JP2000021340A - 電界放出形表示素子 - Google Patents
電界放出形表示素子Info
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- JP2000021340A JP2000021340A JP10184284A JP18428498A JP2000021340A JP 2000021340 A JP2000021340 A JP 2000021340A JP 10184284 A JP10184284 A JP 10184284A JP 18428498 A JP18428498 A JP 18428498A JP 2000021340 A JP2000021340 A JP 2000021340A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】FED において還元処理に耐えられる材質で陽極
導体を構成し、使用中のガス発生を少なくする。 【解決手段】FED1は、FEC5が形成された絶縁性の陰極基
板２と、陽極11が形成された絶縁性及び透光性を有する
陽極基板３により形成された外囲器４を有する。FEC5
は、ゲート電極８の電界によりエミッタ10から電子を放
出させる。陽極基板３の内面には遮蔽膜12が一面に形成
される。遮蔽膜12は絶縁性・高抵抗のSiN,TiO2, SiON等
の材料からなり、H2O やＯ等のガスの放出が少ない。遮
蔽膜は陽極基板３が含むガスを遮蔽する。遮蔽膜12の内
面には、透光窓部13を有する金属陽極導体14がある。そ
の上には蛍光体層15がある。金属製の陽極導体は還元処
理で析出しない。FEC5に絶縁不良等の悪影響を及ぼさな
い。FED の安定性が向上し、長い寿命が得られる。
導体を構成し、使用中のガス発生を少なくする。 【解決手段】FED1は、FEC5が形成された絶縁性の陰極基
板２と、陽極11が形成された絶縁性及び透光性を有する
陽極基板３により形成された外囲器４を有する。FEC5
は、ゲート電極８の電界によりエミッタ10から電子を放
出させる。陽極基板３の内面には遮蔽膜12が一面に形成
される。遮蔽膜12は絶縁性・高抵抗のSiN,TiO2, SiON等
の材料からなり、H2O やＯ等のガスの放出が少ない。遮
蔽膜は陽極基板３が含むガスを遮蔽する。遮蔽膜12の内
面には、透光窓部13を有する金属陽極導体14がある。そ
の上には蛍光体層15がある。金属製の陽極導体は還元処
理で析出しない。FEC5に絶縁不良等の悪影響を及ぼさな
い。FED の安定性が向上し、長い寿命が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界放出陰極(Fie
ld Emission Cathode, FEC) を電子源とし、陽極に蛍光
体層を備えた発光素子である電界放出形表示素子に(Fie
ld EmissionDisplay, FED) に関する。
ld Emission Cathode, FEC) を電子源とし、陽極に蛍光
体層を備えた発光素子である電界放出形表示素子に(Fie
ld EmissionDisplay, FED) に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のモノカラーのＦＥＤにお
ける陽極部分の断面図である。このＦＥＤは、陰極基板
の内面に形成されたＦＥＣ（不図示）を電子源としてい
る。陽極基板１００は絶縁性と透光性を有している。こ
の陽極基板１００の内面には、透明な陽極導体１０１と
してＩＴＯ(Indium Tin Oxide)の膜が形成されている。
ＩＴＯの上には蛍光体１０２であるＺｎＯ：Ｚｎがベタ
状に被着されている。
ける陽極部分の断面図である。このＦＥＤは、陰極基板
の内面に形成されたＦＥＣ（不図示）を電子源としてい
る。陽極基板１００は絶縁性と透光性を有している。こ
の陽極基板１００の内面には、透明な陽極導体１０１と
してＩＴＯ(Indium Tin Oxide)の膜が形成されている。
ＩＴＯの上には蛍光体１０２であるＺｎＯ：Ｚｎがベタ
状に被着されている。
【０００３】図５は、従来のマルチカラ−のＦＥＤにお
ける陽極部分の断面図である。このＦＥＤにおいては、
絶縁性と透光性を有する陽極基板２００の内面には、所
定間隔をおいてＩＴＯがライン状に形成され、陽極導体
２０１を構成している。各陽極導体２０１の上には、
Ｒ，Ｇ，Ｂ等、各色に発光する蛍光体２０２がそれぞれ
被着されている。
ける陽極部分の断面図である。このＦＥＤにおいては、
絶縁性と透光性を有する陽極基板２００の内面には、所
定間隔をおいてＩＴＯがライン状に形成され、陽極導体
２０１を構成している。各陽極導体２０１の上には、
Ｒ，Ｇ，Ｂ等、各色に発光する蛍光体２０２がそれぞれ
被着されている。
【０００４】前記ＦＥＣは絶縁層を含む多層構造で構成
されており、従って陰極基板側からＦＥＣを通して陽極
