CN1756456A - 图案形成结构及形成方法、器件及电光学装置、电子仪器 - Google Patents

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Abstract

本发明通过在形成图案时使微细图案和其它图案的各自高度相同，从而提供在含有图案的区域的上面形成平坦区域的贮格围堰结构体、图案形成方法及电光学装置、电子仪器。该发明是设有与由功能液形成的图案对应的凹部(35)的隔壁结构体，其特征在于，具备：与第1图案对应而设的第1凹部(55)、与第1图案连接而且与比第1图案宽度窄的第2图案对应而设的第2凹部(56)和在第1凹部(55)至少设1个以上的凸部(35)。

Description

图案形成结构及形成方法、器件及电光学装置、电子仪器
技术领域
本发明涉及图案形成结构、图案形成方法、器件及电光学装置、电子仪器。
背景技术
作为形成使用于电子电路或集成电路的由所定图案构成的配线等方法，例如广泛地使用光刻处理。该光刻处理法需要有真空装置、曝光装置等的大规模的设备。而且，为了形成由所定图案构成的配线等，上述装置存在需要有复杂的工序或者材料使用率也数％左右而不得不几乎被废弃、制造成本高的课题。
与此相对，提出了以液滴状从液滴喷头喷出液体材料的液滴喷出法、所谓用喷墨法在基板上形成由所定图案构成的配线等的方法(例如参照专利文献1、专利文献2)。用该喷墨法，可以将图案用液体材料(功能液)直接图案配置在基板上，其后进行热处理或激光照射来转换成图案。因此，按照该方法，由于可以不要光刻工序而大幅度简化工序，同时可以将原材料直接配置在图案位置上，所以具有可以削减使用量的优点。
【专利文献1】特开平11-274671号公报
【专利文献2】特开2000-216330号公报
但是，近年来，构成器件的电路的高密度化进展迅速，例如要求配线图案进一步微细化、细线化。在用上述的液滴喷出法的图案形成方法中，由于喷出的液滴弹落后在基板上扩展，所以难以稳定地形成微细的图案。特别是图案是导电膜的情况下，因上述液滴的扩展，发生液积存(突起)，担心其成为断线和短路等不适宜情况发生的原因。
因此，提出了通过在区分配线图案的形成区域的贮格围堰(bank)的表面呈疏液化状态下向配线的形成区域喷出功能液、形成与由液滴喷出法喷出的功能液的飞翔直径相比宽度窄的配线图案的技术。这样，通过形成区分配线图案的形成区域的贮格围堰，即使功能液的一部分被喷到贮格围堰的上面，功能液也会全部流入配线图案的形成区域。
但是，由毛细管现象形成上述微细配线图案的情况下，由毛细管现象形成的微细配线图案与其它配线图案相比较，存在形成的膜厚薄的问题。因此，在微细配线图案和其它配线图案的上面因配线图案的膜厚的差而生成阶差，在含有这种配线图案的贮格围堰上面再层叠配线图案等的情况下，担心由阶差造成的断线及短路等。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而做出的，其目的在于，通过使微细图案和其它的图案的膜厚相等，提供在包含图案的领域的上面形成平坦区域的贮格围堰结构体、图案形成方法及电光学装置、电子仪器。
为了解决上述课题，本申请发明是设有与由功能液形成的图案对应的凹部的隔壁结构体，其特征在于，具备：与第1图案对应设在上述隔壁上的第1凹部；与上述第1图案连接而且与比上述第1图案宽度窄的第2图案相对应设在上述隔壁上的第2凹部；和至少在上述第1凹部的底面上设置的1个以上的凸部。
这里，所谓第1图案的宽度是指从相对于第1图案的延长的方向垂直的方向的图案的一端至另一端的长度。另外，所谓第2图案的宽度是指从由第1图案和第2图案的连接点相对于第2图案延长的方向垂直的方向的图案的一端至另一端的长度。
按照这种构成，配置在第1凹部的功能液与设在第1凹部的凸部接触。此时，凸部成为障壁，起阻挡在第1凹部形成湿润扩展的功能液的功能。也就是说，设在第1凹部的底面上的凸部可以调整功能液的流动。而且，由设在第1凹部的底面上的凸部阻挡的功能液由毛细管现象流入第2凹部。藉此，可以使向第2凹部的功能液的流入量增加，使配置在第1凹部的功能液和配置在第2凹部的功能液(图案)的高度相等。其结果，可以使配置在第1凹部及第2凹部的功能液的上面平坦化，可以防止在其上面形成的图案等的断线、短路。
另外，优选本发明的隔壁结构体的上述凸部设在含有上述第1凹部和上述第2凹部的连接部的上述第1凹部的底面区域内。
按照该构成，由于在含有第1凹部和第2凹部的连接部的第1凹部设置凸部，所以可以使由凸部阻挡的功能液直接流入第2凹部中。
另外，优选本发明的隔壁结构体设置多个上述凸部，邻接设置的上述凸部间的间隙部设置得比上述第2凹部的宽度小。
按照这中构成，由于第2凹部的宽度比设在第1凹部的底面上的凸部间的宽度大，所以可以使第2凹部的内部压力比凸部间的内部压力小。从而，配置在第1凹部的底面上的功能液流入内部压力小的第2凹部。藉此，促进毛细管现象，增加向第2凹部的功能液的流入量，使配置在第1凹部的功能液和配置在第2凹部的功能液的高度相等。
另外优选本发明的隔壁结构体的上述凸部的高度设置得比上述隔壁结构体的上面低。
一般为了使喷出的功能液不沾，对隔壁的上面实施疏液处理。另外，本发明形成的凸部既可以由隔壁的一部分形成，也可以由与隔壁不同的材料、工序等形成。例如，在本发明中，由隔壁的一部分形成凸部时，凸部的高度与隔壁的高度相同的情况下，凸部的上面呈疏液性。从而，在凸部的上面不沾液滴，在该区域不附着液滴，不形成图案。藉此，形成的图案的截面积小，作为导电图案使用的情况下，电阻增大。与此相反，按照本发明，通过半色调曝光后显影，除去疏液处理的凸部的上面，凸部的高度形成得比隔壁低。这样，凸部的上面也可以配置功能液，使图案的截面积可以大，进而使图案的电阻可以低。
另外，优选本发明的隔壁结构体的上述凸部沿上述第2图案的长度方向设置着。
按照这中构成，在第1凹部的宽度方向设凸部的情况下，凸部沿第2图案的长度方向而设置。因此，由少的凸部就可以形成在第1凹部的宽度方向阻挡功能液的障壁。
本发明的隔壁结构体的制造方法，是在基板上形成具有与多个图案相对应的凹部的隔壁结构体的方法，其特征在于，具有：在上述基板上涂布隔壁材料的工序；和形成具有与第1图案对应的第1凹部的同时具有与上述第1图案连接而且与比上述第1图案窄的第2图案对应的第2凹部的隔壁的工序；在上述隔壁形成工序中，在上述第1凹部至少设置1个以上的凸部。
