JP2002313241A

JP2002313241A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002313241A
Application number: JP2002030014A
Authority: JP
Inventors: Morio Fujitani; 守男藤谷; Hiroyuki Yonehara; 浩幸米原; Masaki Aoki; 正樹青木; Keisuke Sumita; 圭介住田; Hideki Ashida; 英樹芦田; Junichi Hibino; 純一日比野; Daisuke Adachi; 大輔足立
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-02-06
Filing date: 2002-02-06
Publication date: 2002-10-25

Abstract

(57)【要約】【課題】基板に銀電極が配されたＰＤＰにおいてパネ
ルの黄変を抑制する。【解決手段】銀電極１０５には、一般の銀電極と同様
に銀粒子とガラスフリットとが含まれているが、銀電極
１０５中には、更に、銀のイオン化を抑制する働きを有
する銀イオン化抑制物質が添加されている。銀イオン化
抑制物質は、標準電極電位が、銀の標準電極電位（０．
８Ｖ）よりも低い元素または化合物であって、例えば、
アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋなど）、アルカリ土類金
属（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）、貴金属以外の遷移金属（水銀
を除く）に属する元素（Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ）、もしくは、これらの元素の
酸化物、水酸化物、ハロゲン化物、窒化物、炭化物、硝
酸塩、炭酸塩、硫酸塩等が挙げられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いられているプラズマディスプレイパネルに関し、
特に、銀電極を備えたプラズマディスプレイパネルに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、双方向情報端末装置などに用いる
表示デバイスとして、フラットパネルディスプレイ（Ｆ
ＰＤ）が注目されている。ＦＰＤとしては、液晶（ＬＣ
Ｄ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、フィー
ルドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイ（ＥＬ）等が開発されてお
り、一部は既に市販されている。

【０００３】これらのＦＰＤの中でもＰＤＰは、自発光
型で美しい画像表示ができ、大画面化が容易であるとい
った他のデバイスにはない特徴を持っており、大画面壁
掛けテレビ用のディスプレイとしても期待が高まってい
る。一般的に、ＰＤＰは、各色発光セルがマトリックス
状に配列された構成であって、交流面放電型ＰＤＰで
は、例えば特開平９−３５６２８号公報に開示されてい
るように、フロントガラス基板とバックガラス基板と
が、隔壁を介して平行に配され、フロントガラス基板上
には表示電極対（走査電極と維持電極）が平行に配設さ
れ、その上を覆って誘電体層が形成され、バックガラス
基板上には走査電極と直交してアドレス電極が配され、
両プレート間における隔壁で仕切られた空間内には、
赤，緑，青の蛍光体層が配設され、放電ガスが封入され
ることによって各色発光セルが形成されたパネル構造と
なっている。そして、駆動回路で各電極に電圧を印加す
ることによって放電すると、紫外線が放出され、蛍光体
層（赤，緑，青）がこの紫外線を受けて励起発光するこ
とによって画像が表示される。

【０００４】このようなＰＤＰにおいて、フロントガラ
ス基板やバックガラス基板は、硼硅素ナトリウム系ガラ
ス材料からフロート法で製造されるガラス板が一般的に
用いられ、表示電極やアドレス電極には、Ｃｒ−Ｃｕ−
Ｃｒ電極も用いられているが、比較的安価な銀電極が多
く用いられている。この銀電極は、一般的に厚膜法によ
って形成される。即ち、銀粒子，ガラスフリット，樹
脂，溶剤などを含有する銀ペーストをスクリーン印刷法
でパターニング塗布したり、銀粒子，ガラスフリット，
樹脂などを含有するフィルムをラミネート法で貼付けた
後にパターニングする。そして、いずれの場合も、樹脂
を除去すると共に銀どうしを融着して導電率を上昇させ
るために、５００℃以上で焼成処理を行う。

【０００５】また、誘電体層は通常、低融点鉛ガラスな
どの粉末と樹脂からなるペーストを、スクリーン印刷
法、ダイコート塗布法或はラミネート法などによって塗
工し、５００℃以上で加熱、焼成することによって形成
される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
銀電極を用いたＰＤＰでは、銀電極の周囲において、ガ
ラス基板や誘電体層に黄変が発生しやすい。そして、ガ
ラス基板や誘電体層に黄変が生じると、青色セルの輝度
が低下したり、白表示時の色温度が低下するので、ＰＤ
Ｐの画質が劣化してしまう場合がある。ゆえに、よりガ
ラス基板や誘電体層に黄変が発生しにくいＰＤＰが望ま
れる。

【０００７】本発明は、基板に銀電極が配されたＰＤＰ
において、パネルの黄変を比較的簡単に抑制する技術を
提供し、それによって、高輝度・高画質で画像表示でき
るＰＤＰを実現することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基板に銀電極が配されたＰＤＰにおい
て、当該銀電極に、標準電極電位が銀よりも低い元素ま
たは化合物を含ませることとした。或は、銀電極に、
「銀よりもイオン化傾向が大きい元素または当該元素の
化合物」を含ませてもよい。

【０００９】この「標準電極電位」については、化学大
辞典（発行：東京化学同人）には、「単純電極の電極反
応に関与する物質がすべて標準状態にあるときの平衡電
極電位を標準電極電位という。」と記載されている。こ
こで、銀（Ａｇ⁺＋e^-＝Ａｇ）の標準電極電位が０．８
Ｖなので、「標準電極電位が銀よりも低い元素または化
合物」というのは、「標準電極電位が０．８Ｖよりも低
い元素または化合物」と同様の意味をもつ。

【００１０】上述したように、銀電極を備えた従来のＰ
ＤＰにおいて、銀電極の周囲に黄変が発生しやすい原因
は、銀電極や誘電体層を焼成するときに、銀電極中の銀
がイオンとして周囲に拡散し、それがガラス基板や誘電
体層中で還元されてＡｇコロイドが生じることによるも
のと考えられる。これに対して、本発明では、銀電極中
に、標準電極電位が銀よりも低い元素または化合物、或
は銀よりもイオン化傾向が高い元素または当該元素の化
合物が含まれているため、当該元素や化合物が銀のイオ
ン化を抑制する働きをなすことによって、焼成に伴う銀
イオンの生成及び拡散が抑制される。その結果、銀電極
周辺における銀コロイド粒子の生成も抑制されるので、
パネルの黄変が防止される。

【００１１】なお、本明細書では、上記「標準電極電位
が銀よりも低い元素または化合物」のように、銀のイオ
ン化を抑制する働きをなす物質を、「銀イオン化抑制物
質」と記載することとする。ここで、「銀イオン化抑制
物質」は、「銀よりも化学結合力の強い酸化物を形成す
る元素または当該元素の化合物」であれば、上記目的を
達成するために最適である。従って、「銀イオン化抑制
物質」には、「銀よりも化学結合力の強い酸化物を形成
する元素またはその化合物」も含有される。