の発光を視認することはできない。即ち、ＦＥＤにおい
ては、陽極の蛍光体層の発光を、陽極基板を通して観察
する構造とせざるをえず、従って陽極導体にも透光性が
必要である。この為現在のところ前述した通りＩＴＯが
広く用いられている。
されており、従って陰極基板側からＦＥＣを通して陽極
の発光を視認することはできない。即ち、ＦＥＤにおい
ては、陽極の蛍光体層の発光を、陽極基板を通して観察
する構造とせざるをえず、従って陽極導体にも透光性が
必要である。この為現在のところ前述した通りＩＴＯが
広く用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＦＥＤにおいては、外
囲器内の真空度は重要な要素であり、ＦＥＣのエミッシ
ョン特性を大きく左右する。そこで、管内の酸化物系ガ
スを除去するため、製造工程においては、陽極基板と陰
極基板を対面させて外囲器を組み立てる工程の後で、外
囲器内にＨ2 ガスを導入して４００〜５００℃に加熱す
る還元処理を行っている。この還元処理によって外囲器
を構成するガラス基板の内面等の清浄化が期待される。
囲器内の真空度は重要な要素であり、ＦＥＣのエミッシ
ョン特性を大きく左右する。そこで、管内の酸化物系ガ
スを除去するため、製造工程においては、陽極基板と陰
極基板を対面させて外囲器を組み立てる工程の後で、外
囲器内にＨ2 ガスを導入して４００〜５００℃に加熱す
る還元処理を行っている。この還元処理によって外囲器
を構成するガラス基板の内面等の清浄化が期待される。
【０００６】しかしながら、従来のＦＥＤにおいて使用
されているＩＴＯは、前述した高温の還元処理によって
Ｉｎ金属へと還元されてしまい、これが析出して陽極導
体の透明性を失わせることがあった。さらに、析出した
ＩｎがＦＥＣ側に付着して絶縁不良を起こすという問題
があった。
されているＩＴＯは、前述した高温の還元処理によって
Ｉｎ金属へと還元されてしまい、これが析出して陽極導
体の透明性を失わせることがあった。さらに、析出した
ＩｎがＦＥＣ側に付着して絶縁不良を起こすという問題
があった。
【０００７】また、前記ＩＴＯ自体が酸化物であり、特
に真空中では耐熱性が劣っており、電子線励起条件によ
っては微量のＯを放出することがあり、これがＦＥＣの
エミッタ（電子放出部）の信頼性を損なうことがあっ
た。
に真空中では耐熱性が劣っており、電子線励起条件によ
っては微量のＯを放出することがあり、これがＦＥＣの
エミッタ（電子放出部）の信頼性を損なうことがあっ
た。
【０００８】本発明は、以上の問題点に鑑みてなされた
ものであり、還元処理によって問題の生じるＩＴＯを使
用することなく、かつ使用中のガス発生による問題の少
ないＦＥＤを提供することを目的としている。
ものであり、還元処理によって問題の生じるＩＴＯを使
用することなく、かつ使用中のガス発生による問題の少
ないＦＥＤを提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された電
界放出形表示素子（１，２１，３１）は、互いに対面す
る絶縁性の陰極基板（２）と絶縁性及び透光性を有する
陽極基板（３）とを有し、内部を高真空状態とされた外
囲器（４）と、前記陰極基板の内面側に形成された電界
放出素子（５）と、前記陽極基板の内面側に形成された
透光窓部（１３，２３，３３）を有する金属陽極導体
（１４，２４，３４）と、前記金属陽極導体の上に形成
された蛍光体層（１５，２５，３５）と、少なくとも前
記金属陽極導体が形成されていない前記陽極基板の内面
側に設けられた絶縁性の遮蔽膜（１２，２２，３２）と
を有することを特徴としている。
界放出形表示素子（１，２１，３１）は、互いに対面す
る絶縁性の陰極基板（２）と絶縁性及び透光性を有する
陽極基板（３）とを有し、内部を高真空状態とされた外
囲器（４）と、前記陰極基板の内面側に形成された電界
放出素子（５）と、前記陽極基板の内面側に形成された
透光窓部（１３，２３，３３）を有する金属陽極導体
（１４，２４，３４）と、前記金属陽極導体の上に形成
された蛍光体層（１５，２５，３５）と、少なくとも前
記金属陽極導体が形成されていない前記陽極基板の内面
側に設けられた絶縁性の遮蔽膜（１２，２２，３２）と
を有することを特徴としている。
【００１０】請求項２に記載された電界放出形表示素子
（１，２１）は、請求項１記載の電界放出形表示素子に
おいて、前記遮蔽膜（１２，２２）が、前記陽極基板の
内面に直接形成されており、前記金属陽極導体（１４，
２４）は前記遮蔽膜の上に形成されていることを特徴と
している。
（１，２１）は、請求項１記載の電界放出形表示素子に
おいて、前記遮蔽膜（１２，２２）が、前記陽極基板の
内面に直接形成されており、前記金属陽極導体（１４，
２４）は前記遮蔽膜の上に形成されていることを特徴と
している。
【００１１】請求項３に記載された電界放出形表示素子
（３１）は、請求項１記載の電界放出形表示素子におい
て、前記金属陽極導体（３４）が前記陽極基板の内面に