按照本发明的隔壁结构体的制造方法，配置在第1凹部的功能液与设在第1凹部的凸部接触。此时，凸部成为障壁，阻挡在第1凹部形成湿润扩展的功能液，由毛细管现象流入第2凹部。藉此，向第2凹部的功能液的流入量可以增加，使第1凹部形成的第1图案和第2凹部形成的第图案的高度相等。其结果，可以使配置在第1凹部及第2凹部的功能液的上面平坦化，可以防止在其上面形成的图案等的断线、短路。
另外，本发明的器件是具备上述隔壁结构体和配置在上述隔壁结构体的上述第1凹部及第2凹部的内部的图案的器件。
按照本发明的器件，由于在上述那样的隔壁结构体的内部形成有图案，所以可以使配置在第1凹部及第2凹部的功能液的上面平坦化，可以实现防止在其上面形成的图案等的断线、短路的电特性优良的器件。
另外，优选本发明的器件的上述第1图案是栅配线，上述第2图案是栅电极。
通过使用上述的隔壁结构体，可以使栅配线和栅电极的膜厚相等。藉此，可以在栅配线、栅电极及隔壁的上面形成平坦的区域，可以防止在其上面形成的配线等的短路、断线等，可以实现电特性优良的器件。
另外，优选本发明的器件的上述第1图案是源配线，上述第2图案是源电极。
通过使用上述的隔壁结构体，可以使源配线和源电极的膜厚相等。藉此，可以在源配线、源电极及隔壁的上面形成平坦的区域，可以防止在其上面形成的配线等的短路、断线等，可以实现电特性优良的器件。
另外，本发明的电光学装置，其特征在于，具备上述器件。另外，本发明的电子仪器，其特征在于，具备上述电光学装置。
按照这些发明，由于具备具有高精度的电特征等的器件，所以可以实现谋求质量或性能提高的电光学装置及电子仪器。
这里，在本发明中所谓电光学装置，除了具有用电场改变物质的衍射率而改变光的透过率的电光学效果的电光学装置以外，还包括将电能转换成光能的电光学装置等的总称。具体地说，有作为电光学物质使用液晶的液晶显示装置、作为电光学物质使用有机EL(Electro-Luminescence)的有机EL装置、用无机EL的无机EL装置、作为电光学物质使用等离子体的等离子体显示装置等。还有电泳显示装置(EPD：ElectrophoreticDisplay)、场致发射显示装置(FED：Field Emission Display)等。
附图说明
图1是表示本发明的液滴喷出装置的概略构成的立体图。
图2是用于说明由压电方式的液状体的喷出原理的图。
图3(a)是模式地表示贮格围堰结构的平面图。(b)是(a)中所示的贮格围堰结构的剖面图。
图4的(a)～(d)是表示配线图案的形成工序的剖面图。
图5的(a)～(b)是表示配线图案的形成方法的剖面图。
图6是模式地表示作为显示区域的1个像素的平面图。
图7(a)～(e)是表示1个像素的形成工序的剖面图。
图8(a)是模式地表示贮格围堰结构的平面图。(b)是(a)中所示的贮格围堰结构的剖面图。
图9(a)是模式地表示贮格围堰结构的平面图。(b)是(a)中所示的贮格围堰结构的剖面图。
图10(a)是模式地表示贮格围堰结构的平面图。(b)是(a)中所示的贮格围堰结构的剖面图。
图11是从对向基板侧看液晶显示装置的平面图。
图12是沿图9的H-H’线的液晶显示装置的剖面图。
图13是液晶显示装置的等价电路图。
图14是有机EL装置的部分放大的剖面图。
图15是表示本发明的电子仪器的具体例的图。
图16是非接触型卡片介质的分解立体图。
图中：L-功能液，34-贮格围堰(隔壁)，34b-源·漏电极用贮格围堰，34c-像素电极用贮格围堰，35-凸部，40-配线图案、栅配线(第1图案)，41-配线图案、栅电极(第2图案)，42-源配线(第1图案)，43-源电极(第2图案)，55-第1沟槽部(第1凹部)，56-第2沟槽部(第2凹部)
具体实施方式
[第1实施方式]
以下参照附图说明本发明的最佳的第1实施方式。另外，以下说明的实施方式是表示本发明的一部分的实施方式，并不限定本发明。另外，在以下说明中所用的各附图中，为了将各层和各构件取为在附图上可识别程度的大小，对各层和各构件适宜地变更了缩尺。
(液滴喷出装置)
首先，参照图1说明本实施方式中用于形成配线的液滴喷出装置。
图1是表示作为用于本发明的图案形成方法的装置的一例、由液滴喷出法在基板上配置液体材料的液滴喷出装置(喷墨装置)IJ的概略构成的立体图。
液滴喷出装置IJ具备：液滴喷头1、X轴方向驱动轴4、Y轴方向导向轴5、控制装置CONT、台面7、洗涤机构8、基台9和加热器15。
台面7支持由该液滴喷出装置IJ设置墨水(液体材料)的基板P，具备将基板P固定在基准位置的未图示的固定机构。
液滴喷头1是具备多个喷嘴的多嘴型的液滴喷头，长度方向和Y轴方向相一致。多个喷嘴沿Y轴方向以一定间隔并列设在液滴喷头1的下面。从液滴喷头1的喷嘴相对于支持在台面7上的基板P喷出含有上述导电性微粒子的墨水。
X轴方向驱动马达2与X轴方向驱动轴4连接着。X轴方向驱动马达2是步进马达等，从控制装置CONT供给X轴方向的驱动信号时，X轴方向驱动轴4旋转。X轴方向驱动轴4旋转时，液滴喷头1沿X轴方向移动。
Y轴方向导向轴5以相对于基台9不动的方式固定着。台面7具备Y轴方向驱动马达3。Y轴方向驱动马达3是步进马达等，从控制装置CONT供给Y轴方向的驱动信号时，台面7沿Y轴方向移动。
控制装置CONT将液滴喷出控制用电压供给液滴喷头1。另外，将控制液滴喷头1的X轴方向移动的驱动信号供给X轴方向驱动马达2，将控制台面7的Y轴方向移动的驱动信号供给Y轴方向驱动马达3。
洗涤机构8是洗涤液滴喷头1的。在洗涤机构8中备有未图示的Y轴方向的驱动马达。通过该Y轴方向的驱动马达的驱动，洗涤机构8沿Y轴方向导向轴5移动。洗涤机构8的移动也由控制装置CONT控制。
这里，加热器15是由氙灯热处理基板P的装置，进行基板P上涂布的液体材料中含有的溶剂的蒸发及干燥。该加热器15的电源的接通及断开也由控制装置CONT控制。
液滴喷出装置IJ相对于支持液滴喷头1和基板P的台面7扫描，同时相对于基板P喷出液滴。这里，在以下的说明中，以X轴方向作为扫描方向，以与X轴方向垂直的Y轴方向作为非扫描方向。从而，液滴喷头1的喷嘴以一定的间隔沿非扫描方向的Y轴方向并列地设置着。另外，在图1中，液滴喷头1相对于基板P的行进方向垂直地配置，但是也可以调整液滴喷头1的角度，相对于基板P的行进方向交叉。
如果按照这样调整液滴喷头1的角度时，就可以调节嘴间的间距。另外，也可以任意地调节基板P和嘴面的距离。
图2是用于说明由压电方式的功能液L的喷出原理的图。
