TWI287817B - Image display and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

1287817 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於平面型的畫像顯示裝置及畫像顯示裝置 的製造方法，特別是關於具有對向配置的基板與配設於一 方的基板內面的複數個電子源的平面型的畫像顯示裝置& 畫像顯示裝置的製造方法。 【先前技術】 近年來高品位播送用或伴隨於此的高解像度的畫像顯 示裝置被期望，針對其銀幕顯示性能，更嚴格的性能被要 求。爲了達成這些要求，銀幕面的平坦化、高解像度化爲 必須，同時也必須謀求輕量、薄型化。 因此，取代陰極射線管（以下稱爲CRT )的下一世代 的輕量、薄型的顯示裝置已被開發有各種平面型晝像顯示 裝置。對於這種畫像顯示裝置有利用液晶的配向控制光的 強弱的液晶顯示器（以下稱爲LCD )、藉由電漿放電的紫 外線使螢光體發光的電漿顯示器面板（以下稱爲PDP )、 利用螢光體的電激發光（EL: Electroluminescence)現象 的顯示裝置、藉由電場放出型電子放出元件的電子束使螢 光體發光的場發射顯不器（Field Emission Dispaly)(以 下稱爲FED ) 、FED的一種，藉由表面傳導型電子放出元 件的電子束使螢光體發光的表面傳導發射顯示器（以下稱 爲SED )等。 例如SED具有設置預定的間隙而對向配置的第一基板 -6- (2) 1287817 以及第二基板。通常這些基板是以板厚2.8mm左右的玻璃 板形成，其周緣部彼此直接或經由矩形框狀的側壁相互接 合構成真空外圍器。在第一基板的內面形成有當作畫像顯 示面功能的螢光體層，在第二基板的內面激發螢光體層使 其發光的電子源係配設有複數個電子放出元件。 爲了支持施加於第一基板以及第二基板的大氣壓荷重 ，在這些基板之間配設有複數個間隔物（spacer )當作支 持構件。在此SED中，顯示畫像的情形對螢光體層施加陽 極電壓，藉由陽極電壓加速由電子放出元件放出的電子束 朝螢光體層碰撞，使螢光體發光顯示畫像。 在這種SED，電子放出元件的大小爲微米級（ micrometer order )，可設定第一基板與第二基板的間隔 爲毫米級（milimeter order)。因此，SED與當作現在的 電視或電腦的顯示器使用的CRT比較，可達成高解像度化 、輕量化、薄型化。 如上述，在這種平面型畫像顯示裝置中，第一以及第 二基板使用玻璃板。但是，此情形由強度上的問題形成基 板比目前還薄很困難，在使畫像顯示裝置更薄型、輕量上 成爲一個障礙。而且，此玻璃基板的強度問題會給予配置 於第一基板以及第二基板間的間隔物的間距（pitch )、 寬、直徑、高度誤差等許多的限制，成爲高精細化或低成 本化的阻礙要因。再者，玻璃板與金屬板比較其加工形成 等麻煩，爲了謀求製造成本的減輕需要施以某些對策。如 週知玻璃板容易破裂，製程中的處理很麻煩。 (3) 1287817 【發明內容】 - 本發明乃鑒於以上的點所進行的創作，其目的爲提供 薄型、輕量化爲可能，並且可謀求具備將來的更高精細化 ，製造成本的降低的平面型的畫像顯示裝置及畫像顯示裝 置的製造方法。 爲了達成上述目的，與此發明的樣態有關的平面型的 < 畫像顯示裝置係具備：具有配設有畫像顯示面的第一基板 · ，與在該第一基板設置間隙而對向配置，並且配設有複數 個電子源的第二基板，內部被維持在真空的外圍器，該第 二基板是由具有配設有該電子源的設置面的金屬基板形成 ，至少該設置面被絕緣層被覆。 