の高さを０．５μｍ、幅を０．５μｍ、内側濡れ性制御層４３と外側濡れ性制御層４４との間の距離Ｄを５ｍｍとした。尚、保護膜４０を形成するための保護膜材料を含む塗布溶液と第１パネルＰ₁（具体的には、支持体１０）との接触角をθ₀、係る塗布溶液と内側濡れ性制御層４３あるいは外側濡れ性制御層４４との接触角をθ₁としたとき、θ₀＝５度、θ₁＝１００度である。

［工程−２２０］
次いで、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、第１の保護膜幅規定部（内側濡れ性制御層４３）と第２の保護膜幅規定部（外側濡れ性制御層４４）との間に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域に、塗布法に基づき保護膜４０を形成する（図１３及び図１４参照）。その後、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、接合部材３０が、保護膜４０と接し、且つ、第２パネル無効領域ＮＥ₂と接するように、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材３０とを組み立て、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、接合部材３０を構成するフリットガラス層（第１フリットガラス層３２及び第２フリットガラス層３３）を焼成し、以て、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）とをそれらの無効領域ＮＥ₁，ＮＥ₂において接合する。次に、実施例１の［工程−１５０］と同様にして、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材３０とによって囲まれた空間を排気し、引出し電極１１Ａ，１３Ａと必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させる。

こうして作製された表示装置にあっても、第１フリットガラス層３２の発泡、引出し電極１１Ａ，１３Ａの酸化や断線は全く認められず、第１フリットガラス層３２と保護膜４０との間に良好なる密着性を示した。また、気密性に関しても、ヘリウムガスを用いたリーク速度測定試験において、１０^-12トル・リットル／秒以下と非常に小さな値を示し、全く問題がなかった。

実施例３も、実施例１の変形である。実施例３の表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図１５に示し、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図１６に示す。

実施例３の表示装置にあっては、
接合部材１３０の下方に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも内側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分には、接合部材１３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）が概ね連続的に形成されており、
接合部材１３０の下方に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも外側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分には、接合部材１３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）が概ね連続的に形成されており、
金属酸化物から成る保護膜４０は、第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）と第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）との間に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分及び引出し電極１１Ａ，１３Ａの部分に形成され、接合部材１３０の底面は保護膜４０と接している。

即ち、実施例３の表示装置は、接合部材１３０の構成、構造が、実施例１の表示装置における接合部材３０の構成、構造と異なる点を除き、実施例１の表示装置と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

以下、実施例３の表示装置の組立方法を説明する。

［工程−３００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、電界放出素子が設けられた第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）、及び、アノード電極２４や蛍光体層２２等が設けられた第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）を準備し、更には、Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスから作製された、フリットガラス層から成る接合部材１３０を準備する。

［工程−３１０］
そして、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、接合部材１３０の下方に位置すべき第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも内側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分に、接合部材１３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）を概ね連続的に形成し、且つ、接合部材１３０の下方に位置すべき第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも外側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分に、接合部材１３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）を概ね連続的に形成する。

［工程−３２０］
次いで、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、内側突起部４１と外側突起部４２との間に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域に、塗布法に基づき保護膜４０を形成する。

［工程−３３０］
次に、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、接合部材１３０の底面がこの保護膜４０と接し、接合部材１３０の頂面が第２パネル無効領域ＮＥ₂と接するように、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材１３０とを組み立てる。

［工程−３４０］
その後、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材１３０との組立体を焼成炉内に搬入し、焼成炉内で加熱処理を施すことで、接合部材１３０の全体を構成するフリットガラス層を、約３９０゜Ｃの温度にて約２０分間、本焼成する。焼成時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。これによって、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）とをそれらの無効領域ＮＥ₁，ＮＥ₂において接合することができる。

［工程−３５０］
その後、組立体全体を焼成炉から搬出し、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材１３０とによって囲まれた空間を、貫通孔（図示せず）及び排気管（図示せず）を通じて排気し、空間の圧力が１０^-4Ｐａ程度に達した時点で排気管を加熱溶融により封じ切る。尚、封じ切りを行う前に、表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので、好適である。このようにして、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材１３０とによって囲まれた空間を真空にすることができる。その後、引出し電極１１Ａ，１３Ａと、必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させる。

こうして作製された表示装置にあっては、全体がフリットガラス層から成る接合部材１３０の発泡、引出し電極１１Ａ，１３Ａの酸化や断線は全く認められず、接合部材１３０と保護膜４０との間に良好なる密着性を示した。また、気密性に関しても、ヘリウムガスを用いたリーク速度測定試験において、１０^-12トル・リットル／秒以下と非常に小さな値を示し、全く問題がなかった。

実施例４は、実施例２及び実施例３の変形である。実施例４の表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図１７に示し、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図１８に示す。

実施例４の表示装置にあっては、
接合部材１３０の下方に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも内側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分には、接合部材１３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側濡れ性制御層４３）が概ね連続的に形成されており、
接合部材１３０の下方に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも外側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分には、接合部材１３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側濡れ性制御層４４）が概ね連続的に形成されており、
金属酸化物から成る保護膜４０は、第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）と第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）との間に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分及び引出し電極１１Ａ，１３Ａの部分に形成され、接合部材１３０の底面は保護膜４０と接している。

即ち、実施例４の表示装置は、接合部材１３０の構成、構造が、実施例２の表示装置における接合部材３０の構成、構造と異なる点を除き、実施例２の表示装置と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

以下、実施例４の表示装置の組立方法を説明する。

［工程−４００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、電界放出素子が設けられた第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）、及び、アノード電極２４や蛍光体層２２等が設けられた第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）を準備し、更には、Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスから作製された、フリットガラス層から成る接合部材１３０を準備する。

