CN1582484A - 制造等离子体显示板的方法和等离子体显示板 - Google Patents

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Abstract

提供一种用于制造具有减少面板变黄的高亮度和高图像质量的等离子体显示板(PDP)和通过该方法获得的PDP。用于形成PDP中的电极的方法包括用于在玻璃基片上形成含有金属氧化物的基底层的基底层形成步骤，用于在将要形成金属层的基底层的区域上淀积钯的沉淀促进步骤，和在该区域上形成金属层的步骤。包含在基底层中的金属氧化物优选由选自氧化镍、氧化钴、氧化铁、氧化锌、氧化铟、氧化铜、氧化钛、氧化镨和氧化硅中的一种或多种金属氧化物制成。

Description

制造等离子体显示板的方法和等离子体显示板
发明的领域
本发明涉及制造等离子体显示板的方法和等离子体显示板。
背景技术
等离子体显示板(以下称为PDP)可以粗分为直流(DC)型和交流(AC)。目前，最普遍的是适于提高面板尺寸(upsizing of the panel)的AC型。
AC型PDP由互相面对设置并且间壁位于其间的正面玻璃基片和背面玻璃基片构成。在正面玻璃基片的面对表面上，提供多个平行的显示电极，而在背面玻璃基片的面对表面上，提供垂直于显示电极的多个寻址电极。红、绿或蓝荧光体各设置在通过由间壁分割两个基片之间的间隙形成的放电空间中，并且一个空间用放电气体填充以便形成发射每种颜色光的单元。
在具有上述结构的PDP中，通过经过驱动电路给对应电极施加电压，在每个单元中感应放电，因此发射紫外光。然后，包含在荧光体(红、绿和蓝)中的荧光体颗粒被紫外光激发发光。
显示电极由金属层如Ag构成，或者由形成在ITO(氧化铟锡)层521上的金属层522如Ag、Cu或Cr的叠层构成，如图10所示。这种结构一般是利用图11A和11B中所示的方法形成的。
根据图11A所示的方法，利用光刻法形成Ag电极。在该方法中，Ag电极是通过在玻璃基片上施加感光Ag膏、通过掩模用光曝光该感光Ag膏、显影和烘焙形成的。
根据图11B所示的方法，设置在构成电极的ITO层上的Cr/Cu/Cr层的叠层是通过光刻法形成的。在该方法中，该电极是通过利用溅射法按顺序淀积ITO层和Cr/Cu/Cr叠层并刻蚀这些层形成的。
然而，由Ag构成的电极将产生玻璃基片变黄的问题，由Cr/Cu/Cr构成的电极将产生由于其中含有Cu而使玻璃基片变蓝的问题。尤其是，由于Ag的变黄将导致发射的光的色纯度下降。这个问题的产生如下。即，在电极和介质层的烘焙步骤期间，电极中的Ag(具体而言是Ag离子)扩散到玻璃基片中和介质层中，这些扩散的Ag离子被包含在玻璃基片中的Sn、Na和Pb离子还原，因而沉淀出Ag胶状颗粒。
此外，电极的烘焙步骤将导致电极收缩，这就在完成电极中产生残余应力，因而电极或基片本身将变形。这种变形将导致显示板的生产率降低并提高了显示板的制造成本。尤其是，这个问题对于形成近来对于高清晰度TV所需要的具有高清晰度图形的厚膜电极特别严重。
同时，根据图11B所示的方法，要花费很长的时间形成厚金属层。
为解决上述问题，日本专利公报No.3107018公开了通过电镀在设置在基片上的基底层表面上形成金属电极。根据该方法，为了只对将要形成金属电极的区域进行电镀，通过光刻在其它区域上形成抗蚀剂掩模。由于这种方法省去了电极的烘焙步骤，并且没有变黄的问题，因此该方法利于提高生产率。然而，基底层必须具有导电性，这就产生了限制可作为基底层的材料的问题。相应地，这种方法需要在不形成电极的区域上形成抗蚀剂掩模的步骤，这就使该方法更复杂。
发明的公开
鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种制造减少变黄的高亮度、高图像质量的等离子体显示板的方法和由该方法获得的等离子体显示板。
为实现上述目的，根据本发明制造等离子体显示板的方法包括：用于在第一基片表面上形成多个第一电极的第一电极形成步骤，用于在第二基片表面上形成多个第二电极的第二电极形成步骤，和用于对准第一和第二基片以便互相面对的基片对准步骤。这里，第一电极形成步骤和第二电极形成步骤中的至少一个步骤包括以下子步骤：用于在基片表面上形成基底层的基底层形成子步骤；用于进行促进在将要形成金属层的基底层中的区域的金属材料的沉淀反应的工序的沉淀促进子步骤；和在沉淀促进步骤中的工序期间或之后，通过化学镀敷法在所述区域形成金属层的金属层形成子步骤。
这里应该注意，虽然基底层可以是导体或绝缘体，但是采用导体的基底层必须伴随有该层的构图。
利用该方法，由于金属层是采用化学镀敷法形成的，因此很容易形成厚膜的电极。此外，由于在其形成步骤中不需要烘焙电极，因此形成的电极不经受残余应力，同时可以防止面板变黄。