與此發明的其他樣態有關的畫像顯示裝置的製造方法 具備：具有配設有畫像顯示面的第一基板，與在該第一基 板設置間隙而對向配置，並且配設有複數個電子源的第二 基板，內部具備真空的外圍器，其特徵爲： 鲁 準備具有所希望的厚度的金屬基板，在該金屬基板的 至少一方的表面上形成絕緣層，在該絕緣層上形成電子源 - 以及驅動電子源的配線，構成該第二基板。 如果依照上述畫像顯示裝置以及畫像顯示裝置的製造 方法，藉由以在金屬基板被覆絕緣材料而成的複合材構成 第二基板，與使用玻璃板等的情形比較，可大幅地提高第 二基板的機械強度，可薄薄地形成第二基板。據此’可謀 求畫像顯示裝置全體的薄型化以及輕量化。同時與玻璃板 -8 - 1287817 ⑷ 比較，第二基板的加工以及配線的形成等容易， 造成本，並且，使製程中的基板的處理容易。 【實施方式】 以下一邊參照圖面一邊詳細說明平面型的畫 置適用此發明於FED的一種的SED的實施形態。 如第1圖至第3圖所示，此SED分別具備矩形 基板10以及第二基板12，這些基板係設置約1.0, 間隙而對向配置。第一基板10其透明的絕緣基板 板形成。第二基板12如後述由以絕緣材料被覆 0.1〜0.5mm左右的金屬基板而成的複合材形成， 一基板10還稍大的尺寸。第一基板10以及第二基 以玻璃形成的矩形框狀的側璧14接合有周緣部彼 內部被維持真空的扁平的矩形狀的真空外圍器15 側璧14由以絕緣材料被覆的金屬形成也可以。 在第一基板10的內面形成有螢光體銀幕16當 示面。此螢光體銀幕16藉由電子的碰撞排列發光 、綠的螢光體層R、G、B以及遮光層11而構成。 R、G、B形成條狀或點狀。在螢光體銀幕16上依 由銘等構成的金屬敷層（meta】 back layer) 17以 的收氣劑膜（getter film )。此外，在第一基板 體銀幕之間配設由例如ITO等構成的透明導電膜 光片（color filter)膜也可以。 作爲接合構件功能的側璧1 4例如由低熔點玻 可減輕製 像顯示裝 狀的第一 〜2 · 0 m m的 是由玻璃 例如板厚 形成比第 板12經由 此，構成 。此外， 作畫像顯 成紅、藍 螢光體層 次形成有 及未圖示 10與螢光 或彩色濾 璃、低熔 (5) 1287817 點金屬等的密封材20密封於第二基板12的周緣部以及第一 基板10的周緣部，接合第一基板以及第二基板彼此。 如第2圖以及第3圖所示，SED具備配設於第一基板10 以及第二基板1 2之間的間隔物組合件22。間隔物組合件22 具備板狀的網格（grid) 24與在網格的兩面一體立設的複 數個柱狀的間隔物而構成。 若詳細地敘述的話，網格24具有面對第一基板10的內 面的第一表面24a以及面對第二基板12的內面的第二表面 24b，與這些基板平行地配置。網格24例如由鐵或以鐵爲 主體包含鎳以及鉻的至少一方的合金等而形成。 在網格24藉由蝕刻等形成有多數個電子束通過孔26以 及複數個間隔物開孔28。當作此發明中的開孔的功能的電 子束通過孔26係分別面對電子放出元件18而排列。而且， 間隔物開孔28係分別位於電子束通過孔間以預定的間距排 列。 在網格24的第一表面24a上與各間隔物開孔28重疊一 體立設有第一間隔物30a。在各第一間隔物30a的延伸端塗 佈有銦層，構成緩和間隔物高度的誤差的高度緩和層3 1。 