在图2中，与收容液体材料(配线图案用墨水、功能液)的液体室21邻接而设置着压电元件22。借助于包括收容液体材料的材料容器的液体材料供给系统23将液体材料供给液体室21。
压电元件22与驱动电路24连接着，借助于该驱动电路24将电压施加到压电元件22上，通过使压电元件22变形，可以使液体室21变形，从嘴25中喷出液体材料。此时，通过改变施加电压的值，控制压电元件22的变形量。另外，通过改变施加电压的频率，控制压电元件22的变形速度。
另外，作为液体材料的喷出原理，除了用上述的作为压电体元件的压电元件喷出墨水的压电方式以外，也可以适用于加热液体材料、由产生的泡(气泡)喷出液体材料的气泡方式等公知的各种技术。其中，由于用上述的压电方式不会使液体材料增热，所以具有对材料组成等不带来影响等的优点。
这里，功能液L由将在分散介质中分散导电性微粒子的分散液或有机银化合物或氧化银毫微粒子分散在溶剂(分散介质)中的溶液构成。
作为导电性微粒子，例如除含有金、银、铜、钯及镍中的任一种的金属微粒子以外，也可以使用它们的氧化物及导电性聚合物或超电导体的微粒子等。
这些导电性粒子也可以为提高分散性在其表面涂敷有机物等而使用。作为在导电性微粒子的表面上进行涂敷的涂敷材料，例如可以举出二甲苯、甲苯等有机溶剂和柠檬酸等。
优选导电性微粒子的粒径是1nm以上、0.1μm以下。比0.1μm大时，担心后述的液滴喷头的嘴发生孔堵塞。另外，比1nm小时，相对于导电性微粒子的涂覆剂的体积比增大，得到的膜中的有机物的比例过多。
作为分散介质，只要是可以分散上述的导电性微粒子、不发生凝聚就不作特别的限定。例如，除水以外，可以例示出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类；正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙基甲苯、杜烯、茚、二聚戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等的烃类化合物；另外乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2一二甲氧基乙烷、二(2-甲氧基乙基)醚、对二噁烷等的醚类化合物、和碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、环己酮等的极性化合物。其中，从微粒子的分散性和分散液的稳定性及适用于液滴喷法(喷墨法)的容易度出发，优选水、醇类、烃类化合物、醚类化合物，作为更优选的分散介质可以举出水、烃类化合物。
优选上述导电性微粒子的分散液的表面张力在0.02N/m以上、0.07N/m以下的范围内。用液滴喷出法喷出液体之际表面张力低于0.02N/m时，因墨水组合物的相对于嘴面的润湿性增大而容易发生飞行弯曲，超过0.07N/m时，因嘴前端的弯液面的形状不稳定而难以控制喷出量、喷出时间。为了调整表面张力，在不会大幅度降低与基板的接触角的范围内，可以向上述分散液中微量添加氟系、硅系、非离子系等的表面张力调节剂。非离子系表面张力调节剂有益于提高液体对基板的湿润性、改善膜的调平性、防止膜的微细的凹凸的发生等。上述表面张力调节剂也可以根据必要含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。
优选上述分散液的粘度是1mPa·s以上、50mPa·s以下。用液滴喷出法以液体材料作为液滴喷出之际、粘度比1mPa·s小的情况下，嘴周边部因墨水的流出容易被污染，另外粘度比50mPa·s大的情况下，嘴孔处的孔堵塞的频率增高，喷出圆滑的液滴变得困难。
(贮格围堰结构体)
以下，参照图3(a)～(c)说明在本实施方式中配置功能液(墨水)的贮格围堰结构体。
图3(a)、(b)是表示贮格围堰结构体概观构成的平面图。
如图3所示，本实施方式的贮格围堰结构体由在基板48上形成的贮格围堰34和与所定的配线图案相对应而在贮格围堰34上形成的沟槽部构成。
与所定的配线图案相对应而在贮格围堰34上形成的沟槽部由第1沟槽部55和第2沟槽部56构成。
第1沟槽部55沿图1中X轴方向延伸而形成，该第1沟槽部具有宽度H1。这里，第1沟槽部55的宽度H1以与从上述液滴喷出装置IJ喷出的功能液的飞翔直径相等或者大的方式形成。
第2沟槽部56相对于第1沟槽部55大体垂直地连接，沿图1中Y轴方向延伸而形成。该第2沟槽部56具有宽度H2，比第1沟槽部55的宽度H1窄地形成。通过采用这样的结构，利用毛细管现象，可以使功能液L从第1沟槽部55流入作为微细图案的第2沟槽部56中。
以下参照图3(a)、(b)说明本实施方式的形成第1沟槽部55的凸部35的结构等。这里，将第2沟槽部56的功能液L流入的入口称为功能液流入口37。
如图3(a)、(b)所示，在第1沟槽部55的底面上形成多个凸部35。该多个凸部35的各自具有所定的厚度(高度)，俯视呈矩形形状，根据所定的排列图案配置在第1沟槽部55的底面上。具体地说，第1沟槽部55的底面的凸部35以围住设在图3(a)所示的第1沟槽部55的底面上的区域S的方式形成。这里，区域S是第1沟槽部55和第2沟槽部56的连接部，更详细地说，是沿Y轴方向通过第2沟槽部56的宽度H2的中心的轴和沿X轴方向通过第1沟槽部55的宽度H1的中点的轴交叉的区域。即，设在第1沟槽部55的底面上的区域S设置成在同轴上方与第2沟槽部56的功能液流入口37重合。另外，该区域S是在第1沟槽部55的底面上假想而设的区域。
另外，区域S俯视考虑为圆形形状时，其直径设定成至少比第2沟槽部56的宽度H2大。这意味着与配置的功能液L的飞翔直径大体相等或者大。藉此，将功能液L配置在区域S的情况下，凸部35可以配置成围住功能液。因此，由凸部35可以暂时阻挡流入第1沟槽部55中的功能液L，被阻挡的功能液L可以流入第2沟槽部56中。
接着，说明凸部35的排列图案。
凸部35沿Y轴方向2行排列在区域S的图3中的左侧及右侧。排列在该区域S的左侧及右侧的凸部35空出区域S大体直径部分的间隔而排列。此时，多个凸部35的各自排列形成得由矩形形状构成的凸部35的长度方向与Y轴方向平行而且凸部35的短边方向与X轴方向平行。另外，优选上述凸部35相对于X轴方向和Y轴方向保持所定角度的倾斜而形成。