另外，金属层是在用于促进金属材料的沉淀反应的工序之后形成的。因此，由此形成的金属层是致密的并具有与基底层的强的粘接力。
这里应该注意到，沉淀促进工序可以在金属形成步骤之前进行，或者与金属形成步骤同时进行。
通过该方法，金属层可以在不使用抗蚀剂掩模的情况下选择地只形成在所要求的区域上。
此外，其中含有金属氧化物的基底层和金属层如Ag依次叠加在基片上的层叠结构可防止面板变黄。
参考用于促进金属材料的沉淀反应的工序，优选在所述区域上淀积用于促进该反应的催化剂。
该催化剂优选是钯。
可以通过将其上有基底层的基片浸在含钯的酸水溶液中并通过该水溶液对所述区域照射光，由此在所述区域上淀积该催化剂。
含钯的酸水溶液优选是硝酸钯水溶液或醋酸钯水溶液。这是因为与盐酸钯水溶液相比这些溶液可以实现更高的钯淀积密度。
通过该方法，可以通过选择地去掉没有被光照射的部分基底层而进行基底层的构图。即，在淀积钯的区域中，钯用做保护膜，因而不会去掉这些区域。同时，没有淀积钯的其它区域被去掉。
或者，可以通过在基底层上形成具有预定图形的抗蚀剂膜，通过溅射法在基底层上淀积钯，然后去掉抗蚀剂膜，由此在这些区域上淀积钯。
接下来，下面将介绍在不使用催化剂如钯的情况下在所述区域上形成金属层的方法。
沉淀促进步骤和金属形成步骤同时进行。在这些步骤中，其上形成基底层的基片被浸在化学镀敷溶液中，并且光通过掩模照射到该区域上，因而在该区域上形成金属层。
这个方法利用了金属的还原沉淀反应，这是由被通过化学镀敷溶液的媒质照射的光激发的电子引起的。
考虑到与基片的粘接性和防止金属离子向基片中的扩散，基底层优选由金属氧化物构成。
在基底层形成步骤中，在基片上形成含有金属或金属氧化物的感光膜，然后进行显影和刻蚀工艺，因而可以在不使用抗蚀剂膜的情况下在预定区域上形成具有预定图形的基底层。
关于感光膜，可以采用通过对溶胶膜提供热处理获得的凝胶膜或含有金属氧化物和金属醇盐的有机聚硅烷膜，其中溶胶膜是由用β二酮螯合物类取代的金属醇盐产生的。
由于这些膜是清澈和无色的，因此它们适用于基底层。
该基底层还可以通过溅射、CVD法、浸涂、喷射热解法等方法形成。
金属氧化物优选由选自氧化镍、氧化钴、氧化铁、氧化锌、氧化铟、氧化铜、氧化钛、氧化镨、氧化硅的一种或多种金属氧化物构成。
根据本发明的另一实施例，用于制造PDP的方法包括：用于在第一基片表面上形成多个第一电极的第一电极形成步骤，用于在第二基片表面上形成多个第二电极的第二电极形成步骤，和用于对准第一和第二基片以便互相面对的基片对准步骤。这里，第一电极形成步骤和第二电极形成步骤中的至少一个步骤包括以下子步骤：用于在将要形成金属层的基片表面上形成基底层的基底层形成子步骤，该基底层的金属沉淀反应率比基片表面高；和用于通过化学镀敷法在基底层上形成金属层的金属层形成步骤。
通过该方法，金属层基本上形成在整个基底层上。如此形成的基底层与上述方法一样可以防止面板变黄。而且，金属层是致密的并具有与基底层的强粘接性。
这里应该注意，如上所述，可以通过构图金属氧化物层和在基底层整个表面上淀积钯来形成基底层。然而，这种方法优于使用钯的方法，因为ZnO可以用做代替钯。这是因为杂化学镀敷期间由ZnO构成的层的表面有利于金属材料的沉淀反应率。
更具体地说，ZnO层优选通过以下步骤形成：采用热CVD法或等离子体CVD法在基片整个表面上形成ZnO膜，在将要形成金属层的ZnO膜的区域上形成抗蚀剂膜，然后进行刻蚀工艺，之后去掉抗蚀剂膜。
当热CVD法或等离子体CVD法用于形成ZnO膜时，与采用喷射热解法等方法形成的膜相比，如此形成的ZnO膜具有对于基片的强的粘接性。
上述方法适于制造其中第一电极各由多个线部分构成的PDP。
此外，根据本发明的PDP包括其上形成多个第一电极的第一基片和其上形成多个第二电极的第二基片，其中第一和第二电极互相面对。在该PDP中，至少第一电极或第二电极具有这样的结构：其中金属层叠加在含有金属氧化物的层上，钯淀积在含有金属氧化物的层和金属层之间的界面上。
具有上述结构的PDP具有致密的电极和具有对于基片的强粘接性，并且减少了面板的变黄。
用于PDP的金属氧化物优选由选自氧化镍、氧化钴、氧化铁、氧化锌、氧化铟、氧化铜、氧化钛、氧化镨、氧化硅的一种或多种金属氧化物构成。
附图的简要说明
图1是根据本发明的一个实施例的PDP的主要部分的透视图。
图2是在图1中的箭头X-X方向的示意图。
图3是备有栅栏电极的前面板的剖视图。
图4表示根据本发明实施例的用于形成金属层的方法。
图5表示根据本发明实施例用于形成PDP中的电极的方法。
图6表示根据本发明实施例用于形成PDP中的电极的方法。