［工程−４１０］
そして、実施例２の［工程−２１０］と同様にして、接合部材１３０の下方に位置すべき第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも内側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分に、接合部材１３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側濡れ性制御層４３）を概ね連続的に形成し、且つ、接合部材１３０の下方に位置すべき第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域よりも外側の第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の部分に、接合部材１３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側濡れ性制御層４４）を概ね連続的に形成する。

［工程−４２０］
次いで、実施例２の［工程−２２０］と同様にして、内側濡れ性制御層４３と外側濡れ性制御層４４との間に位置する第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）の領域に、塗布法に基づき保護膜４０を形成する。その後、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、接合部材１３０の底面がこの保護膜４０と接し、接合部材１３０の頂面が第２パネル無効領域ＥＦ₂と接するように、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材１３０とを組み立て、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、接合部材１３０の全体を構成するフリットガラス層を焼成し、以て、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）とをそれらの無効領域ＮＥ₁，ＮＥ₂において接合する。次に、実施例１の［工程−１５０］と同様にして、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材１３０とによって囲まれた空間を排気し、引出し電極１１Ａ，１３Ａと必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させる。

こうして作製された表示装置にあっても、全体がフリットガラス層から成る接合部材１３０の発泡、引出し電極１１Ａ，１３Ａの酸化や断線は全く認められず、接合部材１３０と保護膜４０との間に良好なる密着性を示した。また、気密性に関しても、ヘリウムガスを用いたリーク速度測定試験において、１０^-12トル・リットル／秒以下と非常に小さな値を示し、全く問題がなかった。

実施例５は、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置及びその組立方法に関する。実施例５の表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図１９に示し、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図２０に示す。

実施例５の平面型表示装置においては、
接合部材３０の下方に位置する絶縁膜１６の領域よりも内側の絶縁膜１６の部分には、接合部材３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）が概ね連続的に形成されており、
接合部材３０の下方に位置する絶縁膜１６の領域よりも外側の絶縁膜１６の部分には、接合部材３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）が概ね連続的に形成されており、
金属酸化物から成る保護膜４０は、第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）と第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）との間に位置する絶縁膜４０の部分に形成され、接合部材３０の底面は保護膜４０と接している。

即ち、実施例５の表示装置は、絶縁膜１６が形成されている点を除き、実施例１の表示装置と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

以下、第１パネルＰ₁の模式的な一部端面図である図２１〜図２４を参照して、実施例５の表示装置の組立方法を説明する。尚、図２１及び図２３は、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図であり、図２２及び図２４は、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。

［工程−５００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、電界放出素子が設けられた第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）、及び、アノード電極２４や蛍光体層２２等が設けられた第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）を準備し、更には、Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスから成るフリットガラス層３２，３３が底面及び頂面に形成された枠体３１から成る接合部材３０を準備する。

［工程−５１０］
そして、実施例５にあっては、接合部材３０の下方に位置すべき絶縁膜１６の領域よりも内側の絶縁膜１６の部分に、接合部材３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）を概ね連続的に形成し、且つ、接合部材３０の下方に位置すべき絶縁膜１６の領域よりも外側の絶縁膜１６の部分に、接合部材３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）を概ね連続的に形成する（図２１及び図２２参照）。具体的には、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、第１パネル無効領域ＮＥ₁に液状の感光性ポリイミド樹脂をスリットコーターを用いて塗布し、露光、現像、乾燥、焼成を行うことで、内側突起部４１及び外側突起部４２を形成することができる。内側突起部４１及び外側突起部４２の高さを４０μｍ、幅を１００μｍ、内側突起部４１と外側突起部４２との間の距離（Ｄ）を５ｍｍとした。

［工程−５２０］
次いで、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）と第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）との間に位置する絶縁膜１６の領域に、塗布法に基づき保護膜４０を形成する（図２３及び図２４参照）。

［工程−５３０］
次に、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、第１フリットガラス層３２が保護膜４０と接し、第２フリットガラス層３２が第２パネル無効領域ＮＥ₂と接するように、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材３０とを組み立てる。

［工程−５４０］
その後、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、第１パネルＰ₁と第２パネルＰ₂と接合部材３０との組立体を焼成炉内に搬入し、焼成炉内で加熱処理を施すことで、接合部材３０を構成する第１フリットガラス層３２及び第２フリットガラス層３３を、約３９０゜Ｃの温度にて約２０分間、本焼成する。焼成時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。これによって、第１パネルＰ₁と第２パネルＰ₂とをそれらの無効領域ＮＥ₁，ＮＥ₂において接合することができる。

［工程−５５０］
その後、実施例１の［工程−１５０］と同様にして、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材３０とによって囲まれた空間を排気し、引出し電極１１Ａ，１３Ａと必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させる。

こうして作製された表示装置にあっては、第１フリットガラス層３２とＳｉ₃Ｎ₄から成る絶縁膜１６との反応、第１フリットガラス層３２の発泡、引出し電極１１Ａ，１３Ａの酸化や断線は全く認められず、第１フリットガラス層３２と保護膜４０との間に良好なる密着性を示した。また、気密性に関しても、ヘリウムガスを用いたリーク速度測定試験において、１０^-12トル・リットル／秒以下と非常に小さな値を示し、全く問題がなかった。

実施例６は、実施例５の変形である。実施例６の表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図２５に示し、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図２６に示す。

実施例６の平面型表示装置においては、
接合部材３０の下方に位置する絶縁膜１６の領域よりも内側の絶縁膜１６の部分には、接合部材３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側濡れ性制御層４３）が概ね連続的に形成されており、
接合部材３０の下方に位置する絶縁膜１６の領域よりも外側の絶縁膜１６の部分には、接合部材３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側濡れ性制御層４４）が概ね連続的に形成されており、
金属酸化物から成る保護膜４０は、第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）と第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）との間に位置する絶縁膜４０の部分に形成され、接合部材３０の底面は保護膜４０と接している。