另外，如图3(a)所示，Y轴上邻接形成的凸部35、35之间的间隔H3比第2沟槽部56的宽度H2小地形成。藉此，可以使第2沟槽部56的内部压力比凸部35、35之间的内部压力小。从而，可以使配置在第1沟槽部55的底面上的一次被阻挡的功能液L流入内部压力小的第2沟槽部56中。另外，优选比第2沟槽部56的宽度H2小的区域不仅是上述凸部35、35之间，而且对于凸部35和贮格围堰34的间隔也比第2沟槽部56的的宽度H2小。
另外，如图3(b)所示，在第1沟槽部55的底面上形成的凸部的高度H14，比贮格围堰34的高度H15低地形成。在本实施方式中，对贮格围堰34的上面实施疏液处理，但是，如后述那样，通过加工贮格围堰34的一部分形成的凸部35的上面可以通过半色调曝光、显影而被除去，凸部35的高度比隔壁低地形成。藉此，可以使凸部35的上面呈不具有疏液性的状态，在凸部35的上面也可以配置功能液L。由此，可以使图案的截面积增大，使图案的电阻低。
按照本实施方式，如图3(a)所示，围住区域S那样形成多个凸部35及贮格围堰34。藉此，使第2沟槽部56的功能液流入口37开口，可以由凸部35及贮格围堰34划分区域S。从而，将功能液L配置在该区域S的情况下，功能液L被凸部35及贮格围堰34形成的障壁阻挡。而且，该被阻挡的功能液向开口的第2沟槽部56方向流动。这样，使向第2沟槽部56的功能液L的流入量增加，可以使在第1沟槽部55形成的配线图案和在第2沟槽部56形成的配线图案的膜厚相等。其结果，可以使配置在第1沟槽部55及第2沟槽部56的功能液L的上面平坦化，可以防止在其上面形成的图案等的断线、短路。
(贮格围堰结构体及图案的形成方法)
图4是以工序顺序表示贮格围堰结构体及图案的形成方法的剖面图。图4中，左侧图示的工序是表示沿图3的D-D’线的第1沟槽部55上形成配线图案40的工序的剖面图。同样，在图4(a)中，中央图示的工序是表示沿图3的B-B’线的第2沟槽部56上形成配线图案41的工序的剖面图。在图4中，右侧图示的工序是表示沿图3的C-C’线的第1沟槽部55及第2沟槽部56上形成配线图案40、41的工序的剖面图。图5的(a)、(b)是表示配线图案的形成方法的剖面图。
(贮格围堰材料涂布工序)
首先，如图4(a)所示，用旋转涂布法等将贮格围堰材料涂布在基板48的全面上。作为基板48可以使用玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料膜、金属板等各种材料。另外，贮格围堰材料含有由感光性丙烯酸树脂和聚酰亚胺等构成的绝缘材料及亲液性材料。藉此，由于贮格围堰材料兼备抗蚀剂的功能，所以可以省略光致抗蚀剂涂布工序。另外，在贮格围堰材料上形成沟槽部的情况下，可以预先使这些沟槽部的内侧表面具有亲液性。
另外，优选在该基板48的表面上形成半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等的基底层。另外，作为上述贮格围堰材料的涂布方法，可以适用喷涂、辊涂、模压涂、浸渍涂等的各种方法。
(疏液化处理工序)
然后，使涂布在基板48的全部面上的贮格围堰材料的表面进行以CF4、SF5、CHF3等的含有氟的气体作为处理气体的等离子体处理。由该等离子体处理使贮格围堰材料的表面具有疏液性。作为疏液化处理法，例如可以采用在大气气氛中以四氟化碳作为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)。CF4等离子体处理的条件，例如等离子体功率是50～1000W，四氟化碳气体的流量是50～100ml/min、相对于等离子体放电电极的基体传送速度是0.5～1020mm/sec，基体温度是70～90℃。
另外，作为上述处理气体不限定于四氟化碳，也可以使用其它的氟碳系气体。另外，优选上述疏液化处理在后述的贮格围堰材料上形成所定的图案的沟槽部后进行。该情况下，也可以采用微接触印刷法。另外，优选在贮格围堰的原材料自体中预先填充疏液成分(氟基等)代替这样的处理。该情况下，可以省略CF4等离子体处理。
另外，也可以例如通过使用氟烷基硅烷(FAS)以氟烷基在膜表面的位置那样形成各化合物取向的自组织化膜。该情况下可以赋予贮格围堰材料的表面以均匀的疏液性。
作为形成自组织化膜的化合物可以例示出十七氟-1，1，2，2，四氢癸基三乙氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2，四氢癸基三甲氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2，四氢癸基三氯硅烷、十三氟-1，1，2，2，四氢辛基三乙氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2，四氢辛基三甲氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2，四氢辛基三氯硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷等氟烷基硅烷(以下称为“FAS”)。这些化合物既可以单独使用，也可以2种以上组合使用。通过将上述的原料化合物和基板放入同一密闭容器中在室温下放置2～3日左右就可以在基板上形成由有机分子膜构成的自组织化膜。这是由气相的形成法，也可以由液相形成自组织化膜。例如将基板浸渍在含有原料化合物的溶液中，洗涤、干燥而在基板上形成自组织化膜。
然后，如图4(b)所示，通过用半色调掩模的光刻处理，形成第1沟槽部55、第2沟槽部56及第1沟槽部55的底面上的凸部35。这里，所谓半色调掩模是具有遮断由曝光装置照射的曝光光的部分、完全透过曝光光的部分和部分地透过曝光光的部分的掩模。而且，在部分地透过曝光光的光掩模区域内，设置由狭缝构成的衍射光栅等的图案，可以控制透过曝光光的光强度。另外，在以下的光刻处理中作为显影处理所用的光化学反应以正片的抗蚀剂为前提。
在与第1沟槽部55的底面上形成的凸部35对应的贮格围堰区域内，对应半色调掩模的部分地透过曝光光的光掩模区域进行曝光。详细地说，在第1沟槽部55的底面上，以假想设置的区域S作为基准，使上述光掩模区域位置对位而进行曝光、显影处理。藉此，可以抑制照射到与第1沟槽部55的底面上形成的凸部35对应的贮格围堰区域的曝光光，使由显影产生的贮格围堰材料34的溶解度变少。
同时，在与第1沟槽部55及第2沟槽部56对应的贮格围堰区域内，对应半色调掩模的完全地透过曝光光的光掩模区域进行曝光。藉此，可以完全透过曝光光，照射到与第1沟槽部55及第2沟槽部56对应的区域(贮格围堰材料)内。