图7是用于形成根据本发明的一个实施例的PDP中的电极的溅射设备的示意图。
图8是用于形成根据本发明的一个实施例的PDP中的电极的CVD设备的示意图。
图9是用于形成根据本发明的一个实施例的PDP中的电极的浸涂设备的示意图。
图10是常规前面板的剖视图。
图11表示用于形成PDP中的电极的常规方法。
实施本发明的最佳方式
图1是根据本发明一个实施例的AC型PDP的主要部分的透视图，表示显示区域的一部分。
这个PDP是如此构成的，即前面板10和背面板20以固定间隔互相相对设置。
前面板10由依次形成在正面玻璃基片11的表面(图1中的下表面)上的作为第一电极的显示电极12、透明绝缘膜13、和保护层14构成。背面板20由依次形成在背面玻璃基片21表面(图1中的上表面)上的作为第二电极的寻址电极22、白色绝缘层23、和间壁24构成。沿着由间壁24和白色绝缘层23构成的沟槽的壁提供荧光体层25。荧光体层25按照红、绿和蓝的顺序重复地设置。
通过浮置方法构成的玻璃板用于正面玻璃基片11和背面玻璃基片21。
前面板10和背面板20被多个平行间壁24分割，因而形成多个放电空间30。每个放电空间30用放电气体填充。
图2是在图1的箭头X-X方向的示意图。如图2所示，显示电极12具有由金属氧化物层121和金属层122构成的双层结构。
下面介绍用于制造具有上述结构的PDP的方法。
(制造前面板10的方法)
首先，在正面玻璃基片11的表面上形成显示电极12。后面在“形成显示电极12的方法”部分中将介绍形成显示电极12的方法。
然后，采用浸涂法或丝网印刷法在显示电极12上施加包括玻璃粉(例如由Nippon电子玻璃有限公司制造的商品名为PL-324PbO-B2O3-SiO3-CaO系列玻璃)的膏，其中该玻璃粉被喷射研磨机研磨成平均粒径为1.5μm，并且烘焙以形成绝缘层13。这里使用的膏是粘接剂与35-70wt％玻璃粉的混合物，其中粘接剂由萜品醇、丁基卡必醇乙酸盐或含有5-15wt％乙基纤维素的戊二醇构成。当混合该膏时，为了提高玻璃粉的扩散和防止玻璃粉沉淀，可以添加约0.1-3.0wt％的非离子表面活性剂。
然后，在干燥玻璃基片11之后，在稍高于玻璃软化点的温度(即550-590℃)下烘焙玻璃基片11。
最后，通过例如溅射法在如此形成的绝缘层13的表面上形成由MgO构成的保护层14。
通过这种方式，制备了前面板10。
(制造背面板20的方法)
在背面玻璃基片21上丝网印刷用于Ag电极的膏并烘焙以形成寻址电极22。在寻址电极22上，通过丝网印刷法施加含有氧化钛(TiO2)颗粒和绝缘玻璃颗粒的膏并烘焙以形成白色绝缘层23。随后，通过丝网印刷法施加用于间壁的玻璃膏并烘焙以形成间壁24。或者，可通过喷砂法形成间壁24。
之后，通过丝网印刷法将红、绿和蓝色的荧光体膏各施加于由间壁24和白色绝缘层23构成的沟槽的壁上，并在空气中烘焙(例如在500℃下烘焙10分钟)，以便形成每种颜色的荧光体层25。
通过这种方式制备了背面板20。
或者，荧光体层25可形成如下。首先，制备含有每种颜色的荧光体材料的片型感光树脂。然后，将片型树脂附着于给其提供间壁24的背面玻璃基片21的表面上，其中通过光刻法形成图形，并通过显影去掉不需要的部分，以便完成荧光体层25。
(前面板10和背面板20的密封)
将密封玻璃(玻璃料)施加于前面板10或背面板20上或两者上，并预烘焙以形成密封玻璃层。然后，对准前面板10和背面板20，以便显示电极12和寻址电极22垂直面对，并加热以便使密封玻璃软化，从而密封这两个面板。
最后，对如此形成的放电空间30抽真空到高真空(1.1×10-4Pa)并在预定压力填充放电气体，由此完成PDP。
下面介绍形成显示电极12的方法，该显示电极12是根据本发明的实施例中的最具特色的元件。
(形成显示电极12的方法)
(第一实施例)
形成显示电极12的工艺可粗分为用于形成含有金属氧化物的基底层121的步骤和用于形成金属层122的步骤。这个第一实施例还包括在形成金属层122的步骤之前用于促进在将要形成金属层的基底层121的预定区域上的金属沉淀反应的工艺。这里应当注意，预定区域可以是如图2所示的整个被构图的基底层121或部分层121(即除了含有金属氧化物的层121以外的较窄区域)。后种情况适用于叠加在较宽宽度的ITO层521上的窄宽度的金属层522，如图10中所示。
首先，下面介绍在玻璃基片11上制造基底层121的方法。
(1)形成基底层121的方法