即ち、実施例６の表示装置は、絶縁膜１６が形成されている点を除き、実施例２の表示装置と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

以下、第１パネルＰ₁の模式的な一部端面図である図２７〜図３２を参照して、実施例２の表示装置の組立方法を説明する。尚、図２７、図２９及び図３１は、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図であり、図２８、図３０及び図３２は、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。

［工程−６００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様に、電界放出素子が設けられた第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）、及び、アノード電極２４や蛍光体層２２等が設けられた第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）を準備し、更には、Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスから成るフリットガラス層３２，３３が底面及び頂面に形成された枠体３１から成る接合部材３０を準備する。

［工程−６１０］
そして、実施例２の［工程−２１０］と同様にして、接合部材３０の下方に位置すべき絶縁膜１６の領域よりも内側の絶縁膜１６の部分に、接合部材３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側濡れ性制御層４３）を概ね連続的に形成し、且つ、接合部材３０の下方に位置すべき絶縁膜１６の領域よりも外側の絶縁膜１６の部分に、接合部材３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側濡れ性制御層４４）を概ね連続的に形成する（図２７、図２８、図２９及び図３０参照）。

内側濡れ性制御層４３及び外側濡れ性制御層４４の高さを０．５μｍ、幅を０．５μｍ、内側濡れ性制御層４３と外側濡れ性制御層４４との間の距離Ｄを５ｍｍとした。尚、保護膜４０を形成するための保護膜材料を含む塗布溶液と絶縁膜１６との接触角をθ₀、係る塗布溶液と内側濡れ性制御層４３あるいは外側濡れ性制御層４４との接触角をθ₁としたとき、θ₀＝５度、θ₁＝１００度である。

［工程−６２０］
次いで、実施例２の［工程−２２０］と同様にして、内側濡れ性制御層４３と外側濡れ性制御層４４との間に位置する絶縁膜１６の領域に、塗布法に基づき保護膜４０を形成する（図３１及び図３２参照）。その後、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、第１フリットガラス層３２が保護膜４０と接し、第２フリットガラス層が第２パネル無効領域ＥＦ₂と接するように、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材３０とを組み立て、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、接合部材３０を構成する第１フリットガラス層３２及び第２フリットガラス層３３を焼成する。次に、実施例１の［工程−１５０］と同様にして、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材３０とによって囲まれた空間を排気し、引出し電極１１Ａ，１３Ａと必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させる。

こうして作製された表示装置にあっても、第１フリットガラス層３２の発泡、引出し電極１１Ａ，１３Ａの酸化や断線は全く認められず、第１フリットガラス層３２と保護膜４０との間に良好なる密着性を示した。また、気密性に関しても、ヘリウムガスを用いたリーク速度測定試験において、１０^-12トル・リットル／秒以下と非常に小さな値を示し、全く問題がなかった。

実施例７も、実施例５の変形である。実施例７の表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図３３に示し、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図３４に示す。

実施例７の平面型表示装置においては、
接合部材１３０の下方に位置する絶縁膜１６の領域よりも内側の絶縁膜１６の部分には、接合部材１３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）が概ね連続的に形成されており、
接合部材１３０の下方に位置する絶縁膜１６の領域よりも外側の絶縁膜１６の部分には、接合部材１３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）が概ね連続的に形成されており、
金属酸化物から成る保護膜４０は、第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）と第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）との間に位置する絶縁膜４０の部分に形成され、接合部材３０の底面は保護膜４０と接している。

即ち、実施例７の表示装置は、絶縁膜１６が形成されている点を除き、実施例３の表示装置と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

以下、実施例７の表示装置の組立方法を説明する。

［工程−７００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、電界放出素子が設けられた第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）、及び、アノード電極２４や蛍光体層２２等が設けられた第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）を準備し、更には、Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスから作製された、フリットガラス層から成る接合部材１３０を準備する。

［工程−７１０］
そして、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、接合部材１３０の下方に位置すべき絶縁膜１６の領域よりも内側の絶縁膜１６の部分に、接合部材１３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）を概ね連続的に形成し、且つ、接合部材１３０の下方に位置すべき絶縁膜１６の領域よりも外側の絶縁膜１６の部分に、接合部材１３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）を概ね連続的に形成する。

［工程−７２０］
次いで、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、内側突起部４１と外側突起部４２との間に位置する絶縁膜１６の領域に、塗布法に基づき保護膜４０を形成する。

［工程−７３０］
次に、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、接合部材１３０の底面がこの保護膜４０と接し、接合部材１３０の頂面が第２パネル無効領域ＥＦ₂と接するように、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材１３０とを組み立る。

［工程−７４０］
その後、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材３０との組立体を焼成炉内に搬入し、焼成炉内で加熱処理を施すことで、接合部材１３０を構成するフリットガラス層を、約３９０゜Ｃの温度にて約２０分間、本焼成する。焼成時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。これによって、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）とをそれらの無効領域ＮＥ₁，ＮＥ₂において接合することができる。

［工程−７５０］
その後、実施例１の［工程−１５０］と同様にして、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材１３０とによって囲まれた空間を排気し、引出し電極１１Ａ，１３Ａと必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させる。

こうして作製された表示装置にあっては、全体がフリットガラス層から成る接合部材１３０の発泡、引出し電極１１Ａ，１３Ａの酸化や断線は全く認められず、接合部材１３０と保護膜４０との間に良好なる密着性を示した。また、気密性に関しても、ヘリウムガスを用いたリーク速度測定試験において、１０^-12トル・リットル／秒以下と非常に小さな値を示し、全く問題がなかった。

実施例８は、実施例６及び実施例７の変形である。実施例８の表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図３５に示し、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図を図３６に示す。