【００１２】また、Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ，Ｔｉといっ
た元素や、Ｎｉ，Ｐｂ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｃｏといっ
た元素、並びにこれら元素の化合物が、銀イオン化抑制
物質として好ましく、銀電極中の銀に対して１ｗｔ％以
上含有させることが好ましいこともわかっている。な
お、基板に銀電極が配されたＰＤＰにおいて、上記「銀
イオン化抑制物質」が、銀電極を覆う層として存在して
いても、同様に銀のイオン化を抑制する効果を奏するの
で、上記目的を達成することができる。

【００１３】また、上記目的を達成するため、本発明
は、基板に銀電極が配されたＰＤＰを製造する方法にお
いて、当該銀電極を形成する際に用いる電極材料に、上
記銀イオン化抑制物質を含有させることとした。或は、
銀電極を形成した後に、当該銀電極を覆う被覆層を銀イ
オン化抑制物質で形成することとした。銀イオン化抑制
物質で被覆層を形成する方法としては、真空蒸着法、ス
パッタリング法、めっき法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法が挙
げられる。

【００１４】また、上記目的は、ＰＤＰの電極形成に用
いられる銀電極用ペ−ストにおいて、上記の銀イオン化
抑制物質を含有させることによっても達成できる。ま
た、上記目的は、ＰＤＰの電極形成に用いられ、支持フ
ィルム上に銀電極膜形成材料層が形成されている転写フ
ィルムにおいて、銀電極膜形成材料層に上記の銀イオン
化抑制物質を含有させることによっても達成できる。

【００１５】

【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕（ＰＤＰの全体構成について）図１は、実施の形態に係
るＡＣ面放電型ＰＤＰ１００の構成を示す組立斜視図で
ある。

【００１６】このＰＤＰ１００は、第１基板としての前
面パネル１０１と第２基板としての背面パネル１１１と
が、周辺シール材（図示略）によって貼り合わせられて
構成されている。前面パネル１０１は、前面ガラス基板
１０２上に、表示電極１０３がストライプ状に配され、
その上から、誘電体ガラス層１０６及び酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）からなる保護層１０７が被覆されたもので
ある。

【００１７】一方、背面パネル１１１は、背面ガラス基
板１１２上に、アドレス電極１１３、誘電体ガラス層１
１４、隔壁１１５、及び蛍光体層１１６（赤、緑、青の
３色が順に配置）が設けられたものである。このＰＤＰ
１００において、前面ガラス基板１０２及び背面ガラス
基板１１２間の間隙は、隔壁１１５で仕切られ、放電ガ
スが封入されている。また、上記表示電極１０３は隔壁
１１５と直交する方向に、アドレス電極１１３は隔壁１
１５と平行に配され、表示電極１０３とアドレス電極１
１３とが対向するところに、赤，緑，青の各色を発光す
るセルが形成されている。

【００１８】なお、図示はしないが、このＰＤＰ１００
における表示電極１０３及びアドレス電極１１３に駆動
回路が接続されることによって、ＰＤＰ表示装置が構成
される。（表示電極の構成）図２は、上記前面パネル１０１の断
面図である。

【００１９】図に示すように、表示電極１０３は、幅広
の透明性材料からなる透明電極１０４の上に、銀を含有
する電極であり幅狭の銀電極１０５が積層されてなる。
透明電極１０４の材料としては、ＩＴＯ，ＳｎＯ₂，Ｚ
ｎＯ等の導電性金属酸化物が挙げられる。なお、表示電
極１０３において、上記のように透明電極１０４上に銀
電極１０５を設けることは、セル内における放電面積を
広く確保する上では好ましいが、透明電極１０４を設け
ることなく銀電極１０５だけで表示電極１０３を形成す
ることも可能である。

【００２０】銀電極１０５は、銀イオン化抑制物質を含
む電極用の銀ペーストまたは銀フィルムが焼成されたも
のである。即ち、銀電極１０５には、一般の銀電極と同
様に銀粒子とガラスフリットとが含まれているが、銀電
極１０５中には、更に、銀のイオン化を抑制する働きを
有する銀イオン化抑制物質が添加されている。（銀イオン化抑制物質について）この銀イオン化抑制物
質としては、以下の〜のいずれかに該当するものを
挙げることができる。

【００２１】標準電極電位が、銀の標準電極電位
（０．８Ｖ）よりも低い元素または化合物。このに該
当する元素として、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋな
ど）、アルカリ土類金属（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）、貴金属
以外の遷移金属（水銀を除く）に属する元素（Ｓｃ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ）が挙げ
られる。ここで遷移金属に対して「貴金属以外」と限定
としたのは、貴金属は一般的に標準電極電位が０．８Ｖ
より高いためである。

【００２２】また、に該当する化合物としては、これ
らの元素の酸化物、水酸化物、ハロゲン化物、窒化物、
炭化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩等が挙げられる。上記
元素あるいは化合物の中でも、銀イオン化抑制物質とし
て好ましいものは以下の通りである。好ましい元素とし
ては、後述する実施例に記載されている元素（Ｃｒ，Ａ
ｌ，Ｉｎ，Ｂ，Ｔｉ）の他に、Ｎｉ，Ｐｂ，Ｚｒ，Ｓ
ｎ，Ｚｎ，Ｃｏといった元素が挙げられる。

【００２３】好ましい化合物としては、上記元素（Ｃ
ｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｚｒ，Ｓｎ，
Ｚｎ，Ｃｏ）の酸化物（ＺｒＯ₂，ＳｉＯ₂，ＴｉＯ₂，
Ａｌ₂Ｏ ₃，Ｂ₂Ｏ₃，Ｐ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃など）が挙げられ
る（これら酸化物は、銀よりも化学結合力が強い。）。
また、上記元素（Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ，Ｔｉ，Ｎｉ，
Ｐｂ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｃｏ）の水酸化物、ハロゲン
化物も、好ましい化合物である。

【００２４】また、ＴｉＮ，ＺｎＮ，ＡｌＮ，ＣｒＮ，
ＢＮといった窒化物、並びに、ＴｉＣ，ＳｉＣ，ＺｒＣ
といった炭化物も、銀酸化物より化学結合力が強く、好
ましい化合物である。一方、に該当する化合物の中で
も、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩、水酸化物、ハロゲン化物
に属するものは、電極焼成時において金属元素の価数
が、銀のイオン化を抑制する上で最適に近い状態に維持
される点で好ましいということが言える。