用于基底层121的材料可以是导体或绝缘体，只要它们具有对于玻璃基片11的优异粘接性和能防止金属离子扩散到玻璃基片11中即可。然而，采用导体的情况必须伴随该层的构图。此外，对基底层121所采用的材料没有限制，只要它们是透明的以便在面板发射光时基本上不阻挡光并具有约为0.1μm的薄厚度即可。更具体地说，可采用选自氧化镍、氧化钴、氧化铁、氧化锌、氧化铟、氧化铜、氧化钛、氧化镨和氧化硅的一种或多种材料。
下面的部分(1-1)-(1-5)介绍形成基底层121的方法的具体例子。
(1-1)溅射
图7是溅射设备的示意图。
如图7所示，该溅射设备70由产生等离子体的射频(RF)电源78、加热玻璃基片77的加热器单元76、减少该设备内的压力的排气装置79、Ar气缸74和氧气缸72构成。
RF电源78连接到提供在该设备内的靶73。靶73由作为金属氧化物膜(NiO、CoO、FeO、ZnO、In2O3、TiO2、Pr6O11和SiO2或它们的混合物)的源材料的氧化物构成。
下面介绍利用上述设备形成金属氧化物层的方法。
玻璃基片77放置在加热器单元76上并加热到预定温度(250℃)，同时利用排气装置79将该设备的内部压力减少到1.33×10-1Pa。接着，将Ar气从Ar气缸74引入到该设备内，并借助RF电源78给其施加13.56MHz的RF电场。这样，形成了金属氧化物层。
(1-2)CVD法
图8是CVD设备的示意图。
如图8所示，CVD设备80由加热器单元86、排气装置89、RF电源88、Ar气缸81a和81b、起泡器82和83、以及氧气缸84构成。
Ar气缸81a和81b各经过起泡器82和83连接到设备的主体85。
下面介绍利用上述设备形成金属氧化物层的方法。
起泡器82在其中储存作为金属氧化物的源材料的被加热的金属螯合物。该起泡器82的功能是通过从Ar气缸81a提供的Ar气使金属螯合物汽化并将汽化的金属螯合物传送到设备的主体85。金属螯合物包括例如乙酰丙酮镍(Ni(C5H7O2)2)和镍-二叔戊酰甲烷(Ni(C11H19O2)2)。关于Co、Ti、Fe、Zn、Cu、Pr和Si，同样可采用相应的金属螯合物。
首先，将玻璃基片87放置在加热器单元86上并加热到预定温度(250℃)，同时利用排气装置89将该设备的内部压力减少到几千Pa。在这个状态下，将Ar气从Ar气缸81a或81b经过起泡器82或83引入到设备主体85内。同时，还从氧气缸84将氧气引入到设备主体85内。然后，在引入的金属螯合物和氧气之间发生化学反应，因而在玻璃基片87上形成金属氧化物层。
虽然在上述方法中采用了热CVD工艺，但是可利用同一设备进行等离子体CVD工艺。尤其是，采用等离子体CVD法用乙酰丙酮锌(Zn(C5H7O2)2)或锌-二叔戊丁甲烷(Zn(C11H19O2)2)形成的氧化锌膜与采用上述溅射法、后面将介绍的浸涂法和喷射热解法形成的膜相比具有对于基片的更强的粘接性。
(1-3)浸涂法
图9是浸涂设备的示意图。
如图9所示，浸涂设备90储存溶液92(浸涂溶液)，其中金属螯合物如乙酰丙酮和醇盐用有机溶剂溶解在该设备的电解槽91中。乙酰丙酮金属螯合物(M((C5H7O2)2)或二叔戊丁甲烷金属螯合物(M((C11H19O2)2))可用做金属螯合物。这里，M由选自Ni、Co、Ti、Fe、Zn、Cu、Pr和Si的一种或多种金属构成。乙醇、丁醇等可用做有机溶剂。
利用该设备，将玻璃基片93浸在浸涂溶液92中并从该溶液中升起。然后，玻璃基片干燥并在400-600℃之间的温度下烘焙，因而形成金属氧化物层。
通过刻蚀进行根据上述方法(1-1)到(1-3)的任一方法形成的金属氧化物膜的构图。刻蚀工艺可独立进行，或者还可以作为如图5B中所示的用于电极钯的工艺，这将在后面介绍。
接下来，在下面的段落中介绍在没有刻蚀工艺的情况下用于形成具有所需要的图形的基底层121的方法。
(1-4)采用感光凝胶膜的方法
在玻璃基片的一个表面上整个形成由用β二酮螯合类(例如乙酰丙酮或二叔戊酰甲烷)取代的金属醇盐(M(OR)n)(例如M：Zn，Al，Ti，Zr，In等；R：烷基；和n：整数)构成的溶胶膜。通过对溶胶膜的热处理，形成用乙酰丙酮取代的金属氧化物凝胶膜。这个凝胶膜具有感光特性。接着，用具有300-360nm之间波长的紫外光通过掩模照射该感光凝胶膜。显影工艺之后，进行刻蚀工艺以去掉没有被光照射的部分。这样，可以形成具有所需要的图形的基底层121。关于这种方法的具体例子将在部分(E)中介绍。
(1-5)采用感光有机聚硅烷膜的方法
首先，在玻璃基片的一个表面上全部施加其中平均粒径为0.2μm的金属氧化物颗粒(例如ZnO，Al2O3，ZrO2，TiO2，In2O3，SnO2)或金属醇盐(M(OR)n)(例如M：Zn，Al，Zr，Ti，In，Sn；R：烷基；和n：整数)分散在有机聚硅烷中的溶液。该有机聚硅烷具有感光特性。然后，具有250-350nm波长的紫外光通过掩模照射到其中将要形成电极的玻璃基片表面上的区域上，因而形成有机聚硅烷膜。接着，进行刻蚀，因变去掉没有被紫外光照射的有机聚硅烷膜的部分。之后，通过进行热处理，在所述区域上形成基底层121。关于这种方法的具体例子将在部分(F)中介绍。