另外，对于其它的第1沟槽部55及第2沟槽部56以外的贮格围堰的区域，对应遮断上述半色调掩模的曝光光的光掩模区域进行曝光。藉此，在上述区域，不照射曝光光，显影处理时，贮格围堰34不溶解。
接着，根据上述掩模图案进行显影处理，在部分地通过曝光光的光掩模区域，在第1沟槽部55的底面上形成上述那样的排列图案的凸部35。这里，Y轴上邻接形成的凸部35、35之间的间隔H3比第2沟槽部56的宽度H2更小的形态形成。藉此，可以使第2沟槽部56的内部压力比凸部35、35之间的内部压力小。可以使功能液L流入内部压力小的第2沟槽部56中。另外，如上所述，在第1沟槽部55的底面上形成的凸部35的高度比贮格围堰34更低的形态，使贮格围堰34曝光、显影。藉此，由曝光、显影可以除去实施疏液处理的贮格围堰34的上面。这样，通过使贮格围堰34进行曝光、显影处理，可以使贮格围堰34形成在上述的多个凸部35上。
另外，在半色调掩模的完全透过曝光光的光掩模区域内，形成具有宽度H1的第1沟槽部55及具有宽度H2的第2沟槽部56。此时，如上所述，第1沟槽部55、第2沟槽部56及凸部35的表面因贮格围堰材料34使用亲液性材料而具有亲液性。另外，如上所述，第1沟槽部55及第2沟槽部56的上面34a因实施疏液处理而具有疏液性。
(功能液配置工序)
然后，如图4(c)、图5(a)所示，由液滴喷出装置IJ在第1沟槽部55配置作为配线图案形成材料的功能液L。另外，在本实施方式中，由于第2区域的第2沟槽部56是微细配线图案，所以在贮格围堰材料34上形成的第2沟槽部56的宽度H3窄，难以用液滴喷出装置IJ直接配置功能液L。因此，如上所述，向第2沟槽部56配置功能液L要通过使配置在第1沟槽部55的功能液由毛细管现象流入到第2沟槽部56的方法进行。
如图4(c)、图5(a)所示，由液滴喷出装置IJ配置到第1沟槽部55的功能液L在第1沟槽部55内部湿润扩展。这里，功能液L配置在含有第1沟槽部55的底面所设的区域S的区域内。
如图5(b)所示，配置在第1沟槽部55的底面上的功能液L因第1沟槽部55上形成的凸部35及贮格围堰34的障壁被暂时阻挡。而且，被阻挡的功能液L向不设凸部等的障壁的第2沟槽部56的方向流动。按照这样的工序，可以促进对第2沟槽部56的毛细管现象，在第1沟槽部55形成配线图案40(第1图案)，在第2沟槽部56形成配线图案41(第2图案)。
按照本实施方式，由于在第1沟槽部55的底面上形成多个凸部35，所以可以使向第2沟槽部56的功能液L的流入量增加，如图4(d)所示，可以使在第1沟槽部55形成的第1图案和在第2沟槽部56形成的第2图案的膜厚相等。其结果，可以使配置在第1沟槽部55及第2沟槽部56的功能液L的上面平坦化，可以防止在其上面形成的图案等的断线、短路。
(中间干燥工序)
然后，在第1沟槽部55及第2沟槽部56配置功能液L形成配线图案40、41后，根据必要进行干燥处理。藉此，可以除去功能液L的分散介质及确保图案的膜厚。干燥处理例如除了加热基板48的通常的加热板、电炉、灯退火以外，可以通过各种方法进行。这里，作为灯退火所使用的光的光源不作特别的限定，可以以红外线灯、氙灯、YAG激光、氩激光、二氧化碳激光、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等的受激准分子激光等作为光源使用。这些光源一般在输出10W以上、5000W以下的范围内使用，本实施方式在100W以上、1000W以下的范围内是充分的。另外，为了达到希望的膜厚，中间干燥工序后，根据必要也可以重复功能液配置工序。
(烧成工序)
配置功能液L后，功能液L的导电性材料例如是有机银化合物的情况下，为了得到导电性，有必要进行热处理，除去有机银化合物的有机部分，残留银粒子。因此，优选对配置功能液L后的基板实施热处理和光处理。热处理和光处理在通常的大气中进行，但是根据必要也可以在氮气、氩气、氦等的惰性气体的气氛中进行。热处理和光处理的处理温度可以考虑分散介质的沸点(蒸汽压)、气氛气体的种类或压力、微粒子和有机银化合物的分散性和氧化性等的热行为、涂敷剂的有无或数量、基体材料的耐热温度等而适宜决定。例如，为了除去有机银化合物的有机部分，需要在约200℃烧成。另外，使用塑料等基板的情况下，优选在室温以上、100℃以下进行。
通过由以上工序残留功能液L的作为导电性材料(有机银化合物)的银粒子，转换成导电性膜，如图4(d)所示，可以形成作为连续膜的导电性图案、即配线图案40、41。
以下参照图6～图8说明利用上述的本实施方式的贮格围堰结构而形成的像素及像素的形成方法。
<像素的结构>
图6是表示本实施方式的像素的结构的图。
如图6所示，像素在基板48上具有：栅配线40(第1图案)、从该栅配线40延伸而形成的栅电极41(第2图案)、源配线42(第1图案)、从该源配线42延伸而形成的源电极43(第2图案)、漏电极44和与漏电极44电连接的像素电极45。栅配线40在X轴方向延长而形成，源配线42与栅配线40交叉在Y轴方向延长而形成。而且，在栅配线40和源配线42的交叉点附近形成作为开关元件的TFT。通过该TFT成为接通状态，可以将驱动电流供给与TFT连接的像素电极45。
这里，如图6所示，栅电极41的宽度H2形成比栅配线40的宽度H1窄。例如，栅电极41的宽度H2是10μm，栅配线40的宽度H1是20μm。另外，源电极43的宽度H5形成得比源配线42的宽度H6更窄。例如，源电极43的宽度H5是10μm，源配线42的宽度H6是20μm。通过这样形成，即使是不能直接喷出功能液L的微细图案(栅电极41、源电极43)，通过利用毛细管现象也可以使功能液L流入微细图案中。
<像素的形成方法>
图7(a)～(e)是表示沿图6所示的E-E’线的像素的形成工序的剖面图。
在本实施方式中，利用上述的贮格围堰结构体及图案的形成方法形成具有底栅型的TFT30的栅电极、源电极、漏电极等的像素。另外，在以下的说明中，由于与上述的图4(a)～(d)及图5(a)、(b)所示的图案形成工序经过同样的工序，所以省略对于这样的工序的说明。另外，对于在上述工序中形成的图案41用以下说明的像素的形成方法形成栅电极进行了说明。另外，对于表示上述实施方式的构成要素和共同的构成要素赋予相同的符号。