所定間隔をおいて直接形成されており、前記遮蔽膜（３
２）が、前記金属陽極導体の間において前記陽極基板
（３）の内面に直接形成されていることを特徴としてい
る。
（３１）は、請求項１記載の電界放出形表示素子におい
て、前記金属陽極導体（３４）が前記陽極基板の内面に
所定間隔をおいて直接形成されており、前記遮蔽膜（３
２）が、前記金属陽極導体の間において前記陽極基板
（３）の内面に直接形成されていることを特徴としてい
る。
【００１２】請求項４に記載された電界放出形表示素子
は、請求項３記載の電界放出形表示素子（３１）におい
て、前記遮蔽膜（３２）が、隣接する金属陽極導体（３
４）の前記蛍光体（３５）に覆われていない部分をを覆
っていることを特徴としている。
は、請求項３記載の電界放出形表示素子（３１）におい
て、前記遮蔽膜（３２）が、隣接する金属陽極導体（３
４）の前記蛍光体（３５）に覆われていない部分をを覆
っていることを特徴としている。
【００１３】請求項５に記載された電界放出形表示素子
（１，２１，３１）は、請求項１又は２又は３又は４記
載の電界放出形表示素子において、前記遮蔽膜（１２，
２２，３２）が、ＳｉＮ、ＴｉＯ2 、ＳｉＯＮからなる
群から選択された物質であることを特徴としている。
（１，２１，３１）は、請求項１又は２又は３又は４記
載の電界放出形表示素子において、前記遮蔽膜（１２，
２２，３２）が、ＳｉＮ、ＴｉＯ2 、ＳｉＯＮからなる
群から選択された物質であることを特徴としている。
【００１４】請求項６に記載された電界放出形表示素子
（１，２１，３１）は、請求項１又は２又は３又は４又
は５記載の電界放出形表示素子において、前記遮蔽膜
（１２，２２，３２）と前記金属陽極導体（１３，２
４，３４）から選択された一以上の構成部分が、水素吸
蔵性物質によって構成されていることを特徴としてい
る。
（１，２１，３１）は、請求項１又は２又は３又は４又
は５記載の電界放出形表示素子において、前記遮蔽膜
（１２，２２，３２）と前記金属陽極導体（１３，２
４，３４）から選択された一以上の構成部分が、水素吸
蔵性物質によって構成されていることを特徴としてい
る。
【００１５】請求項７に記載された電界放出形表示素子
（１，２１，３１）は、請求項１又は２又は３又は４又
は５又は６記載の電界放出形表示素子において、前記金
属陽極導体（１３，２４，３４）が、Ａｌ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｎ、Ｓｎからなる
群から選択された１以上の金属を含む物質で構成されて
いる。
（１，２１，３１）は、請求項１又は２又は３又は４又
は５又は６記載の電界放出形表示素子において、前記金
属陽極導体（１３，２４，３４）が、Ａｌ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｎ、Ｓｎからなる
群から選択された１以上の金属を含む物質で構成されて
いる。
【００１６】本発明によれば、金属製の陽極導体（１
３，２４，３４）は、ＦＥＤ製造時の還元処理により、
発光品位に悪影響を及ぼす有害な物質等を生成するおそ
れが少ない。また、遮蔽膜（１２，２２，３２）によっ
て陽極基板（３）が覆われているので、素子駆動時に電
子が射突する側である陽極基板からのガス放出が少な
い。
３，２４，３４）は、ＦＥＤ製造時の還元処理により、
発光品位に悪影響を及ぼす有害な物質等を生成するおそ
れが少ない。また、遮蔽膜（１２，２２，３２）によっ
て陽極基板（３）が覆われているので、素子駆動時に電
子が射突する側である陽極基板からのガス放出が少な
い。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の第１の例を
図１を参照して説明する。この電界放出形表示素子１
（ＦＥＤ）は、絶縁性の陰極基板２と、絶縁性及び透光
性を有する陽極基板３とを有する外囲器４を有してい
る。陰極基板２と陽極基板３は所定間隔をおいて対面し
ており、その各外周部の間には図示しないスペーサが設
けられ、全体として薄いパネル状の外囲器４を構成して
いる。外囲器４の内部は高真空状態に保持されている。
図１を参照して説明する。この電界放出形表示素子１
（ＦＥＤ）は、絶縁性の陰極基板２と、絶縁性及び透光
性を有する陽極基板３とを有する外囲器４を有してい
る。陰極基板２と陽極基板３は所定間隔をおいて対面し
ており、その各外周部の間には図示しないスペーサが設
けられ、全体として薄いパネル状の外囲器４を構成して
いる。外囲器４の内部は高真空状態に保持されている。
【００１８】前記外囲器４の内部において、前記陰極基
板２の内面側には電界放出素子５（ＦＥＣ）が形成され
ている。ＦＥＣ５の構造を説明する。まず、陰極基板２
の内面には陰極導体６が形成されている。陰極導体６の
上には絶縁層７が形成されている。絶縁層７の上にはゲ
ート電極８が形成されている。ゲート電極８と絶縁層７