根据上述方法(1-1)到(1-5)的任一方法可在玻璃基片上形成具有所需要图形的基底层121。
这里应该注意，金属氧化物膜可同样采用喷射热解法形成。在该方法中，与作为膜材料的金属氧化物混合的硝酸水溶液用超声波雾化，并被喷射到被加热的玻璃基片上。
下面介绍在基底层121的预定区域上形成金属层122的方法。
(2)形成金属层122的方法
金属层可由常规地用于PDP中的电极的Ag、Cu、Cr、Ni等材料构成。这种金属层122是通过进行用于促进在基底层121的预定区域上的金属材料的沉淀反应的工序形成的，接下来是化学镀敷法。该方法根据在用于促进在基底层121的预定区域上的材料沉淀反应的方法中的差别可以分为下列两种类型。
(2-1)采用光的方法
根据图4A所示的方法，其上形成基底层的玻璃基片被浸在含有还原剂包含金属离子如Ag的络合物形成剂的化学镀敷液中，并且光通过掩模照射到其中将要形成金属层122的玻璃基片上的金属层122的预定区域400上。通过该方法，金属选择地沉淀在预定区域400上。这是因为被光激发的电子促进金属在区域400上的还原沉淀反应。
(2-2)采用钯的方法
根据该方法，在基底层121的预定区域上淀积钯，然后，如图4B所示，玻璃基片浸在化学镀敷液中以在预定区域401中形成金属层122。即，粘接到预定区域401上的钯用做化学镀敷液中的催化剂，因而金属选择地淀积在预定区域401上，以便在其中形成金属层122。如此形成的金属层122是致密的和对于基底层121具有强的粘接性，因为钯用做固定剂。
利用上述方法(2-1)和(2-2)的任一方法，金属层122可选择地形成在基底层121的预定区域上。
(第二实施例)
在第二实施例中，具有比玻璃基片表面更高的金属材料的沉淀反应率的基底层121只形成在将要形成金属电极的区域中。然后，通过化学镀敷法在基底层121上形成金属层122。可根据采用用于促进金属材料的沉淀反应的光和钯的上述方法(2-1)和(2-2)形成这种基底层121。作为另一种方法，可利用基底层121表面的物理键合力，这将参照图4C介绍。
(2-3)采用基底层表面的物理键合力的方法
通常，含有金属氧化物的基底层121在表面上具有微观粒子。因此，形成含有金属氧化物的基底层121之后的化学镀敷允许金属层122选择地形成在基底层121上，因为基底层121的微观粒子用做固定剂以便于形成金属层。这种方法利用了基底层121表面具有比玻璃基片表面更高的沉淀反应率的特性。特别是，在由氧化锌构成的基底层121的情况下，这个效果变得很显著，因而金属层122可有利地、选择地形成在基底层121上。细节将在部分(D)“在没有钯的情况下的化学镀敷”中介绍(参见图6D)。
通过用铬酸处理基底层121的表面可提高这种用做固定剂的效果。
上述方法具有不需要使用昂贵钯的优点。
(形成显示电极12的方法的具体例子)
下面部分参照图5和6介绍形成显示电极12的方法的具体例子。
图5和6中所示的每个工艺A是形成基底层121和形成金属层122的上述方法的组合。
下面介绍每个工艺A-F。
(A)化学镀敷和刻蚀方法(见图5A)
首先，在玻璃基片的整个一个表面上形成厚度为0.1μm的氧化锌(ZnO)膜。然后，根据上述方法(2-1)在氧化锌膜的预定区域上形成Ag层。接着，将该基片浸在刻蚀剂(HCl或氟化酸(fluorinatedacid))。由于Ag层对于刻蚀剂是抗刻蚀的，因此只去掉了其上没有形成Ag层的部分ZnO层。之后，干燥玻璃基片，以便完成由形成在ZnO上的Ag层的叠层构成的显示电极12。
(B)化学镀敷法(见图5B)
在玻璃基片的一个表面上整个形成厚度为0.1μm的ZnO膜。这是用与上述(A)一样的方式形成的。然后，将这个玻璃基片浸在硝酸钯水溶液或乙酸钯水溶液中，并且光通过掩模照射到ZnO膜的预定区域上，以便在预定区域(即将要形成金属层的区域)上淀积作为催化剂的钯，如在上述部分(2-2)中所述。在这个工艺中，由于钯用作保护膜，因此淀积钯的区域不被刻蚀，而没有淀积钯的其它区域被硝酸钯水溶液或乙酸钯水溶液刻蚀。最后，对这个玻璃基片进行化学镀敷，因而催化剂选择地使金属材料沉淀，以便只在ZnO层上形成Ag层。
这种钯的淀积和金属氧化物的刻蚀还可以采用盐酸钯水溶液进行。然而，由于硝酸钯水溶液或乙酸钯水溶液可以实现比盐酸钯水溶液更高的钯淀积密度，因此可以提高化学镀敷的选择性，以便可以形成有利的电极。
(C)刻蚀和化学镀敷法(见图5C)