実施例８の平面型表示装置においては、
接合部材１３０の下方に位置する絶縁膜１６の領域よりも内側の絶縁膜１６の部分には、接合部材１３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側濡れ性制御層４３）が概ね連続的に形成されており、
接合部材１３０の下方に位置する絶縁膜１６の領域よりも外側の絶縁膜１６の部分には、接合部材１３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側濡れ性制御層４４）が概ね連続的に形成されており、
金属酸化物から成る保護膜４０は、第１の保護膜幅規定部（内側突起部４１）と第２の保護膜幅規定部（外側突起部４２）との間に位置する絶縁膜４０の部分に形成され、接合部材３０の底面は保護膜４０と接している。

即ち、実施例８の表示装置は、絶縁膜１６が形成されている点を除き、実施例４の表示装置と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

以下、実施例８の表示装置の組立方法を説明する。

［工程−４００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、電界放出素子が設けられた第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）、及び、アノード電極２４や蛍光体層２２等が設けられた第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）を準備し、更には、Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスから作製された、フリットガラス層から成る接合部材１３０を準備する。

［工程−８１０］
そして、実施例２の［工程−２１０］と同様にして、接合部材１３０の下方に位置すべき絶縁膜１６の領域よりも内側の絶縁膜１６の部分に、接合部材１３０と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部（内側濡れ性制御層４３）を概ね連続的に形成し、且つ、接合部材１３０の下方に位置すべき絶縁膜１６の領域よりも外側の絶縁膜１６の部分に、接合部材１３０と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部（外側濡れ性制御層４４）を概ね連続的に形成する。

［工程−８２０］
次いで、実施例２の［工程−２２０］と同様にして、内側濡れ性制御層４３と外側濡れ性制御層４４との間に位置する絶縁膜１６の領域に、塗布法に基づき保護膜４０を形成する。その後、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、接合部材１３０の底面がこの保護膜４０と接し、接合部材１３０の頂面が第２パネル無効領域ＥＦ₂と接するように、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材１３０とを組み立て、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、接合部材１３０を構成するフリットガラス層を焼成し、以て、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）とをそれらの無効領域ＮＥ₁，ＮＥ₂において接合する。次に、実施例１の［工程−１５０］と同様にして、第１パネルＰ₁（カソードパネルＣＰ）と第２パネルＰ₂（アノードパネルＡＰ）と接合部材１３０とによって囲まれた空間を排気し、引出し電極１１Ａ，１３Ａと必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させる。

こうして作製された表示装置にあっても、接合部材１３０を構成するフリットガラス層の発泡、引出し電極１１Ａ，１３Ａの酸化や断線は全く認められず、接合部材１３０と保護膜４０との間に良好なる密着性を示した。また、気密性に関しても、ヘリウムガスを用いたリーク速度測定試験において、１０^-12トル・リットル／秒以下と非常に小さな値を示し、全く問題がなかった。

以下、図４１の（Ａ）〜（Ｃ）、及び、図４２の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例５〜実施例８におけるスピント型電界放出素子の製造方法を説明するが、このスピント型電界放出素子は、基本的には、円錐形の電子放出部１５を金属材料の垂直蒸着により形成する方法によって得ることができる。即ち、ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａに対して蒸着粒子は垂直に入射するが、第１開口部１４Ａの開口端付近に形成されるオーバーハング状の堆積物による遮蔽効果を利用して、第２開口部１４Ｂの底部に到達する蒸着粒子の量を漸減させ、円錐形の堆積物である電子放出部１５を自己整合的に形成する。ここでは、不要なオーバーハング状の堆積物の除去を容易とするために、ゲート電極１３及び絶縁層１２上に剥離層７０を予め形成しておく方法について説明する。尚、電界放出素子の製造方法を説明するための図４１の（Ａ）〜（Ｃ）、及び、図４２の（Ａ）〜（Ｃ）、あるいは、後述する図４３においては、１つの電子放出部のみを図示した。従って、第１開口部１４Ａと絶縁膜１６、絶縁膜開口部１７の位置関係等が、図３７に示した関係と若干相違している。

［工程−Ａ］
先ず、例えばガラス基板から成る支持体１０の上に、例えばポリシリコンから成るカソード電極用導電材料層をプラズマＣＶＤ法にて成膜した後、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層をパターニングして、帯状のカソード電極１１を形成する。その後、全面にＳｉＯ₂から成る絶縁層１２をＣＶＤ法にて形成する。

［工程−Ｂ］
次に、絶縁層１２上に、ゲート電極用導電材料層（例えば、クロム層）をスパッタリング法にて成膜し、次いで、ゲート電極用導電材料層をリソグラフィ技術及びドライエッチング技術にてパターニングすることによって、クロム（Ｃｒ）から成り、帯状のゲート電極１３を得ることができる。帯状のカソード電極１１は、図面の紙面左右方向に延び、帯状のゲート電極１３は、図面の紙面垂直方向に延びている。

ゲート電極１３を、真空蒸着法等のＰＶＤ法、ＣＶＤ法、電気メッキ法や無電解メッキ法といったメッキ法、スクリーン印刷法、レーザアブレーション法、ゾル−ゲル法、リフトオフ法等の公知の薄膜形成と、必要に応じてエッチング技術との組合せによって形成してもよい。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状のゲート電極を形成することが可能である。

［工程−Ｃ］
その後、再びレジスト層を形成し、エッチングによってゲート電極１３に第１開口部１４Ａを形成し、更に、絶縁層に第２開口部１４Ｂを形成し、第２開口部１４Ｂの底部にカソード電極１１を露出させた後、レジスト層を除去する。こうして、図４１の（Ａ）に示す構造を得ることができる。