には連続した空孔９が形成されている。空孔９内で露出
した陰極導体６の上には、コーン形状のエミッタ１０が
形成されている。
板２の内面側には電界放出素子５（ＦＥＣ）が形成され
ている。ＦＥＣ５の構造を説明する。まず、陰極基板２
の内面には陰極導体６が形成されている。陰極導体６の
上には絶縁層７が形成されている。絶縁層７の上にはゲ
ート電極８が形成されている。ゲート電極８と絶縁層７
には連続した空孔９が形成されている。空孔９内で露出
した陰極導体６の上には、コーン形状のエミッタ１０が
形成されている。
【００１９】前記ＦＥＣ５においては、陰極導体６はス
トライプ状に形成され、ゲート電極８は陰極導体６と直
交する方向にストライプ状に形成され、両者でＸＹマト
リクスを構成している。そして駆動時には、陰極導体６
又はゲート電極８のいずれか一方を走査し、前記走査に
同期した表示信号を他方に加えれば、ＸＹマトリクスの
任意の位置を選択して電子を放出させることができる。
即ち、このような構造のＦＥＣ５によれば、制御しよう
とする領域内の所望の点を駆動して電子を放出させるこ
とができる。
トライプ状に形成され、ゲート電極８は陰極導体６と直
交する方向にストライプ状に形成され、両者でＸＹマト
リクスを構成している。そして駆動時には、陰極導体６
又はゲート電極８のいずれか一方を走査し、前記走査に
同期した表示信号を他方に加えれば、ＸＹマトリクスの
任意の位置を選択して電子を放出させることができる。
即ち、このような構造のＦＥＣ５によれば、制御しよう
とする領域内の所望の点を駆動して電子を放出させるこ
とができる。
【００２０】前記外囲器４の内部において、前記陽極基
板３の内面側には発光表示部である陽極１１が形成され
ている。陽極１１の構造を説明する。まず、前記陽極基
板３の内面には、遮蔽膜１２が一面に形成されている。
遮蔽膜１２は、陽極基板３から発生するガスを遮蔽し、
外囲器４内の雰囲気の悪化を防ぐ機能を有している。ま
た、この遮蔽膜１２は絶縁性である。遮蔽膜１２として
は、ＳｉＮ、ＴｉＯ2、ＳｉＯＮ等の材料が採用しう
る。これらの材料は、高抵抗で、Ｈ2 ＯやＯ等のガスの
放出が少ない。また、この材料にＨ2 を吸蔵させておけ
ば、ＦＥＤとして点灯駆動中に前記遮蔽膜１２からＨ2
ガスが発生してＦＥＣ５のエミッタ１０の先端を清浄に
する作用が得られる。
板３の内面側には発光表示部である陽極１１が形成され
ている。陽極１１の構造を説明する。まず、前記陽極基
板３の内面には、遮蔽膜１２が一面に形成されている。
遮蔽膜１２は、陽極基板３から発生するガスを遮蔽し、
外囲器４内の雰囲気の悪化を防ぐ機能を有している。ま
た、この遮蔽膜１２は絶縁性である。遮蔽膜１２として
は、ＳｉＮ、ＴｉＯ2、ＳｉＯＮ等の材料が採用しう
る。これらの材料は、高抵抗で、Ｈ2 ＯやＯ等のガスの
放出が少ない。また、この材料にＨ2 を吸蔵させておけ
ば、ＦＥＤとして点灯駆動中に前記遮蔽膜１２からＨ2
ガスが発生してＦＥＣ５のエミッタ１０の先端を清浄に
する作用が得られる。
【００２１】前記遮蔽膜１２の内面には、透光窓部１３
を有する金属陽極導体１４が形成されている。金属陽極
導体１４の材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｎ、Ｓｎや、これらの化
合物で導電性が高いものが好ましい。透孔窓部１３は、
多数本の細線をストライプ状に形成したものでもよい
し、多数本の細線をメッシュ状に形成したものでもよ
い。
を有する金属陽極導体１４が形成されている。金属陽極
導体１４の材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｎ、Ｓｎや、これらの化
合物で導電性が高いものが好ましい。透孔窓部１３は、
多数本の細線をストライプ状に形成したものでもよい
し、多数本の細線をメッシュ状に形成したものでもよ
い。
【００２２】前記金属陽極導体１４の上には、厚膜又は
薄膜の蛍光体層１５が形成されている。蛍光体層１５は
表示領域の全面にわたってベタ状に形成されている。本
例のＦＥＤ１は単色のグラフィック表示用であり、蛍光
体としては例えばＺｎＯ：Ｚｎが使用されている。
薄膜の蛍光体層１５が形成されている。蛍光体層１５は
表示領域の全面にわたってベタ状に形成されている。本
例のＦＥＤ１は単色のグラフィック表示用であり、蛍光
体としては例えばＺｎＯ：Ｚｎが使用されている。
【００２３】このような構造のＦＥＤ１は次のような工
程で製造する。まず、陰極基板２にＦＥＣ５を形成す
る。陽極基板３に陽極１１を形成する。次に、陰極基板
２と陽極基板３を、外周部の間にスペーサ部材を挟んで
所定間隔をおいて対面させて固定し、外囲器４として組
み立てる面付けを行う。次に、外囲器４内をＨ2 等を含
む還元雰囲気にして４００℃〜５００℃の温度で還元処
理を行う。次に、外囲器４を封着し、外囲器４の内部を
排気し、最後に排気孔を封止する。金属陽極導体１４を
