KR20020072593A - 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 및 플라즈마디스플레이 패널 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 및 플라즈마디스플레이 패널 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 패널의 황변(yellowing)의 저감 및 고휘도이고 고화질인 플라즈마 디스플레이 패널을 제공할 수 있는 제조방법과, 그것에 의해 얻어지는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
그를 위해, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에서는, 전극의 형성공정에서, 유리기판 상에 금속산화물을 포함하는 하지층을 형성하는 하지층 형성단계와, 상기 하지층 상에서의 금속층을 형성하고자 하는 소정 영역에 팔라듐을 부착시키는 석출촉진 처리단계를 거친 후, 무전해도금법에 의해 상기 소정 영역에 금속층을 형성하는 것으로 하였다. 여기서, 상기 하지층에 포함되는 금속산화물은 산화니켈, 산화코발트, 산화철, 산화아연, 산화인듐, 산화동, 산화티타늄, 산화프라세오듐 및 산화규소 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 것이 바람직하다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 및 플라즈마 디스플레이 패널{METHOD OF PRODUCING PLASMA DISPLAY PANEL AND PLASMA DISPLAY PANEL}
플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP라 함)은 크게 직류(DC)형과 교류(AC)형으로 나뉘어지지만, 현재로는 대형화에 적합한 AC형이 주류를 이루고 있다.
AC형 PDP는 한쪽 면에 복수개의 표시전극이 서로 평행하게 설치된 전면 유리기판과, 한쪽 면에 상기 표시전극과 직교하여 복수개의 어드레스전극이 설치된 배면 유리기판이 격벽을 개재하여 대향하여 배치되고, 양 유리기판 사이에서의 격벽으로 구획된 방전공간 내에는 적색, 녹색, 청색의 형광체층이 설치되며, 방전가스가 봉입됨으로써 각 색발광셀이 형성되는 구조를 갖는다.
이러한 구조를 갖는 PDP는 각 전극이 구동회로로부터 전압이 인가되는 것에 의해 방전을 일으킴으로써 자외선을 방출하고, 형광체층의 형광체입자(적색, 녹색, 청색)가 이 자외선을 받아 여기발광한다.
상기 표시전극에는 은(Ag) 등의 금속이 이용되거나 또는 도 10에 나타내는 바와 같은 ITO(Indium Tin Oxide)층(521) 상에 은(Ag)이나 동(Cu)이나 크롬(Cr) 등의 금속층(522)을 적층한 것이 이용된다. 그리고, 그 형성에는 도 11의 (a), (b)에 나타내는 바와 같은 방법이 일반적으로 이용된다.
도 11의 (a)에 나타내는 방법은 포토리소그래피법에 의해 Ag 전극을 형성하는 것이다. 이 방법의 경우, Ag 전극은 유리기판 상에 포토 Ag의 페이스트를 도포하고, 마스크를 이용하여 노광한 후, 현상 및 소성을 행함으로써 형성된다.
또, 도 11의 (b)에 나타내는 방법은 포토리소그래피법에 의해 ITO층 상에 Cr/Cu/Cr층이 적층된 전극을 형성하는 것이다. 이 방법의 경우, 전극은 유리기판 상에 스퍼터링법에 의해 ITO층 및 Cr/Cu/Cr층을 차례로 형성한 후, 에칭함으로써 형성된다.
그러나, 전극에 Ag를 이용한 경우에는 유리기판에 황변이 발생한다는 문제점이 생기고, 또 Cr/Cu/Cr을 이용한 경우에는 Cu에 의한 청색착색이라는 문제점을 생기게 한다. 특히, Ag에 의한 황변은 발광시의 색순도 저하로 이어진다. 이것은 전극의 소성공정 중 및 유전체층의 소성공정 중에 전극의 Ag가 Ag 이온의 형태로 유리기판및 유전체층으로 확산되고, 그것이 유리 중의 주석(Sn)이온, 나트륨(Na)이온, 납(Pb)이온으로 환원되어 Ag 콜로이드입자를 석출한다는 메커니즘에 의한 것이다.
또, 전극의 소성공정에서, 전극이 수축을 일으키기 때문에, 형성 후의 전극에 잔류응력이 생겨 전극 또는 기판 자체가 변형된다는 문제점을 갖는다. 이러한 변형은 제조수율의 악화, 비용상승이라는 문제점으로 이어진다. 특히, 최근의 하이비전 TV에 요구되는 고선명 패턴으로 후막의 전극형성을 행하는 경우에는 현저해진다.
한편, 도 11의 (b)의 방법에서는 금속층의 두께를 확보하기 위해 장시간을 필요로 한다.
이러한 문제점에 대해서는 일본 특허 3107018호 공보에서 기판 상에 형성된 하지층의 표면 상에 전해도금법에 의해 금속전극을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법에서는 금속전극을 형성하고자 하는 영역에서만 도금을 행하는데, 상기 영역 이외의 부분에 포트리소그래피법을 이용하여 레지스트 마스크를 형성하는 방법을 채용하고 있다. 이러한 방법은 전극의 소성공정이 불필요하므로, 황변의 문제점이 없어 제조수율면에서는 유리하지만, 전착(電着)에 의한 전극의 형성을 행하기 위해 상기 하지층이 도전성을 가질 필요가 있어, 이용할 수 있는 재질에 제한을 받는다는 문제점이 생긴다. 또, 전극을 형성하지 않는 영역에 레지스트 마스크를 설치하는 공정이 필요하게 되므로, 그 만큼 공정이 복잡해지는 것도 문제점이 된다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 및 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에서의 PDP의 주요부사시도.
도 2는 도 1의 X-X 화살표시단면도.
도 3은 펜스(fence)전극을 구비하는 전면(全面)패널의 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에서의 금속층의 형성방법을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에서의 PDP의 전극의 형성방법을 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 실시예에서의 PDP의 전극의 형성방법을 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 실시예에서의 PDP 전극 형성시에 이용하는 스퍼터링장치의 개략도.
도 8은 본 발명의 실시예에서의 PDP 전극 형성시에 이용하는 CVD장치의 개략도.
도 9는 본 발명의 실시예에서의 PDP 전극형성시에 이용하는 딥코팅장치의 개략도.
도 10은 종래의 전면 패널의 단면도.
도 11은 종래의 PDP 전극의 형성방법을 설명하기 위한 도면.