而且’各第一間隔物30a的延伸端經由高度緩和層31、收 氣劑膜、金屬敷層17以及螢光體銀幕16的遮光層11對接於 第一基板10的內面。高度緩和層31不會給予電子束的軌道 任何影響，若爲具備有間隔物的高度誤差的緩和效果的適 當硬度的話’則不限定於金屬。當然，間隔物自身若高度 誤差被抑制的話，則無須高度緩和層3 1。 -10- (6) 1287817 在網格24的第二表面24b上與各間隔物開孔28重疊一 體立設有第二間隔物30b，其延伸端對接於第二基板12的 內面。各間隔物開孔28、第一以及第二間隔物30a、30b係 相互排列，第一以及第二間隔物經由此間隔物開孔28互相 一體連結。據此，第一以及第二間隔物30a、30b在由兩面 側夾入網格24的狀態下與網格24—體形成。第一以及第二 間隔物30a、30b的每一個係由網格24側朝延伸端形成直徑 小的前端狹窄錐形狀。 如第2圖以及第3圖所示，上述構成的間隔物組合件22 配設於第一基板1〇以及第二基板12間。而且，第一以及第 二間隔物30a、3 Ob藉由對接於第一基板10以及第二基板12 的內面，支持作用於這些基板的大氣壓荷重，維持基板間 的間隔於預定値。 如第2圖至第4圖所示，在第二基板12的內面配設有分 別放出電子束的多數個表面傳導型的電子放出元件18作爲 激發螢光體銀幕16的螢光體層的電子源。這些電子放出元 件1 8對應每一像素排列成複數列以及複數行。各電子放出 元件1 8是以未圖示的電子放出部、對此電子放出部施加電 壓的一對元件電極等構成。 在第二基板12上對電子放出元件18施加電壓的多數條 內部配線係配設成矩陣狀。即如第3圖以及第4圖所示’在 第二基板12的內面上形成有沿著第二基板的縱向X互相平 行延伸的多數條掃描配線（X配線）34以及沿著與掃描配 線直交的方向γ延伸的多數條訊號配線（γ配線）3 6 °知 -11 - (7) 1287817 描配線34配設有480條，訊號配線36配設有640 x 3條，配 線間距分別爲900 // m、300 # m。 各掃描配線34的一端連接於掃描線驅動電路38，各訊 號配線36的一端連接於訊號線驅動電路40。掃描線驅動電 路3 8係供給驅動控制電子放出元件18用的驅動電壓給掃描 配線34，訊號線驅動電路40係供給顯示訊號電壓給訊號配 線3 6。 在第4圖以兩點鏈線顯示的顯示區域42中，在掃描配 線3 4與訊號配線36的各交叉部連接有電子放出元件18，形 成像素。電子放出元件18沿著各掃描配線34配設有640 X 3個，沿著各訊號配線36配設有480個。 如第2圖所示，SED具備對網格24以及第一基板10的 金屬敷層1 7施加陽極電壓的電壓供給部5 1。此電壓供給部 5 1分別連接於網格24以及金屬敷層17，例如對網格24施加 12kV的電壓，對金屬敷層17施加10kV的電壓。在此SED中 ，顯示畫像的情形對螢光體銀幕1 6以及金屬敷層1 7施加陽 極電壓，藉由陽極電壓加速由電子放出元件18放出的電子 束朝螢光體銀幕16碰撞。據此，螢光體銀幕16的螢光體層 被激發而發光，顯示畫像。 如前述，SED的第二基板12是由以絕緣材料被覆金屬 基板而成的複合材形成。由第3圖可知，第二基板1 2例如 具備板厚〇·1〜0.5 mm的金屬基板，與面對此金屬基板的至 少第一基板的表面即被覆形成於配設有電子放出元件18的 設置面50a的絕緣層52。金屬基板50是由與網格24同一的 -12- (8) 1287817 材料例如鐵或以鐵爲主體包含鎳以及鉻的至少一方的合金 等形成。