［工程−Ｄ］
次いで、全面に、Ｓｉ₃Ｎ₄から成る絶縁膜１６を形成した後、カソード電極１１とゲート電極１３の重複領域の上方に位置する絶縁膜１６の部分を選択的に除去し、絶縁膜１６に絶縁膜開口部１７を形成する（図４１の（Ｂ）参照）。

［工程−Ｅ］
次に、支持体１０を回転させながら絶縁膜１６上（更には、露出しているゲート電極１３上）にニッケル（Ｎｉ）を斜め真空蒸着することにより、剥離層７０を形成する（図４１の（Ｃ）参照）。このとき、支持体１０の法線に対する蒸着粒子の入射角を十分に大きく選択することにより（例えば、入射角６５度〜８５度）、第２開口部１４Ｂの底部にニッケルを殆ど堆積させることなく、絶縁膜１６上（更には、露出しているゲート電極１３上）に剥離層７０を形成することができる。剥離層７０は、第１開口部１４Ａの開口端から庇状に張り出しており、これによって第１開口部１４Ａが実質的に縮径される。

［工程−Ｆ］
次に、全面に例えば導電材料としてモリブデン（Ｍｏ）を垂直蒸着する（入射角３度〜１０度）。このとき、図４２の（Ａ）に示すように、剥離層７０上でオーバーハング形状を有する導電材料層７１が成長するに伴い、第１開口部１４Ａの実質的な直径が次第に縮小されるので、第２開口部１４Ｂの底部において堆積に寄与する蒸着粒子は、次第に第１開口部１４Ａの中央付近を通過するものに限られるようになる。その結果、第２開口部１４Ｂの底部には円錐形の堆積物が形成され、この円錐形の堆積物が電子放出部１５となる。

［工程−Ｇ］
その後、図４２の（Ｂ）に示すように、リフトオフ法にて剥離層７０を絶縁膜１６（更には、露出しているゲート電極１３）から剥離し、絶縁膜１６（更には、露出しているゲート電極１３）の上方の導電材料層７１を選択的に除去する。次いで、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂの側壁面を等方的なエッチングによって後退させることが（図４２の（Ｃ）参照）、ゲート電極１３の開口端部を露出させるといった観点から、好ましい。尚、等方的なエッチングは、ケミカルドライエッチングのようにラジカルを主エッチング種として利用するドライエッチング、あるいはエッチング液を利用するウェットエッチングにより行うことができる。エッチング液としては、例えば４９％フッ酸水溶液と純水の１：１００（容積比）混合液を用いることができる。こうして、スピント型電界放出素子を得ることができる。

［工程−Ｄ］を省略すれば、実施例１〜実施例４におけるスピント型電界放出素子を製造することができる。

電界放出素子において、絶縁膜１６の上に更に層間絶縁層１８を設け、層間絶縁層１８上に収束電極１９を設けてもよい。このような構造を有する電界放出素子の模式的な一部端面図を図４３に示す。層間絶縁層１８には、第１開口部１４Ａに連通した第３開口部１４Ｃが設けられている。収束電極１９の形成は、例えば、［工程−Ｇ］に引き続き、絶縁膜１６上に層間絶縁層１８を形成し、次いで、層間絶縁層１８に第３開口部１４Ｃを形成した後、斜め蒸着法に基づき、層間絶縁層１８の上及び第３開口部１４Ｃの側壁に導電材料層を形成することで、行うことができる。尚、図４３においては、スピント型電界放出素子を図示したが、その他の電界放出素子とすることもできることは云うまでもない。

尚、感光性ポリイミド樹脂を用いて層間絶縁層１８を形成する場合には、同時に、同じ材料を用いて、内側突起部４１及び外側突起部４２を形成することができる。

以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した平面型表示装置、第１パネル、第２パネル、カソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができる。更には、表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。場合によっては、収束電極の形成を省略することもできる。

実施例においては、第１パネルを複数の冷陰極電界電子放出素子が形成されたカソードパネルＣＰから構成し、第２パネルをアノード電極及び蛍光体層が形成されたアノードパネルＡＰから構成したが、その代わりに、第１パネルをアノード電極及び蛍光体層が形成されたアノードパネルＡＰから構成し、第２パネルを複数の冷陰極電界電子放出素子が形成されたカソードパネルＣＰから構成してもよい。

塗布法にて絶縁膜上に保護膜材料を形成する際、保護膜を形成すべき部分にのみ保護膜を確実に形成することができるのならば、内側突起部４１、外側突起部４２、内側濡れ性制御層４３、外側濡れ性制御層４４の形成は不要な場合がある。例えば、高い粘度を有する塗布溶液を使用して印刷法に基づき保護層を形成すれば、内側突起部４１、外側突起部４２、内側濡れ性制御層４３、外側濡れ性制御層４４を形成すること無く、所望の絶縁膜の部分に保護膜を形成することができる。

また、電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層にかかる複数の第１開口部に連通した第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。

平面型表示装置を、表面伝導型電子放出素子と通称される電子放出素子を備えた平面型表示装置とすることもできる。この表面伝導型電子放出素子は、例えばガラスから成る支持体上に酸化錫（ＳｎＯ₂）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）／酸化錫（ＳｎＯ₂）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面積を有し、所定の間隔（ギャップ）を開けて配された一対の電極がマトリクス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の一方の電極に行方向配線が接続され、一対の電極の内の他方の電極に列方向配線が接続された構成を有する。一対の電極に電圧を印加することによって、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜から電子が放出される。係る電子をアノードパネル上の蛍光体層に衝突させることによって、蛍光体層が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。この場合、行方向配線の延在部、列方向配線の延在部が、引出し電極に相当する。あるいは又、平面型表示装置を、金属／絶縁材料膜／金属型素子を備えた平面型表示装置とすることもできる。