본 발명은 이상과 같은 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 패널의 황변의 저감 및 고휘도이고 고화질인 PDP를 제공할 수 있는 제조방법과, 그것에 의해 얻어지는 PDP를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 제 1 기판의 한쪽 면에 복수개의 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성공정과, 제 2 기판의 한쪽 면에 복수개의 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성공정과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 대향배치하는 기판배치공정을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서, 상기 제 1 전극 형성공정 및 상기 제 2 전극 형성공정 중 적어도 한쪽은 기판의 한쪽 면에 하지층을 형성하는 하지층 형성단계와, 상기 하지층 상에서 금속층을 형성하고자 하는 영역에 대하여 금속재료의 석출반응을 촉진시키는 처리를 행하는 석출촉진 처리단계와, 상기 석출촉진 처리단계에서의 상기 처리를 행하면서 또는 상기 처리를 행한 후에 무전해도금법에 의해 상기 영역에 금속층을 형성하는 금속층 형성단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 하지층은 도전성이어도 되고 절연성이어도 되지만, 도전성인 경우에는 패터닝을 행할 필요가 있다.
이와 같은 특징을 갖는 PDP의 제조방법은 상기 금속층의 형성에 무전해도금법을 이용하므로, 전극의 두께를 확보하는 것이 용이한 동시에, 전극의 형성에 있어서 소성할 필요가 없으므로, 형성 후의 전극에 잔류응력을 생기게 하지도 않고, 그와 함께 전극형성시에 기판에서 황변이 발생하는 것을 억제할 수도 있다.
또, 상기 금속층은 상기 석출촉진 처리단계에서 상기 금속재료의 석출반응을 촉진시키는 처리를 실시한 상태에서 형성이 행해지므로, 치밀한 동시에, 상기 하지층과의 사이에 강한 밀착력을 갖는다. 여기서, 상기 처리는 금속층 형성단계 전에 행해도 되고, 병행하여 행해도 된다.
또, 이러한 방법은 레지스트 마스크를 이용하지 않아도 선택적으로 필요한 부분에만 금속층을 형성할 수 있다.
또, 기판 상에 금속산화물 등으로 이루어지는 하지층을 형성하고, 그 위에Ag 등의 금속층을 형성함으로써 전극을 형성한다는 적층구조를 채용하는 것도 황변의 방지에 기여한다. 이것은 상기 하지층이 금속층에서 기판으로 금속이온이 확산되는 것을 억제하기 때문이다.
상기 석출촉진 처리단계에서의 금속재료의 석출반응을 촉진시키는 처리로서 구체적으로는, 금속석출반응을 촉진시키는 촉매를 상기 영역으로 부가하는 방법이 바람직하다.
또, 상기 촉매는 팔라듐인 것이 바람직하다.
상기 촉매의 부가는 상기 하지층이 형성된 기판을 팔라듐을 포함하는 산성의 수용액에 침지하고, 상기 산성의 수용액을 통해 상기 영역에 광을 조사함으로써 행할 수 있다.
상기 팔라듐을 포함하는 산성의 수용액은 질산팔라듐 수용액 또는 초산팔라듐 수용액인 것이 바람직하다. 이것은 염산팔라듐 수용액을 이용하는 경우에 비하여 팔라듐의 부착밀도가 높아지기 때문이다.
이 방법의 경우, 상기 하지층의 광이 닿지 않은 부분만을 선택적으로 제거함으로써 패터닝할 수 있다. 요컨대, 하지층의 팔라듐을 부착시킨 영역은 팔라듐이 보호막이 되어 에칭되지 않는 데 대하여, 팔라듐을 부착시키지 않은 영역의 하지층은 제거된다.
또, 상기 하지층 상에 소정 패턴의 레지스트막을 형성하고, 상기 하지층에 팔라듐을 스퍼터링법으로 부착시킨 후, 상기 레지스트막을 제거하는 방법에 의해서도 상기 영역에 팔라듐을 부착시킬 수 있다.
다음에, 팔라듐 등의 촉매를 이용하지 않고 상기 영역에 금속층을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
상기 석출촉진 처리단계와 금속층 형성단계는 병행하여 실시되는 것으로, 상기 하지층이 형성된 기판을 무전해도금액에 침지하고, 마스크를 통해 상기 영역에 광을 조사함으로써 상기 영역에 금속층을 형성할 수 있다.
이것은 무전해도금액을 통해 상기 하지층에 광을 조사함으로써 광을 여기한 전자에 의한 금속의 환원석출반응을 이용하는 것이다.
상기 하지층은 기판과의 밀착성 및 금속이온이 기판으로 확산되는 것을 방지한다는 면에서 금속산화물로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 하지층 형성단계에서는, 상기 기판 상에 금속 또는 금속산화물을 포함하는 감광성막을 형성하고, 현상, 에칭을 행함으로써 소정영역으로의 하지층의 형성을 행하고, 이로 인하여, 레지스트막 등을 이용하지 않고 소정의 패턴으로 패터닝된 하지층을 형성할 수 있다.
상기 감광성막은 β-디케톤킬레이트류로 치환한 금속알콕시드로부터 생성된 졸막에 열처리를 행함으로써 얻어지는 겔막 또는 금속산화물 또는 금속알콕시드를 포함하는 유기폴리실란막을 이용할 수 있다.
이러한 막은 무색투명하기 때문에 하지층으로서 바람직한 것이다.
또, 상기 하지층은 스퍼터링법, CVD법, 딥코팅(deep coating)법, 스프레이 열분해법 등을 이용하여 형성하는 것도 가능하다.
상기 금속산화물은 산화니켈, 산화코발트, 산화철, 산화아연, 산화인듐, 산화동, 산화티타늄, 산화프라세오듐, 산화규소 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 것이 바람직하다.
또, 본 발명은 제 1 기판의 한쪽 면에 복수개의 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성공정과, 제 2 기판의 한쪽 면에 복수개의 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성공정과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 대향배치하는 기판배치공정을 갖는 PDP의 제조방법에 있어서, 상기 제 1 전극 형성공정 및 상기 제 2 전극 형성공정 중 적어도 한쪽은 기판의 한쪽 면에 금속재료의 석출반응의 응답성이 상기 기판의 표면에 비하여 향상된 표면을 갖는 하지층을, 금속층을 형성하고자 하는 영역에 형성하는 하지층 형성단계와, 무전해도금법에 의해 상기 하지층 상에 금속층을 형성하는 금속층 형성단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 PDP의 제조방법에서는 기본적으로 하지층의 표면 전체를 덮도록 금속층이 형성된다. 그리고, 상기 방법과 마찬가지로 황변의 발생을 억제할 수 있는 동시에, 형성되는 금속층은 치밀한 동시에, 상기 하지층과의 사이에 강한 밀착력을 갖는다.