【００２５】そのような観点から、例えば、Ａｌ（ＮＯ
₃）₃、Ｃａ（ＮＯ₃）₂、Ｚｒ（ＮＯ ₃）₄、Ｎｉ（Ｎ
Ｏ₃）₂、Ｃｏ（ＮＯ₃）₂、Ｐｂ（ＮＯ₃）₂や、ＢａＣＯ
₃、ＮｉＣＯ₃、ＭｇＣＯ₃、ＺｎＣＯ₃、ＣｏＣＯ₃、Ｃ
ｕ₂ＣＯ₃も好ましい化合物である。図３は、イオン化傾
向、電子エネルギー及び標準電極電位の関係を説明する
図であって、図中、幾つかの元素やイオンについて、標
準電極電位が示されている。

【００２６】本図に示されるように、一般的に元素や元
素イオン（化合物）においては、標準電極電位が低いも
のほど、電子エネルギーが大きく、電子を放出しやす
い。従って、銀の標準電極電位である０．８Ｖよりも低
い標準電極電位を有する元素や化合物が銀電極中に存在
すれば、銀のイオン化が抑制されることになる。標準電
極電位が０．８Ｖよりも低い元素や化合物の中でも、よ
り低い標準電極電位を有するもの（図３において上方に
位置する元素やイオンに相当する化合物ほど）、銀のイ
オン化を抑制する作用が大きく、焼成時におけるパネル
の黄変を抑制する作用が大きいものと考えられる。

【００２７】なお、図３に示されるように、同じ元素の
イオンであっても、その価数によって標準電極電位は変
化する。即ち、化合物を構成する元素の種類は同じであ
っても、当該元素の価数によって、化合物の標準電極電
位が異なる点に注意し、銀電極１０５に含まれる銀より
標準電極電位が低い化合物を銀イオン化抑制物質として
用いる。

【００２８】イオン化傾向が銀よりも大きい元素また
は当該元素の化合物上記図３に示されるように、一般的
に元素や元素イオン（元素化合物）において、標準電極
電位が低いものほどイオン化傾向が大きいという関係に
ある。従って、上記で挙げた「銀の標準電極電位
（０．８Ｖ）よりも低い元素または化合物」は、「銀よ
りもイオン化傾向の大きい元素または当該元素の化合
物」とほぼ一致すると言うことができる。

【００２９】イオン化傾向が銀よりも大きく、銀より
も化学結合力の強い酸化物を形成する元素または当該元
素の化合物。このに該当する元素としてクロム（Ｃ
ｒ）、その化合物として酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）が挙げ
られる。この他にも、好ましい元素として、Ｓｉ、Ａ
ｉ、Ｔｉが挙げられ、好ましい化合物としてＳｉＯ₂、
Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ_２が挙げられる。

【００３０】通常、銀電極が大気中に晒されると、銀電
極中の銀粒子が、大気中の酸素で酸化されて酸化銀に変
化したり、大気中のＳＯ2で硫化されて硫化銀に変化す
る。ここで、銀よりも化学結合力が弱い酸化物が銀粒子
の近くに存在する場合も、銀粒子が大気に晒されやす
く、銀粒子が酸化銀に変化しやすい。そして、酸化銀に
変化すると、銀イオンとして周囲に拡散しやすい。

【００３１】これに対して、銀電極中に、銀よりも化学
結合力の強い酸化物を形成する元素またはその化合物が
含まれていると、銀粒子が大気に晒されるのを、当該元
素またはその化合物がブロックする。また、この元素の
酸化物は銀酸化物と比べて化学結合力が強いため、当該
元素の酸化物によって銀が酸化銀に変化することもな
い。

【００３２】従って、銀電極中に含有されている銀イオ
ン化抑制物質が、銀よりも化学結合力の強い酸化物を形
成する元素またはその化合物である場合には、更に、銀
電極中の銀がイオン化しにくくなる。以上のように、上
記〜のいずれかに該当する銀イオン化抑制物質が、
銀電極１０５中に含まれると、焼成時における銀のイオ
ン化が抑制されることになる。

【００３３】なお、銀イオン化抑制物質として上述した
元素や化合物は、１種類だけを用いてもよいが、２種類
以上を混合するなどして併用してもよいことはいうまで
もない。また、上述した金属元素が２種類以上含まれて
なる合金も、銀イオン化抑制物質に相当する。銀イオン
化抑制物質の添加量について：上記〜に該当する銀
イオン化抑制物質の銀電極中における含有割合として
は、パネルの黄変抑制効果を得るために、銀に対して
０．１ｗｔ％以上であることが好ましく、十分な効果を
得るためには、０．５ｗｔ％以上であることが好まし
い。また、更に有効な効果を得るためには、銀に対して
１ｗｔ％以上であることが好ましい。

【００３４】一方、銀電極の導電性を確保する上で、上
記元素または化合物の含有割合は、銀に対して２０ｗｔ
％以下とすることが好ましく、更に１０ｗｔ％以下とす
ることが好ましい。（銀電極中における銀イオン化抑制物質の存在形態につ
いて）上記銀イオン化抑制物質が銀電極の中に存在する
形態がどのような形態であっても、基本的に銀のイオン
化は抑制されるものと考えられるが、本実施形態にかか
る銀電極１０５においては、以下に説明するように、銀
イオン化抑制物質が銀粒子を覆うような形態で存在して
いるため、銀のイオン化を抑制する効果も大きいと考え
られる。

【００３５】図４は上記前面パネル１０１の断面摸式図
であって、特に銀電極１０５の内部構造を摸式的に示し
ている。図４に示すように、銀電極１０５においては、
複数の銀粒子１０が結合されている（即ち、銀粒子１０
どうしが互いに融着して導電体を形成している）が、銀
粒子１０どうしの間には、隙間１１が形成されている。
そして、この間隙１１に、ガラスフリット並びに銀イオ
ン化抑制物質が存在している。

【００３６】従って、この間隙１１内の各銀粒子１０の
表面付近に、銀イオン化抑制物質が存在していることに
なる。ところで、一般的に、銀電極を大気放置中、或は
焼成後の降温中に電極中の銀粒子の表面付近において銀
が大気中の酸素で酸化されて酸化銀に変化したり、大気
中のＳＯ₂で硫化されて硫化銀に変化し、イオン化が発
生しやすいと考えられる。

【００３７】よって、上記のように間隙１１内の銀イオ
ン化抑制物質が銀粒子の表面付近に存在していると、大
気と接しやすく銀イオンが発生しやすい箇所に、銀イオ
ン化抑制物質が存在することになるので、大気放置中或
は焼成後の降温時における銀のイオン化抑制効果も大き
くなるものと考えられる。銀粒子の粒径は通常約１μｍ
〜３μｍなので、このような観点からして、銀イオン化
抑制物質が隙間１１に入り込みやすいように、使用する
銀イオン化抑制物質の粒径は１μｍ以下であることが好
ましい。