在形成在玻璃基片上的厚度为0.1μm的ZnO膜中不形成电极的预定区域上施加抗蚀剂。这里，ZnO是用与上述(A)相同的方式形成的。然后，通过溅射在玻璃基片上淀积厚度为0.01-1μm的钯。去掉抗蚀剂之后，进行刻蚀。在刻蚀工艺中，粘接钯的部分ZnO膜不被刻蚀，但是去掉了ZnO膜的其它部分。之后，进行化学镀敷，因变只在ZnO层上形成Ag层。
(D)没有钯情况下的化学镀敷法(见图6D)
首先，采用热CVD法或等离子体CVD法在玻璃基片的一个表面上整个形成厚度为0.1μm的ZnO膜。然后，在将要形成电极的ZnO膜中的预定区域上施加抗蚀剂，接着，采用盐酸(HCl)对玻璃基片进行刻蚀，以便在预定区域上形成ZnO层。然后，去掉抗蚀剂之后，进行化学镀敷，因而在ZnO层上形成Ag层。
这个实施例适用于上述部分(2-3)中所述的方法。
在上述方法中，采用热CVD法和等离子体CVD法的原因是，与采用喷射热解等方法的情况下相比，这些方法可在ZnO膜和玻璃基片之间提供更高的粘接性。尤其是，通过采用乙酰丙酮锌(Zn(C5H7O2)2)或锌-二叔戊酰甲烷(Zn(C11H19O2)2)的等离子体CVD法形成的层可提供对玻璃基片的强粘接性。
(E)采用感光凝胶膜形成基底层的方法(见图6E)
根据上述方法(1-4)在玻璃基片的一个表面上整个形成ZnO膜。然后，利用溅射通过掩模在ZnO膜中的将要形成电极的预定区域上淀积钯。之后，进行化学镀敷，以便在预定区域上选择形成Ag层。
(F)采用有机聚硅烷膜形成基底层的方法(见图6F)
根据上述方法(1-5)在玻璃基片的一个表面上整个形成ZnO膜。利用溅射通过掩模在将要形成金属层的预定区域上淀积钯。随后，进行化学镀敷，以便形成Ag层。
通过这种方式，在玻璃基片11的预定区域上形成ZnO层121，然后，可以在ZnO层121上形成Ag层122。
在上述方法(A)-(F)中，ZnO用做金属氧化物。然而，金属氧化物可以是选自氧化镍、氧化钴、氧化铁、氧化锌、氧化铟、氧化铜、氧化钛、氧化镨和氧化硅中的一种或多种金属氧化物。或者，也可以采用除了金属氧化物以外的材料，只要这些材料具有对玻璃基片的优异粘接性和可以防止金属离子扩散到基片中即可。此外，虽然Ag用于金属层122，也可以采用其它材料，如Cu、Ni和Cr。
(效果)
根据形成电极的上述方法，在金属层如Ag和玻璃基片11之间形成由具有对于玻璃基片的优异粘接性的材料如ZnO构成的基底层121。结果是，显示电极12和玻璃基片11之间的粘接非常紧密，并且可以防止由于Ag造成的玻璃基片变黄或由于Cu、Ni和Cr造成的玻璃基片带色。这是因为基底层121可防止金属离子扩散到玻璃基片11中，并且上述形成电极的方法不包括烘焙处理。
此外，形成薄膜的方法如溅射法将花费很长的时间来形成厚膜电极。然而，采用化学镀敷法用于形成金属层122的上述方法可以很容易形成厚膜电极和精细图形。
另外，采用浸涂法和喷射热解法形成基底层121可以在形成基底层121和金属层122的处理中不再需要真空装置，这样的优点是减少了设备成本。
而且，根据本发明的方法用于形成图3所示的所谓栅栏电极是有效的。栅栏电极现在处于研制和发展阶段，并且每个电极由多个线部分构成。栅栏电极具有高清晰图形，其中每个线部分的宽度很窄，但是厚度相对较厚。因此，在形成金属电极之后进行烘焙工艺的情况下，很难精确形成电极。另一方面，根据不需要烘焙工艺的化学镀敷法，可以精确地形成电极，并且可以很容易地形成厚膜。
根据本发明的实施例的效果可以通过下列例子来验证。
(例子)
关于作为根据本发明的例子的PDP和用于对比的PDP的数据列于表1和2中。
在表1和2中，根据上述实施例形成样品序号为1-15和17-34的PDP中的显示电极。同时，为了对比，利用光刻法在玻璃基片上形成样品序号为16的PDP的Ag电极。
表1
第一和第二电极 形成基底层的方法 沉淀金属的方法 淀积Pd的方法 形成金属层的方法 色差的测量结果 面板的色温
样品序号 基底层 金属层
值a 值b
1 NiO Ag 溅射 Pd淀积 溅射 图5C的方法 -1.0 +0.5 9201
2 ZnO Ag 溅射 Pd淀积 溅射 图5C的方法 -2.0 +1.5 9060
3 ZnO Ag 等离子体CVD Pd淀积 (2-2)的方法 图5B的方法 -2.2 -0.6 9280
4 ZnO Ag 等离子体CVD 光(2-1) - 图5A的方法 -1.5 -0.4 9330
5 ZnO Ag 等离子体CVD Pd淀积 (2-2)的方法 图5A的方法 -2.0 +0.6 9110
6 ZnO Ag 等离子体CVD 无 - 图6D的方法 -2.8 -0.5 9240
7 ZnO Cu-Ni 浸涂 无 - 图6D的方法 -2.1 -0.3 9380