여기서, 상기 하지층은 상술한 바와 같이 금속산화물을 패터닝하는 동시에, 그 표면 전체에 팔라듐을 부착시킴으로써 형성하는 것도 가능하지만, 산화아연으로 형성함으로써 팔라듐을 부착시키지 않아도 되므로 바람직하다. 이것은 산화아연으로 이루어지는 층의 표면이 무전해도금시에 양호한 금속재료석출 응답성을 갖기 때문이다.
구체적으로, 산화아연으로 이루어지는 층을 형성하는 수단으로서, 기판의 한쪽 면 전체에 열 CVD법 또는 플라즈마 CVD법에 의해 산화아연막을 형성하고, 상기산화아연막 상에서의 금속층을 형성하고자 하는 영역에 레지스트막을 형성하며, 에칭을 행한 후, 상기 레지스트막을 제거하는 방법이 바람직하다.
산화아연막의 형성에 열 CVD법 또는 플라즈마 CVD법을 이용한 경우, 스프레이 열분해법 등을 이용하는 경우에 비하여 기판과의 사이에서 강한 밀착력을 갖는 산화아연막을 형성할 수 있다.
이상 설명한 제조방법은 특히 복수개의 제 1 전극이 각각 복수의 라인부로 이루어지는 PDP를 제조하는데에 적합하다.
또, 본 발명은 복수개의 제 1 전극이 형성된 제 1 기판과, 복수개의 제 2 전극이 형성된 제 2 기판을 갖는 PDP에 있어서, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 적어도 한쪽은 금속산화물을 포함하는 층 상에 금속층이 적층된 구조를 갖는 동시에, 상기 금속산화물을 포함하는 층과 상기 금속층의 계면에는 팔라듐을 갖는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 특징을 갖는 PDP는 전극이 치밀하고 기판과 강한 밀착력을 갖는 동시에, 기판에서의 황변이 적다.
그리고, 상기 금속산화물은 산화니켈, 산화코발트, 산화철, 산화아연, 산화인듐, 산화동, 산화티타늄, 산화프라세오듐 및 산화규소 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 것이 바람직하다.
도 1은 실시예에 관한 AC형 PDP를 나타내는 주요부사시도로서, 표시영역의 일부를 나타낸다.
이 PDP는 전면 패널(10)과 배면 패널(20)이 서로 평행하게 간격을 두고 대향배치된 구성을 갖는다.
전면 패널(10)은 전면 유리기판(11)의 한쪽 면(도 1에서는 하면)에, 제 1 전극으로서의 표시전극(12), 투명유전체층(13), 보호층(14)이 차례로 형성되어 이루어진다. 한편, 배면 패널(20)은 배면 유리기판(21)의 한쪽 면(도 1에서는 상면)에제 2 전극으로서의 어드레스전극(22), 백색 유전체층(23), 격벽(24)이 차례로 형성되고, 상기 격벽(24)과 상기 백색 유전체층(23)으로 형성되는 홈의 벽부분에 형광체층(25)이 설치되어 이루어진다. 또, 형광체층(25)은 적색, 녹색, 청색의 순으로 반복 나열되어 있다.
상기 전면 유리기판(11) 및 배면 유리기판(21)에는 플로트법으로 제조되는 유리판이 이용되고 있다.
그리고, 상기 전면 패널(10)과 상기 배면 패널(20)과의 간극은 서로 평행하게 배치된 상기 격벽(24)으로 구획됨으로써 방전공간(30)이 형성되고, 방전가스가 봉입되어 있다.
도 2는 도 1의 X-X 화살표시단면을 나타내는 도면이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 상기 표시전극(12)은 금속산화물층(121)과 금속층(122)의 2층 구조를 갖는다.
상기 구조를 갖는 PDP의 제조방법에 대하여 이하에 설명한다.
(전면 패널(10)의 제작)
우선, 전면 유리기판(11)의 한쪽 면에 표시전극(12)을 형성한다. 이 표시전극(12)의 형성방법에 대해서는 후술하는 (표시전극(12)의 형성방법)에서 설명한다.
그리고, 상기 표시전극(12) 상을 덮도록 제트밀(jet mill)로 그 평균입자직경이 1.5㎛까지 분쇄된 유리분말(예컨대, 니혼덴키가라스(주)제품 상품명 PLS-3244 PbO-B2O3-SiO3-Ca0계 유리)을 포함하는 페이스트를 다이코트법 또는 스크린인쇄법으로 도포하여 소성함으로써 유전체층(13)을 형성한다. 이 경우의 페이스트에는 상기 유리분말 35∼70wt% 외에, 에틸셀룰로우즈 5∼15wt%를 포함하는 터피네올, 부틸카르비톨아세테이트 또는 펜탄디올로 이루어지는 바인더성분을 첨가하여 잘 혼합한 것이 이용된다. 또, 페이스트 혼합 중에는, 유리분말체의 분산성이나 침강방지효과를 향상시킬 목적으로 비이온성 계면활성제를 0.1∼3.0wt% 정도 첨가해도 된다.
다음에, 상기 유리기판(11)을 건조한 후, 유리의 연화점보다 조금 높은 온도(550℃∼590℃)로 소성한다.
이와 같이 형성된 유전체층(13)의 표면에 예컨대, 스퍼터법에 의해 MgO로 이루어지는 보호층(14)을 형성한다.
이상과 같이 하여, 전면 패널(10)이 제작된다.
(배면 패널(20)의 제작)
배면 유리기판(21) 상에 은전극용 페이스트를 스크린인쇄하고, 그 후 소성하는 방법으로 어드레스전극(22)을 형성하며, 그 위에 산화티타늄(TiO2)입자와 유전체 유리입자를 포함하는 페이스트를 스크린인쇄법으로 도포하여 소성함으로써 백색 유전체층(23)을 형성하고, 격벽용의 유리페이스트를 스크린인쇄법으로 도포한 후 소성함으로써, 또는 샌드블러스트법에 의해 격벽(24)을 형성한다.
그리고, 적색, 녹색, 청색의 각 색형광체 페이스트를 제작하고, 이것을 격벽(24)과 백색 유전체층(23)으로 형성되는 홈의 벽부분에 스크린인쇄법을 이용하여 도포하며, 공기 중에서 소성(예컨대, 500℃에서 10분간 소성)함으로써 각 색형광체층(25)을 형성한다.