【００３８】なお、間隙１１内の各銀粒子１０の表面付
近に銀イオン化抑制物質が存在する場合だけでなく、少
なくとも一部の銀粒子の表面付近に銀イオン化抑制物質
が含まれていれば、銀のイオン化抑制効果がある。もっ
とも、銀イオン化抑制物質が銀粒子を蔽うような形態で
存在し、各銀粒子の表面上に銀イオン化抑制物質が存在
している構成が最も銀のイオン化抑制効果が高い。

【００３９】（前面パネルの製造方法について）前面パ
ネル１０１を製造する方法について、特に銀電極１０５
及び誘電体ガラス層１０６を形成する工程について説明
する。前面ガラス基板１０２として、フロート法により
製造されたガラス板を用いる。この前面ガラス基板１０
２上に、通常の薄膜形成法で透明電極１０４を形成す
る。そして、銀電極１０５及び誘電体ガラス層１０６を
形成した後、通常の薄膜形成法で保護層１０７を形成す
ることによって、前面パネル１０１が作製される。

【００４０】以下に、銀電極１０５及び誘電体ガラス層
１０６を形成する方法について詳述する、第１工程−銀電極前駆体層の形成：透明電極１０４上
に、銀ペーストまたは銀電極転写フィルムを用いて、銀
電極１０５の前駆体である銀電極前駆体層を形成する。

【００４１】銀ペーストを用いる場合は、一般的に銀電
極を形成する場合と同様、銀粉末、有機バインダー、ガ
ラスフリット（ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系、ＺｎＯ−
Ｂ₂Ｏ ₃−ＳｉＯ₂系、ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ａｌ₂
Ｏ₃、ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系、Ｂｉ₂Ｏ₃−
Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系等）、有機溶剤などを含む銀電極用
ペーストを準備する。

【００４２】ただし、銀電極用ペーストを作製する際
に、上述した銀イオン化抑制物質も混合しておく。銀電
極用ペーストに混合する銀イオン化抑制物質の量につい
ては、上述した通り、銀粉末に対して０．１ｗｔ％以上
であることが好ましく、十分な効果を効果を得るために
は０．５ｗｔ％以上が好ましく、更に有効な効果を得る
ためには１ｗｔ％以上であることが好ましく、銀粉末に
対して２０ｗｔ％以下、更に、１０ｗｔ％以下とするこ
とが好ましい。

【００４３】銀電極用ペーストに用いる有機バインダー
としては、エチルセルロースなどのセルロース化合物、
或はメチルメタクリレートなどのアクリル重合体などが
好ましい。そして、スクリーン印刷法を用いて、銀電極
１０５のパターン形状に塗布し乾燥してもよいし、スク
リーン印刷法やダイコート法などを用いてベタで塗布し
乾燥した後、フォトリソグラフィー法（或はリフトオフ
法）でパターニングを行っても良い。

【００４４】一方、銀電極転写フィルムを用いる場合、
詳しくは後述するが、上記銀ペーストと同様の成分をフ
ィルム状に加工して銀電極転写フィルムを作製し、当該
フィルムを透明電極１０４上にラミネートすることによ
って銀電極前駆体層を形成する。以上のように形成され
た銀電極前駆体層において、各銀粒子の周囲には、ガラ
スフリット、有機バインダ、銀イオン化抑制物質が存在
していることなる。

【００４５】なお、銀電極用ペーストに混合する銀イオ
ン化抑制物質として、上述したように１μｍ以下の粒径
のものを用いれば、各銀粒子の表面上を銀イオン化抑制
物質で緻密にカバーできるので、銀のイオン化を抑制す
る効果が高められる。ここで、図５を参照しながら、銀
電極転写フィルムを用い、フォトリソグラフィー法で銀
電極前駆体層をパターニング形成する方法の一具体例を
説明する。

【００４６】図５（ａ）は、電極転写フィルム２００の
断面を摸式的に示している。この電極転写フィルム２０
０は、支持フィルム２０１上に、銀電極前駆体層２０２
及びカバーフィルム２０３が積層されたものである。当
該電極転写フィルム２００は、銀粉末、感光性樹脂から
なる有機バインダー、ガラスフリット、銀イオン化抑制
物質、有機溶剤などを混合した銀電極用ペーストを、Ｐ
ＥＴからなる支持フィルム２０１上に、ブレードコータ
ーでベタで塗布し乾燥することによって銀電極前駆体層
２０２を形成し、その上を離型処理が施されたカバーフ
ィルム２０３で被覆することによって作製できる。

【００４７】図５（ｂ）は、銀電極前駆体層２０２をラ
ミネートする様子を示している。上記電極転写フィルム
２００からカバーフィルム２０３を剥がし、透明電極１
０４が形成された前面ガラス基板１０２上に、銀電極前
駆体層２０２を重ね合わせ、支持フィルム２０１上から
加熱ローラ２１０で押圧することにより、銀電極前駆体
層２０２を前面ガラス基板１０２上に熱圧着する（例え
ば、加熱ローラ２１０の表面温度は６０〜１２０℃、ロ
ーラ圧は１〜５ｋｇ／ｃｍ²）。これによって、銀電極
前駆体層２０２が転写される。

【００４８】図５（ｃ）は、銀電極前駆体層２０２を露
光する様子を示している。支持フィルム２０１を剥が
し、銀電極前駆体層２０２の上にフォトマスク２２０を
重ね合せる。このフォトマスク２２０は、銀電極を形成
しようとする箇所だけが開口されている。この状態で露
光すると、銀電極前駆体層２０２における銀電極形成予
定箇所だけが露光され、露光された箇所の感光性樹脂が
硬化する。その後、銀電極前駆体層２０２を現像する
と、銀電極前駆体層２０２における露光された箇所だけ
が残ることによって、銀電極１０５の形状にパターニン
グされる。図５（ｄ）は、銀電極前駆体層２０２がパタ
ーニングされた様子を示している。

【００４９】第２工程−誘電体前駆体形成工程：上記パ
ターンニング加工された電極前駆層体層を、誘電体ガラ
ス層１０６の前駆体である誘電体前駆体層によって被覆
する。この誘電体前駆体層は、ガラスと有機バインダー
を必須成分とし、溶剤を加えた誘電体ペーストに対し
て、スクリーン印刷法、あるいはダイコート法を用いて
塗布、乾燥することにより形成することができる。

【００５０】或いは、第１工程と同様、誘電体ペースト
の必須成分をフィルム状に加工した誘電体シートをラミ
ネート法によって貼付けることによっても形成すること
ができる。第３工程−焼成工程：電極前駆体層及び誘電体前駆体層
に含まれるガラス成分の軟化点以上の温度で数分から数
十分放置する。この操作により、銀電極前駆体層と誘電
体前駆体層とは同時焼成され、銀電極前駆体層は銀電極
１０５に、誘電体前駆体層は誘電体ガラス層１０６に変
化する。

