CN1739969A - 液滴排放设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种液滴排放设备,不会在成分从喷头排放时因干燥、固化等造成不良排放。本发明的一个特点包括设置了成分排放喷孔的喷头部分、从喷孔排放成分的增压装置、向喷头部分底面提供成分的装置,其中对喷头部分底面作亲液处理。作为向喷头部分提供成分的装置,在喷头部分里设置了成分能通过流动的通道,于是向喷头部分底面提供成分。
Description
发明领域
本发明涉及一种液滴排放设备尤其涉及防止因被排放成分干燥或固化而造成不良排放的液滴排放设备。
技术背景
近年来,对所谓的直接绘制即在基片上用半导体材料、金属材料或绝缘材料直接绘制电路图案开展了积极的研究,尤其想用一种带液滴排放装置的设备绘出电子电路并印出电子设备,像用打印机出字符一样。
在构制电路图案等方面,常规的电子设备制造法包括一种相当复杂的工艺。例如在形成一种布线时,得在基片上形成被布线的半导体或金属材料膜;规定用于布线的薄膜区域并涂布抗蚀剂等;最后用蚀刻法等除去膜的其它部分,留下规定不除去的区域。重复该工艺,形成所需的电路图案。然而,这种工艺的大量步骤和形成或除去薄膜的步骤要在真空内执行,因而频繁使用大型昂贵的真空设备增大了制造成本。
另一方面,应用直接绘制法可直接形成布线等电路图案,这样可用一步处理代替常规的三步处理。因电路图案可在大气压下制造,且不用真空设备,可明显降低成本。因此,应用液滴排放设备的直接绘制法十分引人注目。
例如,可用喷墨设备等液滴排放设备实施上述的直接绘制法。但在用液滴排放设备排放高粘材料等时,材料干燥等造成不良排放是个问题,为此寻找了各种解决方法。
例如,一种方法在排放材料前,先用溶剂诸如有机溶剂或排放液本身擦试带排口的头部,一种方法是对整个头部盖顶再浸入溶剂,另一种方法是把头部置于充满溶剂蒸气的空间内。或者,另一种方法是对排放液添加增水剂。还有一种新月控制法,通过对压电元件施加脉冲电压而振动和搅动液体但不排液,防止干燥或固化作(如参考文献1:日本专利申请待公开No.9-290505)。
尽管排料前擦试头部盖顶再浸入溶剂或头部置于充蒸气空间内的方法有利于在印刷前防止不良排放,但是无法克服印刷处理中的不良排放。换言之,绘制图案时,在液滴排放设备的许多喷头当中,未使用的喷头(中排液喷头)在一段时间不排放,因而材料干燥或固化造成不良排放。在使用高度挥发溶剂时,材料因溶剂蒸发而粘度更高,不良排放的概率变大。
为此,可以使用对液体添加增水剂的方法或新月控制法,但该法涉及对某种材料不存在合适增水剂的情况。新月控制法的问题在于,由于溶剂随时间而蒸发,材料粘度会增大。因此,排放条件发生变化,材料的排放量或排放位置无法精密控制,故无法根据解决问题。
发明内容
鉴于上述诸问题,本发明的目的是提供一种排液时喷头不造成不良排放的液滴排放设备。
根据本发明,液滴排放设备防止了喷头内成分干燥或固化引起的不良排放。注意,术语“不良排放”不仅指成分排不出,也指因成分干燥或固化而无法精密控制排放液的量或方向的情况。该液滴排放设备是一种对包含导电膜、绝缘膜等材料的成分作选择性排放(喷雾)液滴(也称液点)而在任一位置形成薄膜的设备,而根据其模式,也称为喷墨设备。
本发明液滴排放设备的一个特征是包括设置了排放成分的喷孔的喷头部分、从喷孔排放成分的增压装置和向喷头部分底面提供成分的装置,其中对喷头部分底面作亲液处理。作为成分,可以使用任一材料,只要能从喷孔排出,可以使用金属材料、绝缘材料等。作为排放成分的增压装置,可以应用配备压电元件并对其加电压使之变形而挤出成分的压电、使加热元件发热起泡而挤出成分的热式喷墨法等。“亲液处理”指使喷头部分底面具有成分不被底面排斥的亲合力。
作为向喷头部分底面提供成分的装置,在喷头部分里设置了成分以流动的通道,因而成分经通道浪涌动,可以供给喷头部分底面。通道有一吸取喷头部分底面的成分和将成分供给喷头部分底面的结构,因此通道较佳地配有把成分挤压供给喷头部分底面的送液装置或从喷头部分底面吸回成分的返液装置。
能以同样方式将该结构应用于配备多个喷孔的液滴排放设备。此时,每条通道设置在多个喷孔之间,或在多个喷孔排成直线状时,可以平行于一系列喷孔设置一条长通道。注意,“排成直线状”不仅包括喷孔对准的状态,还包括规则地和线性地排列诸喷孔,例如喷孔交替排成Z形的状态。
本发明液滴排放设备的另一特征是包括配有成分排放喷孔的喷头部分、从喷孔排放成分的增压装置和各自连接喷孔侧壁的第一与第二通道,其中成分在喷孔与第一通道之间和喷孔与第二通道之间交换。这种成分交换指从第一通道或第二通道向喷孔提供成分和将喷孔里的成分吸入第一或第二通道时的交换。注意,第一和第二通道中任一条或二者较佳地配有将成分压供给喷孔的送液装置或从喷孔吸回成分的返液装置。该结构同样适用于有多个喷孔的液滴排放设备,此时各通道设置成使相邻的诸喷孔相互连接,或第一或第二通道设置成被多个喷孔共用。另在喷孔与第一通道和喷孔与第二通道的连接部设置通/断阀。
本发明的液滴排放设备的另一个特征是包括带成分排放喷孔的喷头部分、接喷孔的压缩腔、连接压缩腔侧壁两个不同位置的通道、设置在压缩腔侧壁的第一增压装置和设置在通道侧壁的第二增压装置,其中在压缩腔与通道的连接部设置了通/断阀。为对通道外部提供成分,还可设置另一通道。
根据本发明,液滴排放设备可以防止从喷孔里排出干燥或固化的成分,故成分排放不会造成不良排放。
附图说明
图1A~1C示出液滴排放装置。
图2A~2C示出有多个喷孔的液滴排放装置。
图3A和3B示出液滴排放装置。
图4A~4C示出有多个喷孔的液滴排放装置。
图5A和5B示出液滴排放装置。
图6A~6C示出液滴排放设备。
图7A~7C示出液滴排放设备的喷孔序列。
图8A和8B示出液滴排放装置。
图9示出液滴排放设备。
图10A~10D示出制造应用液滴排放设备的显示设备的方法。
图11A~11D示出制造应用液滴排放设备的显示设备的方法。
图12A和12B示出制造应用液滴排放设备的显示设备的方法。
图13A~13H示出用液滴排放设备形成的电子设备。
图14A和14B示出液滴排放设备。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的实施方式,但本发明并不限于下面的说明。本领域技术人员显然明白,本发明的模式与细节可作各种变化而不违背本发明的目的和范围,因而不能把本发明说成限制了以下描述的实施方式。在下述的发明结构中,常用同样的标记表示图中同样的元件。
在液滴排放设备中,作为成分排出口的喷孔里的成分因总暴露于空气,通常容易干燥固化。连续排放成分时,成分每次排放就被调换,故不产生干燥等问题。但当有一段时间不排放成分时,就会有成分干燥的问题。
在成分里使用高度挥发的溶剂时,干燥尤其重要,因而喷孔因成分固化而阻塞的概率极高。即便成分不固化,成分粘度因溶剂蒸发而增大,排放时着落精度诸如方向有问题。为此,本发明的设备具有防止喷孔内成分干燥的结构。
具体而言,对喷头底面提供与喷孔排放一样的成分,而且用该成分覆盖至少喷孔和喷头外围底面。作为对喷头底面供成分的装置,例如在喷头与喷孔分离的底面设置一条接喷头底面的通道。通过从该通道提供成分并用它覆盖喷头底面,可防止干燥。此时,喷头底面较佳地进入不排斥该成分的状态(亲液态)。