이상과 같이 하여, 배면 패널(20)이 제작된다.
또, 각 색형광체층(25)의 형성에는 각 색의 형광체재료를 함유하는 감광성 수지의 시트를 제작하고, 이것을 배면 유리기판(21)의 격벽(24)을 배치한 쪽의 면에 접착하고, 포트리소그래피법으로 패터닝하여 현상함으로써, 불필요한 부분을 제거하는 방법을 이용할 수도 있다.
(전면 패널(10)과 배면 패널(20)의 밀봉)
이와 같이 제작된 전면 패널(10) 및 배면 패널(20)의 어느 한쪽 또는 양쪽에 밀봉용 유리(유리프릿)를 도포하고, 임시 소성하여 밀봉유리층을 형성하며, 전면 패널(10)의 표시전극(12)과 배면 패널(20)의 어드레스전극(22)이 직교하여 대향하도록 겹쳐 양 패널을 가열하여 밀봉유리층을 연화시킴으로써 밀봉한다.
그리고, 밀봉에 의해 형성된 방전공간(30)을 고진공(1.1 ×10-4Pa)으로 배기한 후, 방전가스를 소정 압력으로 봉입함으로써 PDP가 제작된다.
다음에, 본 발명에 관한 실시예에서 특징부분인 표시전극(12)의 형성방법에 대하여 설명한다.
(표시전극(12)의 형성방법)
(제 1 형태)
표시전극(12)을 형성하는 공정은 금속산화물을 포함하는 하지층(121)의 형성공정 및 금속층(122)의 형성공정으로 크게 나뉘어지지만, 제 1 형태에서는금속층(122)의 형성공정 이전에 상기 하지층(121) 상에서의 상기 금속층(122)을 형성하고자 하는 소정 영역에서, 금속재료의 석출반응을 촉진시키는 처리를 행한다. 또, 이 소정 영역은 도 2에 나타내는 바와 같이, 패터닝된 하지층(121) 상의 전체여도 되고, 금속산화물을 포함하는 층(121) 상의 일부분(금속산화물을 포함하는 층(121)보다 좁은 부분)이어도 된다. 이 일부분이란 예컨대, 도 10에 나타내는 바와 같은, 굵은 폭의 ITO층(521) 상에 가는 폭의 금속층(522)을 적층하는 경우이다.
우선, 유리기판(11) 상에 하지층(121)을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
(1) 하지층(121)의 형성
상기 하지층(121)은 유리기판(11)과의 밀착성이 우수하고, 금속이온이 상기 유리기판(11)으로 확산되는 것을 막을 수 있는 것이면, 도전성인 것이어도 되고, 절연성인 것이어도 된다. 단, 도전성인 것을 이용하는 경우에는, 패터닝을 행할 필요가 있다. 그리고, 상기 하지층(121)은 발광시에 실질적으로 광을 차단하지 않을 정도로 투명하면 되고, 0.1㎛ 정도의 엷은 것이면, 이용하는 재료에 제한은 없다. 구체적으로는, 산화니켈, 산화코발트, 산화철, 산화아연, 산화인듐, 산화동, 산화티타늄, 산화프라세오듐 및 산화규소에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다.
이하, (1-1)∼(1-5)에서, 하지층(121)의 형성방법의 구체예에 대하여 설명한다.
(1-1) 스퍼터링법
도 7은 스퍼터장치의 개략도이다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 스퍼터장치(70)는 플라즈마를 발생시키는 고주파전원(78), 유리기판(77)을 가열하는 히터부(76), 장치 내부를 감압하는 배기장치(79), Ar 가스봄베(74), 산소봄베(72)로 구성된다.
상기 고주파전원(78)은 장치 본체의 타겟(73)에 접속된다. 상기 타겟(73)은 금속산화물의 원료가 되는 산화물(NiO, CoO, FeO, ZnO, In2O3, TiO2, Pr6O11, SiO2) 또는 이들을 복합한 것이다.
다음에, 이러한 장치를 이용하여 행하는 금속산화물막의 형성에 대하여 설명한다.
상기 히터(76) 상에 유리기판(77)을 두고, 소정의 온도(250℃)로 가열하는 동시에, 상기 배기장치(79)를 이용하여 장치 내부를 감압한다(1.33 ×10-1Pa). 다음에, 상기 Ar 가스봄베(74)로부터 Ar 가스를 장치 내에 도입하고, 상기 고주파전원(78)에 의해 13.56㎒의 고주파전계를 인가한다. 이렇게 하여, 금속산화물막을 형성할 수 있다.
(1-2) CVD법
도 8은 CVD장치의 개략도이다.
도 8에 나타내는 바와 같이, CVD 장치(80)는 히터부(86), 배기장치(89), 고주파전원(88), Ar 가스봄베(81a, 81b), 기화기(버블러(bubbler))(82, 83), 산소봄베(84)로 구성된다.
상기 Ar 가스봄베(81a, 81b)는 각각 상기 기화기(버블러)(82, 83)를 통해 장치 본체(85)에 접속된다.
다음에, 이러한 장치를 이용하여 행하는 금속산화물막의 형성에 대하여 설명한다.
상기 기화기(버블러)(82)는 금속산화물의 원료가 되는 금속킬레이트를 가열한 상태로 축적하고, 상기 Ar 가스봄베(81a)로부터 Ar 가스가 공급됨으로써 상기 금속킬레이트를 기화시켜 장치 본체(85)에 보내주기 위한 것이다. 상기 금속킬레이트에는 예컨대, 아세틸아세톤니켈(Ni(C5H7O2)2), 니켈디피발로일메탄(Ni(C11H19O2)2) 등이 있다. 그 외에 Co, Ti, Fe, Zn, Cu, Pr, Si에 대해서도 마찬가지로 금속킬레이트를 생각할 수 있다.
우선, 상기 히터부(86) 상에 유리기판(87)을 두고 소정의 온도(250℃)로 가열하는 동시에, 상기 배기장치(89)를 이용하여 장치 내부의 감압을 행한다(수 kPa). 이러한 상태에서, 상기 Ar 가스봄베(81a 또는 81b)로부터 Ar 가스를 기화기(버블러)(82 또는 83)를 통해 장치 본체(85)에 보내준다. 이 때, 장치 본체(85)에 산소봄베(84)로부터 산소도 동시에 보내준다. 이와 같이 보내진 금속킬레이트와 산소가 반응하여 유리기판(87) 상에 금속산화물막을 형성한다.