如图7(a)所示，在含有由图4(a)～(d)所示的工序形成的配线图案的贮格围堰的平坦面上，由等离子体CVD法使栅绝缘膜39成膜。这里，栅绝缘膜39由氮化硅构成。然后，在栅绝缘膜39上使活性层成膜。接着，由光刻处理及蚀刻处理以图7(a)所示的方式以所定形状制作配线图案而形成非晶体硅膜46。
然后，在非晶体硅膜46上使接触层47成膜。接着，通过光刻处理及蚀刻处理，如图7(a)所示那样，以所定形状制作配线图案。另外，通过改变原料气体和等离子体条件，使n+型硅膜形成接触层47。
然后，如图7(b)所示，用旋转涂布法在含有接触层47的全面上涂布贮格围堰材料。这里，由于作为构成贮格围堰材料的材料在形成后需要具备光透过性和疏液性，所以适宜使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯树脂、三聚氰胺树脂等的高分子材料。从烧成工序中的耐热性、透过率这点出发，更优选使用具有无机骨架的聚硅氮烷。而且，实施用于使该贮格围堰材料保持疏液性的CF4等离子体处理等(用具有氟成分的气体的等离子体处理)。另外，也可以在贮格围堰的原材料自体中预先填充疏液成分(氟基等)代替这样的处理。该情况下，可以省略CF4等离子体处理等。也可以作为按照以上那样被疏液化的贮格围堰材料的相对于功能液L的接触角确保40°以上。
然后，形成成为1个像素间距的1/20～1/10的源·漏电极用贮格围堰34b。具体地说，首先，由光刻处理在与栅绝缘膜39的上面涂布的贮格围堰材料34的源电极43对应的位置上形成源电极用沟槽部43a，同样在与漏电极44对应的位置形成漏电极用沟槽部44a。此时，与栅配线沟槽部55同样在源配线沟槽部形成由所定的排列图案构成的多个凸部(省略图示)。
然后，将功能液L配置在源·漏电极用贮格围堰34b形成的源电极用沟槽部43a及漏电极用沟槽部44a内，形成源电极43及漏电极44。具体地说，首先，由液滴喷出装置IJ将功能液L配置在源配线用沟槽部(省略图示)。如图6所示，源电极用沟槽部43a的宽度H5形成得比源配线用沟槽部的宽度H6更窄。因此，配置在源配线用沟槽部的功能液L由凸部被一次阻挡，由毛细管现象流入源电极用沟槽部43a中。藉此，如图7(c)所示，形成源电极43。由同样的方法，形成漏电极44。
然后，如图7(c)所示，形成源电极43及漏电极44后除去源·漏电极用贮格围堰34b。而且，以分别残留在接触层47上的源电极43及漏电极44作为掩模，蚀刻在源电极43及漏电极44间形成的接触层47的n+型硅膜。通过这样的蚀刻处理，除去在源电极43及漏电极44间形成的接触层47的n+型硅膜，露出在n+型硅膜的下层形成的非晶体硅膜46的一部分。这样，在源电极43的下层形成由n+型硅膜构成的源区域32，在漏电极44的下层形成由n+型硅膜构成的漏区域33。而且，在这些源区域32及漏区域33的下层形成由非晶体硅构成的通道区域(非晶体硅膜46)。
由以上说明的工序形成底栅型TFT30。
通过利用本实施方式的图案形成方法，可以使源配线42和源电极43以相同的膜厚形成，使其的上面形成平坦区域。其结果，即使在平坦区域上再层叠所定的图案的情况下，也可以防止起因于阶差的图案的短路、断线等。另外，由于对源·漏电极用34b的上面实施疏液处理、而且上述源电极用沟槽部43a及漏电极用沟槽部44a的内面具有亲液性，所以功能液L不会从沟槽部溢出，可以形成微细的配线图案。
然后，如图7(d)所示，用真空镀膜法、溅射法等在源电极43、漏电极44、源区域32、漏区域33及露出的硅层上使钝化膜38(保护膜)成膜。接着，通过光刻处理及蚀刻处理，除去后述的形成像素电极45的栅绝缘膜39上的钝化膜38。同时，为了使像素电极45和源电极43电连接，在漏电极44上的钝化膜38上形成接触孔49。
然后，如图7(e)所示，在含有形成像素电极45的栅绝缘膜39的区域内涂布贮格围堰材料。这里，如上所述，贮格围堰材料含有丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚硅氮烷等材料。接着，由等离子体处理对该贮格围堰材料(像素电极用贮格围堰34c)的上面实施疏液处理。然后，通过光刻处理在形成像素电极45的区域内形成像素电极用沟槽部，形成像素电极用贮格围堰34c。
然后，由喷墨法、真空镀膜法等在区分为上述像素电极用贮格围堰34c的区域内形成由ITO(Indium Tin Oxide)构成的像素电极45。另外，通过使像素电极45填充上述的接触孔49，可以确保像素电极45和漏电极44的电连接。另外，在本实施方式中，对像素电极用贮格围堰34c的上面实施疏液处理，而且对上述像素电极用沟槽部实施亲液处理。因此，不从像素电极用沟槽部溢出而可以形成像素电极45。
由以上说明，可以形成如图6所示的本实施方式的像素。
[第2实施方式]
在本实施方式中，说明上述第1实施方式的在上述第1沟槽部55的底面形成的凸部的排列图案不同的情况。另外，由于除此以外的贮格围堰结构及图案的形成方法的基本构成与上述第1实施方式相同，所以对于共同的构成要素赋予相同的符号，省略其详细的说明。
图8(a)、(b)是表示在第1沟槽部55的底面形成的凸部的排列图案的图。
如图8(a)、(b)所示，在第1沟槽部55的底面上形成有多个凸部35。各多个凸部35以俯视呈矩形形状形成，由所定的排列图案配置在第1沟槽部55的底面上。具体地说，如图8(a)、(b)所示，第1沟槽部55的底面的凸部35沿Y轴方向在区域S的左侧及右侧排列成3行。即，凸部35围住区域S，在第1沟槽部55的底面上形成3行2列。
此时，各多个凸部35按照由矩形形状构成的凸部35的长度方向与X轴方向平行而且凸部35的短边方向与Y轴方向成平行地形成。另外，如图8(a)所示，与上述第1实施方式同样，在Y轴上邻接而形成的凸部35、35的间隔H6形成得比第2沟槽部56的宽度H5更小。另外，如图8(b)所示，与上述实施方式同样，优选在第1沟槽部55的底面上形成的凸部35的高度形成得比贮格围堰34的高度更低。
按照本实施方式，与上述第1实施方式不同，可以使沿Y轴方向邻接的凸部35、35之间的凸部35的长度方向的距离比上述第1实施方式长。藉此，凸部35、35之间的阻力(内部压力)增高，可以使功能液L圆滑地流入比凸部35、35之间阻力(内部应力)低的第2沟槽部56中。另外，不言而喻，本实施方式具有与第1实施方式同样的作用效果。
[第3实施方式]
在本实施方式中，说明上述第1及第2实施方式的在上述第1沟槽部55的底面形成的凸部的排列图案不同的情况。另外，由于除此以外的贮格围堰结构及图案的形成方法的基本构成与上述第1实施方式相同，所以对于共同的构成要素赋予相同的符号，省略其详细的说明。