作为本发明的另一个结构,设置一条接喷孔侧壁的通道,成分由该通道直接供给喷孔。成分在喷孔与通常之间直接交换,使喷孔里的成分流动而且经常更换,从而防止成分干燥固化。
作为本发明的另一种结构,在压缩腔接喷孔的侧壁设一条循环通道,利用该循环通常使喷孔里的成分流动,通过对设置在压缩腔侧壁和循环通道上的各压电元件有选择的加电压,使压缩腔和循环通道变形,可控制成分流动。
下面参照附图具体说明本发明液滴排放设备的结构。
实施方式1
在该实施方式中,将参照附图说明一液滴排放设备,其中对具有成分排放喷孔的喷头底面设置了成分提供装置。
图1A~1C示出液滴排放设备中液滴排放装置的结构。液滴排放装置101包括:接液腔通道102的辅液腔103;在流体阻力部104的喷头部分109、压缩腔105、压电元件106与喷孔107;和通道111与112,即向喷头部分109的底面100提供成分的装置。
在外部供入液滴排放装置101的成分通过液腔通道102存入辅液腔103后,成分移到喷头部分109排放。在喷头部分109内,压缩腔105通过流体阻力部104充有适量的成分。
压缩腔105侧壁设置了加电压而变形的压电元件106。作为压电元件106,可以使用具有压电效应的压电元件,如锆酸铅钛酸盐(PET)。对装在所需喷头里的压电元件106加电压,压缩腔105里的成分受挤压,成分108向外排出。
喷孔107最外部的表面的成分因暴露于空气,一般易干燥。从喷孔107排放成分时,成分被更换,不产生干燥问题。但在成本有一段时间不排放时,就存在成分干燥固化的可能性。因此,图1A~1C的液滴排放装置101设有通道111和112,可防止喷孔107最外面的成分干燥。由喷孔107排出的同样成分利用通道111与112供给喷头部分109底面100,喷孔107及其外围喷头部分底面100覆盖了该成分(图1A)。
运用这一结构,向喷孔107定期供应新成分,因而能防止喷孔107成分干燥。注意,从喷孔107排出的同一成分经通道111与112供到喷头部分底面100,但本发明并不限于此。可以交替供应成分溶剂,防干燥液等。
通道111与112具有任意形状或排列,只要能将成分供给喷头部分底面100,比如可在喷孔107附近构成直线(图1B),或在喷孔107周围构成圆形(包括环形或圈形)(图1C)。一个喷孔可配备单条或多条通道。另外,通道较佳地朝喷孔107对角地置于喷头部分底面100,如图1A所示,因为经通道111与112提供的成分容易朝喷孔107流动。注意,图1B和1C示意示出图1A中液滴排放装置101的底面和沿图1B与1C的直线AB截取的对应于图1A的截面。
通道111与112配有送供成分的装置(送液装置)或吸回成分的装置(返液装置。作为成分的送液装置或返液装置,可以使用泵、螺旋装置等)。这里如图1A所示,与接喷头部分底面100的端部相对的通道111与112的端部配有带送液装置或返液装置的泵111a与112a,故能控制通道111与112里的成分流。
在此情况下,设置带送液装置或返液装置的泵111a与112a,有选择地控制成分流,例如当泵111a与112a都配有送液装置时,可通过通道111与112向喷头部分底面100供成分。当其中一台泵配备送液装置而另一台泵配备返液装置时,则成分可在喷头部分底面100沿特定方向流动。
通过分别在外部设置供液腔或把辅液腔103接到通道111与112,可向通道111与112供给成分。
经通道111与112向喷头部分底面100提供的成分要求不滴落,因此喷头部分底面100较佳地预先处于不排斥成分的状态(亲液态)。此外,成分由带送液或返液装置的泵等控制,防止成分经通道111与112过量地供给喷头部分底面100而滴落。
另外,液腔通道102、辅液腔103,流体阻力部104、压缩腔105和带成分物质的喷孔107的湿润性,在喷头部分109内重大关系。因而接触成分的各部分都设置了碳膜、树脂膜等,以调节成分材料的湿润度。
按上述结构,成分能精确地排放到被处理物体。液滴排放法包括所谓的连续法与按需法,前者连续排放液滴而形成连续的线性图案,后者把液滴排放成点状。两方法都可应用。此外,形成连续线性图案时还可应用一种分配法。
接着按图2A~2C说明液滴排放设备里的液滴排放装置的结构,其中安装了多个喷孔。注意,用同样的标记指示与图1A~1C中相同的元件。
与在图1A~1C中的液滴排放装置101一样,液滴排放装置120包括多个接液腔通过102的辅液腔103和多个喷头部分109,和喷头部分109具有相互连接的流体阻力部104、压缩腔105、压电元件106与喷孔107。
在图2A~2C中,喷头部分109配有通道113a~113e,这些通道设置在相邻的喷孔107a~107d之间,而喷孔107a~107d和喷头部分底面100都覆盖了经通道113a~113e提供的成分(图2A和2B)。成分经通道113a~113e提供,因而喷孔107a~107d里的成分可以防干燥。注意,较佳地把喷孔107a~107d排放的同一成分用来通过通道113a~1113e供给喷头部分底面100;另可以使用成分溶剂、成分防干燥液等。
通道有任一形状,例如通道可在多个喷孔中间形成垂直于喷孔序列(图2B),或通道115和116平行于喷孔序列直线形成(图2C)。或者如图1C所示,围绕各喷孔形成圆形通道(含环形或圈形)。
注意,在图2A~2C中,多个喷孔排成一直线;但本发明并不限于此,如喷孔可排成Z形,即交错成三角形,或喷孔呈上下排列。
各通道113a~113e均备有图1A~1C所示的送液或返液装置,此时通道113a~113e不接喷头部分底面100的端部设有泵114a~114e,各泵带有送液或返液装置,可控制通道113a~113e里的成分流。
通过分别在外部设置供液腔或连接辅液腔103,向通道113a~113e供成分。
要求经通道113a~113e供给喷头部分底面100的成分不滴落,因此喷头部分底面110较佳地预先进入预先不排斥成分的状态(亲液态)。此外,成分由泵控制,泵备有送液装置等,防止经通道113a~113e过量供给喷头部分底面100该成分,防止成分滴落。
按上述结构,可将成分精确地排放到被处理物体。液滴排放法包括所谓的连续法和按需法,前者连续排放液滴而形成连续的线性图案,后者把液滴排放成点状。两方法都可使用。此外,形成连续线性图案还可使用分配法。
本实施方式描述了应用压电元件的所谓压电法排放成分的情况,但不限于该方法,也可应用所谓的热喷墨法,使加热元件发热并产生气泡,从而挤压成分,此时用加热元件取代压电元件106。
实施方式2
在该实施方式中,将按附图说明与实施方式1不同的液滴排放设备。注意,在该模式所示的图中,用同样的标记指示与实施方式1同样的元件。
首先,参照图3A说明该实施方式液滴排放设备中液滴排放装置的专用结构。液滴排放装置201包括接液腔通道102的辅液腔103;具有流体阻力部104、压缩腔105、压电元件106与喷孔107的喷头部分209;和通道211与212,即对喷孔107供成分的装置。
在从外部供入液滴排放装置201的成分通过液腔通道102被存入辅液腔103后,成分就移到喷头部分209排放。在喷头部分209中,流体阻力部104对压缩腔105交入适量成分。
压缩腔105侧壁设有加电压而变化的压电元件106。作为压电元件106,可使用有压电效应的压电元件,比如锆酸铅钛酸盐(PZT)等。对装在所需喷头里的压电元件106加电压,压缩腔105里的成分被挤出,由喷孔107向外排放成分108。