絕緣層52是藉由液相析出法、大氣開放型化學氣 相析出法、蒸鍍（evaporation)法、噴塗（spray coating )法的任一種形成。 在金屬基板50的設置面50a形成有沿著Y方向互相平行 延伸的多數個溝槽54，絕緣層52係與這些溝槽重疊而形成 。電子放出元件18、掃描配線34以及訊號配線36配設於絕 緣層52上。在本實施形態中，訊號配線36是在分別位於溝 槽54內的狀態下形成於絕緣層52上。而且，第二基板12的 金屬基板50連接於未圖示的地線，電性地接地。 上述構成的第二基板12是由以下的製程製造。首先如 第5A所示，壓延Fe-50%Ni (包含不可避免雜質）到 0.25mm的厚度形成預定尺寸的金屬板。其次，在金屬板 的一方的表面（設置面5 0 a )以光蝕刻法形成深度〇 . 1 m m 、寬度0.15mm、間距0.615mm的溝槽54。然後，一邊進行 校平（levelling) —邊將金屬板切割成預定的尺寸，得到 金屬基板5 0。 接著，如第5B圖所示在氧化環境中氧化處理金屬基板 50，在金屬基板50的設置面50a形成由Fe304以及Fe2Ni04 構成的氧化膜。其次，使用超微粒子型2流體噴嘴，在金 屬基板50的氧化膜上塗佈包含Li系硼矽酸鹼玻璃的液，藉 由乾燥以及燒成形成絕緣層52。再者，將金屬基板50浸漬 到矽的烷氧基金屬溶液，進行提拉、燒成，在由Li系硼矽 酸鹼玻璃構成的絕緣層52上形成Si 02膜，作爲絕緣層的一 -13- (9) 1287817 部分。 接著，如第5C圖所示隔著Si02膜以及絕緣層52在各溝 槽54塡充包含Ag的導電漿糊，藉由乾燥、燒成作成訊號 配線36。然後，藉由既存的製程，在包含Si02膜的絕緣層 5 2上形成剩餘的配線、電子放出元件18，得到第二基板12 〇 如果依照如以上構成的SED，藉由利用被覆形成於金 屬基板50及其表面的絕緣層52構成第二基板12，與使用玻 璃板的情形比較，可大幅地提高第二基板12的機械強度。 因此，與使用玻璃板的情形比較，可使第二基板12的板厚 大致爲1/10以下，可謀求SED全體的薄型化以及輕量化。 同時第二基板1 2與玻璃板比較，加工以及配線的形成等容 易，可謀求製造成本的減輕，再者，第二基板12很難破裂 ，製程中的處理容易。 在第二基板12的設置面50a形成溝槽54，藉由在這些 溝槽內隔著絕緣層52配設訊號配線36，可謀求第二基板12 的更進一步薄型化。此外，也能不配設溝槽54而在絕緣層 52上形成訊號配線36。 在第二基板12中，雖然絕緣層52爲僅配設於金屬基板 5〇的設置面50a側的構成，但如第6圖所示，以絕緣層52被 覆金屬基板50的外面全體的構成也可以。 此情形第二基板12可藉由以下的製程製造。首先，壓 延Fe-50%Ni (包含不可避免雜質）到〇.25mm的厚度，一 邊進行校平一邊切割成預定的尺寸形成金屬基板50。然後 -14- (10) 1287817 ，生成處理金屬基板50，在金屬基板表面形成具有OH基 的黑化膜。 接著，在二氧化矽爲過飽和狀態的25 °C的氫氟酸矽浸 漬金屬基板50，在金屬基板的表面形成由Si 02構成的絕緣 層52。然後，在400 °C以上的大氣中熱處理，進行由Si02 構成的絕緣層5 2的緻密化處理。此緻密化處理也能省略。 然後，在絕緣層5 2上以既存的製程形成配線以及電子放出 元件，得到第二基板1 2。 