水素吸蔵合金で形成し、これに水素を吸蔵させる場合に
は、金属陽極導体１４を形成した陽極基板３を真空チャ
ンバーに収納し、所定圧力の水素雰囲気内に所定時間保
持する。
程で製造する。まず、陰極基板２にＦＥＣ５を形成す
る。陽極基板３に陽極１１を形成する。次に、陰極基板
２と陽極基板３を、外周部の間にスペーサ部材を挟んで
所定間隔をおいて対面させて固定し、外囲器４として組
み立てる面付けを行う。次に、外囲器４内をＨ2 等を含
む還元雰囲気にして４００℃〜５００℃の温度で還元処
理を行う。次に、外囲器４を封着し、外囲器４の内部を
排気し、最後に排気孔を封止する。金属陽極導体１４を
水素吸蔵合金で形成し、これに水素を吸蔵させる場合に
は、金属陽極導体１４を形成した陽極基板３を真空チャ
ンバーに収納し、所定圧力の水素雰囲気内に所定時間保
持する。
【００２４】本例のＦＥＤ１によれば、ＦＥＣ５をＸＹ
マトリクス駆動することにより、ベタ状又はドット状の
陽極１１の蛍光体層１５の所望の位置のみを選択的に発
光させて所望の画像表示を行うことができる。
マトリクス駆動することにより、ベタ状又はドット状の
陽極１１の蛍光体層１５の所望の位置のみを選択的に発
光させて所望の画像表示を行うことができる。
【００２５】本例のＦＥＤ１によれば、陽極導体が金属
薄膜であるため、蛍光表示管製造工程での水素処理（還
元処理）において金属が還元して析出することはなく、
ＦＥＣ５に絶縁不良等の悪影響を及ぼすおそれがない。
薄膜であるため、蛍光表示管製造工程での水素処理（還
元処理）において金属が還元して析出することはなく、
ＦＥＣ５に絶縁不良等の悪影響を及ぼすおそれがない。
【００２６】また、遮蔽膜１２は陽極基板３のほぼ全面
を覆っているので、電子の射突や表面反応により陽極基
板３やガラス基板内および表面のガスが外囲器４内に放
出されるおそれが少ない。また、この遮蔽膜１２自体が
高抵抗で、Ｈ2 ＯやＯ等のガスの放出が少ない。さら
に、遮蔽膜１２や陽極導体１４にＨ2 を吸蔵させておけ
ば、ＦＥＤ１として点灯駆動中に前記遮蔽膜１２や陽極
導体１４からＨ2 ガスが発生し、ＦＥＣ５のエミッタ１
０の先端を清浄にする等の好ましい作用が得られる。電
界放出形の蛍光発光管としての点灯の安定性が向上し、
寿命が長くなる。
を覆っているので、電子の射突や表面反応により陽極基
板３やガラス基板内および表面のガスが外囲器４内に放
出されるおそれが少ない。また、この遮蔽膜１２自体が
高抵抗で、Ｈ2 ＯやＯ等のガスの放出が少ない。さら
に、遮蔽膜１２や陽極導体１４にＨ2 を吸蔵させておけ
ば、ＦＥＤ１として点灯駆動中に前記遮蔽膜１２や陽極
導体１４からＨ2 ガスが発生し、ＦＥＣ５のエミッタ１
０の先端を清浄にする等の好ましい作用が得られる。電
界放出形の蛍光発光管としての点灯の安定性が向上し、
寿命が長くなる。
【００２７】本発明の実施の形態の第２の例を図２を参
照して説明する。この電界放出形表示素子２１（ＦＥ
Ｄ）は赤緑青の各色に発光する多数の画素を備えたカラ
ー表示用である。外囲器４の構造と、陰極基板２に形成
されたＦＥＣ５の構造は、第１の例と同じである。陽極
の構造について説明する。
照して説明する。この電界放出形表示素子２１（ＦＥ
Ｄ）は赤緑青の各色に発光する多数の画素を備えたカラ
ー表示用である。外囲器４の構造と、陰極基板２に形成
されたＦＥＣ５の構造は、第１の例と同じである。陽極
の構造について説明する。
【００２８】前記陽極基板３の内面側には、遮蔽膜２２
が一面に形成されている。この遮蔽膜２２の材質は、第
１の例の遮蔽膜１２と同じである。前記遮蔽膜２２の内
面には、透光窓部２３を有する金属陽極導体２４が形成
されている。金属陽極導体２４の材料と概略の構造は第
１の例と同じである。本例の陽極導体２４は、多数のド
ット状のセグメントが、所定の間隔をおいて規則的に配
置されたものである。各セグメントはメッシュ状乃至ス
プライト状に形成されており、透光性を有している。各
セグメントの上には、蛍光体層２５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が被
着されており、陽極２６を構成している。本例において
は、蛍光体は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に発
光する３種類である。各セグメントはそれぞれ独立して
選択することができる。本例によっても第１の例と同様
な効果が得られる。又、一色の蛍光体をドット状に形成
した単一アノード電極構造でもよい。この場合、図１に
おいてアノード電極は、ドット形状の内側の透光部のみ
がメッシュ構造となる。
が一面に形成されている。この遮蔽膜２２の材質は、第
１の例の遮蔽膜１２と同じである。前記遮蔽膜２２の内
面には、透光窓部２３を有する金属陽極導体２４が形成
されている。金属陽極導体２４の材料と概略の構造は第
１の例と同じである。本例の陽極導体２４は、多数のド
ット状のセグメントが、所定の間隔をおいて規則的に配