또, 상기에서는 열 CVD를 행하는 방법에 대하여 설명하였지만, 같은 장치를 이용하여 플라즈마 CVD를 행할 수도 있다. 특히, 아세틸아세톤아연(Zn(C5H7O2)2) 또는 아연디피발로일메탄(Zn(C11H19O2)2)을 이용하여 플라즈마 CVD법으로 산화아연막을 형성한 경우에는 상기 스퍼터링법, 후술하는 딥코팅법, 스프레이 열분해법으로 형성한 경우보다 기판과의 사이에 강한 밀착력을 얻을 수 있다.
(1-3) 딥코팅법
도 9는 딥장치의 개략도이다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 딥장치(90)는 장치 본체(91) 중에 금속킬레이트 (아세틸아세톤, 알콕시드 등)를 유기용제에 용해한 용액(딥액)(92)이 들어간 구성을 갖는다. 상기 금속킬레이트로서는 아세틸아세톤 금속킬레이트 M((C5H7O2)2)이나 디피발로일메탄 금속킬레이트 M((C11H19O2)2) 등을 이용할 수 있다. 여기서, 상기 M은 Ni, Co, Ti, Fe, Zn, Cu, Pr, Si 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어진다. 또, 상기 유기용제로서는 에틸알콜, 부틸알콜 등을 이용한다.
이러한 장치를 이용하여 상기 딥액(92)에 유리기판(93)을 침지하여 끌어올린다. 그리고, 상기 유리기판(93)을 건조한 후에, 400∼600℃에서 소성함으로써, 금속산화물막을 형성할 수 있다.
이상의 (1-1)∼(1-3) 중 어느 한가지 방법에 의해 형성된 금속산화물막을 패터닝하는 경우에는 에칭을 행한다. 이 에칭은 독립된 공정으로 행해도 되고, 후술하는 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같은 팔라듐을 부착시키는 공정을 겸하여 행할 수도 있다.
다음에, 에칭을 행하지 않더라도 원하는 패턴을 갖는 하지층(121)을 형성할 수 있는 방법에 대하여 설명한다.
(1-4) 감광성 겔막을 이용하는 방법
유리기판의 한쪽 면 전체에 β-디케톤킬레이트류(예컨대, 아세틸아세톤, 디피발로일메탄 등)로 치환한 금속알콕시드 M (OR) n(예컨대, M;Zn, Al, Ti, Zr, In 등, R;알킬기, n;정수)의 졸막을 형성한다. 이 졸막을 열처리함으로써 아세틸아세톤으로 치환한 산화금속의 겔막을 작성한다. 이 겔막은 감광성을 갖는다. 다음에, 감광성 겔막에 마스크를 통해 자외선(파장;300∼360nm)을 조사하여 현상한 후에 에칭함으로써 광이 조사되어 있지 않은 부분만큼 제거된다. 이렇게 하여, 원하는 패턴의 하지층(121)이 형성된다. 이 구체예에 대해서는 후술하는 (e)에서 설명한다.
(1-5) 감광성 유기 폴리실란막을 이용하는 방법
우선, 유리기판의 한쪽 면 전체에 유기 폴리실란에 금속산화물(예를 들어, ZnO, Al2O3, ZrO2, TiO2, In2O3, SnO2등)의 미립자(평균입자직경 0.2㎛) 또는 알콕시드아연 M (OR) n(예를 들어, M;Zn, A1, Zr, Ti, In, Sn 등, R;알킬기, n;정수)을 분산시킨 용액을 도포한다. 여기서, 상기 유기 폴리실란은 감광성을 갖는다. 이 용액이 도포된 유리기판의 전극을 형성하고자 하는 영역에 마스크 등을 이용하여 자외선(파장 : 250∼350nm)을 조사하여 막화하고, 에칭에 의해 자외선이 조사되지 않은 부분의 유기폴리실란을 제거한다. 다음에, 열처리를 실시함으로써 상기 영역에 하지층(121)을 형성할 수 있다. 이 구체예에 대해서는 후술하는 (f)에서 설명한다.
이상의 (1-1)∼(1-5) 중 어느 한가지 방법에 의해, 유리기판 상에 원하는 패턴을 갖는 하지층(121)을 형성할 수 있다.
또, 금속산화물막의 형성에는 상기의 방법 외에 스프레이 열분해법을 이용할 수도 있다. 이것은 원료가 되는 금속산화물을 혼합한 질산염 수용액을 초음파로 분무화하여, 가열된 유리기판으로 분사하는 것이다.
다음에, 상기 하지층(121) 상의 소정 영역에 금속층(122)을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
(2) 금속층(122)의 형성
금속층(122)에는 종래부터 PDP의 전극에 이용되고 있는 은(Ag), 동(Cu), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 등을 이용할 수 있다. 그리고, 이 금속층(122)은 상기 하지층(121)의 소정 영역에 금속재료의 석출반응을 촉진시키는 처리를 실시한 후, 무전해도금법을 이용하여 형성하지만, 상기 하지층(121) 상의 소정 영역에 실시하는 금속재료의 석출반응을 촉진시키는 처리방법의 차이에 따라 이하에 나타내는 2가지로 나뉘어진다.
(2-1) 광을 이용하는 방법
도 4의 (a)에 나타내는 방법은 Ag 등의 금속이온을 포함하는 환원제 ·혼합형성제로 이루어지는 무전해도금액 중에 상기 하지층(121)이 형성된 유리기판을 침지하여, 침지된 유리기판에 마스크를 이용하여 상기 하지층(121) 상의 금속층(122)을 형성하고자 하는 소정 영역(400)에 광을 조사하는 방법이다. 이 방법에 의하면, 상기 소정영역(400)에서 선택적으로 금속이 석출되는데, 이것은 상기 영역(400)에서는 광여기한 전자에 의해 금속의 환원석출반응이 촉진되는 것을 이용한 것이다.
(2-2) 팔라듐을 이용하는 방법
상기 하지층(121) 상의 소정 영역에 팔라듐을 부착시킨 후, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 무전해도금액에 침지하여, 이 소정영역(401)에 금속층(122)을 형성한다는 것이다. 즉, 이것은 무전해도금액 중에서 상기 소정영역(401)에 부착된 팔라듐을 촉매핵으로 하여 금속이 석출되므로, 상기 소정 영역(401)에서 선택적으로 금속이 석출되어 금속층(122)이 형성된다는 것이다. 이와 같이 형성된 금속층(122)은 치밀한 동시에, 팔라듐이 앵커(anchor)로서 작용하기 때문에 상기 하지층(121)과의 밀착력이 강한 것이다.