図１は、実施例１の冷陰極電界電子放出表示装置における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図２は、実施例１の冷陰極電界電子放出表示装置における、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図３は、実施例１の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図４は、実施例１の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図５は、図３に引き続き、実施例１の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図６は、図４に引き続き、実施例１の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図７は、実施例２の冷陰極電界電子放出表示装置における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図８は、実施例２の冷陰極電界電子放出表示装置における、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図９は、実施例２の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図１０は、実施例２の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図１１は、図９に引き続き、実施例２の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図１２は、図１０に引き続き、実施例２の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図１３は、図１１に引き続き、実施例２の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図１４は、図１２に引き続き、実施例２の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図１５は、実施例３の冷陰極電界電子放出表示装置における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図１６は、実施例３の冷陰極電界電子放出表示装置における、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図１７は、実施例４の冷陰極電界電子放出表示装置における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図１８は、実施例４の冷陰極電界電子放出表示装置における、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図１９は、実施例５の冷陰極電界電子放出表示装置における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図２０は、実施例５の冷陰極電界電子放出表示装置における、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図２１は、実施例５の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図２２は、実施例５の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図２３は、図２１に引き続き、実施例５の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図２４は、図２２に引き続き、実施例５の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図２５は、実施例６の冷陰極電界電子放出表示装置における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図２６は、実施例６の冷陰極電界電子放出表示装置における、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図２７は、実施例６の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図２８は、実施例６の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図２９は、図２７に引き続き、実施例６の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図３０は、図２８に引き続き、実施例６の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図３１は、図２９に引き続き、実施例６の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図３２は、図３０に引き続き、実施例６の冷陰極電界電子放出表示装置の組立方法を説明するための第１パネルの模式的な一部端面図であり、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図３３は、実施例７の冷陰極電界電子放出表示装置における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図３４は、実施例７の冷陰極電界電子放出表示装置における、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図３５は、実施例８の冷陰極電界電子放出表示装置における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図３６は、実施例８の冷陰極電界電子放出表示装置における、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図３７は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を有する従来の冷陰極電界電子放出表示装置から成る平面型表示装置の概念的な一部端面図である。 図３８は、扁平型冷陰極電界電子放出素子を有する従来の冷陰極電界電子放出表示装置から成る平面型表示装置の概念的な一部端面図である。 図３９は、冷陰極電界電子放出表示装置におけるカソードパネルとアノードパネルの一部分の模式的な分解斜視図である。 図４０の（Ａ）は、電子放出領域をアノードパネル側から眺めたときの、電子放出領域を構成する構成要素の配置状態を模式的に示す図であり、図４０の（Ｂ）は、第１パネル（カソードパネル）における有効領域、無効領域、カソード電極、ゲート電極、引出し電極の配置を模式的に示す図である。 図４１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、スピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。 図４２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、図４１の（Ｃ）に引き続き、スピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。 図４３は、収束電極を有するスピント型冷陰極電界電子放出素子の模式的な一部端面図である。 図４４は、冷陰極電界電子放出表示装置における、第２の方向（Ｙ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。 図４５は、冷陰極電界電子放出表示装置における、第１の方向（Ｘ方向）に沿った接合部材近傍の拡大した模式的な一部端面図である。

符号の説明

Ｐ₁・・・第１パネル、Ｐ₂・・・第２パネル、ＥＦ₁・・・第１パネル有効領域、ＥＦ₂・・・第２パネル有効領域、ＮＥ₁・・・第１パネル無効領域、ＮＥ₂・・・第２パネル無効領域、ＣＰ・・・カソードパネル（第２パネル）、ＡＰ・・・アノードパネル（第１パネル）、ＥＡ・・・電子放出領域、１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１１Ａ・・・引出し電極（カソード電極の延在部）、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１３Ａ・・・引出し電極（ゲート電極の延在部）、１４・・・開口部、１４Ａ・・・第１開口部、１４Ｂ・・・第２開口部、１４Ｃ・・・第３開口部、１５，１５Ａ・・・電子放出部、１６・・・絶縁膜、１７・・・絶縁膜開口部、１８・・・層間絶縁層、１９・・・収束電極、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体層、２３・・・光吸収層（ブラックマトリックス）、２４・・・アノード電極、３０，１３０・・・接合部材、３１・・・枠体、３２・・・第１フリットガラス層、３３・・・第２フリットガラス層、４１・・・第１の保護膜幅規定部（内側突起部）、４２・・・第２の保護膜幅規定部（外側突起部）、４３・・・第１の保護膜幅規定部（内側濡れ性制御層）、４４・・・第２の保護膜幅規定部（外側濡れ性制御層）、４５・・・濡れ性制御膜、５０・・・ディスペンサー、６１・・・カソード電極制御回路、６２・・・ゲート電極制御回路、６３・・・アノード電極制御回路、７０・・・剥離層、７１・・・導電材料層

Claims (40)