置されたものである。各セグメントはメッシュ状乃至ス
プライト状に形成されており、透光性を有している。各
セグメントの上には、蛍光体層２５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が被
着されており、陽極２６を構成している。本例において
は、蛍光体は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に発
光する３種類である。各セグメントはそれぞれ独立して
選択することができる。本例によっても第１の例と同様
な効果が得られる。又、一色の蛍光体をドット状に形成
した単一アノード電極構造でもよい。この場合、図１に
おいてアノード電極は、ドット形状の内側の透光部のみ
がメッシュ構造となる。
【００２９】本発明の実施の形態の第３の例を図３を参
照して説明する。この電界放出形表示素子３１（ＦＥ
Ｄ）は赤緑青の各色に発光する多数の画素を備えたカラ
ー表示用である。外囲器４の構造と、陰極基板２に形成
されたＦＥＣ５の構造は第１の例と同じである。陽極３
６の構造について説明する。
照して説明する。この電界放出形表示素子３１（ＦＥ
Ｄ）は赤緑青の各色に発光する多数の画素を備えたカラ
ー表示用である。外囲器４の構造と、陰極基板２に形成
されたＦＥＣ５の構造は第１の例と同じである。陽極３
６の構造について説明する。
【００３０】前記陽極基板３の内面には、透光窓部３３
を有する金属陽極導体３４が直接形成されている。金属
陽極導体３４の材料と概略の構造は第２の例と同じであ
る。金属陽極導体３４の各セグメントの上には、蛍光体
層３５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が被着されている。蛍光体は赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に発光する３種類で
ある。各セグメントはそれぞれ独立して選択し、発光さ
せることができる。
を有する金属陽極導体３４が直接形成されている。金属
陽極導体３４の材料と概略の構造は第２の例と同じであ
る。金属陽極導体３４の各セグメントの上には、蛍光体
層３５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が被着されている。蛍光体は赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に発光する３種類で
ある。各セグメントはそれぞれ独立して選択し、発光さ
せることができる。
【００３１】各陽極のセグメントの間には、陽極基板３
が露出しているが、その部分に遮蔽膜３２が形成されて
いる。この遮蔽膜として、遮蔽膜の材料に黒色顔料等を
混合させる等して得た黒色膜を用いれば、ブラックマト
リクス効果が得られ、発光部のコントラストが上げられ
る。遮蔽膜３２は陽極セグメントの内、蛍光体層３５が
被着していない枠の部分の一部を被覆している。本例に
よれば、第１の例と同様な効果が得られる他、蛍光体層
３５と陽極基板３の間に遮蔽膜がないので、陽極基板３
越しに観察される陽極３６の輝度が高い。
が露出しているが、その部分に遮蔽膜３２が形成されて
いる。この遮蔽膜として、遮蔽膜の材料に黒色顔料等を
混合させる等して得た黒色膜を用いれば、ブラックマト
リクス効果が得られ、発光部のコントラストが上げられ
る。遮蔽膜３２は陽極セグメントの内、蛍光体層３５が
被着していない枠の部分の一部を被覆している。本例に
よれば、第１の例と同様な効果が得られる他、蛍光体層
３５と陽極基板３の間に遮蔽膜がないので、陽極基板３
越しに観察される陽極３６の輝度が高い。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、ＦＥＤにおいて、透光
窓部を有する金属製の陽極導体を採用し、絶縁性の遮蔽
膜を少なくとも金属陽極導体が形成されていない陽極基
板の内面側に設けたので、次のような効果が得られる。
窓部を有する金属製の陽極導体を採用し、絶縁性の遮蔽
膜を少なくとも金属陽極導体が形成されていない陽極基
板の内面側に設けたので、次のような効果が得られる。
【００３３】導電性の高い金属を陽極導体に用いた
め、表示部を大型化することが容易であり、大型管の実
現に有利である。
め、表示部を大型化することが容易であり、大型管の実
現に有利である。
【００３４】ＳｉＮ、ＴｉＯ2 、ＳｉＯＮ等の遮蔽膜
は、少なくとも陽極導体が形成されていない部分におい
て陽極基板を遮蔽している（第１及び第２実施例では陽
極基板の全面を覆っている）ので、陽極基板から発生す
るガスを効果的に遮蔽することができ、外囲器内雰囲気
の悪化を防ぐことができる。また、この遮蔽膜は絶縁性
・高抵抗で、Ｈ2 ＯやＯ等のガスの放出が少ない。この
ため、外囲器内の真空雰囲気の状態に性能が大きく影響
を受けるＦＥＤにおいては、高性能の実現及び維持に好