在图3A和3B所示的液滴排放装置201中,设置了成分能流到喷头部分209的通道211与212,这些通道接喷孔107,成分在喷孔107与通道211或212的连接部交换。留在喷孔107里的成分因暴露于空气而容易干燥,但通过从外部向喷孔107直接供断的成分,使喷孔107里的成分得以更换而防燥。此时,喷孔107的侧壁130a与130b分别设有通道211与212。
通道211与212配有向喷孔107送供成分的装置(送液装置)或从喷孔107吸回成分的装置(返液装置)。作为成分的送液或返液装置,可产使用实施方式1描述的泵等。通过向相对于接喷孔107的端部的通道211与212的端部设置带送液或返液装置的泵211a与212b,可控制通道211与212和喷孔107里的成分流。
注意,对通道211与212设置的两台泵211a与212b,都具有送液或返液装置,或者其中一台有送液装置,另一台有返液装置,由专业人员妥善选择。通过对泵211a与212b组合设置送液或返液装置,有选择地控制成分流。
当一条通道(比如通道211)具有送液装置而向喷孔107提供成分时,另一通道(如通道212)则具有返液装置而从喷孔107吸回成分,通道211与212和喷孔107里的成分被控制成沿特定方向流动。因喷孔107里的成分流一般不规则(湍流态),故排放时排放方向变成不均一,但利用通道211与212与喷孔107交换成分,能使喷孔107里的成分流规则(比如分层),可精密地控制成分的排放位置或方向。
通道211与212同喷孔107的连接部可设置可开闭的阀,将参照图3B说明这种情况。
通过对装在压缩腔105侧壁的压电元件106加电压,使之变形而从喷孔107里挤出成分,排放该成分。但因通道211与212接喷孔107,在排放时,成分挤压力也可能影响通道211与212里的成分,担心不能精密地控制从喷孔107排出的成分量或排放方向。因此,如图3B所示,在喷孔107与通道211和212的连接部设置了通/断阀213与214,通过阀的开/闭调节成分在喷孔107与通道211和212之间的交换。
成分从喷孔107排放时,通/断阀213与214关闭。喷孔107不排放成分时(不用喷头部分209时),通/断阀打开,通过通道211与212向喷孔107提供成分。即使设置了接喷孔的通道,如此控制通/断阀213和214的开闭也可控制成分量或排放方向。阀213和214可以是任一种能阻断喷孔107与通道211和212的连接部的形式,可以使用以定点开闭的阀或滑移开闭的阀。
通过分别在外部设置供液腔或把辅液腔103接到通道211与212,可向通道211与212提供成分。
此外,液腔通道102、辅液腔103、流体阻力部104、压缩腔105和有成分的喷孔107的湿润性,在喷头部分209中都有重大关系。因此,接触成分的各部分可配用碳膜、树脂膜等来调节成分材料的湿润性。
按上述装置,可向被处理物体精密地排放成分。液滴排放法包括所谓的连续法和按需法,前者连续排放液滴形成连续的线性图案,后者把液滴排放成点状。两种方法都可使用。另在形成连续线性图案时,还可应用分配法。
下面按图4A~4C说明液滴排放装置的结构,其中按图3A与3B的液滴排放装置安装了多个喷孔。注意,用同样的标记指示与上述图中相同的元件。
在图4A~4C中,设置的共用液腔218按喷头部分中多个压缩腔105。还设置了按多个喷孔207a~207e的通道215,其各端部配有送出成分的送液装置216有吸取成分的返液装置217。在通道215中,成分被控制得从喷孔107a流向喷孔107e。对此不作限制,通道215的两个端部都可设置上述的送液或返液装置。
通道215可以有任何形状或安排,只要能向喷孔207a~207e供成分,如像图4A与4B所示,通道215把相邻的喷孔(如喷孔107a与107b)连在一起,也可设置成使成分经喷孔107a~107e从通道215一端部流到另一端部。
另如图4C所示,通常215构成被多个喷孔共用,成分垂直于喷孔序列流动,此时为了加固喷头部分,较佳地在相邻喷孔之间设置隔板219。此外,设置隔板219可以对准成分流向。
根据上述的装置,可向被处理物体精确地排放成分。液滴排放法包括所谓的连续法和按需法,前者连续排放液滴形成连续的线性图案,后者把液滴排放成点状。两种方法都可使用。另在形成连续线性图案时,还可应用分配法。
本实施方式描述了应用压电元件的所谓压电法排放成分的情况,但不限于该方法,也可应用所谓的热喷墨法,使加热元件发热并产生气泡,从而挤压成分,此时用加热元件取代压电元件106。
注意,该实施方式可与上述实施方式随意组合。
实施方式3
在该实施方式中,将按图说明与上述实施方式中不同的液滴排放设备的结构。注意,用同样的标记指示与上述实施方式中相同的元件。
在该实施方式中,将按图5A与5B说明装置301的结构,其中设置了接压缩腔305的循环通道321。
液滴排放装置301包括接液腔通道102的辅液腔103和喷头部分309,后者具有流体阻力部104、压缩腔305、压电元件306a~306d、循环通道321与喷孔107。
在外部供入液滴排放装置301的成分通道液腔通道102存入辅液腔103后,成分移到喷头部分309排放。在喷头部分309内,流体阻力部104对压缩腔305注入适量成分。
压缩腔305侧壁装有加电压后变形的压电元件306a与306b。另在本实施方式中,设置了接压缩腔305侧壁的循环通道321,其侧壁装有压电元件306c与306d。
对压缩腔305和循环通道321设置的压电元件306a~306d,能各自加电压而变形。作为压电元件,可使用有压电效应的压电元件,如锆酸铅钛酸盐(PZT)。对装在所需喷头的压电元件306a~306d有选择地加电压,压缩腔305里的成分被挤出而向外排放。
在该实施方式中,使压缩腔305与喷孔107里的成分流动,并用对压缩腔305设置的循环通道321更换喷孔107里的成分,由此防止成分干燥。下面说明压缩腔305和喷孔107里的成分流。
如图5A所示,在压缩腔305与循环通道321的连接部,设有可开闭的通/断阀311与312。成分因压电元件305a~305d和通/断阀311与312而按箭头(实线)方向流动。图5A与5B中,各通/断阀只能单向开闭,能防止成分倒流。这里将通/断阀311设置成只能向纸左侧开闭,而通/断阀312只能向底面侧开闭。于是对压电元件306a~306d有选择地加电压使之变形,使成分以实线箭头方向流动。
具体而言,通过在压电元件306a与306b收缩时扩展压电元件306c与306d,成分移动成打开通断阀312,于是使压缩腔305和喷孔107里的成分流动而不从喷孔107排放成分。与此同时,因通/断阀311打开而成分移动,新的成分移向喷孔107,由此更新喷孔107里的成分,因而可防止干燥。在只使压电元件306c与306d缩膨而使循环通道321、压缩腔305和喷孔107里的成分流动时,可以不使用压电元件306a与306b。
如图5B所示,设置了对循环通道321外部提供成分的通道313。即便成分在喷孔107里循环,通常仍存在成分粘度因成分随时间的溶剂蒸发而增大的问题。设置通道313并向循环通道321提供新成分,可防止喷孔107内成分的粘度增大或干燥。