【００５１】（本実施形態の効果について）先ず、図７
は、従来のＰＤＰにおいてガラス基板や誘電体ガラス層
に黄変が生じるメカニズムを説明する図である。本図に
示すように、ガラス基板の黄変はＩ〜ＩＶの段階を経て
なされるものと考えられる。

【００５２】Ｉ．銀電極を形成する際において、大気放
置中、或は焼成後の降温中に、電極中の銀が酸化または
硫化されてイオン化される。 II．銀イオンが、ガラス基板表面や誘電体ガラス層中に
拡散する。 III．拡散した銀イオンが、基板ガラス表面や誘電体ガ
ラス層中に存在する金属イオン（銀イオンに対して還元性を有する金属イオンであっ
て、基板ガラス表面には主にＳｎイオン、誘電体ガラス
中にはＮａイオン、Ｐｂイオンなどが存在する。）によ
って還元される。

【００５３】ＩＶ．還元された銀が銀コロイド粒子とし
て折出し成長する。この銀コロイド粒子は、４００ｎｍ
の波長に吸収域があるので、基板や誘電体ガラス層が黄
変する。なお、銀によってガラスが黄変するメカニズム
に関して、ガラスハンドブック（朝倉書店：昭和５２年
７月１５日発行）のｐ．１６６には、ガラス中において
Ａｇ⁺とＳｎ²⁺が共存する場合に、熱還元反応として、
２Ａｇ⁺ ＋Ｓｎ²⁺ →２Ａｇ＋Ｓｎ⁴⁺が生じる
ことや、銀コロイドによってガラスに着色が生じること
が記載されている。また、この他に関連する文献とし
て、J.E. SHELBY and J.VITKO. Jr Journal of Non Cry
stalline Solids Vol50 (1982) 107-117が挙げられる。

【００５４】このように、一般的に、銀電極前駆体層を
大気放置中或は焼成後の降温中には、銀イオンが発生す
るが、本実施形態の製法によれば、銀電極前駆体層にお
ける各銀粒子の周囲に銀イオン化抑制物質が存在してい
るので、この銀イオン化抑制物質が銀イオンの生成を抑
制する働きをなし、大気放置中或は焼成後の降温中にお
ける銀イオンの発生（上記第１段階）が抑制される。従
って、銀の凝集コロイドに起因する黄変が防止される。

【００５５】よって、本実施形態の製法により製造され
たＰＤＰは、銀電極を配した従来のＰＤＰと比べると、
良好な色温度特性が得られる。なお、銀電極前駆体層と
誘電体前駆体層とは同時焼成しなくても、第１工程で銀
電極前駆体層を形成した後に、これを焼成してから、第
２工程である誘電体前駆体形成工程を行なってもよい。
ただし、銀電極前駆体層と誘電体前駆体層とを同時焼成
すれば、誘電体前駆体層によって被覆された状態で銀電
極前駆体層が焼成されるので、銀イオンがガラス基板上
に拡散しにくく、この点で更なる黄変抑制効果が期待で
きる。

【００５６】（銀電極に銀イオン化抑制物質を含ませる
ことによる特有の効果）銀電極を有するＰＤＰの黄変を
抑える方法としては、例えば、特開２０００−１６９７
６４号公報に開示されているように、誘電体ガラス層に
セリウムなどを加えることによって、銀電極から基板上
に拡散した銀イオンが還元されるのを抑制する方法も知
られている。

【００５７】このように、銀イオンが基板上に拡散され
た後にその還元を抑制する方法も、パネルの黄変抑制効
果を奏するものと考えられるが、本実施形態のように、
銀電極に銀イオン化抑制物質を含ませる方法では、銀イ
オンの発生源において銀イオンの発生自体が抑制される
ので、パネルの黄変抑制に対してより大きな効果を奏す
るものと考えられる。

【００５８】また、誘電体ガラス層にセリウムを加える
と、セリウム自体が誘電体ガラス層を黄色に着色するた
め、ＰＤＰ駆動時に高い色温度が得られにくくなってし
まう。これに対して、本実施形態では、誘電体ガラス層
に銀イオン化抑制物質を加えるものではないので、誘電
体ガラス層が銀イオン化抑制物質で着色されることな
い。従って、ＰＤＰ駆動時に高い色温度を得やすい。

【００５９】更に、誘電体ガラスにセリウムなどの成分
を新たに添加する場合、次のような実用上の難しさもあ
る。即ち、誘電体ガラス層においてひび割れなどが生じ
ると、絶縁耐圧が低下してパネル性能に直接的に支障を
きたすので、一般的に、誘電体ガラス層に用いるガラス
組成は、当該誘電体ガラス層の焼成温度に適合した軟化
温度や熱膨張率となるよう調整され、焼成時にひび割れ
などが生じにくいようになっている。ところが、すでに
調整された誘電体ガラス層用のガラスにセリウムなどを
加えると、軟化温度や熱膨張率が変動してしまうので、
これを修正するため、新たにガラス組成を調整すること
が必要となる。

【００６０】これに対して、銀電極においては、誘電体
ガラス層の場合のようにパネル性能に直接的に支障をき
たすことがない。従って、本実施形態のように銀電極に
銀イオン化抑制物質を含ませる方が実用的と考えられ
る。〔実施の形態２〕本実施の形態にかかるＰＤＰは、上記
実施の形態１にかかるＰＤＰと同様の構成である。

【００６１】ただし、上記実施の形態１では、前面パネ
ル１０１において、銀イオン化抑制物質が銀電極１０５
の中に存在していたのに対して、本実施形態では、図６
に示すように、銀電極１０５の表面上に、銀イオン化抑
制物質からなる被覆層１０８が形成されている点が異な
っている。被覆層１０８を形成する銀イオン化抑制物質
としては、実施の形態１で説明したとおりであって、ア
ルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋなど）、アルカリ土類金属
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）、貴金属以外の遷移金属（水銀，
マンガンを除く）に属する元素（Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ）や、これらの元素
の酸化物、水酸化物、ハロゲン化物、窒化物、炭化物、
硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩を用いることができる。

【００６２】また、好ましい元素として、Ｃｒ，Ａｌ，
Ｉｎ，Ｂ，Ｔｉ、Ｎｉ，Ｐｂ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｃｏ
といった元素が挙げられ、好ましい化合物としては、上
記元素の酸化物、水酸化物、ハロゲン化物も挙げられ
る。ＴｉＮ，ＺｎＮ，ＡｌＮ，ＣｒＮ，ＢＮといった窒
化物、並びに、ＴｉＣ，ＳｉＣ，ＺｒＣといった炭化物
も銀酸化物より化学結合力が強く、好ましい。

【００６３】ただし、本実施形態においては、電極表面
を覆う被覆層を形成する材料として銀イオン化抑制物質
を用いるので、成膜性の観点からして、金属元素、もし
くは化合物の中でも酸化物、窒化物、炭化物が好ましい
ということも言える。本実施形態にかかるＰＤＰにおい
ても、被覆層１０８に含まれる銀イオン化抑制物質の働
きによって、実施の形態１と同様、焼成時に銀電極１０
５において銀イオンが発生するのが抑えられる。