이상의 (2-1) 또는 (2-2) 중 어느 한가지 방법을 이용함으로써, 상기 하지층(121) 상의 소정 영역에 선택적으로 금속층(122)을 형성할 수 있다.
(제 2 형태)
제 2 형태에서는 하지층(121)을 형성할 때 금속전극을 형성하고자 하는 영역에만 금속재료의 석출반응의 응답성이 유리기판의 표면보다 양호한 하지층(121)을 형성하고, 다음에 무전해도금법에 의해 상기 하지층(121) 상에 금속층(122)을 형성한다. 이러한 하지층(121)을 형성하는 방법으로서, 상기 (2-1) 및 (2-2)와 같이 금속재료의 석출반응을 촉진시키는 광 또는 팔라듐 등을 이용하는 방법도 있지만, 그 밖에 하지층(121)의 표면의 물리적 결합력을 이용하는 방법에 대하여 도 4의 (c)를 이용하여 설명한다.
(2-3) 하지층의 표면의 물리적 결합력을 이용하는 방법
금속산화물을 포함하는 하지층(121)은 일반적으로 그 표면에 미세한 요철을 갖는다. 따라서, 금속산화물에 의해 하지층(121)을 형성한 후, 무전해도금을 행하면 하지층(121)의 표면에 석출되는 금속재료는 그 미세한 요철을 앵커로 하여 금속층을 형성하기 쉬우므로, 하지층(121) 상에 선택적으로 금속층(122)이 형성된다. 즉, 이 방법은 상기 하지층(121)의 표면이 유리기판에 비하여 금속재료의 석출반응의 응답성에 뛰어나다는 특징을 이용하는 것이다. 특히, 하지층(121)이 산화아연으로 이루어지는 경우에는 그 효과가 현저하게 되므로, 하지층(121) 상에 선택적으로 금속층(122)을 형성하기 쉽다. 구체적으로는, 후술하는 (d) 팔라듐을 이용하지 않은 무전해도금법(도 6의 (d))에서 설명하는 바와 같다.
이러한 앵커 효과는 상기 하지층(121)의 표면을 크롬산 등으로 처리함으로써 한층 더 높아진다.
이러한 방법은 비싼 팔라듐을 이용할 필요가 없다는 장점이 있다.
(표시전극(12)의 형성방법의 구체예)
구체적인 표시전극(12)의 형성방법에 대하여 도 5 및 도 6을 이용하여 설명한다.
도 5 및 도 6에 나타내는 (a)∼(f)는 상기 설명한 하지층(121)의 형성방법 및 금속층(122)의 형성방법을 조합한 것이다.
이하, (a)∼(f)의 각각의 방법에 대하여 설명한다.
(a) 무전해도금-에칭법 (도 5의 (a)의 방법)
우선, 유리기판의 한쪽 면 전체에 상기 설명 중 어느 한가지 방법을 이용하여 두께 0.1㎛의 산화아연(ZnO)막을 형성한다. 이 산화아연막 상의 소정 영역에 상기 (2-1)의 방법에 의해 Ag층을 형성한다. 다음에, 이 기판을 에칭액(HCl, 불산)에침지한다. 이 때, Ag층은 에칭액에 대하여 내식성이 있으므로, 상기 Ag층이 형성되어 있지 않은 부분의 상기 ZnO만 제거된다. 그 후, 유리기판을 건조시킴으로써, ZnO층 상에 Ag층이 적층된 표시전극(12)이 형성된다.
(b) 무전해도금법 (도 5의 (b)의 방법)
유리기판의 한쪽 면 전체에 두께 0.1㎛의 ZnO막을 형성한다. 이 형성방법은 상기 (a)와 동일하다. 이 유리기판을 질산팔라듐 수용액 또는 초산팔라듐 수용액에 침지하고, 마스크를 통해 상기 ZnO막의 소정 영역에 광을 조사함으로써, 상기 소정영역(금속층을 형성하고자 하는 영역)에 상기 (2-2)에서 설명한 바와 같이 촉매로서의 팔라듐을 부착시킨다. 여기서, 팔라듐을 부착시킨 영역은 당해 팔라듐이 보호막으로서 작용함으로써 에칭되지 않지만, 팔라듐을 부착하지 않은 부분의 ZnO는 질산팔라듐 수용액 또는 초산팔라듐 수용액에 의해 에칭된다. 이 소정 영역에 ZnO층이 형성된 유리기판을 무전해도금함으로써, 팔라듐이 촉매핵이 되어 금속재료가 선택적으로 석출되기 때문에, 상기 ZnO층 상에만 Ag층이 형성된다.
상기 팔라듐의 부착 및 금속산화물의 에칭에 염산팔라듐 수용액을 이용해도 마찬가지로 실시할 수 있지만, 질산팔라듐 수용액 또는 초산팔라듐 수용액을 이용하는 편이 염산팔라듐 수용액을 이용하는 경우에 비해 팔라듐의 부착밀도가 높아지므로, 무전해도금시의 선택성이 향상되어 양호한 전극을 형성할 수 있다.
(c) 에칭-무전해도금법(도 5의 (c)의 방법)
상기 (a)의 방법과 마찬가지로 하여 유리기판에 형성된 두께 0.1㎛의 ZnO막 상의 소정영역(전극을 형성하지 않는 영역)에 레지스트를 형성한다. 이 유리기판에스퍼터링법으로 두께 0.01∼1㎛의 팔라듐을 부착시킨다. 상기 레지스트를 제거한 후에 에칭을 행한다. 이 때, 팔라듐이 부착되어 있는 부분의 ZnO는 에칭되지 않고 레지스트 제거부분만큼 ZnO가 제거된다. 그 후에, 무전해도금함으로써 상기 ZnO층 상에만 Ag층을 형성할 수 있다.
(d) 팔라듐을 이용하지 않는 무전해도금법(도 6의 (d)의 방법)
유리기판의 한쪽 면 전체에 열 CVD법 또는 플라즈마 CVD법에 의해 두께 0.1㎛의 ZnO막을 형성한 후, 소정 영역(전극을 형성하고자 하는 영역)에 레지스트를 형성한다. 이 유리기판을 염산(HCl)으로 에칭함으로써 상기 소정 영역에 ZnO층을 형성한다. 다음에, 상기 레지스트를 제거한 후, 무전해도금을 행하여 상기 ZnO층 상에 Ag층을 형성할 수 있다.