根据上述的装置,喷孔里的成分可防止干燥,能向被处理物体有效地排放成分。液滴排放法包括所谓的连续法和按需法,前者连续排放液滴形成连续的线性图案,后者把液滴排放成点状。两种方法都可使用。另在形成连续线性图案时,还可应用分配法。
注意,本实施方式可与上述任一实施方式随意组合。
实施方式4
在本实施方式中,将按图说明一例配有实施方式1~3所述液滴排放装置的线性液滴排放设备的结构。
图6A所示的线性液滴排放设置包括液滴排放装置506,可在基片502上通过从中排放成分而形成期望的成分图案。在该线性液滴排放设备中,诸如以塑料基片为代表的树脂基片、以硅为代表的半导体晶片及具有所需尺寸的玻璃基片,都可用作基片502。
在图6A中,基片502从装载门504送入底盘501,在成分排放后从卸载门505送出。在底盘501中,基片502装在运输台503上,而运输台503沿轨道510a与510b移动,轨道则连接装载门504与卸载门505。
支承部507支承排放成分的液滴排放装置506,平行于运输台503移动。当基片502送入底盘501时,支承部507同时移到预定位置。在送入或送出基片时将液滴排放装置506移到初始位置,有效地执行排放。
在基片502到达预定位置时,液滴排放装置506等待运输台503移动,液滴排放就开始。支承部507与基片502的相对移动结合受支承部507支承的液滴排放装置506的液滴排放,实现了液滴排放。调整基片502与支承部507的移速和液滴排放装置506的成分排放周期,可在基片502上绘出期望的液滴图案。由于液滴排放尤其要求高精度,所以较佳地只是可控性好的支承部507连续移动,而运输台在液滴排放时停止移动。液滴排放装置能单向来回移动。
设置在底盘501外面的液滴供应部509把原料溶液送入底盘501,并经支承部507再送到液滴排放装置506里的液腔。原料液供应由设置在底盘501外面的控制装置50控制,但也可由配置在底盘内支承部507里的控制装置控制。
运输台与支承部507的移动同样由设在底盘501外面的控制装置50控制。
图6A~6C的液滴排放设备还可配备对准基片或基片上图案的传感器,对底盘引入气体的装置、底盘排气装置、基片热处理装置、基片光辐射装置、必要时测量各种物理值诸如温度或压力的装置。这些装置也可由设在底盘501外面的控制装置508一起控制。当控制装置508再经LAN电缆、无线LAN、光纤等按生产控制系统等时,可在外部一起控制某一过程,提高生产率。
接着说明图6B的线性液滴排放设备,它是图6A所示线性液滴排放设备的改进型。设计的该装置通过对支承部507设置一转动装置并转动任意角度θ,使液滴排放装置506与基片502成一角度。角θ为任一角度,但考虑到设备的总体尺寸,较佳地朝基片502的移动方向为0~45°。为支承部507设置转动装置,能以比液滴排放装置506配备的喷孔更窄的节距绘制成分图案。
图6C示出的线性液滴排放设备中,安装了图6A所示线性液滴排放设备的两个液滴排放装置506。在该设备中,单次移动可一起排放不同材料的成分,换言之,可以形成连续图案,其中原料液A从第液滴排放装置560a排出而形成一图案,原料液B从第二液滴排放装置506B排出而形成另一图案,时差很小。标记509a与509b指原料液供给部,用于存贮和提供各液滴排放装置所用的原料液A与B。运用这一结构,处理得以简化,明显提高了效率。
图7A~7C示意表示图6A~6C所示液滴排放装置的底部。
图7A示出在喷头部分底面601线性状排列的喷孔602。另一方面,图7B示出成喷头部分底面601排成二行交错的喷孔604,二行相互编移半个节距,故喷孔呈三角形。图7C示出排成二行喷孔节距对准的喷孔。
按图7C的编排,从第一行喷孔606排放液滴后,以某一时差对同一位置排放同样的成分,则在基片上单一次排放成分干燥或固化之前,可以再迭加同样的液滴而增厚。
注意,该实施方式可与上述任一实施方式随意组合。
实施方式5
在本实施方式中,将按图8A与8B说明与上述诸结构不同的液滴排放设备。在下述图8A与8B所示的结构中,用同样的标记指示上述实施方式中同样的元件。
如图8A所示,在该实施方式的液滴排放设备中,至少喷孔附近位于充有排放成分溶剂蒸气的空间内,因而液滴排放装置101置于同外界隔绝的封闭空间402内,而封闭空间402充有溶剂蒸气。换言之,该液滴排放设备本身有一带封闭空间402的腔结构,利用供蒸气装置401对其提供溶剂蒸气。这样,把液滴排放设备本身置于充有排放成分溶剂蒸气的空间内,使喷孔107里的成分经常暴露于溶剂蒸气,因此可防止成分干燥。
图8B示出线性液滴排放设备的全示意图。该设备用液滴排放装置506排放成分,在基片502上形成期望的成分图案。基片502从可以开闭的装载门404送入封闭空间402,成分排放后,从可以开闭的卸载门405送出。基片502迅速送入送出,外界空气进不去。
注意,封闭空间402用供蒸气装置401充入成分溶剂蒸气。在封闭空间402内,基片502装在运输台503上,而后者沿连接装载门504与卸载门505的轨道510a与510b移动。该液滴排放装置具有上述实施方式所述的结构。
按上述结构,排放成分可在液滴排放设备里防止干燥固化。注意,本实施方式可与上述任一实施方式随意组合。
实施方式6
在本实施方式中,将按图14A与14B说明通过振动液滴排放设备而防止喷孔内成分干燥的结构。注意,用同样的标记指示与上述实施方式中相同的元件。
本实施方式描述的液滴排放设备设置了振动整个液滴排放装置101的振动装置801与802(图14A)。在本实施方式中,对不排放成分的喷头部分109内压电元件106加高频脉冲电压使之振动,并利用振动装置801与802振动整个液滴排放装置101,仅辅液腔103、流体阻力部104、压缩腔105和喷孔107里的成分振动,从而在液滴排放装置101里形成成分流,防止喷孔107内的成分干燥。
尽管有一种方法通过对压电元件106加高频脉冲电压并振动成分来形成流,但是只振动压电元件106还不足以使成分流动。其原因在于只能产生一定程度的振动,因为在强力振动压电元件时,成分可能从喷孔里掉出,仅仅使压电元件附近的成分(压缩腔105里的成分)流动。因此,由于成分流不充分而且溶剂干燥,当喷孔内成分粘度增大时,恐怕造成不良排放。
而在本实施方式中,除了压电元件106振动外,还用振动装置801与802振动整个液滴排放装置101,使成分充分流动。因此,喷孔107内经常供给新成分,比常规方法更可靠地防止成分干燥。注意,在振动装置801与802能使成分流动时,可以不振动压电元件106。
有多个喷孔时,振动压电元件106和装置803与804(图14B),同样可以形成成分流。此时,成分在喷孔207、压缩腔105、流体阻力部104和连接流体阻力部104的共用液腔218内流动。即使喷孔207里的成分溶剂干了,也可防止不良排放,因为成分经常在更换。图14A与14B的结构可配备以上实施方式所述的通道,此时可进一步防止成分干燥。
注意,本实施方式可与上述任一实施方式随意组合。
实施方式7
在本实施方式中,将按图说明一例具有以上实施方式所述液滴排放装置的液滴排放设备的结构,它与图6A~6C所示的结构不同。
在本实施方式中,图9的一种液滴排放设备形成用来形成布线一类的图案。液滴排放装置14030的各喷头14050接控制装置14070,受计算机14100控制,可绘制预编程的图案。