【００６４】被覆層１０８を形成する領域に関しては、
前面パネル１０１の可視光透過率を確保するため、銀電
極１０５の表面上だけに形成することが望ましい。ただ
し、銀イオン化抑制物質として透明性が優れた非導電性
材料を用いる場合には、前面ガラス基板１０２の表面全
体にわたって形成しても、前面パネル１０１の可視光透
過率を確保することができる。

【００６５】被覆層１０８の膜厚は、銀のイオン化を抑
制する効果を十分得るために０．０１μｍ以上とするこ
とが好ましい。一方、被覆層１０８の膜厚を大きくする
と、これを形成するのに時間及びコストがかかる点や、
誘電体ガラス層の絶縁破壊が生じる可能性もある点を考
慮すると、被覆層１０８の膜厚は１μｍ以下とすること
が好ましい。

【００６６】（前面パネルの製造方法について）本実施
形態における前面パネル１０１の製造方法は、実施の形
態１で説明した前面パネル１０１の製造方法とほぼ同様
であるが、銀電極及び誘電体ガラス層を形成する工程に
違いがある。以下、この銀電極及び誘電体ガラス層を形
成する工程について説明する。

【００６７】第１工程−銀電極前駆体層の形成：この工
程は、実施の形態１の第１工程と同様に行なうが、銀電
極用ペーストを作製する際に、銀イオン化抑制物質は混
合しない。第２工程−電極前駆体層焼成工程：銀電極前駆体に含ま
れるガラス成分の軟化点以上の温度で数分から数十分放
置し、その後に降温する。この焼成により、銀電極前駆
体層は銀電極１０５となる。

【００６８】第３工程−電極被覆工程：次に、形成され
た銀電極１０５を覆うように、上述した銀イオン化抑制
物質からなる被覆層を形成する。この被覆層を形成する
方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、めっき
法（電気めっき法及び無電解めっき法）、ゾルゲル法、
イオンプレーティング法，ＣＶＤ法等を用いることがで
きる。

【００６９】ここで、銀電極１０５の表面上だけに被覆
層を形成しようとする場合には、銀電極１０５が存在す
る箇所が開口されたマスクでカバーした状態で、この被
覆工程を行なえばよい。真空蒸着法は、一般的に金属元
素や合金の被覆層を形成するのに適しており、例えば、
Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｂや、Ｎｉ−Ｃ
ｒ合金からなる被覆層を形成することができる。また、
酸化物からなる被覆層として、Ａｌ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃，Ｓ
ｉＯ₂からなる被覆層を形成することもできる。

【００７０】スパッタリング法によっても、上記真空蒸
着法とほぼ同種の被覆層を形成することができる。めっ
き法は、金属元素の被覆層を形成するのに適しており、
例えば、Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｚｒからなる
被覆層を形成することができる。ゾルゲル法は、酸化物
の被覆層を形成するのに適しており、例えば、Ｚｒ
Ｏ₂，ＳｉＯ₂，ＴｉＯ₂，ＡｌＯ₂，Ｂ₂Ｏ₂，Ｐ₂Ｏ₂から
なる被覆層を形成することができる。

【００７１】イオンプレーティング法及びＣＶＤ法は、
酸化物，窒化物，炭化物の被覆層を形成するのに適して
いる。イオンプレーティング法では、例えば、Ｔｉ
Ｏ₂，ＺｎＯ₂，ＡｌＯ₂，ＣｒＯ₂からなる被覆層や、Ｔ
ｉＮ，ＺｎＮ，ＡｌＮ，ＣｒＮからなる被覆層を形成す
ることができ、ＣＶＤ法では、例えば上記酸化物，窒化
物からなる被覆層の他に、Ｂ₂Ｏ₃，ＢＮ，Ｐ₃Ｎ₅からな
る被覆層も形成することができる。

【００７２】なお、蒸着法やスパッタリング法を用いて
被覆層を形成する場合は、主に電極の上面に層が形成さ
れ、側面には形成されにくいが、電気めっき法を用いて
被覆層を形成すれば、銀電極の上面上だけでなく側面上
にも被覆層が形成される。この場合、電極表面が全体的
に銀イオン化抑制物質で覆われるので、銀のイオン化を
抑制する効果が大きいものと考えられる。

【００７３】第４工程−誘電体前駆体層形成工程：被覆
層付きの銀電極を覆うように、誘電体前駆体層を形成す
る。この工程は、実施の形態１の第２工程と同様であ
る。第５工程−焼成工程この工程は、実施の形態１の第３工程と同様であって、
誘電体前駆体層に含まれるガラス成分の軟化点以上の温
度で焼成する。

【００７４】以上説明した本実施形態の製造方法によれ
ば、第５工程（焼成工程）を行なうときには銀電極が被
覆層で覆われており、その被覆層に含まれる銀イオン化
抑制物質が銀イオンの生成を抑制する働きをなす。従っ
て、焼成工程における銀イオンの発生が抑制される。ま
た、銀電極が被覆層で覆われているため、生成された銀
イオンの拡散を防ぐ働きをなす。

【００７５】よって、銀の凝集コロイドに起因するパネ
ルの黄変が防止されるので、上記製法により作製された
ＰＤＰは、銀電極を備える従来のＰＤＰと比べると、良
好な色温度特性が得られる。

【００７６】

【実施例】

【００７７】

【表１】

【００７８】表１に示す試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５のＰＤ
Ｐは、上記実施の形態１に基づいて、銀電極中に銀イオ
ン化抑制物質としてＣｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ，Ｔｉを含有
させたものであって、この銀電極は、銀ペースト中に、
銀粒子に対して各銀イオン化抑制物質を５ｗｔ％添加し
たものを用いて形成した。また、試料Ｎｏ．６〜Ｎｏ．
１０のＰＤＰは、実施の形態２に基づいて、銀電極の表
面上に、真空蒸着法で銀イオン化抑制物質（Ｃｒ，Ａ
ｌ，Ａｌ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，ＳｉＯ₂）からなる被覆層を、
膜厚０．３〜０．５μｍの範囲内で形成したものであ
る。

【００７９】試料Ｎｏ．１１のＰＤＰは、比較例にかか
るものであって、銀電極中に銀イオン化抑制物質は含ま
れず、被覆層も形成していないものである。以下の仕様
については、試料Ｎｏ．１〜１１のＰＤＰに共通であ
る。ガラス基板としては、フロート法で形成された旭硝
子製ＰＤ２００を用いた。誘電体ガラス層は、ＰｂＯ−
Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＣａＯ系ガラスを主成分とする誘電
体用ガラスペーストを用い、印刷法にて約３０μｍの厚
みで形成した。ＭｇＯ保護層はスパッタ法で形成した。