또, 본 예는 상술한 (2-3)의 방법에 상당하는 것이다.
여기서, 상기 ZnO막의 형성에 열 CVD법 또는 플라즈마 CVD법을 이용하는 것은 스프레이 열분해법 등을 이용하는 경우에 비해 ZnO와 유리기판 사이에서 강한 밀착력을 얻을 수 있기 때문이다. 특히, 아세틸아세톤아연(Zn(C5H7O2)2) 또는 아연디피발로일메탄(Zn(C11H19O2)2)을 이용하여 플라즈마 CVD법에 의해 층을 형성한 경우, 유리기판과의 사이에서 강한 밀착력을 얻을 수 있다.
(e) 감광성 겔막을 이용하여 하지층을 형성하는 방법(도 6의 (e)의 방법)
유리기판의 한쪽의 면 전체에 상기 (1-4)의 방법을 이용하여 ZnO층을 형성한다. 이 ZnO층 상의 소정 영역(금속층을 형성하고자 하는 영역)에 마스크 등을 이용하여 팔라듐을 스퍼터링법에 의해 부가한 후, 무전해도금을 행함으로써 상기 소정영역에 선택적으로 Ag층이 형성된다.
(f) 유기 폴리실란막을 이용하여 하지층을 형성하는 방법(도 6의 (f)의 방법)
유리기판의 한쪽 면 전체에 상기 (1-5)의 방법을 이용하여 ZnO층을 형성한다. 이 ZnO층 상의 소정 영역(금속층을 형성하고자 하는 영역)에 마스크 등을 이용하여 팔라듐을 스퍼터링법에 의해 부가한 후, 무전해도금을 행함으로써 Ag층이 형성된다.
이상과 같이 하여, 유리기판(11) 상의 소정 영역에 ZnO층(121)을 형성하고, 그 위에 Ag층(122)을 형성할 수 있다.
또, 이상의 (a)∼(f)의 방법에서는 금속산화물로서 ZnO를 이용했지만, 그 이외의 것 예컨대, 산화니켈, 산화코발트, 산화철, 산화아연, 산화인듐, 산화동, 산화티타늄, 산화프라세오듐 및 산화규소 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 금속산화물이어도 되고, 금속산화물 이외의 것이어도 유리기판(11)과의 밀착성 및 금속이온이 기판으로 확산되는 것을 방지할 수 있는 것이면 사용할 수 있다. 또, 금속층(122)에는 Ag를 이용했지만, 그 이외의 것 예컨대, Cu, Ni, Cr 등에 대해서도 이용할 수 있다.
(효과에 대하여)
이상 설명한 전극의 형성방법에서는, Ag 등의 금속의 층과 유리기판(11)의 사이에 유리와의 밀착성이 우수한 ZnO 등의 하지층(121)을 형성하기 때문에, 표시전극(12)과 유리기판(11)과의 결합을 치밀하게 할 수 있는 동시에, 상기 유리기판(11)에 Ag에 의한 황변이나 Cu, Ni, Cr에 의한 변색을 억제할 수 있다. 이것은 상기 하지층(121)이 유리기판(11)으로 금속이온이 확산되는 것을 억제하는 동시에, 전극형성에 있어서 소성공정을 포함하지 않기 때문이다.
또, 스퍼터링법 등의 박막형성방법을 이용한 제조방법에서는, 두꺼운 막인 전극을 형성하는데에 시간이 걸리지만, 상기와 같은 제조방법을 이용하면 금속층(122)의 형성에 무전해도금법을 이용하기 때문에, 정밀도가 높은 패턴으로 막두께가 두꺼운 전극을 용이하게 형성할 수 있다.
또, 상기 하지층(121)의 형성에 딥코팅법이나 스프레이 열분해법을 이용한 경우에는 하지층(121)의 형성공정, 금속층(122)의 형성공정 중 어느 것에도 진공장치를 이용할 필요가 없어져, 설비비의 저감이라는 면에서 유리하다.
그리고, 최근 연구개발이 이루어지고 있는 도 3에 나타내는 바와 같은 각 전극이 복수의 라인부로 이루어지는, 소위 펜스전극의 형성에 대하여 본 발명의 제조방법은 유효하다. 그것은 상기 펜스전극의 각 라인부가 좁은 폭이고 두께가 두껍다는 정밀도가 높은 패턴을 갖기 때문에, 금속전극을 형성하는데에 소성공정을 수반하면 정밀하게 형성하기 곤란한데 대하여, 무전해도금법에서는 소성공정이 필요없어 제도적으로 양호하게 전극을 형성할 수 있는데다가 두께에 대해서도 두껍게 하기 쉽기 때문이다.
상기 발명에 관한 실시예의 효과를 확인하기 위해 이하에 나타내는 실시예로써 검증하였다.
(실시예)
실시예 및 비교예의 PDP에 대하여 표 1 및 표 2에 나타낸다.
표 1 및 표 2에서 시료 No.1∼15, 17∼34의 PDP는 상기 발명에 따르는 실시예에 기초하여 표시전극을 형성한 것이며, 시료 No.16의 PDP는 비교예로서 포토리소그래피법에 의해 Ag 전극을 유리기판 상에 형성하여 소성한 것이다.
실시예 및 비교예의 PDP의 셀크기는 42인치의 VGA용 디스플레이에 대응하도록 이하에 나타내는 것으로 하였다.
격벽높이 ; 0.15mm
셀피치 ; 0.36mm
표시전극의 전극간 거리 ; 0.10mm
방전가스 ; Xe 함유량이 5체적%인 Ne-Xe계 혼합가스
방전가스 봉입압력 ; 80kPa(600Torr)
그리고, 전면 패널의 유전체 유리에는 PbO-B2O3-SiO2-CaO계 유리를 이용했다. 또, 배면 패널의 백색유전체 유리층에는 상기 조성의 유리에 산화티타늄(TiO2)을 첨가한 것을 이용했다.
(평가)
이상과 같이 제작한 PDP에서의 유전체 유리층을 포함하는 유리기판에 대하여 그 착색정도를 나타내는 a값, b값(JIS Z8730 색차표시방법)을 색차계(니폰덴쇼쿠고교(주) 제품번호 NF777)에 의해 측정하였다. 여기서, a값이 +측으로 커질수록 적색 정도가 강해지고, -측으로 커질수록 녹색 정도가 강해진다. 또, b값이 +측으로 커질수록 황색 정도가 강해지고, -측으로 커질수록 청색 정도가 강해진다. 특히, b값이 +10을 넘으면 황색이 눈에 띈다. 이 a값, b값이 모두 -5∼+5의 범위 내에 있으면, 기판의 착색은 문제점이 없는 레벨이라고 할 수 있다.