根据例如形成在基片14000上的标记14110,确定绘制位置,另可根据基片14000的边缘定出一参考点。该参考点由诸如CCD等成像装置14040检测,并被图像处理装置14090转换为数字信号。然后,计算机14100识别该数字信号,产生控制信号并发送给控制装置中14070。当然,存贮媒体14080存贮了要在基片14000上形成的图案信息,并根据该信息向控制装置14070发送控制信号,从而独立地控制液滴排放装置14030的各喷头14050。
当被处理物体很大时,喷头可以沿x与y轴方向移动排放,这尤其适合对宽于喷头14050的大尺寸基片排放液滴。此外,设置可小型化。
注意,这里虽描述了有多个喷头14050的液滴排放设备,但本发明并不限于这一形式。可以沿x与y轴方向移动一只喷头作排放,此时还可进一步减小设备的尺寸与重量。
此外,对多个喷头14050充以不同材料,可同时排放多种材料。再者,根据对多个喷头14050分别设定每个喷头的直径,可同时形成不同线宽的布线等。
注意,本实施方式可与上棕任一实施方式随意组合。
实施方式8
在本实施方式中,将按图说明制造应用以与实施方式所述液滴排放设备的显示设备的方法。
首先如图10A所示,制备一块准备配置TFT与发光元件的基片700。具体地说,基片700可以使用钡硼硅酸盐、铝硼硅酸盐玻璃等玻璃基片、石英基片、陶瓷基片等,也可以使用包括不锈钢基片的金属基片或表面设置了绝缘膜的半导体基片。虽然由塑料等柔性合成树脂制作的基片一般具有比上述基片更低的耐热温度,但只要能承受制造时的处理温度,也可用作基片700。通过应用抛光诸如CMP法,基片700表面可平面化。
为改善与准备用液滴排放法形成的导电或绝缘膜的粘合性,对基片700表面作预处理。作为改善粘合的方法,可使用以下诸方法:在基片700表面附接用催化作用改善与导电或绝缘膜粘合的金属或金属化合物;在基片700表面附接与准备形成的导电或绝缘膜有良好粘合性的有机绝缘膜、金属或金属化合物;在大气压或减压下对基片700表面作等离子体处理而实施表面固化。与导电或绝缘膜有良好粘合性的金属,有Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn或第三过渡元件及钛、氧化钛等。作为金属化合物,可使用上述金属的氧化物、氧化物、氮氧化物等。作为有机绝缘膜,可使用聚酰亚胺、用硅氧烷材料作为原料形成Si-O-Si键的绝缘膜(下称硅氧烷绝缘膜)等。硅氧烷包括由硅(Si)与氧(O)键合而成的构架。至少含氢的有机团(如烷基团或芳香烃)或氟团或者至少含氢的有机团与氟团可用作替代物。
与基片700附接的金属或金属化合物导电时,其表面电阻被控制成不妨碍半导体元件的正常工作。具体地说,可将导电金属或金属化合物的平均厚度控制成例如1~10nm,或者将其氧化部分或全部绝缘。另外,除了要改善粘合性的区域外,用蚀刻法选择性地除去附接的金属或金属化合物。再或者,可用液滴排放法、印刷法、溶胶-凝胶法等只对特定区域选择地附接金属或金属化合物,而不是预先对基片全部附接金属或金属化合物。注意,金属或金属化合物在基片700表面不一定是完全连续的膜,在一定程度上分布。
在本实施方式中,基片700表面附接了诸如ZnO或TiO2等通过光催化作用改善粘合性的光催化剂。具体而言,ZnO或TiO2散布在溶剂中并在基片700表面扩散,或对基片表面附接Zn和Ti的化合物,之后作氧化或溶胶-凝胶处理,再对基片表面附接ZnO或TiO2。
接着在作过改善粘合性的预处理的基片700的表面,用具有以上实施方式所述液滴排放装置的液滴排放设备,形成栅电极701~703和引线704。具体地说,对栅电极701~703和引线704使用导电材料或其金属化合物,导电材料包括一种或多种金属,诸如Ag、Au、Cu或Pd。注意,含一种或多种金属诸如Cr、Mo、Ti、Ta、W或Al的导电材料或其金属化合物能分散在溶液中时,也可使用,并利用分散剂抑制凝聚。通过用液滴排放法对导电材料作多次膜形成,可形成层迭了多个导电膜的栅电极。但对于喷孔排放的成分,则优选Au、Ag与Cu,它可以在溶剂中溶解或扩散,要考虑到比电阻值。电阻值低的Ag或Cu更优选。使用Ag或Cu时,为防杂质,可另设一阻挡膜,而氮化硅膜或镍硼(NiB)可用作阻挡膜。
此外,还可使用某种导电材料涂布其它导电材料而具有多层的粒子,例如使用Cu涂布Ag的导电粒子或Cu涂布镍(硼(NiB)再涂布Ag的三层结构粒子。至于溶剂,可使用酯类诸如醋酸丁酯与乙酸乙酯等有机溶剂;异丙基醇与乙醇等醇;甲基·乙基酮与丙酮等。成分粘度较佳为20mPa·s或以下,这样成分能防干燥·或从喷孔润地排出。成分表面张力较佳为40mN/m或以下。然而,成分的粘度等可按使用或准备使用的溶剂作适当调整。例如,其中ITO、有机铟或有机锡溶解分散在溶剂里的成分,其粘度为5~20mPa·s;其中Ag溶解或分散在溶剂里的成分,粘度为5~20mPa·s;而其中Au溶解或分散在溶剂里的成分,粘度为5~20mPa·s。
液滴排放设备中喷孔直径定为0.1~50μm(优选0.6~26μm),喷头排放的成分量定为0.00001~50pl(优选0.0001~40pl),排放量正比于喷孔直径尺寸增大。再者,被处理物体与喷孔的距离越短越好,以便液滴落在期望的部分,该距离较佳地定为0.1~2mm。为改变喷孔直径,通过改变加到压电元件的脉冲电压,可控制排放量。较佳地设置这些排放条件,线宽可达10μm或以下。
应用液滴排放法时,通过喷头滴落分散在有机或无机溶剂中的导电材料,然后在室温下干燥或烘干,就能形成导电膜。具体而言,在本实施方式中,滴出散布了Ag的十四烷溶液,在200~300℃温度下焙烘1分钟至50小时而去除溶剂,形成栅电极701~703。使用有机溶剂时,能有效地除去该溶剂,另在氧气氛中焙烘,可降低栅电极的电阻。虽未图示,但这一步骤还能同时形成连接栅电极701的扫描线。
接着,形成覆盖栅电极701~703和引线704的栅绝缘膜705(图10B),例如对栅绝缘膜705可以使用氧化硅、氧化硅、氮氧化硅等绝缘膜。可以使用单层绝缘膜或把多个绝缘膜层迭为栅绝缘膜705。在本实施方式中,把依次层迭有氮化硅酮、氧化硅与氮化硅酮的绝缘膜用作栅绝缘膜705。可用等离子体CVD法、溅射法等形成栅绝缘膜705。为形成能以底的成膜温度抑制栅漏电流的绝缘薄膜,诸如氩等稀有气体元素较佳地包含在反应气体里并混入要形成的绝缘膜。此外,可对栅绝缘膜705使用氮化铝,氮化铝的热导率较高,能有效地辐射TFT的发热。
然后,应用图10B的液滴排放设备,在栅绝缘膜705上形成包括在发光元件里的第一电极706。注意,在本实施方式中,第一电极706和以后形成的第二电极736,分别对应于阳极与阴极;但本发明并不限于此,第一电极706和第二电极736可以分别对应于阴极与阳极。
阳极可使用发光的导电氧化物材料,诸如铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、铟锌氧化物(IZO)或掺镓氧化锌(GZO),也可使用含ITO的铟锡硅氧化物(下称ITSO)与氧化硅,或者混入氧化锌(ZnO)为2~20%的含氧化硅的氧化铟。除上述的发光导电氧化物材料外,阳极还可使用由一种或多种TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等组成的单层膜;一层层迭的氮化钛膜与铝为主成分的膜;氮化钛膜、铝为主成分的膜与另一氮化钛膜的三层结构等。但在通过由非发光导电氧化物材料组成的阳极提取光的情况下,形成厚度可发光的阳极(较佳为5~30nm厚)。