ましい効果が得られる。
は、少なくとも陽極導体が形成されていない部分におい
て陽極基板を遮蔽している（第１及び第２実施例では陽
極基板の全面を覆っている）ので、陽極基板から発生す
るガスを効果的に遮蔽することができ、外囲器内雰囲気
の悪化を防ぐことができる。また、この遮蔽膜は絶縁性
・高抵抗で、Ｈ2 ＯやＯ等のガスの放出が少ない。この
ため、外囲器内の真空雰囲気の状態に性能が大きく影響
を受けるＦＥＤにおいては、高性能の実現及び維持に好
ましい効果が得られる。
【００３５】 遮蔽膜にＨ2 を吸蔵させておけば、Ｆ
ＥＤとして点灯駆動中に遮蔽膜からＨ2 ガスが発生して
ＦＥＣのエミッタの先端を清浄にする作用が得られる。
ＥＤとして点灯駆動中に遮蔽膜からＨ2 ガスが発生して
ＦＥＣのエミッタの先端を清浄にする作用が得られる。
【００３６】 陽極導体が金属製なので、ＦＥＤ製造
工程における還元処理によって金属が析出し、ＦＥＣに
絶縁不良を発生させる等のおそれがない。
工程における還元処理によって金属が析出し、ＦＥＣに
絶縁不良を発生させる等のおそれがない。
【００３７】 陽極基板側に形成した金属製陽極導体
や陽極基板間の遮蔽膜を黒化させれば、ブラックマトリ
ックス効果が得られ、発光部における表示のコントラス
トが向上する。
や陽極基板間の遮蔽膜を黒化させれば、ブラックマトリ
ックス効果が得られ、発光部における表示のコントラス
トが向上する。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第３の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図４】従来のモノカラーのＦＥＤの陽極基板の断面図
である。
である。
【図５】従来のフルカラーのＦＥＤの陽極基板の断面図
である。
である。
１，２１，３２ 電界放出形表示素子（ＦＥＤ） ２ 陰極基板 ３ 陽極基板 ４ 外囲器 ５ 電界放出陰極（ＦＥＣ） １２，２２ ３２ 遮蔽膜 １３，２３，３３ 透孔窓部 １４，２４，３４ 金属陽極導体 １５，２５，３５ 蛍光体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山浦 辰雄 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 Ｆターム(参考） 5C036 BB10 CC13 CC14 EE01 EE05 EE19 EF01 EF06 EF09 EG25 EG30 EG36 EH06 EH09 EH11
Claims (7)
- 【請求項１】 互いに対面する絶縁性の陰極基板と絶縁
性及び透光性を有する陽極基板とを有し、内部を高真空
状態とされた外囲器と、 前記陰極基板の内面側に形成された電界放出素子と前記
陽極基板の内面側に形成された透光窓部を有する金属陽
極導体と、 前記金属陽極導体の上および周囲に形成された蛍光体層
と、 少なくとも前記金属陽極導体が形成されていない前記陽
極基板の内面側に設けられた絶縁性の遮蔽膜と、 を有することを特徴とする電界放出形表示素子。 - 【請求項２】 前記遮蔽膜が、前記陽極基板の内面に直
接形成されており、前記金属陽極導体は前記遮蔽膜の上
に形成されている請求項１記載の電界放出形表示素子。 - 【請求項３】 前記金属陽極導体が前記陽極基板の内面
に所定間隔をおいて直接形成されており、前記遮蔽膜
が、前記金属陽極導体の間において前記陽極基板の内面
に直接形成されている請求項１記載の電界放出形表示素
子。 - 【請求項４】 前記遮蔽膜が、隣接する金属陽極導体の
前記蛍光体に覆われていない部分をを覆っている請求項
３記載の電界放出形表示素子。 - 【請求項５】 前記遮蔽膜が、ＳｉＮ、ＴｉＯ2 、Ｓｉ
ＯＮからなる群から選択された物質である請求項１又は
２又は３又は４記載の電界放出形表示素子。 - 【請求項６】 前記遮蔽膜と前記金属陽極導体から選択
された一以上の構成部分が、水素吸蔵性物質によって構
成されている請求項１又は２又は３又は４又は５記載の
電界放出形表示素子。 - 【請求項７】 前記金属陽極導体が、Ａｌ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｎ、Ｓｎか
らなる群から選択された１以上の金属を含む物質で構成
されている請求項１又は２又は３又は４又は５又は６記