8 In2O3 Cu 溅射 Pd淀积 (2-2)的方法 图5C的方法 -2.9 -0.5 9260
9 Cu2O Cu 溅射 Pd淀积 溅射 图5C的方法 -2.3 -0.4 9265
10 TiO2 Ni 溅射 Pd淀积 溅射 图5C的方法 -2.5 -0.5 9222
11 SiO2 Ag 溅射 Pd淀积 溅射 图5C的方法 -1.8 +2.0 8890
12 Pr6O11 Cu 溅射 光(2-1) - 图5A的方法 -2.0 -0.5 9235
13 SiO2 Ag-Ni 溅射 Pd淀 (2- 图5C -1.8 +1.4 9070
积 2)的方法 的方法
14 SiO2 Ag-Cu 溅射 Pd淀积 溅射 图5C的方法 -2.1 +1.6 8950
15 SiO2 Cr 溅射 Pd淀积 溅射 图5C的方法 -1.9 -0.3 9390
16 无 Ag 无 无 无 图11A的方法 -2.0 +16.3 6450
17 CoO Ag 热CVD Pd淀积 溅射 图6D的方法 -3.0 +1.5 9000
18 PrO3 Ag 热CVD Pd淀积 溅射 图6D的方法 -2.1 -0.4 9285
19 SiO2 Ag 等离子体CVD Pd淀积 溅射 图6D的方法 -2.0 +2.0 8890
20 NiO Ag 浸涂 Pd淀积 溅射 图6D的方法 -2.1 +0.6 9157
21 TiO2 Ag 浸涂 Pd淀积 溅射 图6D的方法 -2.1 +0.6 9130
22 Fe2O3 Ag 浸涂 Pd淀 溅射 图6D -1.0 -0.5 9310
积 的方法
23 SiO2 Ag 浸涂 Pd淀积 溅射 图6D的方法 -2.0 +2.0 8915
24 ZnO Ag 感光凝胶 Pd淀积 溅射 图6E的方法 -2.1 +0.6 9115
25 Al2O3 Ag 感光凝胶 Pd淀积 溅射 图6E的方法 -1.9 +0.8 9084
26 TiO2 Ag 感光凝胶 Pd淀积 溅射 图6E的方法 -2.1 +0.7 9025
27 ZrO2 Ag 感光凝胶 Pd淀积 溅射 图6E的方法 -2.3 +0.9 9001
28 In2O3 Ag 感光凝胶 Pd淀积 溅射 图6E的方法 -2.0 +1.0 8995
29 ZnO Ag 感光有机聚硅烷 Pd淀积 溅射 图6F的方法 -2.1 +0.5 9250
30 Al2O3 Ag 感光有机聚硅烷 Pd淀积 溅射 图6F的方法 -2.0 +0.7 9090
31 ZrO2 Ag 感光有机聚硅烷 Pd淀积 溅射 图6F的方法 -2.3 +1.0 9000
32 TiO2 Ag 感光有机聚硅烷 Pd淀积 溅射 图6F的方法 -2.2 +0.8 9056
33 In2O3 Ag 感光有机聚硅烷 Pd淀积 溅射 图6F的方法 -2.1 +1.1 8965
34 SnO2 Ag 感光有机聚硅烷 Pd淀积 溅射 图6F的方法 -2.3 +0.3 9250
上述PDP中的单元尺寸如下。这个尺寸对应用于VGA的42”显示器选择。
间壁的高度：0.15mm
单元间距：0.36mm
显示电极之间的距离：0.10mm
放电气体：包含5体积％Xe的Ne-Xe系列混合气体
填充压力：80kPa(600Torr)
PbO-B2O3-SiO2-CaO系列玻璃用于前面板中的绝缘气体。通过向具有用于前面板的相同成分的玻璃中添加氧化钛(TiO2)制成的玻璃用于背面板中的白色绝缘玻璃层。
(评价)
参照如上所述制造的PDP的包括绝缘玻璃层的玻璃基片，利用色差计(由Nippon Densyoku制造的，产品序号为NF777)测量各表示颜色程度的值“a”和“b”(根据JIS Z8730，用于说明色差的方法)。这里应注意，“a”的正大值表示红色的程度较高，而“a”的负大值表示绿色的程度较高。同样，“b”的正大值表示黄色的程度较高，而“b”的负大值表示蓝色的程度较高。具体而言，如果“b”的值超过+10，则黄色显著。当“a”和“b”的值都在-5到+5范围内时，可以认为面板的颜色不明显。
而且，利用多波道光谱仪(由Otsuka Electronics有限公司制造，MCPD-7000)测量用在总的白模式中的面板的色温。
在这两个测量结果的基础上，评价根据这些实施例的PDP和用于对比的PDP。测量结果列于表1和表2中。
如表1和表2所示，用于对比的PDP(样品序号为16)具有分别为-2.0和+16.3的值a和b。由于值b超过+10，因此带有的黄色很显著。另一方面，干呢局这些实施例的PDP(样品序号为1-15，17-34)具有分别为-1.4和+2.0的值a和b。因此这些面板的带色不明显。