注意,第一电极706可用溅射法或印刷法及液滴排放法形成。应用液滴排放法或印刷法时,可以不用掩膜形成第一电极706。即使是应用溅射法,可利用液滴排放法或印刷法形成光刻法所使用的抗蚀剂,不必分开制备曝光掩膜,因而降低了成本。
第一电极706可用CMP法抛光或用聚乙烯醇多孔体清洗,使其表面平面化。另外,第一电极表面经CMP法抛光后,可用紫外线辐射或用氧等离子体处理。
接着如图10C所示,形成第一半导体膜707。膜707由非晶或半晶半导体(SAS)构成。还可使用多晶半导体膜。在本实施方式中,膜207使用了半晶半导体,其结晶度比非晶半导体更高,能得到高迁移率。另与多晶半导体不同,形成结晶度不增加步骤数。
对硅化合物气体作辉光放电分散可得到非晶半导体,SiH4或Si2H6是典型的硅化合物气体。硅化物气体可用氡或氢与氦稀释。
对硅化物气体作辉光放电分解还可得到SAS。典型的硅化合物气体是SiH4,还可使用Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等。该硅化物气体可用氢或添有一种或多种稀有气体元素氦、氩、氪与氖的氢稀释,从而便于形成SAS。较佳地稀释硅化物气体,稀释比为2~1000倍。再者,硅化物气体可以混合如CH4或C2H6等碳化气体、GeH4或GeF4,F2等锗化物气体,以将能带宽调到1.5~2.4eV或0.9~1.1eV。用SAS作为第一半导体膜的TFT,迁移经可达1~10cm2/伏秒或以上。
第一半导体膜由层迭多种不同气体组成的SAS组成,例如在上述各种气体当中,通过层迭用含氟原子气体构成的SAS和用含氢原子气体构成的SAS而组成。
可在减压或大气压下通过辉光放电分解而反应形成膜。在减压下,形成压力0.1~133Pa。辉光放电应用1~120MHz(较佳为13~60MHz)的高频电源,压力范围为0.1~133Pa,电源频率为1~120Mhz,优选13~60MHz。基片加热温度为300℃或以下,优选100~250℃。作为膜内的杂质元素,希望诸如氧、氮或碳等大气组成杂质为1×1020原子/cm3或以下;具体而言,氧浓度为5×1019原子/cm3或以下,优选1×1019原子/cm3或以下。
在用Si2H6和GeF4或F2形成半导体膜时,晶体在半导体膜中从靠近基片一侧生长,因而半导体膜的结晶度在靠近基片一侧较高。所以在栅电极比第一半导体膜更靠近基片的底部栅TFT情况下,第一半导体膜在更靠近基片一侧具有高结晶度的区域,用作沟道形成区,这样可进一步提高迁移率。
在用SiH4和H2形成半导体膜时,半导体膜更靠近顶面的一侧能得到大晶粒,因而在第一半导体膜比栅电极更靠近基片的顶部栅TFT的情况下,可将第一半导体膜离基片更远而具有高结晶度一侧的区域用作沟道形成区,这样能进一步提高迁移率。
当故意不加控制价电子的杂质时,SAS呈现弱的n型导电性,因为辉光放电用比形成非晶半导体时更高的功率实现,而且氧容易混入该半导体膜。这样,在其形成的同时成形成后,通过对设有TFT沟道形成区的第一半导体膜添加强施p型导电性的杂质,可控制某一阈值。强施p型导电性的典型杂质是硼,而诸如B2H6或BF3等杂质气体,较佳地以1~1000ppm速率混入硅化物气体。如在硼用作强施p型导电性的杂质时,其浓度较佳为1×1014~6×1016原子/cm3。
然后在第一半导体膜707上形成保护膜708~710,在膜707中重迭一部分沟道形成区。保护膜可用液滴排放法或印刷法形成,或者用CVD法、溅射法等形成。可将氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘膜、硅氧烷绝缘膜等用作保护膜,这些膜层迭后用作保护膜。在本实施方式中,把等离子体CVD法形成的氮化硅膜与液滴排放法形成的硅氧烷绝缘膜层迭成保护膜708~710,此时把液滴排放法形成的硅氧烷绝缘膜用作掩膜,使氮化硅膜图案化。
接着如图10D所示,第一半导体膜707形成图案。应用光刻法或把液滴排放法或印刷法形成的抗蚀剂用作掩膜,使第一半导体膜707形成图案。在后一种情况,曝光掩膜不必分开制备,可降低成本。在本实施方式中,描述了一个用液滴排放法形成的抗蚀剂711实现图案化的实例。注意,可对抗蚀剂711使用诸如聚酰亚胺或丙烯酸等有机树脂,然后由使用抗蚀剂711的干法蚀刻形成有图案的第一半导体膜712与713。
接着如图11A所示,有选择地蚀刻去除一部分栅绝缘膜705,露出一部分布线704。栅绝缘膜705可用光刻法或用液滴排放法或印刷法形成的抗蚀剂作为掩膜蚀刻,在后一种情况,不必分开制备曝光掩膜,可降低成本。
然后如图11B所示,在有图案的第一半导体膜712与713上形成第二半导体膜714,而膜714掺以强施一种导电性的杂质。在形成p沟道TFT时,较佳地把B2H6或BF3等杂质气体混入硅化物气体作为强施p型导电性的杂质,比如在用硼作为强施p型导电性的杂质时,硼浓度较佳为1×1014~6×1016原子/cm3。在形成n沟TFT时,可对第二半导体膜714添加合如强施n型导电性的杂质磷。具体地说,为形成第二半导体膜714,可对硅化物气体添加PH3等杂质气体。与第一半导体膜712与713一样,具有一种导电性的第二半导体膜714可由半晶或非晶半导体构成。
注意,在本实施方式中,第二半导体膜714被构成与第一半导体膜712和713接触,但本发明并不限于此。可在第一半导体膜712和713与第二半导体膜714之间形成当作LDD区的第三半导体膜,此时第三半导体膜由半晶或非晶半导体构成。
接着用液滴排放法形成布线715~719,并用布线715~719作掩膜蚀刻第二半导体膜714,如图11C所示。第二半导体膜714可在真空内或大气压下用干法蚀刻。根据该蚀刻,由第二半导体膜714构成当作源区或漏区的半导体膜720~724,还露出一部分第一电极706。在蚀刻第二半导体膜714时,要防止第一半导体膜712与713因保护膜708~710而被过分蚀刻。
像栅电极701~703一样,形成布线715~719。具体而言,使用某种含一种或多种金属诸如Ag、Au、Cu或Pd或其金属化合物的导电材料。在应用液滴排放法时,从喷头滴出分散在有机或无机溶剂里的导电材料,再在室温下干燥或烘干,形成布线715~719。当导电材料能分散在溶液中并利用分散剂抑制凝聚时,也可使用含一种或多种金属诸如Cr、Mo、Ti、Ta、W或Al或其金属化合物的该导电材料。为降低布线715~719的电阻,可在氧气氛中焙烘。用液滴排放法或各种印刷法多次形成导电材料膜,可构成层迭了多种导电膜的布线715~719。
按以上步骤形成TFT 730~732。
然后如图110所示,形成覆盖TFT 730~732的第一电极706边沿部的隔壁733。隔壁733可用有机树脂膜、无机绝缘膜或硅氧烷绝缘膜构成。有机树脂膜可用丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰胺等,无机膜可用氧化硅、氮氧化硅等。尤其是通过把光敏有机树脂膜用作隔壁733,在第一电极706上形成开口734,并将开口734的侧壁形成有连续弯曲的斜面,可防止第一电极706连接到以后形成的第二电极736。此时,可用液滴排放法或印刷法形成掩膜。另外,隔壁733本身也可用液滴排放法形成。注意,隔壁733有开口734。