1. （Ａ）電子を放出する電子放出領域が２次元マトリクス状に配された第１パネル有効領域、及び、該第１パネル有効領域を取り囲む第１パネル無効領域を備え、電子放出領域を駆動するために第１パネル無効領域に複数の引出し電極が設けられて成る第１パネルと、
   （Ｂ）電子放出領域から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が形成された第２パネル有効領域、及び、該第２パネル有効領域を取り囲む第２パネル無効領域を備えた第２パネルと、
   （Ｃ）少なくとも一部にフリットガラス層を含み、第１パネルと第２パネルとを、それらの無効領域において接合した接合部材、
   を具備した平面型表示装置であって、
   接合部材の下方に位置する第１パネルの領域よりも内側の第１パネルの部分には、接合部材と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部が概ね連続的に形成されており、
   接合部材の下方に位置する第１パネルの領域よりも外側の第１パネルの部分には、接合部材と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部が概ね連続的に形成されており、
   金属酸化物から成る保護膜は、第１の保護膜幅規定部と第２の保護膜幅規定部との間に位置する第１パネルの部分及び引出し電極の部分に形成され、接合部材の底面は保護膜と接していることを特徴とする平面型表示装置。
2. 第１の保護膜幅規定部及び第２の保護膜幅規定部のそれぞれは、突起部から成ることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
3. 突起部は、感光性ポリイミド樹脂、非感光性ポリイミド樹脂、又は、セラミックス塗膜から成ることを特徴とする請求項２に記載の平面型表示装置。
4. 第１の保護膜幅規定部及び第２の保護膜幅規定部のそれぞれは、濡れ性制御層から成ることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
5. 濡れ性制御層は、シラン系化合物から成ることを特徴とする請求項４に記載の平面型表示装置。
6. 接合部材は、枠体、並びに、該枠体の底面及び頂面に形成された第１フリットガラス層及び第２フリットガラス層から成ることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
7. 接合部材の全体が、フリットガラス層から成ることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
8. 保護膜を構成する金属酸化物は、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化スズ、又は、酸化バナジウムから成ることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
9. 電子を放出する電子放出領域は、１又は複数の冷陰極電界電子放出素子から成り、
   各冷陰極電界電子放出素子は、
   （ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びる帯状のカソード電極、
   （ｂ）カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
   （ｃ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びる帯状のゲート電極、
   （ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複部分に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
   （ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられた電子放出部、
   から成り、
   カソード電極の延在部、及び、ゲート電極の延在部が、引出し電極に相当することを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
10. （Ａ）電子を放出する電子放出領域が２次元マトリクス状に配された第１パネル有効領域、及び、該第１パネル有効領域を取り囲む第１パネル無効領域を備え、電子放出領域を駆動するために第１パネル無効領域に複数の引出し電極が設けられて成る第１パネルと、
    （Ｂ）電子放出領域から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が形成された第２パネル有効領域、及び、該第２パネル有効領域を取り囲む第２パネル無効領域を備えた第２パネルと、
    （Ｃ）少なくとも一部にフリットガラス層を含み、第１パネルと第２パネルとを、それらの無効領域において接合した接合部材、
    を具備した平面型表示装置であって、
    引出し電極の表面には絶縁膜が形成されており、
    接合部材の下方に位置する絶縁膜の領域よりも内側の絶縁膜の部分には、接合部材と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部が概ね連続的に形成されており、
    接合部材の下方に位置する絶縁膜の領域よりも外側の絶縁膜の部分には、接合部材と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部が概ね連続的に形成されており、
    金属酸化物から成る保護膜は、第１の保護膜幅規定部と第２の保護膜幅規定部との間に位置する絶縁膜の部分に形成され、接合部材の底面は保護膜と接していることを特徴とする平面型表示装置。
11. 第１の保護膜幅規定部及び第２の保護膜幅規定部のそれぞれは、突起部から成ることを特徴とする請求項１０に記載の平面型表示装置。
12. 突起部は、感光性ポリイミド樹脂、非感光性ポリイミド樹脂、又は、セラミックス塗膜から成ることを特徴とする請求項１１に記載の平面型表示装置。
13. 第１の保護膜幅規定部及び第２の保護膜幅規定部のそれぞれは、濡れ性制御層から成ることを特徴とする請求項１０に記載の平面型表示装置。
14. 濡れ性制御層は、シラン系化合物から成ることを特徴とする請求項１３に記載の平面型表示装置。
15. 接合部材は、枠体、並びに、該枠体の底面及び頂面に形成された第１フリットガラス層及び第２フリットガラス層から成ることを特徴とする請求項１０に記載の平面型表示装置。
16. 接合部材の全体が、フリットガラス層から成ることを特徴とする請求項１０に記載の平面型表示装置。
17. 保護膜を構成する金属酸化物は、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化スズ、又は、酸化バナジウムから成ることを特徴とする請求項１０に記載の平面型表示装置。
18. 絶縁膜は、シリコン窒化物から成ることを特徴とする請求項１０に記載の平面型表示装置。
19. 電子を放出する電子放出領域は、１又は複数の冷陰極電界電子放出素子から成り、
    各冷陰極電界電子放出素子は、
    （ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びる帯状のカソード電極、
    （ｂ）カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
    （ｃ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びる帯状のゲート電極、
    （ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複部分に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
    （ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられた電子放出部、
    から成り、
    カソード電極の延在部、及び、ゲート電極の延在部が、引出し電極に相当することを特徴とする請求項１０に記載の平面型表示装置。
20. 電子放出領域を除き、絶縁層及びゲート電極は前記絶縁膜で覆われていることを特徴とする請求項１９に記載の平面型表示装置。