此外，由于用于对比的面板(样品序号为16)的b值大到+16.3，因此面板的色温为6450K。同时，根据上述实施例的面板的色温较高，为8890-9390K。
从这些结果看，与用于对比的PDP相比，根据上述实施例的PDP变黄的程度小，色温高。
注意，虽然根据上述实施例的PDP用PbO-B2O3-SiO3-CaO系列玻璃作为前面板中的绝缘玻璃，但是通过采用Bi2O3系列玻璃和ZnO系列玻璃的PDP可得到相同的效果。
工业适用性
根据本发明的用于制造PDP的方法和PDP适用于显示器件，如计算机和TV，并对于实现大尺寸、高清晰度和高亮度显示器件很有效。

Claims (18)

1、一种等离子体显示板的制造方法，包括：用于在第一基片表面上形成多个第一电极的第一电极形成步骤，用于在第二基片表面上形成多个第二电极的第二电极形成步骤，和用于对准第一和第二基片以便互相面对的基片对准步骤，其中，
第一电极形成步骤和第二电极形成步骤中的至少一个包括下列子步骤：
用于在基片表面上形成基底层的基底层形成子步骤；
用于进行促进金属材料在将要形成金属层的基底层中的区域中的沉淀反应的工序的沉淀促进子步骤；和
在沉淀促进步骤中的工序期间或之后，通过化学镀敷法在所述区域中形成金属层的金属层形成子步骤，
其中基底层和金属层构成电极。
2、根据权利要求1的等离子体显示板的制造方法，其中在沉淀促进子步骤中，在所述区域上淀积用于促进金属材料的沉淀反应的催化剂。
3、根据权利要求2的等离子体显示板的制造方法，其中催化剂是钯。
4、根据权利要求2的等离子体显示板的制造方法，其中在沉淀促进子步骤中，其上形成基底层的基片浸在含有钯的酸水溶液中，并且光照射到该区域上，因而在该区域上淀积把钯，并且去掉没有被光照射的基底层的部分。
5、根据权利要求4的等离子体显示板的制造方法，其中含有钯的酸水溶液是硝酸钯水溶液或乙酸钯水溶液。
6、根据权利要求2的等离子体显示板的制造方法，其中在沉淀促进子步骤中，在基底层上形成具有预定图形的抗蚀剂膜，通过溅射在基底层上淀积钯，然后去掉抗蚀剂膜。
7、根据权利要求1的等离子体显示板的制造方法，其中沉淀促进子步骤和金属层形成子步骤同时进行，和
其上形成基底层的基片浸在化学镀敷液中，并且光通过掩模照射到该区域上，因而在该区域形成金属层。
8、根据权利要求1的等离子体显示板的制造方法，其中基底层有金属氧化物构成。
9、根据权利要求1的等离子体显示板的制造方法，其中在基底层形成子步骤中，在基片上形成含有金属或金属氧化物的感光膜，并进行显影和刻蚀工艺，因而在预定区域上形成基底层。
10、根据权利要求9的等离子体显示板的制造方法，其中感光膜是通过对溶胶膜提供热处理获得的凝胶膜，其中溶胶膜是由用β二酮螯合类取代的金属醇盐产生的。
11、根据权利要求9的等离子体显示板的制造方法，其中感光膜是含有金属氧化物或金属醇盐的有机聚硅烷膜。
12、根据权利要求8的等离子体显示板的制造方法，其中金属氧化物由选自氧化镍、氧化钴、氧化铁、氧化锌、氧化铟、氧化铜、氧化钛、氧化镨和氧化硅中的一种或多种金属氧化物制成。
13、一种等离子体显示板的制造方法，包括：用于在第一基片表面上形成多个第一电极的第一电极形成步骤，用于在第二基片表面上形成多个第二电极的第二电极形成步骤，和用于对准第一和第二基片以便互相面对的基片对准步骤，其中，
第一电极形成步骤和第二电极形成步骤中的至少一个包括下列子步骤：
用于在将形成金属层的基片表面上的区域上形成基底层的基底层形成子步骤，该基底层具有比基片表面高的沉淀反应率；和
通过化学镀敷法在基底层上形成金属层的金属层形成子步骤，
其中基底层和金属层构成电极。
14、根据权利要求13的等离子体显示板的制造方法，其中基底层由氧化锌构成。
15、根据权利要求13的等离子体显示板的制造方法，其中在基底层形成子步骤中，通过热CVD法或等离子体CVD法在基片表面上整个形成氧化锌膜，在将要形成金属层的氧化锌膜的区域上形成抗蚀剂膜，然后进行刻蚀工艺，之后去掉抗蚀剂膜，以便在所述区域上形成氧化锌层。
16、根据权利要求1或13的等离子体显示板的制造方法，其中多个第一电极各由多个线部分构成。
17、一种等离子体显示板，包括其上形成多个第一电极的第一基片以及其上形成多个第二电极的第二基片，第一和第二电极互相面对，其中
至少第一电极或第二电极具有这样的结构，其中金属层叠加在含有金属氧化物的层上，并且钯淀积在含有金属氧化物的层和金属层之间的界面上。
18、根据权利要求17的等离子体显示板，其中金属氧化物由选自氧化镍、氧化钴、氧化铁、氧化锌、氧化铟、氧化铜、氧化钛、氧化镨和氧化硅中的一种或多种金属氧化物制成。
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