接着,在形成电路发光层735之前,在大气压下或真空里(真空焙烘)作热处理,除去吸附于隔壁733和第一电极706的潮气、氧气等。具体地说,在真空里作热处理,基片温度为200~450℃,较佳为250~300℃,历时0.5~20小时。压力较佳为3×10-7或以下,无可能的话,最佳为3×10-8乇或以下。在真空里热处理后形成电致发光层时,使基片保持在真空里直到快形成电致发光层前,还可提高可靠性。此外,在真空焙烘的前或后,可用紫外线辐射第一电极706。
在本实施方式中,后来形成的钝化膜737由氮化硅酮构成并与第二电极706接触。在用含ITO与氧化硅膜的铟锡硅氧化物(ITSO)把发光元件的第一或第二电极形成得与含氮化硅或氮氧化硅的绝缘膜接触时,该发光元件的亮度比使用上述材料任意组合时提高了许多。当第一电极706使用IT 30时,因内含氧化硅,潮气容易附着,故上述的真空焙烘尤其有效。
然后,在隔壁733开口734内,把电致发光层735形成得接触第一电极706。电极发光层735具有单层结构或含多层的层迭结构。在后一结构中,在对应于阳极的第一电极706上,依次层迭了空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层与电子注入层。当第一电极706对应于阴极时,则通过依次层迭电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层与空穴注入层,形成电致发光层735。
在用发白光元件和滤色器显示单色或彩色图像时,所有像素中的各电致发光层735具有同样的结构。在用三个发光元件(发射各自三基色的光)显示彩色图像时,通过改变材料、被层迭的层或各色的厚度,可对电致发光层735分别着色。在电致发光层分别着色时,液滴排放法极其有效,因为材料不会浪费,步骤可以简化。注意,“彩色”可以是应用混合色的全色,或是应用多个像素的区域色,各像素对特定区域具有单色。
滤色器包括能发射具有特定波长区的光的着色层,有时除了该着色层外,还包括能屏蔽可见光的屏蔽层。滤色器可形成在覆盖材料上密封发光元件,或形成在元件基片上,在随便哪种场合,着色层或屏蔽膜都可用印刷法或液滴排放法形成。
即使在使用高分子量有机化合物、中分子量有机化合物、低分子量有机化合物与无机化合物的任一种时,也可用液滴排放法形成电致发光层735。中低分子量有机化合物或无机化合物可用蒸发法形成。
然后,在电致发光层735上形成第二电极736。在本实施方式中,第二电极736对应于阴极。根据材料的不同,可用蒸发法、溅射法、液滴排放法等制造第二电极736。
作为阴极,可使用底逸出功的金属、合金、导电化合物或其混合物。具体而言,可使用Li或Cs等碱金属、Mg、Ca或Sr等碱土金属、含金属合金(Mg:Ag、Al:Li、Mg:In等)及其化合物(CaF2或CAN),或者Yb或Er等稀土金属。在设置电子注入层时,也可使用Al等另一导电层。在通过阴极提取光时,可使用发光导电氧化物材料,诸如铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、铟锌氧化物(IZO)或掺锗的氧化锌(GZO)。还可使用含ITO与氧化硅的铟锡硅氧化物(下称ITSO),或者含氧化硅并再混入2~20%氧化锌(ZnO)的氧化铟。使用该发光导电氧化物材料时,较佳地对电致发光层735设置电子注入层。不使用该发光导电氧化物材料,通过形成具有发光厚度的阴极(优选5~30nm),也可通过该阴极提取光。此时,利用发光导电氧化物材料把发光导电层形成得接触阴极的上表面或下表面,可抑制阴极的表面电阻。
第一电极706、电极发光层735与第二电极736在隔壁733开口734内重迭,形成发光元件738。
注意,可通过第一电极706、第二电极736或者二者从发光元件738中提取光。在上述三种结构中,按所需的结构选择各别阳极和阴极的材料与厚度。与本实施方式一样,在通过第二电极736提取光时,与通过第一电极706提取光相比,亮度更高,功耗更小。
注意,可形成覆盖发光元件738的钝化膜737。被诸如潮气或氧气等促使发光元件劣化的物质比其它绝缘膜更少渗透的膜被用作钝化膜737,一般优选例如DLC膜、氮化碳膜、由RF溅射法或CVD法等形成的氮化硅膜。又如氮化碳与氮化硅层迭膜、该层迭膜与聚苯乙烯层迭膜等,也可用作钝化膜737。此外,层迭的两种膜也可用作钝化膜737,其中的一种膜很少被潮气或氧气等物质渗透,但比前一种膜具有低的内应力。在本实施方式中,使用了氮化硅。对钝化膜737使用氮化硅时,氩等稀有气体元素较佳地包含在反应气体里并混入钝化膜737,以在低的膜形成温度下构成稠密的钝化膜737。
实际上,较佳地用保护膜(诸如层迭膜或紫外固化的树脂膜)或覆盖材料进行封装(密封),这种材料在实现了图11D所示状态后具有高气密性和很少除气作用,以防进一步暴露于外界空气。
虽然本实施方式说明了形成像素部的步骤,但在对第一半导体膜使用半晶半导体时,可在同一基片上把扫描线驱动电路形成为像素部。此外,可用应用非晶半导体的TFT构成像素部,而分开形成的驱动电路可连接配备像素部的基片。
在图10A~11D所示的显示设备中,保护膜形成在TFT的第一与第二半导体膜之间,但本实施方式并不限于这种结构。在图10A~11D所示的场合中,不一定要形成保护膜。图12A是不形成保护膜时的像素的截面图。图12A所示的TFT 7010包括形成在基片7000上的栅电极7020、形成得覆盖栅电极7020的栅绝缘膜7030、形成在栅绝缘膜7030上重迭栅电极7020的第一半导体膜7040和与第一半导体膜7040接触的第二半导体膜7050与7060。在蚀刻形成第二半导体膜7050与7060时,SF6、NF3或CF4等氟化物气体用作蚀刻气体。由于这种蚀刻对第一半导体膜7040的蚀刻没有充分地选择比,要妥善调节处理时间。根据这种蚀刻,露出一部分第一半导体膜7040。
当不形成图12A所示的保护膜而用同一掩膜对第一半导体膜7040和第二半导体膜7050与7060形成图案时,可连续形成栅绝缘膜7030和第一与第二半导体膜7040和7050与7060而不暴露于大气空气。换言之,形成的每一层迭界面不被大气成分或漂在空气里的污物沾污,从而减少了TFT特性变化。
在图10A~12A中,形成的栅电极比第一半导体膜更靠近基片,但本实施方式并不限于该结构。图12B是像素的截面图,其中第一半导体膜形成得比栅电极更靠近基片。注意,图12B示出了TFT 7080,图中布线7090和7100形成在基片7070上,第二半导体膜7110和7120形成在布线7090和7100上,第一半导体膜7130形成在第二半导体膜上。栅绝缘膜7140形成在第一半导体膜7130上,栅电极7150形成在栅绝缘膜7140上重迭第一半导体膜7130。
尽管图10A~12B的所有TFT都使用作为源区或漏区的第二半导体膜,但不一定要形成第二半导体膜,此时布线直接接第一半导体膜,布线当作源区或漏区。在图10B的TFT不用第二半导体膜时,用于图案化形成第二半导体膜7110和7120的掩膜是不必要的,故明显减少了步骤数。
注意,本实施方式可与任一上述实施方式自由组合。
实施方式9