載の電界放出形表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10184284A JP2000021340A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 電界放出形表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10184284A JP2000021340A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 電界放出形表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021340A true JP2000021340A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16150637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10184284A Pending JP2000021340A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 電界放出形表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021340A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002120394A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-23 | Futaba Corp | 電子線励起発光形プリントヘッド |
| KR100759400B1 (ko) | 2006-06-15 | 2007-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는액정 표시 장치 |
| KR100759399B1 (ko) | 2006-06-16 | 2007-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는액정 표시 장치 |
| JP2008047511A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Samsung Sdi Co Ltd | 発光装置及び表示装置 |
| US7663297B2 (en) | 2006-05-19 | 2010-02-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light emission device and display device |
| US8480280B2 (en) | 2006-06-28 | 2013-07-09 | Thomson Licensing | Luminescent display device having filler material |
-
1998
- 1998-06-30 JP JP10184284A patent/JP2000021340A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002120394A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-23 | Futaba Corp | 電子線励起発光形プリントヘッド |
| US7663297B2 (en) | 2006-05-19 | 2010-02-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light emission device and display device |
| KR100759400B1 (ko) | 2006-06-15 | 2007-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는액정 표시 장치 |
| KR100759399B1 (ko) | 2006-06-16 | 2007-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는액정 표시 장치 |
| US8480280B2 (en) | 2006-06-28 | 2013-07-09 | Thomson Licensing | Luminescent display device having filler material |
| JP2008047511A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Samsung Sdi Co Ltd | 発光装置及び表示装置 |
| JP4650840B2 (ja) * | 2006-08-14 | 2011-03-16 | 三星エスディアイ株式会社 | 発光装置及び表示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050421 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060629 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060711 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061121 |