即使使用如此構成的第二基板12的情形也能得到與上 述的第一實施形態同樣的作用功效。 如第7圖所示，第二基板1 2以具有形成於背面的背面 配線的構成也可以。詳細爲第二基板12具有金屬基板50與 覆蓋金屬基板的設置面50a以及背面50b的絕緣層52。在設 置面50a上與上述實施形態一樣形成有多數條掃描配線34 、訊號配線36以及電子放出元件18，在背面50b側形成有 多數條背面配線56。在本實施形態中，背面配線56延伸於 與掃描配線34平行的方向。 在第二基板12的一端部多數個貫通孔60係以預定的間 距形成，在各貫通孔塡充有導電體形成導電部62。各背面 配線56經由對應的導電部62電性連接於掃描配線34。 這種構成的第二基板12可藉由以下的製程製造。首先 壓延鋁（脫氧）鎭靜鋼到〇·1 2mm的厚度，對被壓延的金 屬板以間距0.6 15mm藉由光蝕刻法形成直徑0.1mm的貫通 孔60。然後，一邊進行校平一邊切割金屬板成預定的尺寸 •15- (11) 1287817 得到金屬基板50。 接著，在氧化環境中氧化處理金屬基板50，在金屬基 板的設置面50a以及背面50b形成由Fe304以及Fe2Ni04的至 少一方構成的氧化膜。其次，使用超微粒子型2流體噴嘴 ，在金屬基板50的氧化膜上塗佈包含Li系硼矽酸鹼玻璃的 液，藉由乾燥以及燒成在金屬基板50的設置面50a、背面 50b以及各貫通孔60的內面形成絕緣層52。再者，將金屬 基板50浸漬到矽的烷氧基金屬溶液，進行提拉、燒成，在 由Li系硼矽酸鹼玻璃構成的絕緣層52上形成Si02膜。然後 ，在各貫通孔60內塡充包含Ag的導電漿糊當作導電體， 藉由乾燥、燒成形成導電部62。 接著在設置面50a側中藉由既存的製程，在包含Si02 膜的絕緣層52上形成掃描配線34、訊號配線36以及電子放 出元件18。此時，在貫通孔60的一端重疊形成各掃描配線 34的一端部，電性連接於導電部62。 在使用上述第二基板12組裝SED後，在第二基板12的 背面50b側中，於絕緣層52上形成背面配線56。此時，在 貫通孔60重疊形成各背面配線56的一端部，電性連接於經 由此貫通孔以及導電部62對應的掃描配線34。此外，背面 配線56具有比掃描配線、訊號配線等的內部配線還低的配 線電阻。 如果依照具備如以上構成的第二基板12的SED，可得 到與前述第一實施形態同樣的作用功效。此外，在本實施 形態中背面配線56不限於掃描配線，連接於訊號配線也可 -16- (12) 1287817 以0 其他’此發明並非限定於上述實施形態，在此發明的 範圍內種種變形爲可能。例如，此發明不限於具備網格的 畫像顯示裝置，對不具網格的畫像顯示裝置也能適用。而 且’各構成要素的尺寸、材質等可依照需要適宜地選擇。 電子源不限於表面傳導型的電子放出元件，電子放出型、 奈米碳管等種種選擇爲可能。而且，此發明並非限定於上 述SED，也能適用於FED、PDP等的其他平面型畫像顯示 裝置。 〔產業上的可利用性〕 如果依照本發明，可提供薄型、輕量化爲可能，並且 可謀求製造成本的降低的平面型的畫像顯示裝置及畫像顯 示裝置的製造方法。 【圖式簡單說明】 第1圖是顯示與此發明的實施形態有關的SED的斜視 圖。 第2圖是沿著第1圖的線II-II破斷的上述SED的斜視圖 〇 第3圖是擴大上述SED而顯示的剖面圖。 第4圖是顯示配設於上述SED的第二基板的配線以及 電子放出元件的排列的俯視圖。 第5 A圖至5C圖是槪略地顯示上述SED中的第二基板 -17- (13) 1287817 的製程的剖面圖。 · 第6圖是顯示與其他實施形態有關的第二基板的剖面 - 圖。 第7圖是顯示與再其他實施形態有關的第二基板的剖 面圖。 【符號說明】 ~ 10 : 第一基板 φ 11 : 遮光層 12: 第二基板 14: 側璧 15: 真空外圍器 16 ： 螢光體銀幕 17: 金屬敷層 18: 電子放出元件 20 ：密封材 _ 22 ： 間隔物組合件 2 4 : 網格 - 24a ： 第一表面 24b : 第二表面 26 ： 電子束通過孔 28 ： 間隔物開孔 30a ： 第一間隔物 3 0b : 第二間隔物 -18- (14)1287817 3 1 ·· 高度緩和層 34 ： 掃描配線 36 ： 訊號配線 38 ： 掃描線驅動電路 40 ： 訊號線驅動電路 42 ： 顯示區域 50 ： 金屬基板 50a ： 設置面 50b ： 背面 51 : 電壓供給部 52 : 絕緣層 54 : 溝槽 56 : 背面配線 6 0 ·· 貫通孔 6 2 ·· 導電部 -19-

Claims (1)

1. (1) 1287817 拾、申請專利範圍 1、 一種畫像顯示裝置，具備：具有配設有畫像顯示 面的第一基板，與在該第一基板設置間隙而對向配置，並 且配設有複數個電子源的第二基板，內部被維持在真空的 外圍器， 該第二基板是由具有配設有該電子源的設置面的金屬 基板形成，至少該設置面被絕緣層被覆。 2、 如申請專利範圍第1.項所述之畫像顯示裝置，其中 該金屬基板是由鐵或以鐵爲主體包含鎳以及鉻的至少一方 的合金形成。 3、 如申請專利範圍第2項所述之畫像顯示裝置，其中 該金屬基板添加有鋁、矽、錳的至少一種。 4、 如申請專利範圍第1項所述之畫像顯示裝置，其中 該第二基板具備在該金屬基板的設置面上隔著該絕緣層配 設，驅動該電子源的複數條配線。 5、 如申請專利範圍第4項所述之畫像顯示裝置，其中 該金屬基板具有形成於該設置面的複數條溝槽，該配線隔 著該絕緣層分別配設於該溝槽內。 6、 如申請專利範圍第1項所述之晝像顯示裝置，其中 該金屬基板具有與該設置面面對並且被絕緣層被覆的背面 該第二基板具備在該金屬板的設置面上隔著該絕緣層 配設，驅動該電子源的複數條內部配線，與具有比該內部 配線還低的配線電阻，在該金屬板的背面上隔著該絕緣層 -20· 1287817 (2) 配設的複數條背面配線，與貫通該金屬基板以及絕緣層而 · 形成的複數個貫通孔，與電性連接分別配設於該貫通孔內 - 的該內部配線與背面配線的導電部。 7、 如申請專利範圍第1項、第4項至第6項中任一項所 述之畫像顯示裝置，其中該金屬基板係電性接地。 λ 8、 如申請專利範圍第1項、第4項至第6項中任一項所 述之畫像顯示裝置，其中該電子源具備表面傳導型的電子 放出元件。 φ 9、 如申請專利範圍第1項、第4項至第6項中任一項所 述之畫像顯示裝置，其中具備： 配設於該第一基板以及第二基板之間，支持作用於第 一基板以及第二基板的大氣壓荷重的複數個間隔物；以及 在該第一基板以及第二基板之間，與這些第一以及第 二基板面對配設’並且具有透過由該電子源放出的電子的 複數個開孔的網格， 該間隔物係與該網格一體地形成。 ® 1 〇、如申請專利範圍第9項所述之畫像顯示裝置，其 中該金屬基板係由與該網格同一材料形成。 · 11、如申S靑專利範圍第1項、第4項至第6項中任一項 所述之畫像顯示裝置，其中該絕緣層位於該金屬板與電子 源之間，包含以S i 0 2形成的絕緣層。 