21. （Ａ）電子を放出する電子放出領域が２次元マトリクス状に配された第１パネル有効領域、及び、該第１パネル有効領域を取り囲む第１パネル無効領域を備え、電子放出領域を駆動するために第１パネル無効領域に複数の引出し電極が設けられて成る第１パネルと、
    （Ｂ）電子放出領域から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が形成された第２パネル有効領域、及び、該第２パネル有効領域を取り囲む第２パネル無効領域を備えた第２パネルと、
    （Ｃ）少なくとも一部にフリットガラス層を含み、第１パネルと第２パネルとを、それらの無効領域において接合した接合部材、
    を具備した平面型表示装置の組立方法であって、
    接合部材の下方に位置すべき第１パネルの領域よりも内側の第１パネルの部分に、接合部材と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部を概ね連続的に形成し、且つ、接合部材の下方に位置すべき第１パネルの領域よりも外側の第１パネルの部分に、接合部材と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部を概ね連続的に形成し、
    第１の保護膜幅規定部と第２の保護膜幅規定部との間に位置する第１パネルの領域に、塗布法に基づき保護膜を形成した後、
    接合部材が、該保護膜と接し、且つ、第２パネル無効領域と接するように、第１パネルと第２パネルと接合部材とを組み立て、その後、
    接合部材を構成するフリットガラス層を焼成し、以て、第１パネルと第２パネルとをそれらの無効領域において接合する、
    工程を具備することを特徴とする平面型表示装置の組立方法。
22. 第１の保護膜幅規定部及び第２の保護膜幅規定部のそれぞれは、突起部から成ることを特徴とする請求項２１に記載の平面型表示装置の組立方法。
23. 突起部は、感光性ポリイミド樹脂、非感光性ポリイミド樹脂、又は、セラミックス塗膜から成ることを特徴とする請求項２２に記載の平面型表示装置の組立方法。
24. 第１の保護膜幅規定部及び第２の保護膜幅規定部のそれぞれは、濡れ性制御層から成ることを特徴とする請求項２１に記載の平面型表示装置の組立方法。
25. 濡れ性制御層は、シラン系化合物から成ることを特徴とする請求項２４に記載の平面型表示装置の組立方法。
26. 接合部材は、枠体、並びに、該枠体の底面及び頂面に形成された第１フリットガラス層及び第２フリットガラス層から成ることを特徴とする請求項２１に記載の平面型表示装置の組立方法。
27. 接合部材の全体が、フリットガラス層から成ることを特徴とする請求項２１に記載の平面型表示装置の組立方法。
28. 保護膜を構成する金属酸化物は、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化スズ、又は、酸化バナジウムから成ることを特徴とする請求項２１に記載の平面型表示装置の組立方法。
29. 電子を放出する電子放出領域は、１又は複数の冷陰極電界電子放出素子から成り、
    各冷陰極電界電子放出素子は、
    （ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びる帯状のカソード電極、
    （ｂ）カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
    （ｃ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びる帯状のゲート電極、
    （ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複部分に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
    （ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられた電子放出部、
    から成り、
    カソード電極の延在部、及び、ゲート電極の延在部が、引出し電極に相当することを特徴とする請求項２１に記載の平面型表示装置の組立方法。
30. （Ａ）電子を放出する電子放出領域が２次元マトリクス状に配された第１パネル有効領域、及び、該第１パネル有効領域を取り囲む第１パネル無効領域を備え、電子放出領域を駆動するために第１パネル無効領域に、表面に絶縁膜が形成された複数の引出し電極が設けられて成る第１パネルと、
    （Ｂ）電子放出領域から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が形成された第２パネル有効領域、及び、該第２パネル有効領域を取り囲む第２パネル無効領域を備えた第２パネルと、
    （Ｃ）少なくとも一部にフリットガラス層を含み、第１パネルと第２パネルとを、それらの無効領域において接合した接合部材、
    を具備した平面型表示装置の組立方法であって、
    接合部材の下方に位置すべき絶縁膜の領域よりも内側の絶縁膜の部分に、接合部材と略平行に延びる第１の保護膜幅規定部を概ね連続的に形成し、且つ、接合部材の下方に位置すべき絶縁膜の領域よりも外側の絶縁膜の部分に、接合部材と略平行に延びる第２の保護膜幅規定部を概ね連続的に形成し、
    第１の保護膜幅規定部と第２の保護膜幅規定部との間に位置する絶縁膜の領域に、塗布法に基づき保護膜を形成した後、
    接合部材が、該保護膜と接し、且つ、第２パネル無効領域と接するように、第１パネルと第２パネルと接合部材とを組み立て、その後、
    接合部材を構成するフリットガラス層を焼成し、以て、第１パネルと第２パネルとをそれらの無効領域において接合する、
    工程を具備することを特徴とする平面型表示装置の組立方法。
31. 第１の保護膜幅規定部及び第２の保護膜幅規定部のそれぞれは、突起部から成ることを特徴とする請求項３０に記載の平面型表示装置。
32. 突起部は、感光性ポリイミド樹脂、非感光性ポリイミド樹脂、又は、セラミックス塗膜から成ることを特徴とする請求項３１に記載の平面型表示装置。
33. 第１の保護膜幅規定部及び第２の保護膜幅規定部のそれぞれは、濡れ性制御層から成ることを特徴とする請求項３０に記載の平面型表示装置。
34. 濡れ性制御層は、シラン系化合物から成ることを特徴とする請求項３３に記載の平面型表示装置。
35. 接合部材は、枠体、並びに、該枠体の底面及び頂面に形成された第１フリットガラス層及び第２フリットガラス層から成ることを特徴とする請求項３０に記載の平面型表示装置。
36. 接合部材の全体が、フリットガラス層から成ることを特徴とする請求項３０に記載の平面型表示装置。
37. 保護膜を構成する金属酸化物は、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化スズ、又は、酸化バナジウムから成ることを特徴とする請求項３０に記載の平面型表示装置。
38. 絶縁膜は、シリコン窒化物から成ることを特徴とする請求項３０に記載の平面型表示装置。
39. 電子を放出する電子放出領域は、１又は複数の冷陰極電界電子放出素子から成り、
    各冷陰極電界電子放出素子は、
    （ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びる帯状のカソード電極、
    （ｂ）カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
    （ｃ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びる帯状のゲート電極、
    （ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複部分に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
    （ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられた電子放出部、
    から成り、
    カソード電極の延在部、及び、ゲート電極の延在部が、引出し電極に相当することを特徴とする請求項３０に記載の平面型表示装置。
40. 電子放出領域を除き、絶縁層及びゲート電極は前記絶縁膜で覆われていることを特徴とする請求項３９に記載の平面型表示装置。
    

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