下面是几例用本发明液滴排放设备构成的电子设备:诸如电视摄像机或数码相机的摄像机、护目镜型显示器(头装显示器)、导航系统、音频再现设备(汽车无线电、音频元件等)、计算机、游戏机、便携信息终端(移动计算机、蜂窝电话、便携游戏机、电子图书等)、含记录媒体的图像再现设备(具体而言,一种能处理诸如数字多用遥盘(DVD)等记录媒体内数据并具有能显示数据图像的显示器的设备)等。实例示于图13A~13H。
图13A示出一台电视机,包括底盘2001、支持部2002、显示部2003、喇叭部2004、视频输入端2005等。该电视机可用以上处理显示部2003、电路等实施方式所述的液滴排放设备制造。
图13B示出一数码相机,包括主体2101、显示部2102、图像接收部2103、操作键2104、外接端口2105、快六2106等。该数码相机可用以上处理显示部2102、电路等的实施方式所述的液滴排放设备制造。
图13C示出一台计算机,包括主体2201、底盘2202、显示部2203、键盘2204、外接端口2205、指示鼠标2206等。该计算机可用以上处理显示部2203、电路等的实施方式所述的液滴排放设备制造。
图130示出一台移动计算机,包括主体2301、显示部2302,开关2303、操作键2304、外红端口2305等。该移动计算机用以上处理显示部2302、电路等的实施方式所述的液滴排放设备制造。
图13E示出有记录媒体的便携式图像再现设备(如DVD再现设备),包括主体2401、底盘2402、显示部A2403、显示部B2404、记录媒体(如DVD等)读出部2405、操作键2406、喇叭部2407)等。显示部A2403主要显示图像信息,而显示部B2404主要显示文本信息。该图像再现设备可用以上处理显示部A2403、显示部B2404、电路等的实施方式所述的液滴排放设备制造。注意,有记录媒体的该图像再现设备包括游戏机等。
图13F示出一护目镜型显示器(头装显示器),包括主体2501、显示部2502和臂部2503。该护目镜型显示器可用以上处理显示部2502、电路等的实施方式所述的液滴排放设备制造。
图13G示出一台电视摄像机,包括主体2601、显示部2602、底盘2603、外接端2604、遥控接收部2605、图像接收部2606、电池2607、间频输入部2608、操作键2609、目镜2610等、该电视摄像机可用以上处理显示部2602、电路等的实施方式所述的液滴排放设备制造。
图13H示出一蜂窝电话,包括主体2701、底盘2702、显示部2703、音频输入部2704、音频输出部2705、操作键2706、外接端口2707、天线2708等。该蜂窝电话可用以上处理显示部2703、电路等的实施方式所述的液滴排放设备制造。
注意,该液滴排放设备还可用于前或后投影仪及上述诸电子设备。
如上所述,本发明的适用范围广得能应用于各领域的电子设备。注意,本实施方式可与上述任一实施方式自由组合。
本申请基于在日本专利局于2004年8月23日提交的日本专利申请2004-224262,其整个内容通过引用包括在这里。
Claims (23)
1.一种液滴排放设备,其特征在于,包括:
喷头部分,包括至少一个成分排放喷孔和从喷孔排放成分的增压装置;和
对喷头部分底面提供成分的装置,
其中对喷头部分底面作亲液处理。
2.如权利要求1所述的液滴排放设备,其中成分提供装置包括一条设置在喷头部分里的通道,成分通过该通道供给喷头部分底面。
3.如权利要求2所述的液滴排放设备,其中通道包括向喷头部分底面提供成分的装置或从喷头部分底面吸回成分的装置。
4.一种液滴排放设备,其特征在于,包括:
喷头部分,包括至少多个成分排放喷孔和从多个喷孔排放成分的增压装置,其中喷头部分排成直线状;和
向喷头部分底面提供成分的装置,
其中对喷头部分底面作亲液处理。
5.如权利要求4所述的液滴排放设备,其中成分提供装置包括多条设置在喷头部分里的通道,成分通过所述多条通道供给喷头部分底面。
6.如权利要求5所述的液滴排放设备,其中每条通道设置在多个排成直线状的喷孔之间。
7.如权利要求5或6所述的液滴排放设备,其中每条通道包括向喷头部分底面供给成分的装置或从喷头部分底面吸回成分的装置。
8.一种液滴排放设备,其特征在于,包括:
喷头部分,包括至少一个成分排放喷孔、从喷孔排放成分的增压装置和接喷孔侧壁的通道,
其中成分通过通道供给喷孔。
9.一种液滴排放设备,其特征在于,包括:
喷头部分,包括至少一个成分排放喷孔、从喷孔排放成分的增压装置和分别接喷孔侧壁的第一与第二通道,
其中成分通过第一通道供给喷孔,并从喷孔通过第二通道吸回。
10.如权利要求9所述的液滴排放设备,其中在喷孔与第一通道之间的连接部和喷孔与第二通道之间的连接部设置了通/断阀。
11.一种液滴排放设备,其特征在于,包括:
喷头部分,包括至少多个成分排放喷孔、从多个喷孔排放成分的增压装置和连接多个喷孔侧壁的通道,其中喷头部分排成直线状,
其中通道把多个喷孔相互连接起来,成分在多个喷孔与通道之间交换。
12.如权利要求8~11中任一权利要求的液滴排放设备,其中通道包括向喷孔提供成分的装置和从喷孔吸回成分的装置。
13.一种液滴排放设备,其特征在于,包括:
成分排放喷孔;
接喷孔的压缩腔;
接压缩腔侧壁两个不同位置的通道;
设置在压缩腔侧壁的第一增压装置;和
设置在通道侧壁的第二增压装置,
其中在压缩腔与通道之间的连接部设置一通/断阀。
14.如权利要求13所述的液滴排放设备,其中通道配有外部提供成分的装置。
15.一种液滴排放设备,其特征在于,包括:
喷头部分,包括至少一个成分排放喷孔和从喷孔排放成分的增压装置;
向喷头部分底面提供成分的装置;和
蒸气提供装置,
其中蒸气提供装置向液滴排放设备提供成分的溶剂蒸气。
16.一种液滴排放设备,其特征在于,包括:
液滴排放装置,包括至少一个成分排放喷孔、接喷孔的压缩腔、与增压装置接触的增压装置和振动装置,
其中增压装置和振动装置振动包含在液滴排放装置里的成分。
17.一种液滴排放设备,其特征在于,包括:
喷头部分,包括至少一个成分排放喷孔和从喷孔排放成分的增压装置;和
从不同成分排放方向提供成分的装置。
18.如权利要求17所述的液滴排放设备,其中成分提供装置包括设置在喷头部分里的通道,成分通过该通道供给喷头部分底面。
19.如权利要求18所述的液滴排放设备,其中通道包括向喷头部分底面提供成分的装置或从喷头部分底面吸回成分的装置。
20.一种液滴排放设备,其特征在于,包括:
喷头部分,包括至少多个成分排放喷孔和从多个喷孔排放成分的增压装置,其中喷头部分排成直线状;和
从不同的成分排放方向提供成分的装置。
21.如权利要求20所述的液滴排放设备,其中成分提供装置包括多条设置在喷头部分里的通道,成分通过所述多条通道供给喷头部分底面。
22.如权利要求21所述的液滴排放设备,其中每条通道设置在排成直线状的多个喷孔之间。
23.如权利要求21或22所述的液滴排放设备,其中每条通道包括向喷头部分底面提供成分的装置或从喷头部分底面吸回成分的装置。
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
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Granted publication date: 20111116 Termination date: 20180822 |