【００８０】ＰＤＰのセルサイズは、４２インチのＶＧ
Ａ用のディスプレイに合わせて、隔壁１１５の高さは
０．１５ｍｍ、隔壁１１５の間隔（セルピッチ）は０．
３６ｍｍに設定し、表示電極１０３の電極間距離ｄは
０．１０ｍｍに設定した。（パネルの黄変度並びに色温度の測定）以上の試料Ｎ
ｏ．１〜１１のＰＤＰを作製する際に、各前面パネルに
ついて、色差計〔日本電色工業（株）品番ＮＦ７７７〕
を用いて、ａ*値，ｂ*値の値〔ＪＩＳＺ８７３０色差
表示方法〕を測定した。

【００８１】このａ*値及びｂ*値は、パネルの着色度合
や着色傾向を示す指標となる。即ち、ａ*値が＋方向に
大きくなるほど赤色が強くなり、−方向に大きくなるほ
ど緑色が強くなる。一方、ｂ値は＋方向に大きくなるほ
ど黄色が強くなり、−方向に大きくなるほど青色が強く
なる。そして、ａ*値が−５〜＋５の範囲、ｂ*値が−５
〜＋５の範囲であれば、肉眼でもガラス基板の着色（黄
変）はほとんど見られないが、ｂ*値が１０を越えると
肉眼でも黄変が目立って来る。

【００８２】また、Ｎｏ．１〜１１のＰＤＰについて、
マルチャンネル分光計〔大塚電子（株）ＭＣＰＤ−７０
００〕で、パネルを画面全白表示した時の色温度を測定
した。これらの測定結果は、表１に示す通りである。（考察）測定結果を見ると、比較例にかかるＮｏ．１１
のＰＤＰでは、ｂ*値が１０を上回っており黄変が目立
っているのに対して、実施例にかかるＮｏ．１〜１０の
ＰＤＰでは、ｂ*値がいずれも０．４〜２．０の範囲内
に入っており、黄変がほとんどないことがわかる。

【００８３】又、比較例のＰＤＰでは、色温度が６４０
０Ｋと低いのに対して、実施例のＰＤＰでは、色温度が
８９００Ｋ以上と高いこともわかる。これらの結果は、
実施例のＰＤＰは、比較例のＰＤＰと比べて、色再現性
が良く、鮮やかに表示ができることを示している。な
お、誘電体ガラス層の材料として、上記ＰｂＯ系以外に
Ｂｉ₂Ｏ₃系やＺｎＯ系の誘電体用ガラスを用いた場合に
おいても、同様の結果が得られた。

【００８４】また、上記測定結果は、Ｃｒ，Ａｌ，Ｉ
ｎ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｂといった元素やその酸化物が、銀イ
オン化抑制物質として優れていることも裏付けている。（変形例など）上記実施の形態においては、前面パネル
側の黄変がＰＤＰの画質に対して大きな影響を及ぼすこ
とを考慮して、本発明を表示電極に対して適用する例を
示したが、背面パネル側のアドレス電極に対して適用す
れば、背面パネルの黄変を抑えることもできる。

【００８５】また、上記実施の形態においては、銀電極
上を誘電体ガラス層で蔽ったＡＣ面放電型のＰＤＰを例
にとって説明したが、放電空間に露出する銀電極がガラ
ス基板上に形成されたＤＣ型のＰＤＰにおいても、本発
明を適用することによって、同様にガラス基板の黄変抑
制効果が得られる。

【００８６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、基板に
銀電極が配されたＰＤＰにおいて、当該銀電極に、標準
電極電位が銀よりも低い元素または化合物、或は、銀よ
りもイオン化傾向が大きい元素または当該元素の化合物
を銀イオン化抑制物質として含ませることによって、パ
ネルの黄変を防止できる。

【００８７】また、基板に銀電極が配されたＰＤＰにお
いて、上記「銀イオン化抑制物質」が、銀電極を覆う層
として存在していても、同様に銀のイオン化を抑制する
効果を奏し、パネルの黄変を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態に係るＡＣ面放電型ＰＤＰの構成を
示す組立斜視図である。

【図２】実施の形態１にかかる前面パネルの断面図であ
る。

【図３】イオン化傾向、電子エネルギー及び標準電極電
位の関係を説明する図である。

【図４】上記前面パネルの断面摸式図である。

【図５】銀電極転写フィルムを用いて銀電極前駆体層を
パターニング形成する方法を説明する図である。

【図６】実施の形態２にかかる前面パネルの断面図であ
る。

【図７】従来のＰＤＰにおいてガラス基板や誘電体ガラ
ス層に黄変が生じるメカニズムを説明する図である。

【符号の説明】

１０１前面パネル１０２前面ガラス基板１０３表示電極１０４透明電極１０５銀電極１０６誘電体ガラス層１０７保護層１０８被覆層１１１背面パネル１１２背面ガラス基板１１３アドレス電極１１４誘電体ガラス層１１５隔壁２００電極転写フィルム２０１支持フィルム２０２銀電極前駆体層２１０加熱ローラ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者青木正樹大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者住田圭介大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者芦田英樹大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者日比野純一大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者足立大輔大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5C027 AA03 AA10 5C040 FA01 FA04 GA02 GB03 GC05 GC18 JA07 JA08 JA09 JA15 JA19 KA16 KB17 KB30 MA05 MA30