图9(a)、(b)是表示在第1沟槽部55的底面形成的凸部的排列图案的图。
如图9(a)、(b)所示，在第1沟槽部55的底面上形成有多个凸部35。各多个凸部35以俯视呈矩形形状形成，由所定的排列图案配置在第1沟槽部55的底面上。具体地说，如图9(a)、(b)所示，第1沟槽部55的底面的凸部35沿Y轴方向在区域S的左侧及右侧排列成2行。另外，凸部35形成在区域S的俯视的下侧和与其对向的贮格围堰34之间。即，凸部35围住区域S，形成在第1沟槽部55的底面上。
此时，各多个凸部35形成得由矩形形状构成的凸部35的长度方向与X轴方向平行而且凸部35的短边方向与Y轴方向平行。另外，如图9(a)所示，与上述第1实施方式同样，在Y轴上邻接而形成的凸部35、35的间隔H6形成比第2沟槽部56的宽度H5更小。另外，如图9(b)所示，与上述实施方式同样，优选在第1沟槽部55的底面上形成的凸部35的高度形成比贮格围堰34的高度更低。
按照本实施方式，配置的功能液L的飞翔直径即使在比上述第1或第2实施方式小的情况下，也可以可靠地阻挡功能液L。另外，不言而喻，本实施方式具有与实施方式1同样的作用效果。
[第4实施方式]
在本实施方式中，说明上述第1及第2实施方式的在上述第1沟槽部55的底面上形成的凸部的排列图案不同的情况。另外，由于除此以外的贮格围堰结构及图案的形成方法的基本构成与上述第1实施方式相同，所以对于共同的构成要素赋予相同的符号，省略其详细的说明。
图10(a)、(b)是表示在第1沟槽部55的底面形成的凸部的排列图案的图。
如图10(a)、(b)所示，在第1沟槽部55的底面上形成多个凸部35。各多个凸部35以俯视呈矩形形状形成，由所定的排列图案配置在第1沟槽部55的底面上。具体地说，如图10(a)、(b)所示，第1沟槽部55的底面的凸部35沿Y轴方向空出所定间隔H12形成为3行，同时在该3行上形成的凸部35在X轴方向上偏离所定间隔H13而排列形成。即，这些多个的凸部35形成为阶梯状图案。而且，由该所定的排列图案构成的凸部35在各区域S的左侧及右侧分别形成。
此时，各多个凸部35形成得由矩形形状构成的凸部35的对向的2边与X轴方向平行，而且凸部35的另外对向的2边与Y轴方向平行。另外，如图10(a)所示，与上述第1实施方式同样，在Y轴上邻接而形成的凸部35、35的间隔H6形成比第2沟槽部56的宽度H5更小。另外，如图10(b)所示，与上述实施方式同样，优选在第1沟槽部55的底面上形成的凸部35的高度形成比贮格围堰34的高度更低。
按照本实施方式，在以上述方式偏离而形成凸部35的情况下，也可以具有与上述实施方式1同样的作用效果。
<电光学装置>
以下，说明具备由具有上述贮格围堰结构的图案形成方法形成的像素的作为本发明的电光学装置的一例的液晶显示装置。
图11是表示本发明的液晶显示装置的各构成要素和从对向基板侧所看到的平面图。图12是沿图11的H-H’线的剖面图。图13是在液晶显示装置的像素显示区域内矩阵状形成的多个像素中的各种元件、配线等的等效电路图，另外，在以下说明所用的各图中，为了使各层和各构件在图面上成为可识别程度的大小，各层和各构件取不同的缩尺。
在图11和图12中，本实施方式的液晶显示装置(电光学装置)100，其形成一对的TFT阵列基板10和对向基板20，由作为光固化性的密闭材料的密封材料52贴合，在由该密封材料52区分的区域内封入保持着液晶50。密封材料52在基板面内的区域内形成闭合的框状，不具备液晶注入口，无用密闭材料密封的痕迹而构成。
在密封材料52的形成区域的内侧区域，形成由遮光性材料构成的周边分型面53。在密封材料52的外侧区域，沿着TFT阵列基板10的一边，形成数据线驱动电路201及安装端子202，沿与该边邻接的两边，形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10剩下的一边，设有用于连接在像素显示区域两侧所设的扫描驱动电路204之间的多个配线205。另外，在对向基板20的角部的至少一个地方，配设着用于TFT阵列基板10和对向基板20间电导通的基板间导通材206。
另外，也可以例如借助于各向异性导电膜，电及机械地连接安装驱动用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板和在TFT阵列基板10的周边部形成的端子群，代替在TFT阵列基板10上形成数据线驱动电路201及扫描线驱动电路204。另外，在液晶显示装置100中，分别根据使用的液晶50的种类、即TN(Twisted Nematic)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式模式等的动作模式和标准白模式/标准黑模式，以所定的方向配置相差片、偏光片等，这里，省略图示。
另外，以液晶显示装置100作为彩色显示用而构成的情况下，对向基板20在与TFT阵列基板10的后述的各像素电极对向的区域内，与其保护膜同时形成例如红(R)、绿(G)、蓝(B)的滤色片。
在具有这样结构的液晶显示装置100的图像显示区域中，如图10所示，以矩阵状构成多个像素100a，同时在这些像素100a的各自中，形成有像素开关用的TFT(开关元件)30，供给像素信号S1、S2、…、Sn的数据线6a与TFT30的源电极电连接。写入数据线6a中的像素信号S1、S2、…、Sn既可以以线顺序依次供给，也可以相对于邻接的多个数据线6a彼此以组供给。另外，扫描线3a与TFT30的栅电连接，在所定的时间内以线顺序将扫描信号G1、G2、…、Gn顺序脉冲地施加到扫描线3a中。
像素电极19与TFT30的漏电极电连接，通过使作为开关元件的TFT30只在一定期间呈开通状态，可以将由数据线6a供给的像素信号S1、S2、…、Sn在所定的时间内写入各像素中。这样，借助于像素电极19写入液晶的所定电平的像素信号S1、S2、…、Sn，在图12所示的与对向基板20的对向电极121间保持一定期间。另外，为了防止被保持的像素信号S1、S2、…、Sn泄漏，与在像素电极19和对向电极121之间形成的液晶电容并列而附加了存储电容60。例如，像素电极19的电压只比施加源电压的时间长3位的时间由存储电容60保持。藉此，可以改善电荷的保持特性、实现对比度高的液晶显示装置100。