1 2、一種畫像顯示裝置的製造方法，具備：具有配設 有畫像顯示面的第一基板，與在該第一基板設置間隙而對 向配置，並且配設有複數個電子源的第二基板，內部具備 -21 - (3) 1287817 真空的外圍器，其中 準備具有所希望的厚度的金屬基板， 在該金屬基板的至少一方的表面上形成絕緣層， 在該絕緣層上形成電子源以及驅動電子源的配線，構 成該第二基板。 13、 一種畫像顯示裝置的製造方法，具備：具有配設 有畫像顯示面的第一基板，與在該第一基板設置間隙而對 向配置，並且配設有複數個電子源的第二基板，內部具備 真空的外圍器，其中 準備具有所希望的厚度的金屬基板， 氧化處理該金屬基板的至少一方的表面，形成由金屬 基板的成分構成的氧化物層， 在該金屬基板的至少一方的表面上形成絕緣層， 在該絕緣層上形成電子源以及驅動電子源的配線，構 成該第二基板。 14、 如申請專利範圍第13項所述之畫像顯示裝置的製 造方法，其中在該金屬基板的該至少一方的表面形成複數 條溝槽後形成該絕緣層，隔著該絕緣層在該溝槽內形成配 線的一部分。 1 5、如申請專利範圍第1 4項所述之畫像顯示裝置的製 造方法，其中藉由半蝕刻該金屬基板的表面形成該溝槽。 1 6、如申請專利範圍第1 4項所述之畫像顯示裝置的製 造方法，其中隔著該絕緣層對該溝槽塡充、乾燥、燒成導 電漿糊，形成該配線。 •22- (4) 1287817 17、 一種畫像顯示裝置的製造方法，具備：具有配設 有畫像顯示面的第一基板，與在該第一基板設置間隙而對 向配置，並且配設有複數個電子源的第二基板，內部具備 真空的外圍器，其中 準備具有所希望的厚度的金屬基板， 在該金屬基板形成複數個貫通孔， 在該金屬基板的兩面以及各貫通孔的內面上形成絕緣 層， 在該貫通孔塡充導電材形成導電部， 在形成於該金屬基板的一方的表面的該絕緣層上形成 電子源，並且使一部分與該導電部連接而形成複數條內部 配線，構成該第二基板， 在該電子源以及該畫像顯示面面對的狀態下互相接合 形成有該電子源以及內部配線的第二基板，與配設有該畫 像顯示面的第一基板，形成外圍器， 在形成該外圍器後，在形成於該金屬基板的他方的表 面的該絕緣層上，分別與該導電部連接而形成具有比該內 部配線還低的配線電阻的複數條外部配線。 18、 一種畫像顯示裝置的製造方法，具備：具有配設 有畫像顯示面的第一基板，與在該第一基板設置間隙而對 向配置，並且配設有複數個電子源的第二基板，內部具備 真空的外圍器，其中 準備具有所希望的厚度的金屬基板， 在該金屬基板形成複數個貫通孔， -23- (5) 1287817 氧化處理該金屬基板的至少一方的表面，形成由金屬 基板的成分構成的氧化物層， 在該金屬基板的兩面以及各貫通孔的內面上形成絕緣 層， 在該貫通孔塡充導電材形成導電部， 在形成於該金屬基板的一方的表面的該絕緣層上形成 電子源，並且使一部分與該導電部連接而形成複數條內部 配線，構成該第二基板， 在該電子源以及該畫像顯示面面對的狀態下互相接合 形成有該電子源以及內部配線的第二基板，與配設有該畫 像顯示面的第一基板，形成外圍器， 在形成該外圍器後，在形成於該金屬基板的他方的表 面的該絕緣層上，分別與該導電部連接而形成具有比該內 部配線還低的配線電阻的複數條外部配線。 1 9、如申請專利範圍第1 2項至第1 8項中任一項所述之 畫像顯示裝置的製造方法，其中藉由液相析出法、大氣開 放型化學氣相析出法、蒸鍍法、噴塗法的任一種形成該絕 緣層。 -24-