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１対の基板が間隙を置いて対向して配設
されると共に、当該１対の基板の少なくとも一方の上
に、銀を含有する電極が配されたプラズマディスプレイ
パネルであって、前記電極には、標準電極電位が銀よりも低い元素または化合物が含まれ
ていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】前記電極は、互いに結合されている複数
の銀粒子を有し、前記標準電極電位が銀よりも低い元素または化合物は、当該銀粒子間における一部または全部の当該銀粒子の表
面付近に存在していることを特徴とする請求項１記載の
プラズマディスプレイパネル。
【請求項３】前記電極における、標準電極電位が銀よ
りも低い元素または化合物の銀に対する含有量は、１ｗ
ｔ％以上、２０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求
項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】１対の基板が間隙を置いて対向して配設
されると共に、当該１対の基板の少なくとも一方の上
に、銀を含有する電極が配されたプラズマディスプレイ
パネルであって、前記電極には、標準電極電位が０．８Ｖよりも低い元素または化合物が
含まれていることを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネル。
【請求項５】１対の基板が間隙を置いて対向して配設
されると共に、当該１対の基板の少なくとも一方の上
に、銀を含有する電極が配されたプラズマディスプレイ
パネルであって、前記電極には、銀よりもイオン化傾向の大きい元素または当該元素の化
合物が含まれていることを特徴とするプラズマディスプ
レイパネル。
【請求項６】前記電極における、銀よりもイオン化傾
向の大きい元素または当該元素の化合物は、銀よりも化学結合力の強い酸化物を形成することを特徴
とする請求項５記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】１対の基板が間隙を置いて対向して配設
されると共に、当該１対の基板の少なくとも一方の上
に、銀を含有する電極が配されたプラズマディスプレイ
パネルであって、前記電極には、Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｂから選択される１種
以上の元素または当該元素の化合物が含まれていること
を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】１対の基板が間隙を置いて対向して配設
されると共に、当該１対の基板の少なくとも一方の上
に、銀を含有する電極が配されたプラズマディスプレイ
パネルであって、前記電極は、標準電極電位が銀よりも低い元素または化合物からなる
層で覆われていることを特徴とするプラズマディスプレ
イパネル。
【請求項９】１対の基板が間隙を置いて対向して配設
されると共に、当該１対の基板の少なくとも一方の上
に、銀を含有する電極が配されたプラズマディスプレイ
パネルであって、前記電極は、銀よりもイオン化傾向の大きい元素または当該元素の化
合物からなる層で覆われていることを特徴とするプラズ
マディスプレイパネル。
【請求項１０】前記層に含まれる、銀よりもイオン化
傾向の大きい元素または当該元素の化合物は、銀よりも化学結合力の強い酸化物を形成することを特徴
とする請求項９記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】１対の基板が間隙を置いて対向して配
設されると共に、当該１対の基板の少なくとも一方の上
に、銀を含有する電極が配されたプラズマディスプレイ
パネルであって、前記電極は、Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｂから選択される１種
以上の元素または当該元素の化合物からなる層で覆われ
ていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】請求項１〜１１記載のいずれかに記載
のプラズマディスプレイパネルと、当該プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路と
を備えるプラズマディスプレイ表示装置。
【請求項１３】銀を含有する電極材料を基板上に配す
る電極材料配設ステップと、前記基板上に配された電極材料を加熱する加熱ステップ
とを備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法であ
って、前記電極材料配設ステップで用いる電極材料には、標準電極電位が銀よりも低い元素または化合物が含まれ
ていることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。
【請求項１４】前記電極材料配設ステップで用いる電
極材料には、銀粒子と、前記標準電極電位が銀よりも低い元素または化合物とが
含まれていることを特徴とする請求項１３記載のプラズ
マディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】前記電極材料配設ステップで用いる電
極材料における、標準電極電位が銀よりも低い元素また
は化合物の銀に対する含有量は、１ｗｔ％以上、２０ｗ
ｔ％以下であることを特徴とする請求項１３記載のプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１６】前記加熱ステップでは、前記電極材料を焼結できる温度まで当該電極材料を加熱
することを特徴とする請求項１３記載のプラズマディス
プレイパネルの製造方法。
【請求項１７】銀を含有する電極材料を基板上に配す
る電極材料配設ステップと、前記基板上に配された電極材料を加熱する加熱ステップ
とを備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法であ
って、前記電極材料配設ステップで用いる電極材料には、銀よりもイオン化傾向が大きい元素または当該元素の化
合物が含まれていることを特徴とするプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。
【請求項１８】前記電極材料に含まれる、銀よりもイ
オン化傾向が大きい元素または当該元素の化合物は、銀よりも化学結合力の強い酸化物を形成することを特徴
とする請求項１７記載のプラズマディスプレイパネルの
製造方法。
【請求項１９】銀を含有する電極材料を基板上に配す
る電極材料配設ステップと、基板上に配された電極材料を加熱する加熱ステップとを
備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法であっ
て、前記電極材料配設ステップの後に、基板上に配設された電極材料を、標準電極電位が銀よりも低い元素または化合物からなる
層で覆う被覆ステップを備えることを特徴とするプラズ
マディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２０】銀を含有する電極材料を基板上に配す
る電極材料配設ステップと、基板上に配された電極材料を加熱する加熱ステップとを
備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法であっ
て、前記電極材料配設ステップの後に、基板上に配設された電極材料を、銀よりもイオン化傾向の大きい元素または当該元素の化
合物からなる層で覆う被覆ステップを備えることを特徴
とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２１】前記被覆ステップで用いる、銀よりも
イオン化傾向が大きい元素または当該元素の化合物は、銀よりも化学結合力の強い酸化物を形成することを特徴
とする請求項２０記載のプラズマディスプレイパネルの
製造方法。
【請求項２２】銀を含有する電極材料を基板上に配す
る電極材料配設ステップと、基板上に配された電極材料を加熱する加熱ステップとを
備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法であっ
て、前記電極材料配設ステップで用いる電極材料には、Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｂから選択される少な
くとも一種類の元素または当該元素の化合物が含まれて
いることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製
造方法。
【請求項２３】銀を含有する電極材料を基板上に配す
る電極材料配設ステップと、基板上に配された電極材料を加熱する加熱ステップとを
備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法であっ
て、前記電極材料配設ステップの後に、基板上に配設された電極材料を、Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｂから選択される少な
くとも一種類の元素または当該元素の化合物からなる層
で覆う被覆ステップを備えることを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２４】プラズマディスプレイパネルの電極形
成に用いられる電極用ペ−ストであって、銀を含有すると共に、標準電極電位が銀よりも低い元素
または化合物を含有することを特徴とする電極用ペ−ス
ト。
【請求項２５】プラズマディスプレイパネルの電極形
成に用いられる電極用ペ−ストであって、銀を含有すると共に、銀よりもイオン化傾向の大きい元
素または当該元素の化合物を含有することを特徴とする
電極用ペ−スト。
【請求項２６】プラズマディスプレイパネルの電極形
成に用いられる電極用ペ−ストであって、銀を含有すると共に、Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｂから選択される少な
くとも一種類の元素または当該元素の化合物を含有する
ことを特徴とする電極用ペ−スト。
【請求項２７】プラズマディスプレイパネルの電極形
成に用いられ、支持フィルム上に電極膜形成材料層が形
成されている転写フィルムであって、前記電極膜形成材料層は、銀を含有すると共に、標準電極電位が銀よりも低い元素
または化合物を含有することを特徴とする転写フィル
ム。
【請求項２８】プラズマディスプレイパネルの電極形
成に用いられ、支持フィルム上に電極膜形成材料層が形
成されている転写フィルムであって、前記電極膜形成材料層は、銀を含有すると共に、銀よりもイオン化傾向の大きい元
素または当該元素の化合物を含有することを特徴とする
転写フィルム。
【請求項２９】プラズマディスプレイパネルの電極形
成に用いられ、支持フィルム上に電極膜形成材料層が形
成されている転写フィルムであって、前記電極膜形成材料層は、銀を含有すると共に、Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｂから選択される少な
くとも一種類の元素または当該元素の化合物を含有する
ことを特徴とする転写フィルム。