또, 패널의 화면 전체가 백색일 때의 색온도에 대해서는 멀티채널분광광도계 (오츠카덴시(주) MCPD-7000)를 이용하여 측정하였다.
이상 두가지 측정결과에 기초하여 실시예 및 비교예의 PDP에서의 착색정도의 비교평가를 행하였다. 측정 결과는 표 1 및 표 2에 나타내는 바와 같다.
표 1 및 표 2에 나타내는 바와 같이, 비교예의 PDP(시료 No.16)에서는 a값 = -2.0, b값 = +16.3이고, b값이 +10을 넘기 때문에 황색이 눈에 띄는데 대하여, 실시예(시료 No.1∼15, 17∼34)에서는 a값 = -2.0∼+1.2, b값 = -1.4∼+2.0으로 되어 있어 문제점이 없는 착색레벨로 되어 있다.
또, 패널의 색온도에 대해서는 비교예의 것(시료 No.16)이 b값 = +16.3으로 크기 때문에 6450K이던데 대하여, 실시예의 것(시료 No.1∼15, 17∼34)에서는 8890∼9390K로 높게 되어 있다.
이상의 결과에서, 실시예의 PDP는 비교예에 비하여 패널에서의 황변발생이 적고, 색온도가 높은 것임을 알 수 있다.
또, 실시예의 PDP는 전면 패널의 유전체 유리에 PbO-B2O3-SiO2-CaO계 유리를 이용했지만, Bi2O3계 유리 및 ZnO계 유리를 이용한 경우라도 같은 결과를 얻을 수 있었다.
본 발명에 관한 PDP의 제조방법 및 PDP는 컴퓨터나 텔레비전 등의 디스플레이장치, 특히 대형이고 고선명·고휘도의 디스플레이장치를 실현하는데에 유효하다.

Claims (18)

  1. 제 1 기판의 한쪽 면에 복수개의 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성공정과, 제 2 기판의 한쪽 면에 복수개의 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성공정과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 대향배치하는 기판배치공정을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서,
    상기 제 1 전극 형성공정 및 상기 제 2 전극 형성공정 중 적어도 한쪽은,
    기판의 한쪽 면에 하지층을 형성하는 하지층 형성단계와,
    상기 하지층 상에서 금속층을 형성하고자 하는 영역에 대하여, 금속재료의 석출반응을 촉진시키는 처리를 행하는 석출촉진 처리단계와,
    상기 석출촉진 처리단계에서의 상기 처리를 행하면서 또는 상기 처리를 한 후에, 무전해도금법에 의해 상기 영역에 금속층을 형성하는 금속층 형성단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 석출촉진 처리단계에서는 금속재료의 석출반응을 촉진시키는 촉매를 상기 영역으로 부가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 촉매는 팔라듐인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 석출촉진 처리단계에서는 상기 하지층이 형성된 기판을 팔라듐을 포함하는 산성의 수용액 내에 침지하고, 상기 영역에 광을 조사하여 팔라듐을 부착시키는 동시에, 광이 조사되지 않는 부분의 하지층을 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 팔라듐을 포함하는 산성의 수용액은 질산팔라듐 수용액 또는 초산팔라듐 수용액인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 석출촉진 처리단계에서는 상기 하지층 상에 소정 패턴의 레지스트막을 형성하고, 상기 하지층에 팔라듐을 스퍼터링법에 의해서 부착시킨 후, 상기 레지스트막을 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 석출촉진 처리단계와 상기 금속층 형성단계는 병행하여 실시되는 것이고,
    상기 하지층이 형성된 기판을 무전해도금액 내에 침지하여, 마스크를 통해 상기 영역에 광을 조사함으로써 상기 영역에 금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 하지층은 금속산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 하지층 형성단계에서는 상기 기판 상에 금속 또는 금속산화물을 포함하는 감광성막을 형성하여 현상, 에칭함으로써 소정 영역에 하지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 감광성막은 β-디케톤킬레이트류로 치환한 금속알콕시드로 생성된 졸막에 열처리를 실시함으로써 얻어지는 겔막인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 감광성막은 금속산화물 또는 금속알콕시드를 포함하는 유기폴리실란막인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 금속산화물은 산화니켈, 산화코발트, 산화철, 산화아연, 산화인듐, 산화동, 산화티탄, 산화프라세오듐 및 산화규소 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  13. 제 1 기판의 한쪽 면에 복수개의 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성공정과, 제 2 기판의 한쪽 면에 복수개의 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성공정과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 대향배치하는 기판배치공정을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서,
    상기 제 1 전극 형성공정 및 상기 제 2 전극 형성공정 중 적어도 한쪽은,
    기판의 한쪽 면에 금속재료의 석출반응의 응답성이 상기 기판의 표면에 비하여 향상된 표면을 갖는 하지층을, 금속층을 형성하고자 하는 영역에 형성하는 하지층 형성단계와,
    무전해도금법에 의해 상기 하지층 상에 금속층을 형성하는 금속층 형성단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 하지층은 산화아연으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 하지층 형성단계에서는 기판의 한쪽 면 전체에 열 CVD법 또는 플라즈마 CVD법에 의해 산화아연의 막을 형성하고, 상기 산화아연막 상의 금속층을 형성하고자 하는 영역에 레지스트막을 형성하며, 에칭을 행하고 나서 상기 레지스트막을 제거함으로써, 상기 영역에 산화아연층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  16. 제 1항 또는 제 13항에 있어서,
    상기 복수개의 제 1 전극은 각각 복수의 라인부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  17. 복수개의 제 1 전극이 형성된 제 1 기판과, 복수개의 제 2 전극이 형성된 제 2 기판을 갖고, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판이 대향배치되어 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 적어도 한쪽은,
    금속산화물을 포함하는 층 상에 금속층이 적층된 구조를 갖는 동시에, 상기 금속산화물을 포함하는 층과 상기 금속층과의 계면에는 팔라듐을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 금속산화물은 산화니켈, 산화코발트, 산화철, 산화아연, 산화인듐, 산화동, 산화티타늄, 산화프라세오듐 및 산화규소 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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