图14是具有由上述贮格围堰结构及图案形成方法形成的像素的有机EL装置的侧剖面图。以下，参照图14，同时说明有机EL装置的概略构成。
在图14中，有机EL装置401是将挠性基板(图示略)的配线及驱动IC(图示略)与由基板411、电路元件部421、像素电极431、贮格围堰部441、发光元件451、阴极461(对向电极)及密封基板471构成的有机EL元件402连接的。电路元件部421在基板411上形成作为有源元件的TFT60，多个像素电极431排列在电路元件部421上而构成。而且，构成TFT60的栅配线61由上述的实施方式的配线图案的形成方法形成。
在各像素电极431之间，贮格围堰部441形成为格子状，在由贮格围堰部441形成的凹部开口444上形成着发光元件451。另外，发光元件451由形成红色发光的元件和形成绿色发光的元件和形成蓝色发光的元件构成，藉此，有机EL装置401可以实现彩色显示。阴极461在贮格围堰部441及发光元件451的上部的全面上形成，在阴极461的上方层叠密封用基板471。
含有有机EL元件的有机EL装置401的制造过程具备：形成贮格围堰部441的贮格围堰部形成工序；用于恰当形成发光元件451的等离子体处理工序；形成发光元件451的发光元件形成工序；形成阴极461的对向电极形成工序和在阴极461上层叠、密封密封用基板471的密封工序。
发光元件形成工序通过形成凹部开口444、即在像素电极431上通过形成空穴注入层452及发光层453而形成发光元件451，具备空穴注入层形成工序和发光层形成工序。而且，空穴注入层形成工序具有将用于形成空穴注入层452的液状体材料喷到各像素电极431上的第1喷出工序和使喷出的液状体材料干燥而形成空穴注入层452的第1干燥工序。另外，发光层形成工序具有将用于形成发光层453的液状体材料喷到空穴注入层452上的第2喷出工序和使喷出的液状体材料干燥而形成发光层453的第2干燥工序。另外，如前所述，发光层453由与红、绿、蓝3色相对应的材料形成3种，因此，上述的第2喷出工序由用于分别喷出3种材料的3个工序构成。
对于该发光元件形成工序，在空穴注入层形成工序的第1喷出工序和发光层形成工序的第2喷出工序中可以使用上述的液滴喷出装置IJ。
另外，作为本发明的器件(电光学装置)，除上述以外，也可以适用于PDP(等离子体显示装置面板)或通过使电流平行地流入在基板上形成的小面积的薄膜上的膜面、利用产生电子发射现象的表面传导型电子发射元件等。
<电子仪器>
以下说明本发明的电子仪器的具体例。
图15是表示移动电话机一例的立体图。在图15中，600表示移动电话机主体，601表示具备上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
由于图15表示的电子仪器具备由具有上述实施方式的贮格围堰结构的图案形成方法形成的液晶显示装置，所以可以得到高的质量和性能。
另外，本实施方式的电子仪器具备液晶装置，但是也可以是具备有机电致发光显示装置、等离子体型显示装置等其它电光学装置的电子仪器。
以下说明将由具有本发明的贮格围堰结构的图案形成方法形成的图案适用于天线电路的例子。
图16表示与本实施方式例有关的非接触型卡片介质，非接触型卡片介质400在由卡片基体402和卡片盖418构成的框体内，内置半导体集成电路芯片408和天线电路412，由未图示的外部的收发两用机和电磁波或静电电容结合的至少一方供给电力，或者由数据授受的至少一方进行。
在本实施方式中，上述天线电路412根据本发明的图案形成方法形成。因此，可以谋求上述天线电路412的微细化和细线化，可以得到高质量和性能。
另外，除上述的电子仪器以外，还可以适用于种种电子仪器。例如，可以适用于具备液晶投影仪、多介质对应的个人计算机(PC)及工程·终端站(EWS)、寻呼机、代码信息处理机、电视、探测型或监控直视型的视频信号磁带记录器、电子笔记本、台式电子计算器、汽车导航用信息装置、POS终端、触摸面板的装置等的电子仪器。
以上，参照附图同时说明了本发明适宜的实施方式的例，但是不言而喻，本发明并不限于有关的例。上述的例中所示的各构成构件的诸形状和组合等仅是一例，在不偏离本发明的主旨的范围内，根据设计要求等可以进行种种变更。
例如，在上述实施方式中，通过光刻处理及蚀刻处理在贮格围堰上形成希望的沟槽部(例如，第1沟槽部等)。与此相反，也可以用激光通过在贮格围堰上制作配线图案形成希望的沟槽部代替上述形成方法。
另外，在上述的实施方式中，以俯视呈矩形形状形成凸部，但是也可以以俯视呈圆形、多边形等形状形成。

Claims (11)

1.一种隔壁结构体，是设有与由功能液形成的图案对应的凹部的隔壁结构体，其特征在于，具备：
与第1图案对应而设的第1凹部；
与上述第1图案连接而且与比上述第1图案宽度窄的第2图案相对应而设的第2凹部；和
至少在上述第1凹部设1个以上的凸部。
2.根据权利要求1所述的隔壁结构体，其特征在于：
上述凸部设在含有上述第1凹部和上述第2凹部的连接部的上述第1凹部的底面区域内。
3.根据权利要求1或者权利要求2所述的隔壁结构体，其特征在于：
上述凸部设置多个，
邻接设置的上述凸部间的间隙部设置得比上述第2凹部的宽度小。
4.根据权利要求1～权利要求4的任一项所述的隔壁结构体，其特征在于：
上述凸部的高度设置得比上述隔壁结构体的上面低。
5.根据权利要求1～权利要求5的任一项所述的隔壁结构体，其特征在于：
上述凸部沿上述第2图案的长度方向设置。
6.一种隔壁结构体的制造方法，是在基板上形成具有与多个图案相对应的凹部的隔壁结构体的方法，其特征在于，具有：
在上述基板上涂布隔壁材料的工序；和
形成具有与第1图案对应的第1凹部同时具有与上述第1图案连接而且与比上述第1图案窄的第2图案对应的第2凹部的隔壁的工序；
在上述隔壁形成工序中，至少在上述第1凹部设置1个以上的凸部。
7.一种器件，其特征在于：
具备权利要求1～5的任一项所述的隔壁结构体，和在上述隔壁结构体的上述第1凹部及上述第2凹部的内部配置的图案。
8.根据权利要求7所述的器件。其特征在于：
上述第1图案是栅配线，上述第2图案是栅电极。
9.根据权利要求7所述的器件。其特征在于：
上述第1图案是源配线，上述第2图案是源电极。
10.一种电光学装置，其特征在于：
具备权利要求9所述的器件。
11.一种电子仪器，其特征在于：
具备权利要求10所述的电光学装置。
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